一种新型大功率瞬态电压抑制二极管的制作方法

本实用新型涉及二极管设计领域，具体涉及一种新型大功率瞬态电压抑制二极管。

背景技术：

瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS，又称为钳位型二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件。当瞬态电压抑制二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10-12s量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，将两极间的箝位电压位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。而在高频线路的应用中，由于常规的瞬态电压抑制二极管的结电容通常只有几百pF左右，即使瞬态电压抑制二极管处于不工作的状态下，高频信号往往也会失真。因此，市场上出现了在高频应用上的低电容瞬态电压抑制二极管，既可以减小普通瞬态电压抑制二极管引入带来的信号畸变，又可以对信号中的瞬时高能量脉冲进行吸收。

现有R-6封装瞬态电压抑制二极管，只能满足5KW浪涌能力，而保护应用上需要提升到15KW的浪涌能力。按照常规设计，必须更换更大的封装外形，占用更大的PCB板面积，且需求超大尺寸芯片，价格昂贵且只能进口。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足，提供一种新型大功率瞬态电压抑制二极管。

为了实现上述实用新型目的，本实用新型提供了以下技术方案：

一种新型大功率瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板和用于包覆所述TVS芯片与所述铜板的塑封体；其中，所述N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗所述TVS芯片，每颗所述TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使所述N颗TVS芯片串联连接；而且，所述叠装结构两端的铜板分别引出一条引线并伸出所述塑封体；其中，N不小于2。

优选的，封装形式为插件R-6封装。

优选的，所述TVS芯片的形状为正多边形。

优选的，所述塑封体的材料选用环氧树脂，并采用压塑工艺制成。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：本实用新型采用一种新型大功率瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板和用于包覆TVS芯片与铜板的塑封体；其中，N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片，每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使N颗TVS芯片串联连接；而且，叠装结构两端的铜板分别引出一条引线并伸出塑封体。其中，N不小于2。该新型大功率瞬态电压抑制二极管具有承受大反向浪涌能量冲击，从而能够使R-6封装的二极管，提升浪涌冲击保护能力。

附图说明

图1为一种新型大功率瞬态电压抑制二极管结构图；

图2为TVS芯片的形状图。

其中，1为TVS芯片、2为铜板、3为焊片、4为引线、5为塑封体。

具体实施方式

下面结合试验例及具体实施方式对本实用新型作进一步的详细描述。但不应将此理解为本实用新型上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本实用新型内容所实现的技术均属于本实用新型的范围。

实施例1

本实用新型，新型大功率瞬态电压抑制二极管，N颗TVS芯片、N+1块铜板和用于包覆TVS芯片与铜板的塑封体；其中，N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片，每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使N颗TVS芯片串联连接；而且，叠装结构两端的铜板分别引出一条引线并伸出塑封体。其中，N不小于2。

例如，如图1所示，包括：3颗TVS芯片1、4块铜板2和包覆TVS芯片1和铜板2的塑封体5。铜板2用于驱散TVS芯片1的PN结产生的热量；4块铜板2叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板2之间安装一颗TVS芯片1，每颗TVS芯片1分别与其两侧的铜板2电气连接，使3颗TVS芯片串联连接；而且，叠装结构两端的铜板分别引出一条引线4并伸出塑封体5。

在具体实施过程中，封塑形式为插件R-6封装。TVS芯片的形状为正多边形或者圆形，如图2所示，例如TVS芯片的形状为正六边形，使得在同样圆形R-6封装直径内，比传统正方形芯片具有更大的表面积，实现更大的反向浪涌能力。

内部结构采用3颗TVS芯片叠装，利用二极管串联分压原理，单层芯片承受5KW的反向浪涌，使得二极管累计可承受15KW，且单颗芯片的面积不超出R-6封装。

塑封体的材料选用环氧树脂，使得塑封体具有更好的散热性，承受更大的功率。并且塑封体采用压塑工艺制作。

芯片与芯片之间使用铜板连接，改善了芯片与芯片之间的连接方式，使得结构更加简单，更便于封装。