1.一种自带波长校准的同轴激光器光源内核，其特征在于，包括to管座(1)、设置在所述to管座(1)上表面的tec制冷器(2)、设置在所述tec制冷器(2)上表面的热传导垫块(3)、设置在所述热传导垫块(3)上表面的氮化铝垫块(4)以及分别设置在所述氮化铝垫块(4)上表面的激光器芯片(5)和热敏电阻(6)；
还包括贯穿设置在所述to管座(1)上的to管脚(7)，所述tec制冷器(2)、所述激光器芯片(5)和所述热敏电阻(6)均分别与所述to管脚(7)电连接，且所述激光器芯片(5)的主光轴与所述to管座(1)的中心轴线同轴；
所述tec制冷器(2)包括控温冷面和散热面，所述tec制冷器(2)的上表面为所述控温冷面，所述tec制冷器(2)的下表面为所述散热面，且所述热传导垫块(3)焊接在所述控温冷端面上；
所述热传导垫块(3)包括第一垫块(18)和第二垫块(19)，所述第一垫块(18)固定设置在所述第二垫块(19)的上表面，所述第二垫块(19)设置在所述tec制冷器(2)的上表面，且制成所述第一垫块(18)的材质的热扩散系数大于40mm2/s，制成所述第二垫块(19)的材质的热扩散系数小于10mm2/s。
2.根据权利要求1所述的自带波长校准的同轴激光器光源内核，其特征在于，所述第一垫块(18)通过金属钎焊焊料或者银浆焊接固定在所述第二垫块(19)的上表面，所述金属钎焊焊料包括金锡合金焊料、锡银铜合金焊料、铟银合金焊料、铋锡合金焊料、铅锡合金焊料、铟锡合金焊料中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的自带波长校准的同轴激光器光源内核，其特征在于，所述金属钎焊焊料或所述银浆的热传导率大于或等于40w/(m·k)。
4.根据权利要求1至3任一项所述的自带波长校准的同轴激光器光源内核，其特征在于，所述to管脚(7)由铜或铜合金制成。
5.根据权利要求1至3任一项所述的自带波长校准的同轴激光器光源内核，其特征在于，还包括to管帽(8)，所述to管帽(8)密封焊接在所述to管座(1)上，且所述tec制冷器(2)、所述热传导垫块(3)、所述氮化铝垫块(4)、所述激光器芯片(5)和所述热敏电阻(6)均设置在所述to管帽(8)与所述to管座(1)合围而成的密封腔内；
所述to管帽(8)上设有管帽透镜(9)，且所述管帽透镜(9)的主光轴与所述to管座(1)的中心轴线同轴。
6.根据权利要求5所述的自带波长校准的同轴激光器光源内核，其特征在于，所述管帽透镜(9)包括平窗平面透镜、非球面透镜和球面透镜中的任一种。
7.一种自带波长校准的同轴激光器，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的自带波长校准的同轴激光器光源内核(10)，还包括管体(11)，所述同轴激光器光源内核(10)固定焊接在所述管体(11)内部的一端且所述to管脚(7)伸出至所述管体(11)外；
还包括均固定焊接在所述管体(11)内部的耦合透镜(12)、光隔离器(13)和半透半反镜片(14)，且所述耦合透镜(12)、所述光隔离器(13)和所述半透半反镜片(14)均依次与所述同轴激光器光源内核(10)光路耦合，所述光隔离器(13)、所述耦合透镜(12)的主光轴与所述同轴激光器光源内核(10)的中心轴线同轴，所述半透半反镜片(14)与所述同轴激光器光源内核(10)的中心轴线呈45°角；
还包括自带参考气室的光电探测器(15)，所述光电探测器(15)固定焊接在所述管体(11)内部的一侧，且所述半透半反镜片(14)与所述光电探测器(15)的中心轴线呈45°角，所述同轴激光器光源内核(10)的中心轴线与所述光电探测器(15)的中心轴线呈90°角。
8.根据权利要求7所述的自带波长校准的同轴激光器，其特征在于，所述耦合透镜(12)的主光轴与所述同轴激光器光源内核(10)的中心轴线呈4°～8°角。
9.根据权利要求7所述的自带波长校准的同轴激光器，其特征在于，还包括保护镜片(16)，所述保护镜片(16)设置在所述管体(11)远离所述同轴激光器光源内核(10)的一端。
10.根据权利要求9所述的自带波长校准的同轴激光器，其特征在于，所述保护镜片(16)包括平窗透镜、非球面透镜和球面透镜中的任一种。