一种用于增加负耦合的陶瓷波导器的制作方法

本实用新型属于滤波器领域，尤其涉及一种用于增加负耦合的陶瓷波导器。

背景技术：

随着现代通信技术的发展，通信设备的小型化是一种必然的趋势，特别是在5g时代，通信设备的小型化显的尤为重要，在5g通信中，滤波器也一直在朝着小型化发展，然而陶瓷波导滤波器很好的解决了设备小型化要求，随着通信技术的发展，频谱资源越来越紧缺，通信频段间隔越来越近，相应的干扰也会越来越严重，所以相应的滤波设备要求对带外的抑制能力要求就越来越高。

专利《介质滤波器，收发信机及基站》，专利号201380046875.9，其陶瓷波导滤波器两频率之间实现负耦合的都是通过两频率之间的深耦合孔(或者槽)的底部与陶瓷的本体之间的介质厚度来实现负耦合。

如图3所示，同时实现上述负耦合的方法实现出来的左右两个零点频率位置比较一致，且零点频率很难进行由于在实际产品的使用中，通带的两边带外抑制要求可能不一致，有时需要一个零点更高，另外一个更低，所以零点频率位置出现很一致时反而使得产品设计及生产更难。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种用于增加负耦合的陶瓷波导器。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种用于增加负耦合的陶瓷波导器，包括陶瓷介质谐振器，所述陶瓷介质谐振器上开设有第一调试孔和第二调试孔，所述第一调试孔和第二调试孔均为盲孔，用于调试其所在的陶瓷介质谐振器谐振频率，且朝向同一侧开口设置，所述陶瓷介质谐振器上还开设有第一负耦合孔和第二负耦合孔，所述第一负耦合孔和第二负耦合孔位于第一调试孔和第二调试孔之间，所述第一负耦合孔和第二负耦合孔均为盲孔，所述第一负耦合孔和第二负耦合孔的开口相反设置，所述第一负耦合孔和第二负耦合孔开设的深度构成相交设置，所述第一负耦合孔和第二负耦合孔之间相间隔且相对设置，所述第一负耦合孔和第二负耦合孔相交的部分用于实现所述陶瓷介质谐振器的电容耦合，所述陶瓷介质谐振器、第一调试孔、第二调试孔、第一负耦合孔和第二负耦合孔表面均覆盖有导电层。

优选地，所述第一负耦合孔和第二负耦合孔为相同的形状结构，为方形孔，或为圆柱形孔。

优选地，所述导电层为银层。

优选地，所述第一负耦合孔和第二负耦合孔底部相交设置。

一种实现陶瓷导波器负耦合的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在第一调试孔和第二调试孔之间设置有开口相反的第一负耦合孔和第二负耦合孔；

步骤2：第一负耦合孔和第二负耦合孔相交的部分构成电容耦合，其公式如下：

c＝k*a/t

其中，

k为介电常数；

a为第一负耦合孔和第二负耦合孔的相交面积；

t为第一负耦合孔和第二负耦合孔的相对间距。

优选地，所述第一调试孔和第二调试孔上的导电层可去除设置，使其能调节频率。

借由上述方案，本实用新型至少具有以下优点：

本实用新型通过相反开口的第一耦合槽和第二耦合槽与第一频率盲孔和第二频率盲孔相配合，解决了陶瓷波导滤波器难实现电容耦合的问题，提升对近端频率抑制的能力。同时还能灵活的调节两个零点频率的位置。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型的侧视图。

图3是现有的零点频率图；

图4是本实用新型的零点频率图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例

如图1和图2所示，

一种用于增加负耦合的陶瓷波导器，包括陶瓷介质谐振器1，所述陶瓷介质谐振器1上开设有第一调试孔2和第二调试孔3，所述第一调试孔2和第二调试孔3均为盲孔，用于调试其所在的陶瓷介质谐振器谐振频率，且朝向同一侧开口设置，所述陶瓷介质谐振器1上还开设有第一负耦合孔4和第二负耦合孔5，所述第一负耦合孔4和第二负耦合孔5位于第一调试孔2和第二调试孔3之间，所述第一负耦合孔4和第二负耦合孔5均为盲孔，所述第一负耦合孔4和第二负耦合孔5的开口相反设置，所述第一负耦合孔4和第二负耦合孔5开设的深度构成相交设置，所述第一负耦合孔4和第二负耦合孔5之间相间隔且相对设置，所述第一负耦合孔4和第二负耦合孔5相交的部分用于实现所述陶瓷介质谐振器1的电容耦合，所述陶瓷介质谐振器1、第一调试孔2、第二调试孔3、第一负耦合孔4和第二负耦合孔5表面均覆盖有导电层。

本实用新型中所述第一负耦合孔4和第二负耦合孔5为相同的形状结构，为方形孔，或为圆柱形孔，第一负耦合孔4和第二负耦合孔5的形状不局限于上述的两种，还可以是不规则的形状，只是在加工中由于加工的方便将其加工成上述的形状。

本实用新型中所述导电层为银层，具体可以通过对本体表面进行电镀金属来形成。金属可以为银，也可以为其他满足实际需要的金属。

具体制造时，可以通过一体化成形来获得带有调试孔和负耦合孔的本体，再对本体进行表面金属化，比如表面电镀，来获得陶瓷介质谐振器。这样，采用一体化成形的方式来获得陶瓷介质谐振器，可以使得其加工工艺更简单。

本实用新型中所述第一负耦合孔4和第二负耦合孔5底部相交设置。

一种实现陶瓷导波器负耦合的方法，包括以下步骤：

步骤1：在第一调试孔2和第二调试孔3之间设置有开口相反的第一负耦合孔4和第二负耦合孔5；

步骤2：第一负耦合孔4和第二负耦合孔5相交的部分构成电容耦合，其公式如下：

c＝k*a/t

其中，

k为介电常数；

a为第一负耦合孔和第二负耦合孔的相交面积；

t为第一负耦合孔和第二负耦合孔的相对间距。

具体的，陶瓷介质谐振器上的电容耦合通过第一负耦合孔和第二负耦合孔来实现，并通过图4可以清楚的知道能改变其零点频率，使其来适应不同的要求。

本实用新型中所述第一调试孔2和第二调试孔3上的导电层可去除设置，使其能调节频率。也就是，可以通过去除调试孔内的部分导电层，来调节该调试孔所在的谐振器的谐振频率。具体的，可以通过调整调试孔内的导电层被去除的面积的大小，来改变谐振频率的大小。可以通过打磨的方式调整该调试孔内的导电层被去除的部分的面积，在本实用新型实施例中可以不予限定。导电层被去除的部分可以位于调试孔内的内底部或内侧部，其可以为一处，也可以为不连续的多处，具体可以根据实际需要进行设计。通过本体上的盲孔内的导电层的去除来实现谐振频率的调节，可以使谐振频率的保持性更好。

本实用新型通过相反开口的第一耦合槽和第二耦合槽与第一频率盲孔和第二频率盲孔相配合，解决了陶瓷波导滤波器难实现电容耦合的问题，提升对近端频率抑制的能力。同时还能灵活的调节两个零点频率的位置。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，并不用于限制本实用新型，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。