一种芯片封装用厚度调整控制结构的制作方法

本实用新型涉及led芯片封装技术领域，具体涉及一种芯片封装用厚度调整控制结构。

背景技术：

在led灯的制造过程中，需要对led芯片进行封装。传统的led芯片封装工艺是对led芯片逐个点胶，较为费时，生产成本高，而且难以控制并且减少led芯片封装的体积以及厚度。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型的目的是提供一种芯片封装用厚度调整控制结构，利用该厚度调整控制结构能够调整并控制芯片的封装厚度。

为实现本实用新型的目的，本实用新型提供了一种芯片封装用厚度调整控制结构，其包括载体、支撑块和压件；载体包括位于上层的第一双面膜，第一双面膜包括涂胶区域以及在涂胶区域之外的第一空余区域，涂胶区域内用于粘贴芯片的矩阵阵列；支撑块放置在第一空余区域上，支撑块的高度大于芯片的厚度；压件放置在支撑块上。

由上可见，本实用新型提供了一种用于调整和控制芯片封装厚度的厚度调整控制结构，主要包括载体、支撑块和压件，矩阵排列的芯片定位在载体的第一双面膜的涂胶区域内，统一涂覆胶水进行封装，能够为芯片批量化封装提供条件。支撑块可以定位在载体的第一双面膜的第一空余区域上，通过支撑块支撑压件，第一双面膜与压件之间形成具有一定高度的空间，通过调整该空间高度，能够调整和控制芯片的封装厚度，有利于实现芯片级封装即csp封装。

进一步的技术方案是，载体还包括载板和第一热解膜；第一热解膜贴在载板上，第一双面膜贴在第一热解膜上；第一热解膜的与载板粘贴的膜面具有粘性且加热后粘性消失，第一双面膜的双面具有粘性。

由上可见，本实用新型提供的载体包括载板、第一热解膜和第一双面膜，其中载板能够提供支撑，热解膜粘贴载板并且在加热后容易从载板上剥离，双面膜双面具有粘性，一面用于粘贴热解膜，另一面用于粘贴芯片的矩阵阵列。

进一步的技术方案是，压件还包括压板、第二热解膜、第二双面膜和高温膜，第二热解膜贴在压板上，第二双面膜贴在第二热解膜上；第二双面膜包括贴合区域以及在贴合区域之外的第二空余区域，贴合区域与涂胶区域对应设置，第二空余区域与第一空余区域对应设置，高温膜贴在贴合区域上；压件以压板朝上、高温膜朝下的方式放置在支撑块上，第二空余区域与支撑块接触；第二热解膜的与压件粘贴的膜面具有粘性且加热后粘性消失，第二双面膜的双面具有粘性。

由上可见，本实用新型通过高温膜与胶水接触，提高胶层表面的光滑度，避免胶层表面粘结。

进一步的技术方案是，第一空余区域设置在涂胶区域的周围，对应地第二空余区域设置在贴合区域周围；支撑块的数目为至少两个，支撑块具有相同的高度且至少两个支撑块对称地设置在涂胶区域两侧。

由上可见，本实用新型的支撑块均匀设置在涂胶区域周围，从而更好地支撑第二压件，保证封装胶层的平整和均匀。

进一步的技术方案是，根据芯片的封装厚度要求，选择合适的支撑块的高度以及高温膜的厚度，封装厚度等于支撑块的高度减去高温膜的厚度。

由上可见，本发明通过支撑块和高温膜，能够准确控制封装件的厚度，并且能够根据需要制备不同厚度的封装件。

进一步的技术方案是，载板的与第一热解膜粘贴的板面上设有矩阵阵列标记，矩阵阵列标记透过第一热解膜和第一双面膜是可见的。

由上可见，本实用新型在载板上设置矩阵阵列标记，第一热解膜和第一双面膜具有一定的透明度，根据矩阵阵列标记在第一热解膜上排布芯片，能够提高芯片的定位准确性。由于载板能够重复利用，矩阵阵列标记设置在载板上有利于多次排布芯片时利用矩阵阵列标记进行定位。

进一步的技术方案是，矩阵阵列标记设置在载板的中间。

由上可见，本实用新型的矩阵阵列标记设置在载板中间，在芯片封装过程中，矩阵阵列以外的其他空余位置可供夹具夹紧载体、承载溢出的多余胶水以及放置支撑块等使用。

进一步的技术方案是，载板为钢板，第一双面膜和第二双面膜为硅胶双面膜。

由上可见，本实用新型的载板为钢板，具有较高的力学性能，不易变形，能够提供稳定的支撑作用。双面膜为硅胶双面膜，具有良好的粘结性能。

进一步的技术方案是，第一热解膜或第一双面膜设有切割标记。

由上可见，本实用新型在第一热解膜或第一双面膜上设置切割标记，有助于根据切割标记切割封装后的芯片矩阵阵列。

进一步的技术方案是，切割标记设置在第一热解膜或第一双面膜的边缘处。

由上可见，本发明的切割标记可以设置在膜边缘处，避免被胶水覆盖。

附图说明

图1是本实用新型厚度调整控制结构实施例的结构示意图。

图2是本实用新型厚度调整控制结构实施例的结构分解示意图。

图3是本实用新型利用厚度调整控制结构制造倒装led芯片csp的实施例的示意图。

具体实施方式

如图1至2所示，本实施例提供了一种芯片封装用厚度调整控制结构，其包括载体、支撑块60和压件。

其中，载体包括载板10、第一热解膜11和第一双面膜12；第一热解膜11贴在载板10上，第一双面膜12贴在第一热解膜11上，第一热解膜11用于粘贴芯片20的矩阵阵列。其中，载板10为钢板，钢板具有较高的强度和硬度，不易变形，能够起到很好的支撑作用；第一热解膜11至少在与载板10接触的膜面具有粘结性，在加热后粘结性消失，易于剥离；第一双面膜12可以是硅胶双面膜，其双面具有粘性。载板10、第一热解膜11和第一双面膜12共同构成芯片20的载体，载板10、第一热解膜11和第一双面膜12可以通过具有压膜辊的冷裱机进行贴合。

载板10上设有倒装led芯片20的矩阵定位标记13，第一热解膜11和第一双面膜12具有一定的透明度，透过第一热解膜11和第一双面膜12能够看见矩阵定位标记13。在排布芯片20的矩阵阵列时，能够根据矩阵定位标记13在第一双面膜12上排布芯片20。在本实施例中，矩阵阵列标记13设置在载板10的中间。

第一热解膜11或第一双面膜12的边缘处设有切割标记14。芯片20封装后，能够根据切割标记14切割矩阵阵列。

支撑块60可以是玻璃片，只要能保持稳定的形状、具有大于芯片20的厚度即可。

压件包括包括压板70、第二热解膜71、第二双面膜72和高温膜73，第二热解膜71贴在压板70上，第二双面膜72贴在第二热解膜71上，第二双面膜72包括贴合区域以及在贴合区域之外的第二空余区域，贴合区域与涂胶区域对应设置，第二空余区域与第一空余区域对应设置，高温膜73贴在贴合区域上。压件以压板70朝上、高温膜73朝下的方式放置在支撑块60上，高温膜73与荧光胶50接触，第二双面膜72与支撑块60接触。其中，第二热解膜71具有粘结性，在加热后粘结性消失，易于剥离；第二双面膜72可以是硅胶双面膜，其双面具有粘性；高温膜73没有粘性，表面光滑，避免粘荧光层或导致荧光层表面粗糙。第二压板70、第二热解膜71、第二双面膜72和高温膜73可以通过具有压膜辊的冷裱机进行贴合。

第一双面膜12包括涂胶区域以及在涂胶区域之外的第一空余区域，芯片20的矩阵阵列设置在涂胶区域内，支撑块60放置在第一空余区域上。在本实施例中，第一空余区域设置在涂胶区域的四周。在本实施例中，支撑块60的数目为4个，各个支撑块60的高度相同，4个支撑块分别设置在涂胶区域四周的第一空余区域上。压件放置在支撑块60上，第二双面膜72与支撑块60接触，高温膜73位于第二双面膜72的下方。

作为上述厚度调整控制结构实施例具体应用的一个例子，可将厚度调整控制结构应用到倒装led芯片csp制造方法中，该方法具体包括以下步骤：

步骤1：如图3(a)所示，提供载体。

步骤2：如图3(b)所示，在第一双面膜12上排布倒装led芯片20的矩阵阵列，具体地，根据矩阵定位标记13在第一双面膜12上排布倒装led芯片20的矩阵阵列，例如可以通过视觉检测仪器进行定位，排布可以通过排片机等装置进行。相邻的倒装led芯片20之间具有空隙21。

步骤3：在矩阵阵列上涂覆遮光胶30。遮光胶30的涂覆过程可以将带有倒装led芯片20的载体用夹具固定，采用涂胶机进行覆膜。遮光胶包括以下组分：硅胶在90质量份至110质量份，二氧化硅粉末1质量份至5质量份，氧化铝粉末1质量份至5质量份，二氧化钛粉末50质量份至80质量份。硅胶由质量比1∶5的a胶和b胶组成，相对于硅胶质量百分数为100wt％，a胶由16.63wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.04wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，b胶由63.5wt％的苯基硅树脂、19.77wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.06wt％的乙炔基环己醇组成。当采用包括上述组分的遮光胶时，能够有效填充空隙，在起到遮光效果的同时，不影响胶水的粘合度，加强散热效果并且防止粉状物料的过快沉淀。

步骤4：如图3(c)所示，将第一压件压在遮光胶30上，使得遮光胶30填充空隙21，遮光胶30不超出涂胶区域。其中，第一压件包括第一压板40和保护膜41，保护膜41与遮光胶30接触，第一压板40设置在保护膜41上，第一压板40平行于载板10。保护膜41可以保持遮光胶30固化表面的光滑洁净，第一压板40可以是玻璃板，用来提供一定的压力。将第一压板40下压，使保护膜41靠近倒装led芯片20的上表面，减少倒装led芯片20上表面的残留遮光胶30。

步骤5：固化遮光胶30。固化条件可以是在75℃至90℃下固化45min至80min，在115℃至125℃下固化15min至45min。具体在本实施例中，固化过程可以在烘箱内进行，80℃下烘烤1h，120℃下烘烤0.5h。

步骤6：如图3(d)所示，剥离第一压件，除去倒装led芯片20上表面的遮光胶30。具体地，可以使用消膜剂除去倒装led芯片20上表面的遮光胶30，将消膜剂沾在无纺布上，手动使用镊子夹紧无纺布拭擦倒装led芯片20上表面。消膜剂包括以下质量份的组分：稀释剂：50质量份至70质量份；工业酒精：30质量份至40质量份；丙酮：10至30质量份；其中稀释剂包括60wt％至90wt％的醋酸甲酯以及10wt％至40wt％的工业酒精。采用上述消膜剂能够有效清除芯片表面多余的残膜，且清除残膜后，后续烘烤不会发泡，加强了芯片与荧光膜的黏结度。

步骤7：在矩阵阵列上涂覆荧光胶50。荧光胶50的涂覆过程可以将带有倒装led芯片20的载体用夹具固定，采用涂胶机进行覆膜。荧光胶50包括以下质量份的组分：硅胶：90质量份至110质量份；荧光粉：40质量份至60质量份；二氧化硅粉末：1质量份至5质量份；dp胶：1质量份至3质量份。硅胶由质量比1∶5的a胶和b胶组成，相对于硅胶质量百分数为100wt％，a胶由16.63wt％的乙烯基封端甲基苯基聚硅氧烷和0.04wt％的铂二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液组成，b胶由63.5wt％的苯基硅树脂、19.77wt％的苯基含氢聚硅氧烷和0.06wt％的乙炔基环己醇组成。该荧光胶能够提高光效，加强粘结力，更好控制荧光膜的厚薄度，并且提高后续的切割效率。

步骤8：如图3(e)所示，在第一空余区域放置支撑块60。步骤8在步骤7之前或之后进行。

步骤9：如图3(e)所示，将第二压件即上述厚度调整控制结构实施例中的压件放置在支撑块60上，第二压件在矩阵阵列上方压平荧光胶50。支撑块60支撑在第一双面膜12和第二双面膜72之间，第一双面膜12和第二双面膜72对支撑块60有一定的粘结作用，避免固化等过程中第二压件相对于载体位移而导致封装厚度变化。高温膜73与荧光胶50接触。本实用新型可以根据csp封装件的厚度要求，选择合适的支撑块60的高度以及高温膜73的厚度，csp封装件的厚度等于支撑块60的高度减去高温膜73的厚度。具体在本实施例中，支撑块60的高度为0.55mm，高温膜的厚度为0.15mm，可以得到厚度为0.4mm的封装芯片。

步骤10：固化所述荧光胶50；固化条件为：在75℃至90℃下固化45min至80min，在115℃至125℃下固化15min至45min；具体在本实施例中，固化可以在烘箱中进行，固化条件为80℃烘烤1h，120℃烘烤0.5h。

步骤11：剥离第二压件，剥离载板10，切割矩阵阵列，得到倒装led芯片20的csp封装件。第一热解膜11或第一双面膜12上可以设有切割标记，根据切割标记切割矩阵阵列。

最后需要强调的是，以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并不用于限制本实用新型。凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。