一种体积小、大容量电容的制作方法

本实用新型涉及电容器技术领域，特别涉及一种体积小、大容量电容。

背景技术：

电容器作为基本元器件，其在电路中有不可替代的作用。特别是金属化薄膜电容器以无极性、容量大耐温度高、自愈性好，介电强度高，低介电损耗、高绝缘强度等广泛用于滤波、傍路、耦合、谐振以及隔直等电路中。

但是将一些电容器用于如tv三合一板上，这些电容器的耐电流能力不够，不能满足要求，其次，如果想要解决这个问题，必须要在电介质层增加金属层，在电介质层增加金属层虽然能解决电容器的耐电流能力不够的问题，同时产生了另外一个问题，电容器的体积变大和用料增加。除此之外，芯子叠材数量也相对增多，在得加工时，机器上放置叠材数量的机构随之增加，使得加工更为复杂，加工效率极大程度上有所下降。

因此，有必要设计一种体积小、大容量电容，以解决上述技术问题。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种体积小、大容量电容，不仅增加电容器的耐电流能力，而且体积小、结构紧凑、省材。

本实用新型所采用的技术方案为：

一种体积小、大容量电容，包括由芯子叠材卷绕而成的电容芯子和与电容芯子连接的引出导针，所述电容芯子包括金属化层、第一电介质层、第二电介质层以及铝箔层，所述第一电介质层位于金属化层的一侧，所述第二电介质层位于所述金属化层背离第一电介质层的一侧，所述铝箔层与所述第一电介质层为一体成型，所述铝箔层位于所述第一电介质层上背离金属化层的一侧。

作为优选，所述铝箔层包括第一铝箔层和第二铝箔层，所述第一电介质层的两侧分别设有与第一铝箔层和第二铝箔层对应的连接让位槽，所述第一铝箔层的端面与第二铝箔层的端面平齐。

作为优选，两个所述连接让位槽之间设有将所述第一铝箔层和第二铝箔层隔开的隔离凸起。

作为优选，所述第一铝箔层的宽度为w1，所述第一铝箔层远离第二铝箔层的一端与第一电介质层的端部的距离为s1，其中，0＜s1＜w1/2。

作为优选，所述第二铝箔层的宽度为w2，所述第二铝箔层远离第一铝箔层的一端与第一电介质层的端部的距离为s2，其中，0＜s2＜w2/2。

作为优选，所述金属化层包括绝缘层，所述绝缘层上设有容置凹槽，所述容置凹槽上设有金属层。

作为优选，所述容置凹槽的厚度与所述金属层的厚度相同。

作为优选，所述金属层与绝缘层为一体成型的。

本实用新型的有益效果在于：

(1)本实用新型的铝箔层与第一电介质层为一体成型，一方面减少电容芯子的体积，另一方面减少芯子叠材数量，从而降低机器上放置叠材数量的机构，进而使得加工变得简单，提高工作效率；

(2)本实用新型所设置的金属化层，增加电容芯子与引线的接触面积，同时将金属层置于金属化层的容置凹槽上，增加电容器的耐电流能力，与现有技术对比，其占用空间更小，缩小电容器的体积；

(2)本实用新型的金属层与绝缘层为一体成型的，使得电容芯子结构紧凑、省材，而且无需增加芯子叠材，简化加工工序，提高加工效率。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的展开示意图。

附图标号说明：电容芯子1；金属化层11；绝缘层111；容置凹槽112；金属层113；第一电介质层12；连接让位槽121；隔离凸起122；第二电介质层13；铝箔层14；第一铝箔层141；第二铝箔层142。

具体实施方式

为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

如图1所示，为本实用新型较佳实施例的一种体积小、大容量电容，包括由芯子叠材卷绕而成的电容芯子1和与电容芯子连接的引出导针(图中未示出)，所述电容芯子1包括金属化层11、第一电介质层12、第二电介质层13以及铝箔层14，所述第一电介质层12位于金属化层11的一侧，所述第二电介质层13位于所述金属化层11背离第一电介质层12的一侧，所述铝箔层14与所述第一电介质层12为一体成型，所述铝箔层14位于所述第一电介质层12上背离金属化层11的一侧。在本实用新型中，通过设置金属化层11，增加电容芯子1与引线的接触面积，从而增加电容器的耐电流能力，而且相对现有技术，其占用空间更小，缩小电容器的体积；此外，所述铝箔层14与第一电介质层12为一体成型，一方面减少电容芯子1的体积，另一方面减少芯子叠材数量，从而降低机器上放置叠材数量的机构，进而使得加工变得简单，提高工作效率。

在一些实施例中，第一电介质层12和第二电介质层13为光膜。

在本实用新型中，所述铝箔层14包括第一铝箔层141和第二铝箔层142，所述第一电介质层12的两侧分别设有与第一铝箔层141和第二铝箔层142对应的连接让位槽121，所述第一铝箔层141的端面与第二铝箔层142的端面平齐。通过在第一电介质层12上设置连接让位槽121，第一铝箔层141和第二铝箔层142置于所述连接让位槽121上，使得电容器的体积进一步地减少。

在本实用新型中，两个所述连接让位槽121之间设有将所述第一铝箔层141和第二铝箔层142隔开的隔离凸起122。

如图2所示，所述第一铝箔层141的宽度为w1，所述第一铝箔层141远离第二铝箔层142的一端与第一电介质层12的端部的距离为s1，其中，0＜s1＜w1/2。所述s1在这个范围内，既可以保证第一铝箔层141的接触面积，又不易发生弯折。

如图2所示，所述第二铝箔层142的宽度为w2，所述第二铝箔层142远离第一铝箔层141的一端与第一电介质层12的端部的距离为s2，其中，0＜s2＜w2/2。所述s2在这个范围内的作用与上述s1的作用相同。

在本实用新型中，所述金属化层11包括绝缘层111，所述绝缘层111上设有容置凹槽112，所述容置凹槽112上设有金属层113，通过将金属层113置于容置凹槽112上，有效减少电容器的体积。在一些实施例中，所述金属层113为金属化膜。

所述容置凹槽112的厚度与所述金属层113的厚度相同，保证芯子叠材在卷绕时的稳定性，表面不会出现凹凸不平的现象。

在本实用新型中，所述金属层113与绝缘层111为一体成型的，使得电容芯子的结构紧凑、省材，而且无需增加芯子叠材数量，简化加工工序，提高加工效率。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型公开的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

技术特征：

1.一种体积小、大容量电容，包括由芯子叠材卷绕而成的电容芯子(1)和与电容芯子连接的引出导针，其特征在于：所述电容芯子(1)包括金属化层(11)、第一电介质层(12)、第二电介质层(13)以及铝箔层(14)，所述第一电介质层(12)位于金属化层(11)的一侧，所述第二电介质层(13)位于所述金属化层(11)背离第一电介质层(12)的一侧，所述铝箔层(14)与所述第一电介质层(12)为一体成型，所述铝箔层(14)位于所述第一电介质层(12)上背离金属化层(11)的一侧。

2.根据权利要求1所述的一种体积小、大容量电容，其特征在于：所述铝箔层(14)包括第一铝箔层(141)和第二铝箔层(142)，所述第一电介质层(12)的两侧分别设有与第一铝箔层(141)和第二铝箔层(142)对应的连接让位槽(121)，所述第一铝箔层(141)的端面与第二铝箔层(142)的端面平齐。

3.根据权利要求2所述的一种体积小、大容量电容，其特征在于：两个所述连接让位槽(121)之间设有将所述第一铝箔层(141)和第二铝箔层(142)隔开的隔离凸起(122)。

4.根据权利要求3所述的一种体积小、大容量电容，其特征在于：所述第一铝箔层(141)的宽度为w1，所述第一铝箔层(141)远离第二铝箔层(142)的一端与第一电介质层(12)的端部的距离为s1，其中，0＜s1＜w1/2。

5.根据权利要求3所述的一种体积小、大容量电容，其特征在于：所述第二铝箔层(142)的宽度为w2，所述第二铝箔层(142)远离第一铝箔层(141)的一端与第一电介质层(12)的端部的距离为s2，其中，0＜s2＜w2/2。

6.根据权利要求1所述的一种体积小、大容量电容，其特征在于：所述金属化层(11)包括绝缘层(111)，所述绝缘层(111)上设有容置凹槽(112)，所述容置凹槽(112)上设有金属层(113)。

7.根据权利要求6所述的一种体积小、大容量电容，其特征在于：所述容置凹槽(112)的厚度与所述金属层(113)的厚度相同。

8.根据权利要求6所述的一种体积小、大容量电容，其特征在于：所述金属层(113)与绝缘层(111)为一体成型的。

技术总结
本实用新型涉及一种体积小、大容量电容，包括由芯子叠材卷绕而成的电容芯子和与电容芯子连接的引出导针，所述电容芯子包括金属化层、第一电介质层、第二电介质层以及铝箔层，所述第一电介质层位于金属化层的一侧，所述第二电介质层位于所述金属化层背离第一电介质层的一侧，所述铝箔层与所述第一电介质层为一体成型，所述铝箔层位于所述第一电介质层上背离金属化层的一侧。该实用新型，不仅增加电容器的耐电流能力，而且体积小、结构紧凑、省材。

技术研发人员：赵慧兰
受保护的技术使用者：中山市万东电子科技有限公司
技术研发日：2019.12.19
技术公布日：2020.06.26