用于临界尺寸测量的所关注区域及所关注图案产生的制作方法

相关申请案的交叉参考

本申请案主张在2018年3月9日申请且转让的第201841008799号印度申请案的专利申请案、在2018年4月24日申请且转让的第62/662,150号美国申请案的临时专利申请案及在2018年5月31日申请且转让的第62/678,666号美国申请案的临时专利申请案的优先权，所述申请案的揭示内容特此以引用的方式并入。

本发明涉及半导体晶片的检验。

背景技术：

半导体制造产业的演进对良率管理及特定来说对计量及检验系统提出越来越高的要求。临界尺寸不断缩小。经济学驱动产业减少用于实现高良率高价值生产的时间。最小化从检测良率问题到解决所述问题的总时间决定了半导体制造商的投资回报。

制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用大量半导体制造工艺来处理例如半导体晶片的衬底以形成半导体装置的各种特征及多个层级。举例来说，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光cmp)、蚀刻、沉积及离子植入。可在单个半导体晶片上的布置中制造多个半导体装置，且接着将其分离成个别半导体装置。

在半导体制造工艺期间的各个步骤使用检验过程以检测晶片上的缺陷以促进制造工艺中的较高良率及因此较高利润。检验始终是制造例如集成电路(ic)的半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于可接受半导体装置的成功制造来说变得更为重要，这是因为较小缺陷可导致装置故障。例如，随着半导体装置的尺寸减小，减小大小的缺陷的检测变得必要，这是因为即使相对较小缺陷也可引起半导体装置中的非所要像差。

然而，随着设计规则缩小，半导体制造工艺可更接近对过程的执行能力的限制进行操作。另外，随着设计规则缩小，较小缺陷可对装置的电气参数具有影响，此驱动更灵敏检验。随着设计规则减小，通过检验检测到的潜在良率相关缺陷的群体急剧增长，且通过检验检测到的妨害缺陷的群体还急剧增加。因此，可能在晶片上检测到越来越多的缺陷，且校正工艺以消除全部缺陷可能是困难且昂贵的。确定哪一缺陷实际上对装置的电气参数及良率具有影响可允许工艺控制方法集中于所述缺陷同时在很大程度上忽略其它缺陷。此外，按较小设计规则，工艺引发的故障在一些情况中可能趋向于系统性的。即，工艺引发的故障趋向于按设计内往往重复多次的预定设计图案发生故障。空间系统性的电相关缺陷的消除可为重要的，这是因为消除此类缺陷可对良率具有影响。

随着半导体装置的特征大小不断缩小，可制造的最小特征大小往往可受半导体制造工艺的性能特性限制。半导体制造工艺的性能特性的实例包含(但不限于)分辨率能力、跨芯片变化及跨晶片变化。举例来说，在光学光刻中，例如光刻工艺的分辨率能力的性能特性可受光致抗蚀剂应用的质量、光致抗蚀剂材料的性能、曝光工具的性能、及用于曝光光致抗蚀剂的光的波长限制。然而，分辨最小特征大小的能力还可强烈取决于光刻工艺的其它临界参数，例如曝光后烘烤工艺的温度及曝光工艺的曝光剂量。因而，控制对于例如光刻工艺的半导体制造工艺的分辨率能力可为关键的工艺的参数变得对于半导体装置的成功制造来说越来越重要。

临界尺寸(cd)是在检验期间测量的特征中的一者。cd可包含在大体上平行于半导体晶片的上表面的方向上定义的特征的横向尺寸，例如半导体晶片上的特征的宽度。因此，当在横截面中观看时，cd可大体上定义为特征的横向尺寸，例如门或互连件的宽度或例如孔或通孔的直径。特征的cd还可包含在大体上垂直于半导体晶片的上表面的方向上定义的特征的横向尺寸，例如半导体晶片上的特征的高度。

cd还可包含特征的侧壁角度。侧壁角度可大体上定义为特征的侧(或横向)表面相对于半导体晶片的上表面的角度。以此方式，具有跨特征的高度的大体上均匀宽度的特征可具有约90°的侧壁角度。具有跨特征的高度的大体上均匀宽度的半导体装置的特征可相对紧密地形成在一起，借此增加半导体装置的装置密度。另外，此装置可具有相对可预测且大体上均匀电气性质。具有跨特征的高度的锥形轮廓或非均匀宽度的特征可具有小于约90°的侧壁角度。如果可在特征上形成层，那么锥形轮廓可为所要的。举例来说，锥形轮廓可减少在形成于特征上的层内形成空隙。

cd还可包含线边缘粗糙度(ler)测量。多个测量可经进行及平均化以确定ler。

晶片上的物理设计实体的临界尺寸均匀性(cdu)有助于确定超大规模集成(vlsi)芯片的最优性能。跨芯片及晶片的cd变化是宏观现象的微观指示符，如电阻、门电流或寄生效应。cd还有助于半导体制造商理解如光刻、蚀刻或光罩增强技术(ret)的各个工艺参数对晶片上的不同设计密度的影响。然而，基于由半导体制造商与可包含装置工程师、光刻/光学近接校正(opc)团队及其它模块团队的内部团队协商所提供的(x,y)坐标位置而进行cd测量。

因此，进行cd测量的当前技术是基于过程或装置拐折的先前经验或知识。半导体制造商通常提供一组坐标且测量对应于所述位置的结构多边形的cd。过程是手动的，此意味着其可能出错或可基于主观评估。除手动以外，测量过程还严重依赖于半导体制造商输入，其可影响处理能力。支持针对测量位点的选择过程的准则在很大程度上依赖于过程或装置拐折的先前知识，此意味着往往不会预先捕获新的故障模式。

因此，需要cd测量的改进。

技术实现要素：

在第一实施例中提供一种方法。使用处理器，基于历史数据来定义图案描述。历史数据包含故障情况。在向量化图像操纵脚本文件(vectorizedimagemanipulationscripting)中定义图案。使用处理器，确定基于历史数据中的多边形的半导体晶片上的所关注图案。使用处理器，确定安置于半导体晶片上的所关注图案中的满足图案描述的所关注区域。使用晶片检验工具(例如扫描电子显微镜)来使半导体晶片上的所关注区域成像。

可以标准验证规则格式定义所关注图案。

方法可进一步包含搜索半导体晶片上的所关注图案的例子。

还揭示一种计算机程序产品，其包括具有与其一起体现的计算机可读程序的非暂时性计算机可读存储媒体。计算机可读程序可经配置以实行第一实施例的方法。

在第二实施例中提供一种方法。在处理器处接收包含缺陷的设计图像上的坐标。使用处理器，确定放置于坐标周围的窗的边界。窗包含所关注图案。在向量化图像操纵脚本文件中定义所关注图案。使用处理器，基于位点信息来确定窗中的所关注区域。所关注区域使用设计脚本文件语言。使用晶片检验工具(例如扫描电子显微镜)来使半导体晶片上的所关注区域成像。所关注区域可安置于所关注图案中。

可使用处理器将设计图像中的坐标转换成晶片坐标系统中的坐标。

可通过窗的边界定义所关注图案。

所述方法可包含搜索半导体晶片上的所关注图案的例子。

还揭示一种计算机程序产品，其包括具有与其一起体现的计算机可读程序的非暂时性计算机可读存储媒体。计算机可读程序可经配置以实行第二实施例的方法。

在第三实施例中提供一种系统。所述系统包含经配置以产生晶片的图像的晶片检验工具及与所述晶片检验工具电子通信的处理器。晶片检验工具包含在半导体晶片的表面处引导能量的能量源及检测器。举例来说，晶片检验工具可为扫描电子显微镜。处理器经配置以确定半导体晶片上的所关注图案及所关注区域两者。在向量化图像操纵脚本文件中定义所关注图案。处理器还经配置以将指令发送到晶片检验工具以使半导体晶片上的所关注区域成像。所关注区域可安置于晶片上的所关注图案中。

在例子中，处理器经配置以基于历史数据来定义图案描述，基于历史数据中的多边形来确定所关注图案，且定义所关注区域使得所关注区域满足图案描述。历史数据包含故障情况。

在另一例子中，处理器经配置以接收半导体晶片的设计图像上的坐标，确定放置于坐标周围的窗的边界，且基于位点信息来确定窗中的所关注区域。窗包含所关注图案。使用设计脚本文件语言来定义所关注区域。处理器可进一步经配置以将设计图像中的坐标转换成晶片坐标系统中的坐标。可通过窗的边界定义所关注图案。

在又一例子中，处理器进一步经配置以找到半导体晶片上的所关注图案的例子。

附图说明

为了更充分理解本发明的性质及目标，应结合所附图式对以下详细描述作出参考，其中：

图1是根据本发明的方法的第一实施例的流程图；

图2是展示满足半导体制造商描述的图案的示范性图式；

图3是展示满足规则的图案的全部例子的示范性图式；

图4是根据本发明的方法的第二实施例的流程图；

图5是基于(x,y)位置的所关注图案及所关注区域的示范性图式；及

图6是根据本发明的系统的实施例的框图。

具体实施方式

尽管将按照某些实施例描述所主张的标的物，但包含不提供本文中陈述的全部优点及特征的实施例的其它实施例也在本发明的范围内。可作出各种结构、逻辑、过程步骤及电子变更而不背离本发明的范围。因此，仅通过参考所附权利要求书界定本发明的范围。

揭示产生用于cdu测量的所关注区域的自动过程的实施例。cdu可为半导体制造商的新集成电路设计及生产质量控制的重要方面，这是因为cdu可有助于确定vlsi芯片的最优性能。如本文中揭示，可基于半导体制造商对所关注区域或概略位置(例如，坐标)的描述来产生用于cdu测量的所关注区域。揭示产生用于cdu测量的所关注区域的两步骤过程的实施例。可在无来自半导体制造商的测量坐标的情况下产生所关注区域。测量坐标是敏感信息，这是因为可涉及设计信息。可使用可用于vlsi布局操纵的标准验证规则格式(svrf)脚本文件语言来确定产生所关注区域。标记所关注区域可提供设计类似的大量位点且可更好地实现统计分析，这是因为布局中可存在数十亿个多边形。基于本文中揭示的结构方法选取计量位点可促成更严格工艺控制及更好良率管理。

对于电子束重检及检验工具上的cdu相关特征的需求已由于至少两个原因而增加。第一，临界尺寸扫描电子显微镜(cdsem)通常具有长的移动获取测量(mam)时间。随着半导体制造商进行工艺控制所需的cdu数据量增加，cdsem的拥有成本渐增。第二，对于一些应用来说，所捕获缺陷的定量定尺寸变得优选。以此方式，可使用通过cdu实现的大小参数作为自动缺陷分类(adc)属性空间中的又一定量属性。此可基于所关注缺陷的特定尺寸实现更智能的缺陷分离。

图1是方法100的流程图。可在处理器上或使用处理器执行方法100的步骤。

在101，基于历史数据定义图案描述。历史数据可包含基于技术斜坡的已知故障情况，例如尖端到尖端或尖端到线。可在向量化图像操纵中定义图案。向量化图像操纵脚本文件可有助于使潜在所关注区域变窄。向量化图像操纵脚本文件可涉及先前历史方法及/或满足处理要求所需的任何新脚本文件。

可使用svrf脚本文件。svrf是具有gds或oasis格式的vlsi设计文件中的多边形操纵的行业标准。脚本文件语言还用于设计规则检查(drc)及布局相对于示意图(lvs)检查。

举例来说，半导体制造商可提供其中已观察到缺陷的多边形的描述。此可类似于drc规则，但与drc相比可更特定于提供更少图案例子。算法可使用svrf语言来描述可搜索的图案。可进一步标记所关注图案内的特定所关注区域。此所关注区域可为将测量cd的位置。

drc规则本质上可为通用的。举例来说，drc规则可为门区域中的全部多边形必须具有30nm的宽度。drc规则验证设计中的全部多边形在制造约束内。在本文中揭示的实施例中，描述其中应测量cd的图案。因此，图案通常是特定及/或局部化的。

在102，基于历史数据中的多边形来确定所关注图案。在例子中，通过进行测量的坐标附近的独有结构确定所关注图案。附近可通过工具的缺陷位置精确度进行定义且可涵盖由半导体制造商描述的测量的背景内容。

在103，确定半导体晶片上的所关注区域。所关注区域可满足图案描述。可基于(举例来说)由半导体制造商提供的描述或易于边缘化的历史数据而确定所关注区域。所关注区域满足来自101的图案描述。可将所关注区域导出为可容纳位置的坐标的任何格式。举例来说，可以具有形成所关注区域的位置的坐标的文本文件导出所关注区域。

在定义图案描述之后，在较小区域中搜索所关注区域。可使用小于图像或整个晶片表面的所关注图案作为定界框以寻找所关注区域。所关注区域可为(举例来说)特定空间、线宽或尖端到尖端距离。

在104，使用晶片检验工具来使半导体晶片上的所关注区域成像。晶片检验工具可为扫描电子显微镜(sem)。可通过来自102的导出文件导引任何所关注区域图像或测量。

晶片检验工具及/或处理器还可搜索半导体晶片上的所关注图案的例子。

图2是展示满足半导体制造商描述的图案的示范性图式。图3是展示满足规则的图案的全部例子的示范性图式。举例来说，半导体制造商希望测量来自不同掩模的任何两个多边形之间的19nm的最小空间。然而，在此实例中，半导体制造商无法提供所关注图案的精确描述。使用方法100，向量化图像操纵用于定义由半导体制造商定义的最小空间条件以确定满足规则的各种图案类型。在图2的实例中，所考虑的层是三重图案化beolm1层。在执行规则后，图案满足第二及第三图案化步骤的准则。第二及第三图案化步骤说明为图2中的m1b及m1c。

图2中的标记为“规则”的具有尺寸箭头的黑框满足19nm条件。此图案的七个例子跨区域重复，如图3中所见。可产生含有布局中的各个定向的这七个例子的导出设计层。此导致需要执行检验的所关注图案及所关注区域两者。晶片检验工具可用于在此区域内制成多个图像以获得测量cd的更好精确度。

图4是方法200的第二实施例的流程图。可在处理器上或使用处理器执行方法200的步骤。

在201，接收包含缺陷的设计图像上的坐标。

设计图像上的坐标可转换成晶片坐标系统中的坐标。可执行将设计坐标转换成晶片坐标的坐标变换练习。

在202，确定放置于坐标周围的窗的边界。窗包含所关注图案。因此，可通过窗的边界定义所关注图案。在例子中，通过进行检验的坐标附近的独有结构确定所关注图案。附近可通过工具的缺陷位置精确度(dla)进行定义且可涵盖由半导体制造商描述的测量的背景内容。窗可容纳载物台误差、工具误差、坐标误差、ler或其它变量。

算法可使用给定坐标且绘制对应于所关注图案的尺寸的方框。操作者还可选择基于设计足够大且大于dla的方框，例如在涉及载物台移动的情况下。

可能已知工具的载物台不确定性，其提供与不确定性有关的数字(例如，(dx,dy))。可选取测量位置周围可大于或等于(dx,dy)的区域。此区域可为基于位置的且(x,y)位置可由半导体制造商提供。还可通过找到基于svrf的规则例子发生的区域及在其周围产生具有(dx,dy)尺寸的方框而选取此区域。

设计是基于设计规则技术，例如14nm或10nm技术节点。此可给出多边形之间的最小多边形宽度及空间的指示。设计规则节点数可表示最小半节距。举例来说，此最小半节距可为0.5(最小宽度+最小空间)。此提供关于框大小的信息。

举例来说，如果使用10nm设计规则且测量与所述尺寸有关的特征，那么可选择设计规则的4倍或5倍的方框以补偿dla且还提供周围背景内容。

可执行针对所关注图案的基于规则的搜索。可在向量化图像操纵中定义所关注图案。向量化图像操纵脚本文件可有助于使潜在所关注区域变窄。

在203，基于位点信息来确定窗中的所关注区域。位点信息可由半导体制造商提供或可基于历史上可用临界结构。所关注区域可使用任何设计脚本文件语言(例如，svrf)来基于由半导体制造商给定的输出而处理向量化图像信息。可将所关注区域导出为可容纳位置的坐标的任何格式。举例来说，可以具有形成所关注区域的位置的坐标的文本文件导出所关注区域。

在定义图案描述之后，在较小区域中搜索所关注区域。可使用小于图像或整个晶片表面的所关注图案作为定界框以寻找所关注区域。所关注区域可为(举例来说)特定空间、线宽或尖端到尖端距离。

在204，使用晶片检验工具来使半导体晶片上的所关注区域成像。晶片检验工具可为sem。可通过来自203的导出文件导引所关注区域图像或检验。

晶片检验工具及/或处理器还可搜索半导体晶片上的所关注图案的例子。

方法200可基于与测量位点相互作用的多边形来定义所关注图案，其可运用向量化图像操纵相对容易地执行。然而，如果与测量位点相互作用的多边形是大的，那么所关注图案可比预期大。

图5是基于(x,y)位置的所关注图案及所关注区域的示范性图式。在图5中应用方法200。方法200可仅涉及接近测量位点的所关注图案中的多边形。方法200可不含有测量位点附近的全部多边形。

在实例中，将由半导体制造商提供的坐标系统转换成设计坐标系统。使用(x,y)信息及窗化技术来剪切所关注图案的一部分。dla及由坐标平移引起的其它不确定性包含于此剪辑功能中。

接着，基于由半导体制造商提供的特定信息来定义测量位点。在图5的实例中，半导体制造商可能希望测量来自第二图案化步骤(具有所关注图案(poi)中的x的m1b)的多边形上的cd。在所述多边形上定义所关注区域(roi)框以用于一或多个测量。

方法200可提供定义所关注图案的全部多边形，但剪辑可能使所关注图案不完整。如果窗未经适当绘制或过小，那么此可发生。

在方法100或方法200中，可将所关注区域安置于所关注图案中。

方法100或方法200可包含反馈回路。反馈回路可使用(举例来说)cd测量来解决工具中的漂移。

方法100或方法200的一些或全部步骤可为自动化的。此可增大处理能力。

本文中揭示的实施例可提供大于通过使用少数预定义位点将出现的所关注图案集。在设计文件中，可存在可为临界的且需要使用cdu进行监测的许多位点。使用少数定义位点可不给出关于跨晶片的尺寸的细节。使用向量化图像处理可产生其中可测量并监测cd的跨晶片的全部临界位点的列表。

本文中揭示的实施例可改进在过程流程中较早检测较新故障模式或热点的几率。通用基于规则的搜索算法可取决于随后在制造工艺流程中出现的工艺故障及装置测试结果。

方法100及方法200的实施例可提供用于自动产生用于cdu测量的所关注图案及所关注区域的架构。由于过程涉及统计及计量，因此基于设计的测量可为整个过程提供参考。一旦使用向量化图像操纵来识别此类所关注图案及/或所关注区域，这些便可以导出文件及/或位点列表的形式汇入到任何基于电子束的重检或检验系统中并成像(脱机或在工具上内联)。在基于电子束的重检或检验系统上越来越多地采用启用设计的特征可有助于访问具有增大空间精确度的经识别位点且甚至提取多边形/电气性质以及成像结构上的cdu测量。此可提供cdu、多边形及电平数据的进一步集成以用于apc的缺陷检测/分类及智能工艺控制技术，这是因为设计信息具有多个类型。举例来说，设计信息可从低阶到高阶(例如，电导率信息)。使用本文中揭示的实施例，可使用设计信息以能够更好地测量较高临界性的位点。此信息可反馈到工艺中以增强良率及/或性能。

图6是系统300的实施例的框图。系统300包含经配置以产生晶片304的图像的晶片检验工具(其包含电子柱301)。

晶片检验工具包含输出获取子系统，其包含至少一能量源及检测器。输出获取子系统可为基于电子束的输出获取子系统。举例来说，在一个实施例中，引导到晶片304的能量包含电子，且从晶片304检测的能量包含电子。以此方式，能量源可为电子束源。在图6中展示的一个此类实施例中，输出获取子系统包含耦合到计算机子系统302的电子柱301。卡盘(未说明)可固持晶片304。

也如图6中展示，电子柱301包含电子束源303，电子束源303经配置以产生由一或多个元件305聚焦到晶片304的电子。电子束源303可包含(举例来说)阴极源或射极尖端。一或多个元件305可包含(举例来说)枪透镜、阳极、限束孔径、闸阀、束电流选择孔径、物镜及扫描子系统，其全部可包含所属领域中已知的任何此类合适元件。

从晶片304返回的电子(例如，二次电子)可由一或多个元件306聚焦到检测器307。一或多个元件306可包含(举例来说)扫描子系统，其可为包含于元件305中的相同扫描子系统。

电子柱还可包含所属领域中已知的任何其它合适元件。

尽管电子柱301在图6中展示为经配置使得电子以倾斜入射角引导到晶片304且以另一倾斜角从晶片304散射，但电子束可以任何合适角度引导到晶片304且从晶片304散射。另外，基于电子束的输出获取子系统可经配置以使用多个模式来产生晶片304的图像(例如，运用不同照明角、收集角等)。基于电子束的输出获取子系统的多种模式可在输出获取子系统的任何图像产生参数方面不同。

计算机子系统302可耦合到检测器307，如上文中描述。检测器307可检测从晶片304的表面返回的电子，借此形成晶片304的电子束图像。电子束图像可包含任何合适电子束图像。计算机子系统302可经配置以使用检测器307的输出及/或电子束图像来执行本文中描述的功能中的任一者。计算机子系统302可经配置以执行本文中描述的任何额外步骤。包含图6中展示的输出获取子系统的系统300可如本文中描述那样进一步配置。

应注意，本文中提供图6以大体上说明可用于本文中描述的实施例中的基于电子束的输出获取子系统的配置。可更改本文中描述的基于电子束的输出获取子系统布置以如在设计商业输出获取系统时通常执行那样优化输出获取子系统的性能。另外，可使用现有系统(例如，通过将本文中描述的功能性添加到现有系统)来实施本文中描述的系统。对于一些此类系统，本文中描述的方法可提供为系统的选用功能性(例如，除系统的其它功能性以外)。替代地，本文中描述的系统可设计为全新系统。

尽管输出获取子系统在上文中描述为基于电子束的输出获取子系统，但输出获取子系统可为基于离子束的输出获取子系统。此输出获取子系统可如图6中展示那样配置，唯电子束源可由所属领域中已知的任何合适离子束源取代除外。另外，输出获取子系统可为任何其它合适基于离子束的输出获取子系统，例如包含在市售聚焦离子束(fib)系统、氦离子显微镜(him)系统及二次离子质谱仪(sims)系统中的输出获取子系统。

计算机子系统302包含处理器308及电子数据存储单元309。处理器308可包含微处理器、微控制器或其它装置。处理器308及/或电子数据存储单元309任选地可与晶片检验工具或晶片重检工具(未说明)电子通信以接收额外信息。

计算机子系统302可以任何合适方式(例如，经由一或多个传输媒体，所述一或多个传输媒体可包含有线及/或无线传输媒体)耦合到系统300的组件，使得处理器308可接收输出。处理器308可经配置以使用输出来执行若干功能。晶片检验工具可从处理器308接收指令或其它信息。处理器308及/或电子数据存储单元309任选地可与另一晶片检验工具、晶片计量工具或晶片重检工具(未说明)电子通信以接收额外信息或发送指令。

处理器308与晶片检验工具(例如检测器307)电子通信。处理器308可经配置以处理使用来自检测器307的测量所产生的图像。举例来说，处理器可执行方法100或方法200的实施例。

本文中描述的计算机子系统302、其它系统或其它子系统可为各种系统的部分，包含个人计算机系统、图像计算机、主计算机系统、工作站、网络设备、因特网设备或其它装置。子系统或系统还可包含所属领域中已知的任何合适处理器(例如平行处理器)。另外，子系统或系统可包含具有高速度处理及软件的平台(作为独立工具或联网工具)。

处理器308及电子数据存储单元309可安置于系统300或另一装置中或是系统300或另一装置的部分。在实例中，处理器308及电子数据存储单元309可为独立控制单元的部分或在集中质量控制单元中。可使用多个处理器308或电子数据存储单元309。

处理器308实际上可通过硬件、软件及固件的任何组合实施。此外，如本文中描述的其功能可由一个单元执行，或在不同组件之间划分，所述组件中的每一者又可通过硬件、软件及固件的任何组合实施。处理器308实施各种方法及功能的程序代码或指令可存储在可读存储媒体(例如电子数据存储单元309中的存储器或其它存储器)中。

如果系统300包含一个以上计算机子系统302，那么不同子系统可彼此耦合使得可在子系统之间发送图像、数据、信息、指令等。举例来说，一个子系统可通过可包含所属领域中已知的任何合适有线及/或无线传输媒体的任何合适传输媒体耦合到额外子系统。两个或两个以上此类子系统还可通过共享计算机可读存储媒体(未展示)而有效耦合。

处理器308可经配置以使用系统300的输出或其它输出来执行若干功能。例如，处理器308可经配置以将输出发送到电子数据存储单元309或另一存储媒体。处理器308可如本文中描述那样进一步配置。

处理器308或计算机子系统302可为缺陷重检系统、检验系统、计量系统或某一其它类型的系统的部分。因此，本文中揭示的实施例描述可以若干方式针对具有或多或少适合于不同应用的不同能力的系统而定制的一些配置。

如果系统包含一个以上子系统，那么不同子系统可彼此耦合使得可在子系统之间发送图像、数据、信息、指令等。举例来说，一个子系统可通过可包含所属领域中已知的任何合适有线及/或无线传输媒体的任何合适传输媒体耦合到额外子系统。两个或两个以上此类子系统还可通过共享计算机可读存储媒体(未展示)而有效耦合。

可根据本文中描述的实施例中的任一者配置处理器308。处理器308还可经配置以使用系统300的输出或使用来自其它源的图像或数据来执行其它功能或额外步骤。

处理器308可以所属领域中已知的任何方式通信耦合到系统300的各种组件或子系统中的任一者。此外，处理器308可经配置以通过可包含有线及/或无线部分的传输媒体而接收及/或获取来自其它系统的数据或信息(例如，来自检验系统(例如重检工具、包含设计数据的远程数据库及类似者)的检验结果)。以此方式，传输媒体可充当处理器308与系统300的其它子系统或系统300外部的系统之间的数据链路。

通过以下中的一或多者实行系统300的各种步骤、功能及/或操作及本文中揭示的方法：电子电路；逻辑门；多路复用器；可编程逻辑设备；asic；模拟或数字控制件/开关；微控制器；或运算系统。实施例如本文中描述的方法的程序指令可经由载体媒体传输或存储于载体媒体上。载体媒体可包含存储媒体，例如只读存储器、随机存取存储器、磁盘或光盘、非易失性存储器、固态存储器、磁带及类似者。载体媒体可包含传输媒体，例如电线、缆线或无线传输链路。例如，可通过单处理器308(或计算机子系统302)或替代地多个处理器308(或多个计算机子系统202)实行贯穿本发明描述的各个步骤。此外，系统300的不同子系统可包含一或多个运算或逻辑系统。因此，上文描述不应解释为对本发明的限制而是仅为说明。

额外实施例涉及一种存储可在处理器上执行的程序指令的非暂时性计算机可读媒体。特定来说，处理器(例如处理器308)可耦合到具有包含可执行程序指令的非暂时性计算机可读媒体(例如电子数据存储媒体309)的电子数据存储媒体中的存储器。计算机实施方法可包含本文中描述的任何方法的任何步骤。举例来说，处理器308可经编程以执行方法100或方法200的一些或全部步骤。电子数据存储媒体309中的存储器可为存储媒体，例如磁盘或光盘、磁带或所属领域中已知的任何其它合适非暂时性计算机可读媒体。

可以各种方式(包含基于程序的技术、基于组件的技术及/或面向对象技术等)中的任一者实施程序指令。举例来说，可根据需要使用activex控件、c++对象、javabeans、微软基础类别(mfc)、流式simd扩展(sse)或其它技术或方法论实施程序指令。

在实施例中，一或多个程序包含于非暂时性计算机可读存储媒体(例如电子数据存储媒体309)上。一或多个程序是用于在一或多个运算装置上执行步骤。举例来说，步骤可包含确定半导体晶片上的所关注图案及所关注区域两者及将指令发送到晶片检验工具以测量半导体晶片上的所关注区域。在向量化图像操纵脚本文件中定义所关注图案。在另一实例中，步骤可包含：基于包含故障情况的历史数据定义图案描述；定义所关注区域使得所关注区域满足图案描述；及基于所关注区域中的多边形来确定所关注图案。在另一实例中，步骤可包含：接收半导体晶片的设计图像上的坐标；确定放置于坐标周围的窗的边界；及基于位点信息来确定窗中的所关注区域。使用设计脚本文件语言来定义所关注区域。窗包含所关注图案。在任一实例中，晶片检验工具可使所关注区域中的特征成像及/或提供所关注区域中的特征的测量。

如本文中所使用，术语“晶片”通常是指由半导体或非半导体材料形成的衬底。此半导体或非半导体材料的实例包含(但不限于)单晶硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、蓝宝石及玻璃。通常可在半导体制造设施中发现及/或处理此类衬底。

晶片可包含形成于衬底上的一或多个层。举例来说，此类层可包含(但不限于)光致抗蚀剂、电介质材料、导电材料及半导电材料。所属领域中已知许多不同类型的此类层，且如本文中使用的术语晶片希望涵盖包含全部类型的此类层的晶片。

形成于晶片上的一或多个层可经图案化或未经图案化。举例来说，晶片可包含多个裸片，每一裸片具有可重复图案化特征或周期性结构。材料的此类层的形成及处理可最终导致完成装置。许多不同类型的装置可形成于晶片上，且如本文中使用的术语晶片希望涵盖在其上制造所属领域中已知的任何类型的装置的晶片。

还可使用其它类型的晶片。举例来说，可使用晶片来制造led、太阳能电池、磁盘、平板或抛光板。其它对象上的缺陷也可使用本文中揭示的技术及系统进行分类。

可如本文中描述那样执行方法的步骤中的每一者。方法还可包含可由本文中描述的处理器及/或计算机子系统或系统执行的任何其它步骤。步骤可由可根据本文中描述的实施例中的任一者配置的一或多个计算机系统执行。另外，上文描述的方法可由本文中描述的系统实施例中的任一者执行。

尽管已关于一或多个特定实施例描述本发明，但将了解，可在不脱离本发明的范围的情况下制成本发明的其它实施例。因此，本发明被视为仅受限于所附权利要求书及其合理解释。