1.一种半导体发光器件，其特征在于，具有：基板，具有第一面；n型半导体层，形成于上述基板的上述第一面的上方；发光层，发出紫外线；p型半导体层；以及多个n点电极，与不存在上述n型半导体层的上部的半导体层的分散地形成的电极形成面接触，接触面具有点电极外周，
在上述发光层中仅形成在与上述第一面平行的面上具有外周轮廓线的发光区域，以便不存在不发出上述紫外线的区域，其中，该发光区域是除去上述p型半导体层、上述发光层、以及上述n型半导体层而留下的发光区域。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
关于沿着上述外周轮廓线最接近该外周轮廓线的多个上述n点电极的排列，上述外周轮廓线距该排列的上述n点电极的点电极外周的分离距离为45μm以下。
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述分离距离大于点电极间距离的1/2，该点电极间距离是最接近的两个n点电极中的上述点电极外周间的最短距离。
4.根据权利要求2或3所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述多个n点电极在对上述第一面的投影图案中配置于正三角形的顶点，从位于上述正三角形的顶点的上述n点电极的上述点电极外周至上述正三角形的重心为止的最短距离小于上述分离距离。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述外周轮廓线的长度为外接于该外周轮廓线的四边形的轮廓线的长度的1.05倍以上且1.15倍以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，
在上述基板与上述n型半导体层之间设置有aln层，
上述第一面具有被上述aln层覆盖的第一区域、和未被上述aln层覆盖的第二区域，
上述第一区域的面积相对于上述第一面的总面积的比率为10％以上且80％以下。
7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于，
具有反射膜，
上述反射膜配设于上述基板的上述第二区域。
8.根据权利要求6或7所述的半导体发光器件，其特征在于，
在上述aln层，在层叠方向上存在与其他的区域相比碳或者氧的浓度较高的区域。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述第二区域包围上述第一区域的周围。
10.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，
存在多个上述第一区域，上述第二区域包围多个上述第一区域的周围。
11.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述第一区域包围上述第二区域的周围。
12.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，
存在多个上述第二区域，上述第一区域包围多个上述第二区域的周围。
13.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述第二区域具有配设于内侧的内侧第二区域、和配设于该内侧第二区域的外侧的外侧第二区域，
上述第一区域包围上述内侧第二区域的周围，上述外侧第二区域包围上述第一区域的周围。
14.根据权利要求6～13中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述aln层具有锥形侧面，该锥形侧面具有越远离上述基板的上述第一面则面积越小的取向。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述n点电极被配置为在接近的多个上述n点电极中，当从各n点电极的上述点电极外周描绘40μm宽度的带状区域时，发光层的发光面的整个区域属于任意上述带状区域内。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述外周轮廓线具有圆弧。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述p型半导体层具有p型gan层。