显示装置的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年1月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0012137号的优先权，通过引用将该申请的公开内容以其整体并入本文。

本发明构思的示例性实施方式涉及显示装置，更特别地，涉及包括具有弯曲区的基板的显示装置，该弯曲区包括金属布线和虚设(dummy)金属图案。

背景技术：

随着显示装置的飞速发展，已经引入了相对薄、重量相对轻并且功耗相对低的各种平板显示装置。最近，已经去除了显示装置的前表面上的物理按钮。因此，显示装置的前表面上的显示区的面积有增加的趋势。另外，为了最小化前表面上的不工作区(其是不显示图像区)，已经在开发具有部分弯曲的显示区或弯曲的非显示区的显示装置。然而，当非显示区被弯曲时，在弯曲区中引入了应力，并且位于弯曲区中的任何布线都受到这样的应力。

技术实现要素：

根据本发明构思的示例性实施方式，显示装置包括：基板，该基板包括：显示区、外围区、焊盘区以及设置在显示区和焊盘区之间的弯曲区，其中外围区设置在显示区的外侧，并且焊盘区设置在外围区中；位于基板上并且在弯曲区中的多个金属布线；堆叠在弯曲区中的多个金属布线上的第一有机绝缘层和第二有机绝缘层；以及设置在第一有机绝缘层和第二有机绝缘层之间的第一虚设金属图案。

在本发明构思的示例性实施方式中，薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的发光装置位于基板的显示区中，并且第一有机绝缘层位于在显示区中的薄膜晶体管和发光装置之间。

在本发明构思的示例性实施方式中，薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，并且多个金属布线包括与源电极和漏电极相同的材料。

在本发明构思的示例性实施方式中，发光装置包括电连接到薄膜晶体管的像素电极、设置在像素电极上的公共电极以及设置在像素电极和公共电极之间的中间层，并且其中第一虚设金属图案包括与像素电极相同的材料。

在本发明构思的示例性实施方式中，像素电极具有堆叠结构，该堆叠结构包括第一导电层、第二导电层和第三导电层，其中第一导电层包括透明或半透明的电极层，其中第二导电层包括银，其中第三导电层包括透明或半透明的电极层，并且其中第一虚设金属图案包括与第二导电层相同的材料。

在本发明构思的示例性实施方式中，在显示区中，第二有机绝缘层包括覆盖像素电极的边缘并暴露像素电极的中心部分的开口，并且其中中间层位于开口中的像素电极上。

在本发明构思的示例性实施方式中，显示装置进一步包括设置在第二有机绝缘层上的弯曲保护层，其中弯曲保护层在弯曲区中为多个金属布线提供应力中性面。

在本发明构思的示例性实施方式中，显示装置进一步包括设置在第二有机绝缘层和弯曲保护层之间的第二虚设金属图案。

在本发明构思的示例性实施方式中，显示装置进一步包括设置在弯曲保护层上的第三虚设金属图案。

在本发明构思的示例性实施方式中，第一虚设金属图案沿着弯曲区延伸并且包括多个孔。

在本发明构思的示例性实施方式中，无机绝缘层堆叠在基板的显示区和外围区上，并且弯曲区包括开口区和位于开口区中的虚设绝缘图案，虚设绝缘图案包括有机材料，其中开口区暴露基板的顶部表面。

在本发明构思的示例性实施方式中，多个金属布线位于虚设绝缘图案上。

附图说明

通过参考附图详细描述其示例性实施方式，本发明构思的上述和其他特征将变得更加明显，其中：

图1是示意性图示根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的平面图；

图2是图1的显示装置的一个(子)像素的电路图；

图3是示意性图示图1的区域a的平面图；

图4是根据本发明构思的示例性实施方式的沿图3的线i-i’和线ii-ii’截取的截面图；

图5是示意性图示图3的虚设金属图案的平面图；

图6是图示当图1的显示装置在弯曲区中被弯曲时，取决于虚设金属图案的存在，在图3的点a处的金属布线的应变的视图；

图7是图示当图1的显示装置在弯曲区中被弯曲时，取决于虚设金属图案的存在，在图3的点b处的弯曲区中的金属布线的应变的视图；

图8是图示当图1的显示装置在弯曲区中被弯曲时，取决于虚设金属图案的存在，在图3的点c处的弯曲区中的金属布线的应变的视图；

图9是根据本发明构思的示例性实施方式沿图3的线ii-ii’截取的截面图；以及

图10是根据本发明构思的示例性实施方式沿图3的线ii-ii’截取的截面图。

具体实施方式

现在将参考附图更充分地描述本发明构思的示例性实施方式。应理解，本发明构思可以以不同的形式体现，并且因此不应被解释为限于本文中阐述的示例性实施方式。应理解，在整个说明书中，相同的附图标记可以指代相同的元件，因此可以省略冗余的描述。

将理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受到这些术语的限制。这些组件仅用于区分一个组件与另一组件。因此，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，下面讨论的第一组件可以被称为第二组件。

将理解，当层、区域或组件被称为在另一个层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接在另一个层、区域或组件上，或可以存在中间层、区域或组件。

为了清楚起见，附图中的元件的尺寸可能被放大。换言之，由于为了清楚起见而可能放大附图中的组件的尺寸和厚度，因此本发明构思的以下示例性实施方式不限于此。

当可以不同地实施本发明构思的示例性实施方式时，过程顺序可以与所描述的顺序不同地进行。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时进行或以与所描述的顺序相反的顺序进行。

在下文中，将参考附图在下面更详细地描述本发明构思的示例性实施方式。

图1是示意性地图示根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的平面图，并且图2是图1的显示装置的一个(子)像素的电路图。

参考图1，根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置100包括基板110，该基板110包括：其中显示图像的显示区da；以及在显示区da外侧的外围区pa。例如，外围区pa可以至少部分地围绕显示区da并且可能不显示图像。

多个(子)像素p位于显示区da中。图2图示了一个(子)像素p的电路图的示例。参考图2，(子)像素p可以包括连接到扫描线sl和数据线dl的像素电路pc以及连接到像素电路pc的发光装置。发光装置可以包括例如有机发光装置(oled)。

像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管(tft)td、开关tftts和存储电容器cst。开关tftts可以连接到扫描线sl和数据线dl，并且可以根据通过扫描线sl输入的扫描信号将通过数据线dl输入的数据信号传输到驱动tfttd。存储电容器cst可以连接到开关tftts和驱动电压线pl，并且可以存储与从开关tftts传输的电压和供应给驱动电压线pl的驱动电压elvdd之间的差相对应的电压。

驱动tfttd可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且驱动tfttd可以响应于在存储电容器cst中存储的电压值来控制从驱动电压线pl流过oled的驱动电流。由于驱动电流，oled可以发射具有一定亮度的光。oled可以发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。

在图2中，一个(子)像素包括两个tft和一个存储电容器。然而，本发明构思的示例性实施方式不限于此。例如，可以通过包括三个或更多个tft和/或两个或更多个存储电容器来对(子)像素p的像素电路pc进行各种修改。

返回参考图1，基板110上的外围区pa可以围绕显示区da。外围区pa可以是不放置像素区，并且可以包括焊盘区pada，该焊盘区pada是各种电子装置或印刷电路板(pcb)电附接到其中的区。例如，焊盘区pada可以邻近基板110的边缘。可以在外围区pa中放置为驱动发光装置供应电力或传输电信号的多个布线l。例如，多个布线l可以位于焊盘区pada和显示区da之间，可以连接到显示区da中的数据线dl或扫描线sl，可以将数据信号或扫描信号从附接到焊盘区pada的驱动电路传输到显示区da，或者可以为驱动发光装置供应电力。

图1也可以理解为是图示在显示装置100的制造过程期间的基板110的平面图。在电子装置比如制造的显示装置100或包括显示装置100的智能电话中，基板110的一部分可以弯曲以最小化被用户识别的外围区pa的面积。

图3是示意性地图示图1的区域a的平面图，图4是根据本发明构思的示例性实施方式的沿图3的线i-i’和线ii-ii’截取的截面图，并且图5是示意性地图示图3的虚设金属图案的平面图。

如上所述，基板110的一部分可以弯曲以最小化外围区pa的面积。例如，如图3所示，外围区pa可以包括设置在焊盘区pada和显示区da之间的弯曲区ba，并且基板110可以在弯曲区ba中弯曲，使得焊盘区pada的至少一部分可以与显示区da交叠。例如，设置弯曲方向，使得焊盘区pada不覆盖显示区da的前表面，从而可以不阻挡显示的图像。焊盘区pada位于显示区da的后面。因此，用户可以识别显示区da占据了显示装置100的更大部分。

基板110可以包括各种柔性或可弯曲的材料。例如，基板110可以包括聚合物树脂，比如聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或乙酸丙酸纤维素(cap)。例如，可以一样地对基板110进行各种修改。例如，基板110可以具有多层结构，该多层结构包括含有聚合物树脂的两个层，以及在两个层之间的包括无机材料(例如，氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)的阻挡层。在本发明构思的示例性实施方式中，其中基板110不弯曲的显示器的基板110可以包括玻璃。

在下文中，将参考图4详细描述一个(子)像素结构。

参考图4，在显示区da中，tft210、发光装置310和第一有机绝缘层140可以位于基板110上。例如，发光装置310可以电连接到tft210，并且第一有机绝缘层140可以设置在tft210和发光装置310之间。例如，发光装置310可以是oled，并且tft210可以对应于参考图2描述的像素电路pc的驱动tft(参见图2的td)。为了清楚起见，图4仅图示了像素电路pc中的一个tft210。然而，如上所述，在像素电路pc中包括参考图2描述的开关tft(参见图2的ts)和存储电容器(参见图2的cst)。

缓冲层112可以位于基板110上。缓冲层112可以为基板110的上部部分提供平坦的表面，并且可以防止异物渗透到显示装置100的基板110和其他组件中。例如，缓冲层112可以包括无机材料，比如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛，和/或有机材料，比如聚酰亚胺、聚酯或丙烯酸类聚合物，并且可以具有由该材料形成的多个堆叠结构的形状。

tft210可以包括有源层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。例如，在下文中，tft210是顶栅型的，其中有源层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b顺序形成。然而，本发明构思的示例性实施方式不限于此。例如，tft210可以是各种各样的类型，比如底栅型等。

有源层211可以包括半导体材料，比如非晶硅或多晶硅。然而，本发明构思的示例性实施方式不限于此。例如，有源层211可以包括各种材料。在本发明构思的示例性实施方式中，有源层211可以包括有机半导体材料。在本发明构思的示例性实施方式中，有源层211可以包括氧化物半导体材料。例如，有源层211可以包括第12、13和14族元素，比如锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、镉(cd)和锗(ge)，以及选自其组合的材料的氧化物中的至少一种。

栅绝缘层121形成在有源层211上。栅绝缘层121可以具有包括由比如氧化硅和/或氮化硅的无机材料形成的层的多层或单层结构。栅绝缘层121可以在有源层211和栅电极213之间绝缘。栅绝缘层121可以延伸穿过外围区pa和显示区da。

栅电极213形成在栅绝缘层121上。栅电极213可以连接到用于向tft210施加导通/截止信号的栅线。栅电极213可以包括低电阻金属材料。例如，栅电极213可以具有单层或多层结构，包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)。

层间绝缘层131形成在栅电极213上。层间绝缘层131在源电极215a和漏电极215b以及栅电极213之间绝缘。层间绝缘层131可以延伸穿过外围区pa和显示区da。层间绝缘层131可以具有包括由无机材料形成的层的单层或多层结构。例如，无机材料可以是金属氧化物或金属氮化物。例如，无机材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和/或氧化锌。

源电极215a和漏电极215b可以形成在层间绝缘层131上。源电极215a和漏电极215b各自形成为与有源层211的区接触。源电极215a和漏电极215b可以具有包括al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和/或cu的单层或多层结构。例如，源电极215a和漏电极215b可以是ti、al和ti的三层堆叠结构。

在源电极215a和漏电极215b上形成第一有机绝缘层140。第一有机绝缘层140消除了由tft210引起的台阶差(例如，高度差)，并且可以防止由于设置在发光装置310下方的层的高度不均匀而在发光装置310中产生缺陷。第一有机绝缘层140可以具有包括由有机材料形成的层的单层或多层结构。有机材料可以包括比如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)的聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其共混物中的至少一种。

发光装置310可以位于第一有机绝缘层140上。发光装置310包括像素电极311、公共电极315以及设置在像素电极311和公共电极315之间的中间层313。中间层313可以包括发射层。例如，发光装置310可以是oled。

像素电极311可以位于第一有机绝缘层140上，并且可以经由形成在第一有机绝缘层140中的接触孔电连接到设置在其下方的tft210。像素电极311可以具有各种形状，比如多边形。例如，像素电极311可以通过使用光刻法被图案化而与其他元件分离。

像素电极311可以例如包括反射电极。例如，像素电极311可以包括由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr及其化合物中的至少一种形成的反射层和/或形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铟锡锌氧化物(itzo)、镓锌氧化物(gzo)和/或铟镓锌氧化物(igzo)。

在示例中，像素电极311可以具有包括透明或半透明电极层的第一导电层、包括ag的第二导电层和包括透明或半透明电极层的第三导电层的堆叠结构。另外，包括ag的第二导电层可以进一步包括合金元素，该合金元素的原子半径等于或小于ag的原子半径以防止ag的团聚。合金元素可以包括zn、ni、钴(co)、cu、ga、ge、pt、锑(sb)、锰(mn)、w和/或mo。

在第一有机绝缘层140上形成第二有机绝缘层150。例如，第二有机绝缘层150覆盖像素电极311的边缘。第二有机绝缘层150具有对应于每个像素的开口，例如，像素电极311的至少中心部分通过其暴露的开口，从而形成像素。另外，第二有机绝缘层150增加了像素电极311和公共电极315的边缘之间的距离，从而防止在其之间产生电弧。第二有机绝缘层150可以使用比如旋涂的方法由一种或多种有机绝缘材料(比如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和/或酚树脂)形成。

中间层313可以形成在像素电极311上并且可以通过第二有机绝缘层150的开口而暴露。中间层313可以包括小分子量材料或聚合物材料。当中间层313包括小分子量材料时，中间层313可以具有其中空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)以单个结构或复合结构堆叠的结构，并且可以包括各种有机材料，比如铜酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺(npb)和三-8-羟基喹啉铝(alq3)。例如，这些层可以通过真空沉积形成。

当中间层313包括聚合物材料时，中间层313可以具有包括htl和eml的结构。在这种情况下，htl可以包括pedot，并且发射层可以包括聚合物材料，比如聚苯乙炔(ppv)类聚合物材料和聚芴类聚合物材料。中间层313的结构不限于以上描述，并且中间层313可以具有各种结构。例如，中间层313可以包括一体地形成在多个像素电极311上的层或者被图案化为与多个像素电极311中的每个相对应的层。

可以放置公共电极315以覆盖显示区da。例如，公共电极315可以一体地形成以覆盖多个像素电极311。公共电极315可以包括透明或半透明电极，并且可以包括具有小的功函的金属薄层，该金属薄层包括li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg及其化合物中的至少一种。另外，可以使用比如ito、izo、zno或in2o3的用于形成透明电极的材料在金属薄层上进一步形成辅助电极层或总线电极。因此，从包括在中间层313中的有机发射层发射的光可以传输穿过公共电极315。例如，从有机发射层发射的光可以朝向公共电极315发射或被可以是反射电极的像素电极311反射。被像素电极311反射的光可以朝向公共电极315发射。

另外，根据本实施方式的显示装置100不限于顶部发射型，并且还可以是其中从有机发射层发射的光朝向基板110发射的底部发射型。在这种情况下，像素电极311可以包括透明或半透明电极，并且公共电极315可以包括反射电极。另外，根据本实施方式的显示装置100可以是双发射型的，其中光在包括向前和向后方向的两个方向上发射。

封装层400位于公共电极315上。封装层400可以保护发光装置310免受来自外部的水分或氧气的影响。封装层400可以在显示区da外侧的外围区pa中延伸以及在放置发光装置310的显示区da中延伸。封装层400可以具有多层结构，如图4所示。例如，封装层400可以包括互相顺序堆叠的第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。

第一无机封装层410可以形成在公共电极315上，并且可以包括，例如，氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。可以沿着比如公共电极315的结构形成第一无机封装层410。

有机封装层420可以位于第一无机封装层410上并且可以具有预定的厚度，并且有机封装层420的顶部表面可以是大体平坦的。例如，有机封装层420的厚度可以大于第一无机封装层410的厚度。有机封装层420可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚磺酸亚乙酯、聚甲醛、聚丙烯酸酯和/或六甲基二硅醚。

第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420，并且可以包括例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第一无机封装层410和第二无机封装层430可以具有比有机封装层420更大的面积，并且可以与有机封装层420直接接触。例如，由于第一无机封装层410和第二无机封装层430，有机封装层420可以不暴露于外部。

以这种方式，封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。因此，即使在封装层400中出现裂纹时，由于这种多层结构，可以不在第一无机封装层410和有机封装层420之间或在有机封装层420和第二无机封装层430之间产生这些裂纹。换言之，裂纹可以不完全穿透封装层400。因此，可以防止或最小化其中水分或氧气可从外部渗透到显示区da中的路径的形成。

例如，当形成有机封装层420时，可以将用于形成有机封装层420的材料限制为位于预定区中。为此，如图4所示，坝部分(damportion)500可以位于外围区pa中。坝部分500位于外围区pa中，以与第一有机绝缘层140分开。

坝部分500可以具有多层结构。在示例中，坝部分500可以具有其中第一层510和第二层520堆叠的结构。第一层510可以由与第一有机绝缘层140相同的材料形成，并且可以与第一有机绝缘层140的形成同时形成。第二层520可以由与第二有机绝缘层150相同的材料形成，并且可以与第二有机绝缘层150的形成同时形成。然而，本发明构思的示例性实施方式不限于此。例如，坝部分500可以进一步包括第三层，该第三层包括与第二有机绝缘层150相同的材料，并且可以形成在第二层520上。另外，两个或更多个坝部分500可以彼此分开形成。当形成两个或更多个坝部分500时，每个坝部分500的高度可以在朝向基板110的边缘的方向上增加。例如，与设置在基板110上的其他坝部分500相比，最接近基板110的边缘的坝部分500可以具有最大的高度。

当有机封装层420形成在第一无机封装层410上时，坝部分500可以防止用于形成有机封装层420的材料在朝向基板110的边缘的方向上移动。另外，坝部分500与第一有机绝缘层140分开，从而可以防止来自显示装置100的外部的水分沿着由有机材料形成的第一有机绝缘层140渗透到显示区da中。

另外，封装层400的第一无机封装层410和第二无机封装层430可以覆盖坝部分500，朝向基板110的边缘延伸超过坝部分500并且可以与坝部分500接触，从而可以防止外部水分和氧气的渗透。

如图4所示，可以通过使用光学透明粘合剂(oca)610将偏振板620附接到封装层400。在这种情况下，当显示区da中的第一有机绝缘层140和坝部分500彼此物理分开时，oca610可以填充在第一有机绝缘层140和坝部分500之间。

偏振板620可以减少外部光的反射。例如，当外部光穿过偏振板620时，外部光在公共电极315的顶部表面上反射，然后反射的光穿过偏振板620。在这种情况下，外部光穿过偏振板620两次，从而可以改变外部光的相位。结果，反射的光的相位与进入偏振板620的外部光的相位不同，从而可发生消光干涉，因此，可以减少外部光的反射并且可以增加可见度。例如，如图4所示，可以放置oca610和偏振板620以覆盖第一有机绝缘层140和坝部分500之间的谷或间隙。

返回参考图3，设置在焊盘区pada与显示区da之间的布线l可以向显示区da供应用于驱动发光装置310的电力，或者可以连接到显示区da内的数据线dl或扫描线sl并且可以将数据信号或扫描信号从附接到焊盘区pada的驱动电路传输到显示区da。这些布线l可以位于与栅电极213位于其上的层相同的层上，或者可以位于与源电极215a和漏电极215b位于其上的层相同的层上。

在示例中，如图4所示，当布线l位于与栅电极213位于其上的层相同的层上时，布线l可以在弯曲区ba中被划分。例如，可以在显示区da和弯曲区ba之间的第一区1a中形成布线l，并且可以在弯曲区ba和焊盘区pada之间的第二区2a中形成布线l。设置在第一区1a中的布线l可以经由在弯曲区ba中具有桥形的金属布线180连接到设置在第二区2a中的布线l，如图3所示。金属布线180可以位于稍后将描述的虚设绝缘图案190上，并且可以与源电极215a和漏电极215b一起形成。例如，设置在第一区1a中的布线l可以与设置在第二区2a中的布线l隔开一定空间，并且金属布线180可以通过穿过该空间将设置在第一区1a中的布线l连接到设置在第二区2a中的布线l。相反，当布线l形成在与源电极215a和漏电极215b位于其上的层相同的层上时，布线l可以位于虚设绝缘图案190上，并且因此可以一体地形成在显示区da和焊盘区pada之间。例如，设置在虚设绝缘图案190上的金属布线180不限于图4中图示的具有桥形的布线。

如图4所示，弯曲区ba设置在显示区da和焊盘区pada之间，并且包括其中暴露基板110的顶部表面的开口区oa。开口区oa是其中基板110上的缓冲层112、栅绝缘层121和层间绝缘层131被部分去除的区。开口区oa可以促进弯曲区ba中的弯曲，并且可以防止在弯曲期间在无机绝缘层中产生裂纹。

有机材料可以填充开口区oa。以这种方式填充在开口区oa中的有机材料可以是虚设绝缘图案190。虚设绝缘图案190可以基于弯曲区ba的放置延伸到与弯曲区ba相邻的非弯曲区。虚设绝缘图案190可以补偿开口区oa中的台阶差，并且可以吸收由弯曲产生的应力。因此，可以最小化在弯曲期间在弯曲区ba中的各种金属布线180中发生的应力集中，以将电信号从焊盘区pada中的包括导电焊盘的焊盘部分传输到显示区da。

虚设绝缘图案190可以包括丙烯酸类聚合物、甲基丙烯酸类聚合物、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚磺酸亚乙酯、聚甲醛、聚丙烯酸酯和/或六甲基二硅醚。

第一有机绝缘层140和第二有机绝缘层150可以位于弯曲区ba中。另外，弯曲保护层600可以位于弯曲区ba中的第二有机绝缘层150上。弯曲保护层600可以在弯曲期间在弯曲区ba中的金属布线180附近提供应力中性面。如果不存在弯曲保护层600，则根据基板110的弯曲，可对弯曲区ba内基板110上的金属布线180施加过大的拉伸应力。这种施加到金属布线180的过大的拉伸应力是因为弯曲区ba中布线的位置可以不对应于应力中性面。然而，根据本发明构思的示例性实施方式，存在弯曲保护层600，并且对其厚度和模量进行调节，从而可以调节堆叠结构中的应力中性面的位置，堆叠结构包括基板110、弯曲区ba中的金属布线180和弯曲保护层600。因此，通过使用弯曲保护层600，应力中性面可以位于弯曲区ba中的金属布线180附近，从而可以使施加到弯曲区ba中的金属布线180的应力最小化。

上述显示装置(参见图1的100)可以在弯曲区ba中弯曲并且可以被包括在电子设备等中。在这种情况下，由于弯曲引起的应力保留在弯曲区ba中。在这种状态下，当在显示装置(参见图1的100)的制造期间或在电子设备的使用期间对显示装置(参见图1的100)或电子设备施加外部冲击时，在保留应力的弯曲区ba中的金属布线180中可发生损坏。

为了防止金属布线180损坏，显示装置(参见图1的100)可以包括设置在弯曲区ba中在第一有机绝缘层140和第二有机绝缘层150之间的第一虚设金属图案710。在示例中，第一虚设金属图案710可以由与像素电极311相同的材料形成，并且可以与像素电极311同时形成。在示例中，当像素电极311具有包括透明或半透明电极层的第一导电层、包括ag的第二导电层和包括透明或半透明电极层的第三导电层的堆叠结构时，第一虚设金属图案710可以与像素电极311的第二导电层一起形成，并且可以包括与第二导电层相同的材料。因此，与根据相关技术进一步包括用于覆盖弯曲区ba的附加覆盖元件或在弯曲区ba下方的缓冲层以保护弯曲区ba中的金属布线180的显示装置的制造过程相比，显示装置(参见图1的100)的制造过程可以被简化。

第一虚设金属图案710可以防止外部冲击传递到弯曲区ba中的金属布线180，并且可以防止弯曲区ba中的金属布线180由于冲击而损坏。为此，第一虚设金属图案710可以沿着弯曲区ba延伸，并且可以具有与弯曲区ba的宽度相似的宽度，如图3所示。

另外，因为第一虚设金属图案710位于弯曲区ba中的金属布线180上，所以当外部冲击施加到第一虚设金属图案710时，第一虚设金属图案710可以吸收冲击，并且在第一虚设金属图案710中可产生裂纹。因此，可以防止在其下方的弯曲区ba中的金属布线180被损坏。例如，第一虚设金属图案710可以至少用作冲击吸收层。

另外，由于第一虚设金属图案710位于弯曲区ba中，所以可以减少用于允许应力中性面在弯曲期间靠近弯曲区ba中的金属布线180定位的弯曲保护层600的厚度。因此，可以减少弯曲区ba中的显示装置(参见图1的100)的厚度。第一虚设金属图案710可以处于浮置状态。

另外，由于第一虚设金属图案710位于弯曲区ba中，所以可以减少在弯曲区ba中产生的应力。稍后将参考图6至图8描述该内容。

第一虚设金属图案710可以进一步包括多个孔713，如图5所示。可以以多行形成多个孔713，并且多行的孔713可以彼此不对准。以这种方式，当在第一虚设金属图案710中形成孔713时，可以增加第一虚设金属图案710的柔性。因此，可以防止第一虚设金属图案710被损坏，并且可以容易地进行弯曲过程。

图6至图8图示了当图1的显示装置在弯曲区中被弯曲时，取决于虚设金属图案的存在，在图3的点a、b和c处的金属布线的应变。

图6分别图示了在弯曲期间和在弯曲完成之后，在图3的点a处的金属布线的应变。图7分别图示了在弯曲期间和在弯曲完成之后，在图3的点b处的弯曲区中的金属布线的应变。图8分别图示了在弯曲期间和在弯曲完成之后，在图3的点c处的弯曲区中的金属布线的应变。在此，图3的点a是邻近弯曲区的点(例如，在显示区da和弯曲区ba之间)，图3的点b是弯曲区的中心区处的点，并且图3的点c是弯曲开始的点(例如，在弯曲区ba和焊盘区pada和/或基板110的边缘之间)。

另外，在图6至图8中，“e”表示包括第一虚设金属图案的本发明构思的示例性实施方式，并且“p”表示不具有第一虚设金属图案的比较例。另外，图6至图8的横轴表示从弯曲区中的弯曲开始的时刻到弯曲完成的时刻的时间t(秒)。例如，图6的e-a表示示例性实施方式e，其图示了在点a处的布线上的应变，以及在3.9秒之后，在点a处的布线应变了0.093％。

表1表示图6至图8中弯曲期间的最大应力值和弯曲完成后的残余应力值。

【表1】

参考上面的表1和图6至图8，与不存在第一虚设金属图案的情况相比，在包括第一虚设金属图案的情况中，弯曲区中的布线上的应变以及在所有点a、b和c处的应力的量减少。例如，与比较例相比，根据本发明构思的示例性实施方式在弯曲区的中心区处的点b处弯曲期间的最大应力值可以减少约6.1％，并且即使当完成弯曲之后，与比较例相比，根据本发明构思的示例性实施方式的最大应力值可以减少约4.4％。因此，由于第一虚设金属图案位于第一有机绝缘层和第二有机绝缘层之间，所以可以减少在弯曲区中可产生的应力。

图9是根据本发明构思的示例性实施方式沿图3的线ii-ii’截取的截面图，并且图10是根据本发明构思的示例性实施方式沿图3的线ii-ii’截取的截面图。在下文中，将仅描述与以上描述的不同之处。

参考图9，除了设置在第一有机绝缘层140和第二有机绝缘层150之间的第一虚设金属图案710之外，显示装置(参见图1的100)在弯曲区ba中可以进一步包括设置在第二有机绝缘层150上的第二虚设金属图案720。在示例中，第二虚设金属图案720可以包括与像素电极(参见图4的311)的第二导电层相同的材料。以这种方式，当在第二有机绝缘层150上形成第二虚设金属图案720时，相对于弯曲区ba中的拉伸应力的阻力可增加，并且除了第一虚设金属图案710之外，第二虚设金属图案720可以进一步防止外部冲击传递到弯曲区ba中的金属布线180。因此，可以防止弯曲区ba中的金属布线180被损坏。

参考图10，除了设置在第一有机绝缘层140和第二有机绝缘层150之间的第一虚设金属图案710之外，显示装置(参见图1的100)在弯曲区ba中可以进一步包括设置在弯曲保护层600上的第三虚设金属图案730。第三虚设金属图案730可以包括具有相对高的拉伸强度的ag。

第三虚设金属图案730位于弯曲保护层600上，因此可以直接阻挡外部冲击。因此，第三虚设金属图案730可以防止外部冲击传递到弯曲区ba中的金属布线180。

图9图示根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置100，其进一步包括第二虚设金属图案720。图10图示了根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置100，其进一步包括第三虚设金属图案730。然而，本发明构思的示例性实施方式不限于此。例如，可以同时形成第二虚设金属图案720和第三虚设金属图案730。

根据本发明构思的示例性实施方式，由于将第一虚设金属图案布置在显示装置的弯曲区中的第一有机绝缘层和第二有机绝缘层之间，所以可以防止设置在弯曲区中的金属图案被冲击等损坏。将理解，本发明构思的精神和范围不受这些效果的限制。

应理解，本文所述的本发明构思的示例性实施方式应被认为是描述性意义的，而不是出于限制的目的。

尽管已经参考本发明构思的示例性实施方式具体示出和描述了本发明构思，但是对于本领域普通技术人员来说明显的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以对其形式和细节做出各种改变。