1.一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器，其特征在于：所述激光器包括衬底，所述衬底上方自下而上分别设置有缓冲层、渐变下过渡层、下限制层、折射率反渐变下波导层、量子阱层、折射率反渐变上波导层、第一上限制层、模式扩展层、第二上限制层、腐蚀终止层、第三上限制层、上过渡层和帽层。
2.根据权利要求1所述的一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器，其特征在于：所述折射率反渐变下波导层为(al1-x3gax3)y3in1-y3p折射率反渐变下波导层(5)，其中0.4≤x3≤0.6，0.4≤y3≤0.6；所述折射率反渐变上波导层为(al1-x7gax7)y5in1-y5p折射率反渐变上波导层(9)，其中0.4≤x7≤0.6，0.4≤y5≤0.6。
3.根据权利要求1所述的一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器，其特征在于：所述模式扩展层为(al1-x9gax9)y7in1-y7p模式扩展层(11)，其中0.1≤x9≤0.45，0.4≤y7≤0.6。
4.根据权利要求1所述的一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器，其特征在于：所述量子阱层自下而上包括：
ga1-x4inx4p第一量子阱(6)，0.5≤x4≤0.7；
(al1-x5gax5)y4in1-y4p垒层(7)，0.3≤x5≤0.6，0.4≤y4≤0.6；
ga1-x6inx6p第二量子阱(8)，0.5≤x6≤0.7；
其中所述ga1-x4inx4p第一量子阱(6)在折射率反渐变下波导层上生长，所述第一上限制层在ga1-x6inx6p第二量子阱(8)上生长。
5.根据权利要求1所述的一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器，其特征在于：所述衬底为gaas衬底(1)，所述缓冲层为gaas缓冲层(2)；所述帽层为gaas帽层(16)；
所述渐变下过渡层为(al1-x1gax1)y1in1-y1p渐变下过渡层(3)，0.05≤x1≤0.7，0.4≤y1≤0.6；
所述下限制层为(al1-x2gax2)y2in1-y2p下限制层(4)，0.05≤x2≤0.4，0.4≤y2≤0.6；
所述第一上限制层为(al1-x8gax8)y6in1-y6p第一上限制层(10)，0.05≤x8≤0.4，0.4≤y6≤0.6；
所述第二上限制层为(al1-x10gax10)y8in1-y8p第二上限制层(12)，0.05≤x10≤0.4，0.4≤y8≤0.6；
所述腐蚀终止层为ga1-x11inx11p腐蚀终止层(13)，0.4≤x11≤0.6；
所述第三上限制层为(al1-x12gax12)y9in1-y9p第三上限制层(14)，0.05≤x12≤0.4，0.4≤y9≤0.6；
所述上过渡层为ga1-x13inx13p上过渡层(15)，0.4≤x13≤0.6。
6.一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备gaas衬底(1)；
2)gaas缓冲层(2)的生长；
3)(al1-x1gax1)y1in1-y1p渐变下过渡层(3)的生长；
4)(al1-x2gax2)y2in1-y2p下限制层(4)的生长；
5)(al1-x3gax3)y3in1-y3p折射率反渐变下波导层(5)的生长；
6)量子阱层的生长；
a)ga1-x4inx4p第一量子阱(6)的生长；
b)(al1-x5gax5)y4in1-y4p垒层(7)的生长；
c)ga1-x6inx6p第二量子阱(8)的生长；
7)(al1-x7gax7)y5in1-y5p折射率反渐变上波导层(9)的生长；
8)(al1-x8gax8)y6in1-y6p第一上限制层(10)的生长；
9)(al1-x9gax9)y7in1-y7p模式扩展层(11)的生长；
10)(al1-x10gax10)y8in1-y8p第二上限制层(12)的生长；
11)ga1-x11inx11p腐蚀终止层(13)的生长；
12)(al1-x12gax12)y9in1-y9p第三上限制层(14)的生长；
13)ga1-x13inx13p上过渡层(15)和gaas帽层(16)的生长；
14)封装，得到成品。
7.根据权利要求6所述的一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备gaas衬底(1)：将gaas衬底(1)放在mocvd设备生长室内，h2环境下升温到710-730℃烘烤，再通入ash3，进行表面热处理；
2)gaas缓冲层(2)的生长：降温至670-690℃，继续通入tmga和ash3，在gaas衬底(1)上生长gaas缓冲层(2)；
3)(al1-x1gax1)y1in1-y1p渐变下过渡层(3)的生长：缓慢升温至690-710℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在gaas缓冲层(2)上生长(al1-x1gax1)y1in1-y1p渐变下过渡层(3)；
4)(al1-x2gax2)y2in1-y2p下限制层(4)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在(al1-x1gax1)y1in1-y1p渐变下过渡层(3)上生长n型(al1-x2gax2)y2in1-y2p下限制层(4)；
5)(al1-x3gax3)y3in1-y3p折射率反渐变下波导层(5)的生长：缓慢降温至640-660℃，通入tmal、tmin、tmga和ph3，在(al1-x2gax2)y2in1-y2p下限制层(4)上生长(al1-x3gax3)y3in1-y3p折射率反渐变下波导层(5)；
6)量子阱层的生长：
a)ga1-x4inx4p第一量子阱(6)的生长：保持温度为640-660℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al1-x3gax3)y3in1-y3p折射率反渐变下波导层(5)上生长ga1-x4inx4p第一量子阱(6)；
b)(al1-x5gax5)y4in1-y4p垒层(7)的生长：保持温度为640-660℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在ga1-x4inx4p第一量子阱(6)上生长(al1-x5gax5)y4in1-y4p垒层(7)；
c)ga1-x6inx6p第二量子阱(8)的生长：保持温度为640-660℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在(al1-x5gax5)y4in1-y4p垒层(7)上生长ga1-x6inx6p第二量子阱(8)；
7)(al1-x7gax7)y5in1-y5p折射率反渐变上波导层(9)的生长：缓慢升温至690-710℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在ga1-x6inx6p第二量子阱(8)上生长(al1-x7gax7)y5in1-y5p折射率反渐变上波导层(9)；
8)(al1-x8gax8)y6in1-y6p第一上限制层(10)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在(al1-x7gax7)y5in1-y5p折射率反渐变上波导层(9)上生长p型(al1-x8gax8)y6in1-y6p第一上限制层(10)；
9)(al1-x9gax9)y7in1-y7p模式扩展层(11)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在(al1-x8gax8)y6in1-y6p第一上限制层(10)上生长p型(al1-x9gax9)y7in1-y7p模式扩展层(11)；
10)(al1-x10gax10)y8in1-y8p第二上限制层(12)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在(al1-x9gax9)y7in1-y7p模式扩展层(11)上生长p型(al1-x10gax10)y8in1-y8p第二上限制层(12)；
11)ga1-x11inx11p腐蚀终止层(13)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al1-x10gax10)y8in1-y8p第二上限制层(12)上生长p型ga1-x11inx11p腐蚀终止层(13)；
12)(al1-x12gax12)y9in1-y9p第三上限制层(14)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在ga1-x11inx11p腐蚀终止层(13)上生长p型(al1-x12gax12)y9in1-y9p第三上限制层(14)；
13)ga1-x13inx13p上过渡层(15)的生长：缓慢降温至650-670℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al1-x12gax12)y9in1-y9p第三上限制层(14)上生长p型ga1-x13inx13p上过渡层(15)；
14)gaas帽层(16)的生长：降温至530-550℃，继续通入tmga和ash3，在ga1-x13inx13p上过渡层(15)上生长gaas帽层(16)；
15)封装，得到成品。
8.根据权利要求7所述的一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备gaas衬底(1)：将gaas衬底(1)放在mocvd设备生长室内，h2环境下升温到710-730℃烘烤，再通入ash3，进行表面热处理；
2)gaas缓冲层(2)的生长：降温至670-690℃，继续通入tmga和ash3，在gaas衬底(1)上生长gaas缓冲层(2)；
3)(al1-x1gax1)y1in1-y1p渐变下过渡层(3)的生长：缓慢升温至690-710℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在gaas缓冲层(2)上生长(al1-x1gax1)y1in1-y1p渐变下过渡层(3)，其中0.05≤x1≤0.7，0.4≤y1≤0.6；
4)(al1-x2gax2)y2in1-y2p下限制层(4)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在(al1-x1gax1)y1in1-y1p渐变下过渡层(3)上生长n型(al1-x2gax2)y2in1-y2p下限制层(4)，其中0.05≤x2≤0.4，0.4≤y2≤0.6；
5)(al1-x3gax3)y3in1-y3p折射率反渐变下波导层(5)的生长：缓慢降温至640-660℃，通入tmal、tmin、tmga和ph3，在(al1-x2gax2)y2in1-y2p下限制层(4)上生长(al1-x3gax3)y3in1-y3p折射率反渐变下波导层(5)，其中0.4≤x3≤0.6，0.4≤y3≤0.6；(al1-x3gax3)y3in1-y3p折射率反渐变下波导层(5)的厚度为0.05-0.15μm，非故意掺杂；
6)量子阱层的生长：
a)ga1-x4inx4p第一量子阱(6)的生长：保持温度为640-660℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al1-x3gax3)y3in1-y3p折射率反渐变下波导层(5)上生长ga1-x4inx4p第一量子阱(6)，其中0.5≤x4≤0.7；
b)(al1-x5gax5)y4in1-y4p垒层(7)的生长：保持温度为640-660℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在ga1-x4inx4p第一量子阱(6)上生长(al1-x5gax5)y4in1-y4p垒层(7)，其中0.3≤x5≤0.6，0.4≤y4≤0.6；
c)ga1-x6inx6p第二量子阱(8)的生长：保持温度为640-660℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在(al1-x5gax5)y4in1-y4p垒层(7)上生长ga1-x6inx6p第二量子阱(8)，其中0.5≤x6≤0.7；
7)(al1-x7gax7)y5in1-y5p折射率反渐变上波导层(9)的生长：缓慢升温至690-710℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在ga1-x6inx6p第二量子阱(8)上生长(al1-x7gax7)y5in1-y5p折射率反渐变上波导层(9)，其中0.4≤x7≤0.6，0.4≤y5≤0.6；(al1-x7gax7)y5in1-y5p折射率反渐变上波导层(9)的厚度为0.05-0.15μm，非故意掺杂；
8)(al1-x8gax8)y6in1-y6p第一上限制层(10)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在(al1-x7gax7)y5in1-y5p折射率反渐变上波导层(9)上生长p型(al1-x8gax8)y6in1-y6p第一上限制层(10)，其中0.05≤x8≤0.4，0.4≤y6≤0.6；
9)(al1-x9gax9)y7in1-y7p模式扩展层(11)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在(al1-x8gax8)y6in1-y6p第一上限制层(10)上生长p型(al1-x9gax9)y7in1-y7p模式扩展层(11)，其中0.1≤x9≤0.45，0.4≤y7≤0.6；(al1-x9gax9)y7in1-y7p模式扩展层(11)的厚度为0.02-0.1μm，掺杂浓度为3e17-7e17个原子/cm3；
10)(al1-x10gax10)y8in1-y8p第二上限制层(12)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在(al1-x9gax9)y7in1-y7p模式扩展层(11)上生长p型(al1-x10gax10)y8in1-y8p第二上限制层(12)，其中0.05≤x10≤0.4，0.4≤y8≤0.6；
11)ga1-x11inx11p腐蚀终止层(13)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al1-x10gax10)y8in1-y8p第二上限制层(12)上生长p型ga1-x11inx11p腐蚀终止层(13)，其中0.4≤x11≤0.6；
12)(al1-x12gax12)y9in1-y9p第三上限制层(14)的生长：保持温度为690-710℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在ga1-x11inx11p腐蚀终止层(13)上生长p型(al1-x12gax12)y9in1-y9p第三上限制层(14)，其中0.05≤x12≤0.4，0.4≤y9≤0.6；
13)ga1-x13inx13p上过渡层(15)的生长：缓慢降温至650-670℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al1-x12gax12)y9in1-y9p第三上限制层(14)上生长p型ga1-x13inx13p上过渡层(15)；其中0.4≤x13≤0.6；
14)gaas帽层(16)的生长：降温至530-550℃，继续通入tmga和ash3，在ga1-x13inx13p上过渡层(15)上生长gaas帽层(16)；
15)封装，得到成品。
9.根据权利要求8所述的一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器的制备方法，其特征在于：
步骤3)中，(al1-x1gax1)y1in1-y1p渐变下过渡层(3)的厚度为0.1-0.3μm，掺杂浓度为1e18-3e18个原子/cm3；
步骤4)中，(al1-x2gax2)y2in1-y2p下限制层(4)的厚度为0.5-1.5μm，掺杂浓度为5e17-3e18个原子/cm3；
步骤6)中，ga1-x4inx4p第一量子阱(6)的厚度为5-8nm，非故意掺杂；(al1-x5gax5)y4in1-y4p垒层(7)的厚度为5-10nm，非故意掺杂；ga1-x6inx6p第二量子阱(8)的厚度为5-8nm，非故意掺杂；
步骤8)中，(al1-x8gax8)y6in1-y6p第一上限制层(10)的厚度为0.05-0.15μm，掺杂浓度为3e17-7e17个原子/cm3；
步骤10)中，(al1-x10gax10)y8in1-y8p第二上限制层(12)的厚度为0.05-0.15μm，掺杂浓度为3e17-7e17个原子/cm3；
步骤11)中，ga1-x11inx11p腐蚀终止层(13)的厚度为0.01-0.05μm，掺杂浓度为5e17-1.2e18个原子/cm3；
步骤12)中，(al1-x12gax12)y9in1-y9p第三上限制层(14)的厚度为0.5-1.2μm，掺杂浓度为5e17-1.2e18个原子/cm3；
步骤13)中，ga1-x13inx13p上过渡层(15)的厚度为0.01-0.05μm，掺杂浓度为1e18-3e18个原子/cm3；
步骤14)中，gaas帽层(16)的厚度为0.1-0.5μm，掺杂浓度为4e19-1e20个原子/cm3。
10.根据权利要求9所述的一种带折射率反渐变波导层的半导体激光器的制备方法，其特征在于：
步骤3)中，(al1-x1gax1)y1in1-y1p渐变下过渡层(3)的厚度为0.2μm，掺杂浓度为2e18个原子/cm3，其中0.1≤x1≤0.5，y1＝0.5；
步骤4)中，(al1-x2gax2)y2in1-y2p下限制层(4)的厚度为1.0μm，掺杂浓度为1e18个原子/cm3，其中x2＝0.2，y2＝0.5；
步骤5)中，(al1-x3gax3)y3in1-y3p折射率反渐变下波导层(5)的厚度为0.05μm，非故意掺杂，其中0.5≤x3≤0.55，y2＝0.5；
步骤6)中，ga1-x4inx4p第一量子阱(6)的厚度为5nm，非故意掺杂，其中x4＝0.6；(al1-x5gax5)y4in1-y4p垒层(7)的厚度为8nm，非故意掺杂，其中x5＝0.4，y4＝0.5；ga1-x6inx6p第二量子阱(8)的厚度为5nm，非故意掺杂，其中x6＝0.6；
步骤7)中，(al1-x7gax7)y5in1-y5p折射率反渐变上波导层(9)的厚度为0.05μm非故意掺杂，其中0.5≤x7≤0.55，y5＝0.5；
步骤8)中，(al1-x8gax8)y6in1-y6p第一上限制层(10)的厚度为0.1μm，掺杂浓度为5e17个原子/cm3，其中x8＝0.2，y6＝0.5；
步骤9)中，(al1-x9gax9)y7in1-y7p模式扩展层(11)的厚度为0.05μm，掺杂浓度为5e17个原子/cm3，其中x9＝0.25，y7＝0.5；
步骤10)中，(al1-x10gax10)y8in1-y8p第二上限制层(12)的厚度为0.05μm，掺杂浓度为5e17个原子/cm3，其中x10＝0.2，y8＝0.5；
步骤11)中，ga1-x11inx11p腐蚀终止层(13)的厚度为0.01μm，掺杂浓度为1e18个原子/cm3，其中x11＝0.5；
步骤12)中，(al1-x12gax12)y9in1-y9p第三上限制层(14)的厚度为0.8μm，掺杂浓度为1e18个原子/cm3，其中x12＝0.2，y9＝0.5；
步骤13)中，ga1-x13inx13p上过渡层(15)的厚度为0.02μm，掺杂浓度为2e18个原子/cm3，其中x13＝0.5；
步骤14)中，gaas帽层(16)的厚度为0.2μm，掺杂浓度为7e19个原子/cm3。