天线装置及电子设备的制作方法

本发明涉及天线技术领域，特别涉及应用在电子设备中的天线装置。

背景技术：

多输入多输出(multi-inputmulti-output，mimo)技术在第五代(5thgeneration，5g)无线通信系统中起着非常重要的作用。但是，移动终端，如手机，要获得良好的mimo性能仍是一个很大的挑战。其中一个原因在于，移动终端内部的十分有限的空间限制了mimo天线能够覆盖的频段以及高性能。

技术实现要素：

本发明实施例提供了一种电子设备，在同一个槽天线辐射体上同时激励出差模槽天线和共模槽天线，可实现高隔离度、低ecc的mimo天线特性。

第一方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括pcb、金属边框和天线装置。该天线装置可包括：槽、第一馈电点、第二馈电点以及桥结构；其中，

该槽可以开设在该pcb与该金属边框的第一段之间。该槽的两端可接地。该槽可包括第一侧边和第二侧边，第一侧边可由该pcb的一侧边构成，第二侧边可由该金属边框的第一段构成。第二侧边上可开设有一个缝隙。第二侧边可包括第一部分和第二部分，第一部分可位于该缝隙的一侧，第二部分可位于该缝隙的另一侧。

第一馈电点可位于第二侧边的第一部分上，第二馈电点可位于第二侧边的第二部分上。第一馈电点可连接该天线装置的馈源的正极，第二馈电点可连接该天线装置的馈源的负极。

该桥结构可包括第一端和第二端，第一端可连接第一部分，或者越过第一侧边延伸到槽，第二端可连接第二部分，或者越过第一侧边延伸到槽。桥结构上可设有第三馈电点，第三馈电点可连接馈源的正极。

第一方面中，第一馈电点、第二馈电点形成的馈电结构可激励槽产生cm槽天线模式。这种馈电结构即后续实施例中提及的反对称馈电。cm槽天线模式的电流、电场分布呈如下特点：电流在缝隙两侧呈现同向分布，但电场在缝隙两侧呈现反向分布。cm槽天线模式的电流、电场可以是缝隙两侧的槽各自工作在1/4波长模式产生的。

第一方面中，桥结构以及设置在桥结构上的第三馈电点形成的馈电结构可激励槽产生dm槽天线模式。这种馈电结构即后续实施例中提及的对称馈电。dm槽天线模式的电流、电场分布呈如下特点：电流在缝隙两侧呈现反向分布，但电场在缝隙两侧呈现同向分布。dm槽天线模式的电流、电场可以是整个槽工作在1/2波长模式产生的。

可以看出，第一方面提供的电子设备所采用的天线设计方案，利用电子设备的金属边框和pcb地板形成一个槽，通过对称馈电和反对称馈电，可激励该槽产生两个槽天线模式：cm槽天线模式和dm槽天线模式，可在宽频段内实现高隔离度和低ecc的mimo天线特性。而且，两种槽天线模式共用同一个槽天线辐射体，可节约天线设计空间。

结合第一方面，在一些实施例中，第一馈电点、第二馈电点可连接馈源的馈电网络，馈电网络可包括镂空pcb的地板所形成的、从地板延伸出来的两条对称的平行导线。

结合第一方面，在一些实施例中，桥结构可以是激光直接成型lds的金属支架，可架设在pcb17背面的上方。桥结构可优化阻抗匹配。其中，在pcb17的两面中，设置有pcb地板的那一面可以称为pcb正面，另一面(未设置pcb地板)可以称为pcb背面。

结合第一方面，在一些实施例中，该缝隙可以设置在第二侧边的中间位置，也可以偏离该中间位置设置。

结合第一方面，在一些实施例中，槽可以是u型槽。例如，槽可以从金属边框的底边延伸至金属边框的两个侧边，可以是位于电子设备底部的u型槽。类似的，槽也可以是位于电子设备顶部的u型槽，或者是电子设备侧边的u型槽。

结合第一方面，在一些实施例中，槽可以是l型槽。例如，槽可以从金属边框的底边延伸至金属边框的一个侧边，可以是位于电子设备底部左侧或右侧的l型槽。类似的，槽也可以是位于电子设备顶部的l型槽。

结合第一方面，在一些实施例中，该天线装置在电子设备中的布局位置可以为以下一项或多项：电子设备的底部、电子设备的顶部或电子设备的侧边。

结合第一方面，在一些实施例中，电子设备可以包括多个该天线装置，这多个天线装置可以布局在电子设备的顶部、底部或侧边中的多个位置。例如，如果电子设备包括2个该天线装置，则这2个天线装置可以分别布局在电子设备的顶部、底部。

结合第一方面，在一些实施例中，第一馈电点、第二馈电点可以通过同轴传输线分别连接馈源的正极、负极，第一馈电点具体连接同轴传输线的中心导体，第二馈电点具体连接同轴传输线的外导体。

结合第一方面，在一些实施例中，第一馈电点、第二馈电点可以靠近缝隙而设，也可以分别靠近槽的两端而设。

结合第一方面，在一些实施例中，桥结构的尺寸较大，可以增加一些集总器件(如集总电感)来缩小尺寸，即桥结构的部分为集总器件。

结合第一方面，在一些实施例中，不限于架设在pcb背面的lds金属支架，桥结构也可以通过镂空pcb地板来形成。

第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括pcb、金属边框和天线装置。该天线装置可包括：槽、第一馈电点、第二馈电点以及桥结构；其中，

该槽可以开设在该pcb与该金属边框的第一段之间，该金属边框的第一段包括第一端和第二端；该槽的两端可接地。该槽可包括第一侧边和第二侧边，第一侧边可由该pcb的一侧边构成，第二侧边可由该金属边框的第一段构成。第二侧边上可开设有多个缝隙。第二侧边可包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分可位于第三部分的一侧，第二部分可位于第三部分的另一侧。第三部分可以包括第一缝隙、第二缝隙、和位于第一缝隙和第二缝隙之间的悬浮段。

第一馈电点可位于第二侧边的第一部分上，第二馈电点可位于第二侧边的第二部分上。第一馈电点可连接该天线装置的馈源的正极，第二馈电点可连接该天线装置的馈源的负极。

该桥结构可包括第一端和第二端，第一端可连接第一部分，或者越过第一侧边延伸到槽，第二端可连接第二部分，或者越过第一侧边延伸到槽，桥结构上可设有第三馈电点，第三馈电点可连接馈源的正极。

可以看出，第二方面和第一方面不同的是，第二方面中的第二侧边上有两个缝隙：第一缝隙、第二缝隙。不限于两个缝隙，第三部分可包括三个或三个以上缝隙，以及这些缝隙之间的悬浮段。

结合第二方面，在一些实施例中，该桥结构还可连接第三部分中的悬浮段。

结合第二方面，在一些实施例中，桥结构可以包括一个t型结构：在连接缝隙两侧的槽的同时，还连接缝隙中间的悬浮金属边框。具体的，该t型结构可包括横向枝节和竖向枝节，该横向枝节的两端分别为前述第一端、前述第二端，分别连接第二侧边的第一部分、第二侧边的第二部分，该竖向枝节连接该悬浮段。

结合第二方面，在一些实施例中，桥结构可以是激光直接成型lds的金属支架，可架设在pcb背面的上方。桥结构可优化阻抗匹配。其中，在pcb的两面中，设置有pcb地板的那一面可以称为pcb正面，另一面(未设置pcb地板)可以称为pcb背面。

结合第二方面，在一些实施例中，该缝隙可以设置在第二侧边的中间位置，也可以偏离该中间位置设置。

结合第二方面，在一些实施例中，槽可以是u型槽。例如，槽可以从金属边框的底边延伸至金属边框的两个侧边，可以是位于电子设备底部的u型槽。类似的，槽也可以是位于电子设备顶部的u型槽，或者是电子设备侧边的u型槽。

结合第二方面，在一些实施例中，槽可以是l型槽。例如，槽可以从金属边框的底边延伸至金属边框的一个侧边，可以是位于电子设备底部左侧或右侧的l型槽。类似的，槽也可以是位于电子设备顶部的l型槽。

结合第二方面，在一些实施例中，该天线装置在电子设备中的布局位置可以为以下一项或多项：电子设备的底部、电子设备的顶部或电子设备的侧边。

结合第二方面，在一些实施例中，电子设备可以包括多个该天线装置，这多个天线装置可以布局在电子设备的顶部、底部或侧边中的多个位置。例如，如果电子设备包括2个该天线装置，则这2个天线装置可以分别布局在电子设备的顶部、底部。

结合第二方面，在一些实施例中，第一馈电点、第二馈电点可以通过同轴传输线分别连接馈源的正极、负极，第一馈电点具体连接同轴传输线的中心导体，第二馈电点具体连接同轴传输线的外导体。

结合第二方面，在一些实施例中，第一馈电点、第二馈电点可以靠近缝隙而设，也可以分别靠近槽的两端而设。

结合第二方面，在一些实施例中，桥结构的尺寸较大，可以增加一些集总器件(如集总电感)来缩小尺寸，即桥结构的部分为集总器件。

结合第二方面，在一些实施例中，不限于架设在pcb背面的lds金属支架，桥结构也可以通过镂空pcb地板来形成。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图进行说明。

图1是本申请提供的天线设计方案所基于的电子设备的结构示意图；

图2a为现有技术中的一种mimo天线设计方案的示意图；

图2b为图2a所示的天线设计方案的原理结构图；

图3a为图2a所示的天线设计方案的s11仿真图；

图3b为图2a所示的天线设计方案的效率仿真图；

图3c为图2a所示的天线设计方案的辐射方向图；

图4a为本申请涉及的cm槽天线的示意图；

图4b为cm槽天线模式的电流、电场、磁流的分布的示意图；

图5a为本申请涉及的dm槽天线的示意图；

图5b为dm槽天线模式的电流、电场、磁流的分布的示意图；

图6a为实施例一提供的天线装置的正面视图；

图6b为实施例一提供的天线装置的正面结构简图；

图6c示出了实施例一提供的天线装置的背面视图；

图6d为实施例一提供的天线装置的背面结构简图；

图7为“桥”结构架设在pcb上的示意图；

图8为反对称馈电结构的原理图；

图9a为实施例一提供的天线装置的s11仿真图；

图9b为实施例一提供的天线装置的效率仿真图；

图9c为实施例一提供的天线装置的辐射方向图；

图10a为实施例一提供的天线装置的cm槽天线模式的电流、电场分布的示意图；图10b为实施例一提供的天线装置的dm槽天线模式的电流、电场分布的示意图；图11a为实施例一扩展方案提供的天线装置的正面视图；

图11b为实施例一扩展方案提供的天线装置的正面结构简图；

图11c示出了实施例一扩展方案提供的天线装置的背面视图；

图11d为实施例一扩展方案提供的天线装置的背面结构简图；

图12a为实施例一扩展方案提供的天线装置的s11仿真图；

图12b为实施例一扩展方案提供的天线装置的效率仿真图；

图12c为实施例一扩展方案提供的天线装置的辐射方向图；

图13a为图11a所示天线装置的cm槽天线模式的电流、电场分布的示意图；

图13b为图11a所示天线装置的dm槽天线模式的电流、电场分布的示意图；

图14为图11a所示天线装置的辐射方向图；

图15a为实施例二提供的天线装置的正面视图；

图15b为实施例二提供的天线装置的正面结构简图；

图15c示出了实施例二提供的天线装置的背面视图；

图15d为实施例二提供的天线装置的背面结构简图；

图16a为实施例二提供的天线装置的s11仿真图；

图16b为实施例二提供的天线装置的效率仿真图；

图16c为实施例二提供的天线装置的辐射方向图；

图17a为实施例二提供的天线装置的cm槽天线模式的电流、电场分布的示意图；

图17b为实施例二提供的天线装置的dm槽天线模式的电流、电场分布的示意图；

图18为实施例二提供的天线装置的辐射方向图；

图19为本申请实施例提供的一种“桥”结构扩展实现方式；

图20为本申请实施例提供的一种4×4miimo天线的示意图；

图21a为实施例二提供的天线装置的正面视图；

图21b示出了实施例二提供的天线装置的背面视图。

具体实施方式

下面结合本发明实施例中的附图对本发明实施例进行描述。

本申请提供的技术方案适用于采用以下一种或多种通信技术的电子设备：蓝牙(bluetooth，bt)通信技术、全球定位系统(globalpositioningsystem，gps)通信技术、无线保真(wirelessfidelity，wi-fi)通信技术、全球移动通讯系统(globalsystemformobilecommunications，gsm)通信技术、宽频码分多址(widebandcodedivisionmultipleaccess，wcdma)通信技术、长期演进(longtermevolution，lte)通信技术、5g通信技术、sub-6g通信技术以及未来其他通信技术等。本申请中，电子设备可以是手机、平板电脑、个人数码助理(personaldigitalassistant，pda)等等。

图1示例性示出了本申请提供的天线设计方案所基于的电子设备内部环境。如图1所示，电子设备10可包括：玻璃盖板13、显示屏15、印刷电路板pcb17、壳体19和后盖21。

其中，玻璃盖板13可以紧贴显示屏15设置，可主要用于对显示屏15起到保护防尘作用。

其中，印刷电路板pcb17可以采用fr-4介质板，也可以采用罗杰斯(rogers)介质板，也可以采用rogers和fr-4的混合介质板，等等。这里，fr-4是一种耐燃材料等级的代号，rogers介质板一种高频板。印刷电路板pcb17靠近壳体19的一侧可以设置一金属层，该金属层可以通过在pcb17的表面蚀刻金属形成。该金属层可用于印刷电路板pcb17上承载的电子元件接地，以防止用户触电或设备损坏。该金属层可以称为pcb地板。本申请中，在pcb17的两面中，设置有pcb地板的那一面可以称为pcb正面(frontside)，另一面(未设置pcb地板)可以称为pcb背面(backside)。

其中，壳体19主要起整机的支撑作用。壳体19可以包括金属边框11，金属边框11可以由金属等传导性材料形成。金属边框11可以绕pcb17、显示屏15的外围延伸，帮助固定显示屏15。在一种实现中，金属材料制成的金属边框11可以直接用作电子设备10的金属边框，形成金属边框的外观，适用于金属id。在另一种实现中，金属边框11的外表面还可以设置非金属边框，例如塑料边框，形成非金属边框的外观，适用于非金属id。

金属边框11可以划分为4个部分，这4个部分根据各自在电子设备中的位置不一样而可以命名为：底边，顶边以及两个侧边。顶边可设置于电子设备10的顶部，底边可设置于电子设备10的底部。两个侧边可分别设置于电子设备10的两侧。电子设备10顶部可设置有前置摄像头(未示出)、听筒(未示出)、接近光传感器(未示出)等器件。电子设备10底部可设置有usb充电接口(未示出)、麦克风(未示出)等。电子设备10侧边可设置有音量调节按键(未示出)、电源键(未示出)。

其中，后盖21可以是非金属材料制成的后盖，如玻璃后盖、塑料后盖等非金属后盖，也可以是金属材料制成的后盖。

图1仅示意性的示出了电子设备10包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大小和实际构造不受图1限定。

为了给用户带来更为舒适的视觉感受，电子设备10可以采用全面屏工业设计(industrydesign，id)。全面屏意味着极大的屏占比(通常在90％以上)。全面屏的边框宽度大幅缩减，需要对电子设备10的内部器件，如前置摄像头、受话器、指纹识别器、天线等，进行重新布局。尤其对于天线设计来说，净空区域缩减，天线空间进一步被压缩。

现有技术中，在天线设计空间进一步缩减的情况下，在金属边框、玻璃后盖这种常见id的手机上，往往在整机四周布局多个不同的辐射体来实现mimo天线。但是，这多个不同的辐射体需要在天线形式、接地、馈电等方面符合较高要求，才能实现较高的天线隔离度以及较低的包络相关系数(envelopeicorrelationcoefficient，ecc)。下面举例说明。

图2a示例性示出了采用该现有技术的一种仿真模型。图2b是图2a所示模型的原理结构图。如图2a-图2b所示，整机参数设置为：长度158mm、宽度78mm。利用金属边框11和pcb地板之间的槽21可形成一端开放、一端接地的1/4波长模式的两个槽天线辐射体：低频槽天线lb1、低频槽天线lb2。这两个槽天线分别分布在电子设备10底部的两侧。低频槽天线lb1的接地端gnd1、低频槽天线lb2的接地端gnd2相邻，gnd1与gnd2之间的距离设置为40mm。

图3a示出了图2a示例性所示的天线结构的s参数仿真。其中，s11、s22分别表示槽天线lb1、lb2的s参数曲线，s21表示槽天线lb1、lb2之间的隔离度。图3b示出了图2a示例性所示的天线结构的辐射效率和系统效率。其中，曲线lb1、lb2分别表示槽天线lb1、lb2的效率曲线。图3c示出了图2a示例性所示的天线结构的辐射方向。可以看出，采用在整机四周布局多个不同的辐射体来实现mimo天线的传统方案，尽管槽天线lb1、lb2各自的接地端相距较远(达到40mm)，但槽天线lb1、lb2之间的隔离度却不理想(10db)，ecc也高达0.4。

本申请提供了一种mimo天线的设计方案，通过对称馈电和反对称馈电，在同一个槽天线辐射体上分别激励出差模槽天线和共模槽天线，可实现高隔离度、低ecc的mimo天线特性。

首先，介绍本申请将涉及两个天线模式。

1.共模(commonmode，cm)槽天线模式

如图4a所示，槽天线101可包括：槽103、馈电点107以及馈电点109。其中，槽103可开设在pcb地板上。槽103的一侧设有开口105，开口105可具体开设在该侧的中间位置。馈电点107以及馈电点109可分别设置在开口105的两侧。馈电点107、馈电点109可分别用于连接槽天线101的馈源的正极、负极。例如，采用同轴传输线对槽天线101进行馈电，同轴传输线的中心导体(transmissionlinecenterconductor)可通过传输线连接至馈电点107，同轴传输线的外导体(transmissionlineouterconductor)可通过传输线连接至馈电点109。同轴传输线的外导体是接地的。

也即是说，槽天线101可在开口105处馈电，开口105又可以称为馈电处。馈源的正极可连接在开口105的一侧，馈源的负极可连接在开口105的另一侧。

图4b示出了槽天线101的电流、电场、磁流分布。如图4b所示，电流在槽天线101的中间位置两侧呈现同向分布，但电场、磁流在槽天线101的中间位置两侧呈现反向分布。图4a中示出的这种馈电结构可以称为反对称馈电结构。图4b所示的这种槽天线模式可以称为cm槽天线模式。图4b所示的电场、电流、磁流可分别称为cm槽天线模式的电场、电流、磁流。

cm槽天线模式的电流、电场是槽天线101的中间位置两侧的槽各自工作在1/4波长模式产生的：电流在槽天线101的中间位置处弱，在槽天线101的两端强。电场在槽天线101的中间位置处强，在槽天线101的两端弱。

2.差模(differentialmode，dm)槽天线模式

如图5a所示，槽天线110可包括：槽113、馈电点117以及馈电点115。其中，槽113可开设在pcb地板上。馈电点117、馈电点115可分别设置在槽113的两个侧边的中间位置。馈电点117、馈电点115可分别用于连接槽天线110的馈源的正极、负极。例如，采用同轴传输线对槽天线110进行馈电，同轴传输线的中心导体可通过传输线连接至馈电点117，同轴传输线的外导体可通过传输线连接至馈电点115。同轴传输线的外导体是接地的。

也即是说，槽天线110的中间位置112处连接馈源，中间位置112又可以称为馈电处。馈源的正极可连接槽113的一侧边，馈源的负极可连接槽113的另一侧边。

图5b示出了槽天线110的电流、电场、磁流分布。如图5b所示，电流在槽天线110的中间位置112两侧呈现反向分布，但电场、磁流在槽天线110的中间位置112两侧呈现同向分布。图5a中示出的这种馈电结构可以称为对称馈电结构。图5b所示的这种槽天线模式可以称为dm槽天线模式。图5b所示的电场、电流、磁流可分布称为dm槽天线模式的电场、电流、磁流。

dm槽天线模式的电流、电场是整个槽21110工作在1/2波长模式产生：电流在槽天线110的中间位置处弱，在槽天线110的两端强。电场在槽天线110的中间位置处强，在槽天线110的两端弱。

下面结合附图详细说明本申请提供的多个实施例。以下实施例中，天线仿真均基于如下的环境：整机宽度为78mm、整机长度为158mm。金属边框11的厚度为4mm、宽度为3mm，z向投影区域的天线净空均为1mm。金属边框11上的开缝(如缝隙25)的宽度均为1mm至2mm。金属边框11和pcb地板之间形成的槽(如槽21)内部、金属边框11上的缝隙25内部、桥结构29和pcb地板之间的空隙内填充的材料的介电常数为3.0,损耗角为0.01。

实施例1

本实施例中，利用金属边框11和pcb地板形成一个槽，通过对称馈电和反对称馈电，激励该槽产生两个低频(工作频段在lteb5附近)天线模式：cm槽天线模式和dm槽天线模式。

图6a-图6d示出了实施1提供的mimo天线装置。其中，图6a示出了该mimo天线装置的正面视图(front-sideview)，图6b为该mimo天线装置的正面结构简图。图6c示出了该mimo天线装置的背面视图(back-sideview)，图6d为该mimo天线装置的背面结构简图。这里，正面是指pcb17的正面，背面是指pcb17的背面。正面视图示出了针对该天线结构的反对称馈电设计，背面视图示出了针对该天线结构的对称馈电设计。

如图6a-图6d所示，实施1提供的mimo天线装置可包括：槽21、馈电点m、馈电点n以及桥结构29。其中，

槽21可开设在pcb17与金属边框11的第一段之间。槽21的一侧边23-1由pcb17的一侧边17-1构成，另一侧边23-2由金属边框11的第一段构成。金属边框11的第一段可以为位置11-1至位置11-3之间的一段金属边框。侧边23-1可以称为第一侧边，侧边23-2可以称为第二侧边。金属边框11的第一段可具体为金属边框的底边，即槽21可开设在pcb17与金属边框的底边之间。例如，如图6a所示，槽21可以从金属边框11的底边延伸至金属边框11的侧边，可以是位于电子设备10底部的一个结构对称的u型槽。

槽21的两端可接地，这两端可包括一端21-1、另一端21-3。

槽21的由金属边框11构成的一侧边23-2上可开设有缝隙25。缝隙25可连接槽21至外部自由空间。侧边23-2上可具有一个缝隙25，也可以具有多个缝隙25。

当侧边23-2上具有一个缝隙25时，侧边23-2可以包括两部分：第一部分和第二部分，第一部分位于缝隙25的一侧，第二部分位于缝隙25的另一侧。

当侧边23-2上可具有多个缝隙25时，这多个缝隙25可分割侧边23-2形成悬浮段。具体的，当侧边23-2上具有多个缝隙25时，侧边23-2可以包括三个部分：第一部分、第二部分和第三部分，第一部分位于第三部分的一侧，第二部分位于第三部分的另一侧，第三部分可包括这多个缝隙25以及这多个缝隙25之间的悬浮段。例如，当侧边23-2上具有两个缝隙25(可分别称为第一缝隙、第二缝隙)时，侧边23-2可以包括三个部分：第一部分、第二部分和第三部分，第一部分位于第三部分的一侧，第二部分位于第三部分的另一侧，第三部分可包括这两个缝隙25以及两个缝隙25之间的悬浮段。

缝隙25可以设置在该侧边的中间位置，也可以偏离该中间位置设置。如果缝隙25为多个缝隙，则缝隙25设置在该侧边的中间位置，可以是指，这多个缝隙为整体位于侧边23-2的中间位置。

馈电点m、馈电点n可位于槽21的由金属边框11构成的侧边23-2上，具体可分别设置在缝隙25的两侧。即，馈电点m位于侧边23-2的第一部分上、馈电点n位于侧边23-2的第二部分上。

桥结构29可以是激光直接成型(laserdirectstructuring，lds)的金属支架，可架设在pcb17背面的上方。例如，如图7所示，桥结构29在pcb17背面上的架设高度可以为2.3mm。不限于此，该高度还可以为其他值，本申请对此不作限制。桥结构29可称为缝隙25两侧的槽的“桥”结构，可优化阻抗匹配。桥结构29的两端可连接槽21，具体可分别连接缝隙两侧的槽。

桥结构29的两端包括第一端26-2和第二端26-1。第一端26-2可连接侧边23-2的第一部分，或者越过第一侧边延伸到槽，第二端26-1可连接侧边23-2的第二部分，或者越过第一侧边延伸到槽。当槽21是延伸至金属边框11的侧边的u型槽时，第一端26-2和第二端26-1具体可分别连接金属边框11的两侧边。

实施例1提供的天线装置的尺寸可如图6a或图6b所示，槽21的宽度为1mm。槽21的闭合端(接地端)，即延伸至金属边框11的侧边的两端，到金属边框11的底边的距离为15mm。金属边框11底部开设的两个缝隙的宽度为1mm，这两个缝隙之间的距离为8mm；左侧缝隙到金属边框11的左侧之间的距离为34.5mm，右侧缝隙到金属边框11的右侧的距离为34.5mm。

实施例1提供的天线装置可具有两种馈电结构：反对称馈电结构和对称馈电结构。

1.反对称馈电结构

馈电点m、馈电点n可分别用于连接馈源的正极和负极。例如，可采用同轴传输线连接馈源，同轴传输线的中心导体(接馈源正极)可通过传输线连接至馈电点m，同轴传输线的外导体(接地)可通过传输线连接至馈电点n。馈电点m又可以称为正极馈电点(positivefeedingpoint)，馈电点n又可以称为负极馈电点(negativefeedingpoint)。

如图6a-图6b所示，馈电点m、馈电点n连接的馈电网络具体可通过镂空pcb17来实现，以充分利用pcb17正面的pcb地板实现馈电网络，节约设计空间。例如，如图6a所示，可以镂空pcb17的底部中央的局部区域来形成槽天线的馈电网络：从pcb地板延伸出的左右对称的两段平行导线27-1和27-2，并在导线27-1和导线27-2之间形成馈源的正极c和负极d。该馈电网络与槽21的连接点即馈电点m、馈电点n。在配置了匹配网络的情况下，该连接点是馈电网络通过匹配网络间接连接槽21的连接点。该馈电网络的等效电路可如图8所示。

另外，通过镂空pcb17还可以进一步形成馈电网络的匹配网络28。匹配网络28与馈电网络的连接点为连接点e、连接点f、连接点j和连接点k。图6a-图6b仅仅示例性示出了一种匹配网络的实现方式，匹配网络还可以不同，本申请对此不作限制。

图6a-图6b所示的这种馈电结构可激励槽21产生cm槽天线模式。反对称馈电的馈电结构不限于使用平行双导线(导线27-1、27-2)的形式，其他巴伦结构的馈电形式也可采用，本申请对此不作限制。

2.对称馈电结构

如图6c-图6d所示，桥结构29上可设有馈电点s，馈电点s可连接馈源(信号源)的馈电端(正极)。图6c-图6d所示的桥结构29可连接槽21，具体可连接槽21的由金属边框11构成的侧边23-2，并激励槽21产生dm槽天线模式。

可以看出，通过上述对称馈电结构和上述反对称馈电结构，可以在同一个槽天线上分别激励出cm槽天线模式和dm槽天线模式，可实现高隔离度、低ecc的mimo天线特性。

下面结合附图说明实施例1提供的天线装置的仿真。

图9a-图9c分别示出了该mimo天线装置的反射系数、隔离度、天线效率。

其中，图9a示出了该mimo天线装置仿真的一组反射系数曲线。其中，“1”、“2”代表不同的谐振。该mimo天线装置可在0.84ghz附近产生谐振“1”，还可在0.84ghz附近产生谐振“2”。谐振“1”是cm槽天线模式的谐振，谐振“2”是dm槽天线模式的谐振。具体的：谐振“1”可由缝隙25两侧的槽各自工作在1/4波长模式产生。谐振“2”可由整个槽21工作在1/2波长模式产生。不限制槽21产生谐振“1”的波长模式，谐振“1”也可由缝隙25两侧的槽的四分之三波长模式等产生。不限制槽21产生谐振“2”的波长模式，谐振“2”也可由槽21的一倍波长模式、二分之三波长模式等产生。除了图9a中示出的0.84ghz频段，实施例1提供的天线装置还可以产生其他低频频段的谐振，具体可通过调整槽21的尺寸来设置。

其中，图9b示出了该mimo天线装置所具有的两种槽天线模式之间的隔离度。可以看出，这两种槽天线模式之间的隔离度可高达30db以上。

其中，图9c示出了该mimo天线装置所具有的两种槽天线模式的辐射效率和系统效率。可以看出，这两种槽天线模式在谐振频率0.84ghz附近均具有优良的辐射效率和系统效率。

图10a-图10b示出了实施例1提供的天线装置仿真的电流、电场分布。

其中，图10a示出了该mimo天线装置的cm槽天模式的电流、电场分布。从图10a可以看出，电流在缝隙25两侧呈现同向分布，但电场在缝隙25两侧呈现反向分布。图10a所示的电场、电流可分别称为cm槽天线模式的电场、电流。cm槽天线模式的电流、电场是缝隙25两侧的槽各自工作在1/4波长模式产生的：电流在槽21的缝隙25处弱，在槽21的两端强。电场在槽21的缝隙25处强，在槽21的两端弱。

其中，图10b示出了该mimo天线装置的dm槽天模式的电流、电场分布。从图10b可以看出，电流在缝隙25两侧呈现反向分布，但电场在缝隙25两侧呈现同向分布。图10b所示的电场、电流可分布称为dm槽天线模式的电场、电流。dm槽天线模式的电流、电场是整个槽21工作在1/2波长模式产生：电流在槽21的缝隙25处弱，在槽21的两端强。电场在槽21的缝隙25处强，在槽21的两端弱。

可以看出，实施例1提供的天线设计方案，利用金属边框11和pcb地板形成一个槽，通过对称馈电和反对称馈电，激励该槽产生两个低频(工作频段在lteb5附近)槽天线模式：cm槽天线模式和dm槽天线模式。这样，可实现cm槽天线模式和dm槽天线模式的双谐振，在低频宽频段内实现高隔离度和低ecc的mimo天线特性。而且，实施例1可通过共体馈电的形式，即两种槽天线模式共用同一个槽天线辐射体，可节约天线设计空间。

实施例1的扩展方案

如图11a-图11d所示，桥结构29可以为一个t型结构：在连接缝隙25两侧的槽的同时，还连接缝隙25中间的悬浮金属边框11a。具体的，该t型结构可包括横向枝节和竖向枝节。横向枝节的两端(即第一端26-2、第二端26-1)可分别连接缝隙25两侧的槽。具体的，第一端26-2连接侧边23-2的第一部分，第二端26-1可连接侧边23-2的第二部分。竖向枝节可连接悬浮金属边框11a。不限于两个缝隙25之间的悬浮金属边框11a，缝隙25还可以包括更多缝隙25，分割出更多悬浮金属边框。

这样，可以调整cm槽天线模式的反对称馈电结构中的匹配器件，可实现cm槽天线模式的双谐振。而且，该变形可优化dm槽天线模式所使用的“桥”结构，也可实现dm槽天线模式的双谐振。

下面结合附图说明图11a-图11d所示槽天线的仿真。

图12a-图12c分别示出了该mimo天线装置的反射系数、隔离度、天线效率。

其中，图12a示出了该mimo天线装置仿真的一组反射系数曲线。其中，“1”、“2”、“3”、“4”代表不同的谐振。该mimo天线装置可在0.82ghz附近产生谐振“1”和谐振“3”，还可在0.87ghz附近产生谐振“2”和谐振“4”。谐振“1”、谐振“2”是cm槽天线模式的谐振，谐振“3”、谐振“4”是dm槽天线模式的谐振。除了图12a中示出的0.82ghz、0.87ghz频段，该mimo天线装置还可以产生其他频段的双谐振，具体可通过调整槽21的尺寸来设置。

其中，图12b示出了该mimo天线装置所具有的双谐振cm槽天线模式、双谐振dm槽天线模式之间的隔离度。可以看出，这两种槽天线模式之间的隔离度可高达30db以上。

其中，图12c示出了该mimo天线装置所具有的两种槽天线模式的辐射效率和系统效率。可以看出，图11a-图11d所示的天线装置的带宽比图6a-图6d所示的天线装置的带宽更大，双谐振cm槽天线模式、双谐振dm槽天线模式均具有优良的辐射效率和系统效率。

图13a-图13b示出了图11a-图11d所示槽天线仿真的电流、电场分布。

其中，图13a示出了该mimo天线装置的双谐振cm槽天模式的电流、电场分布。如图13a所示，双谐振cm槽天模式的电流包括谐振“1”(0.82ghz)的电流、谐振“2”(0.87ghz)的电流。双谐振cm槽天模式的电场包括谐振“1”(0.82ghz)的电场、谐振“2”(0.87ghz)的电场。从图13a可以看出，谐振“1”、谐振“2”的电流在缝隙25两侧呈现同向分布，但谐振“1”、谐振“2”的电场在缝隙25两侧呈现反向分布。

其中，图13b示出了该mimo天线装置的双谐振dm槽天模式的电流、电场分布。如图13b所示，双谐振cm槽天模式的电流包括谐振“3”(0.82ghz)的电流、谐振“4”(0.87ghz)的电流。双谐振cm槽天模式的电场包括谐振“3”(0.82ghz)的电场、谐振“4”(0.87ghz)的电场。从图13b可以看出，谐振“3”、谐振“4”的电流在缝隙25两侧呈现反向分布，但谐振“3”、谐振“4”的电场在缝隙25两侧呈现同向分布。

图14示出了图11a-图11d所示槽天线仿真的辐射方向图。根据图14所示辐射方向图计算ecc，双谐振cm槽天线模式和双谐振dm槽天线模式在谐振“1”(0.82ghz)的ecc低至0.01，双谐振cm槽天线模式和双谐振dm槽天线模式在谐振“2”(0.87ghz)的ecc低至0.03。

可以看出，图11a-图11d所示槽天线中，通过变形桥结构29，可实现双谐振的cm槽天线模式和双谐振的dm槽天线模式，进一步增加频带宽，而且可实现高隔离度、低ecc。

实施例2

本实施例提供的mimo天线装置，通过对称馈电和反对称馈电，可激励一个槽产生两个中高频(工作频段在wi-fi2.4ghz附近)的槽天线模式：cm槽天线模式和dm槽天线模式。

图15a-图15d示出了实施2提供的mimo天线装置。其中，图15a示出了该mimo天线装置的正面视图(front-sideview)，图15b为该mimo天线装置的正面结构简图。图15c示出了该mimo天线装置的背面视图(back-sideview)，图15d为该mimo天线装置的背面结构简图。这里，正面是指pcb17的正面，背面是指pcb17的背面。正面视图示出了针对该天线结构的反对称馈电设计，背面视图示出了针对该天线结构的对称馈电设计。

如图15a-图15d所示，实施2提供的mimo天线装置可包括：槽21、馈电点m、馈电点n以及桥结构29。其中，

槽21可开设在pcb17与金属边框11的第一段之间。与实施例1不同的是，实施例2中的槽21更短，以形成尺寸更小的槽辐射体，产生中高频谐振。槽21的长度可小于第一长度(如50mm)。例如，如图15a所示，槽21可以是位于电子设备10底部的一条型槽，其长度为46mm。

槽21的由金属边框11构成的一侧边23-2上可开设有缝隙25。侧边23-2上可具有一个缝隙25，也可以具有多个缝隙25。例如，如图15a所示，缝隙25可以为1个缝隙25。缝隙25可以设置在该侧边的中间位置，也可以偏离该中间位置设置。

馈电点m、馈电点n可位于槽21的由金属边框11构成的侧边23-2上，具体可分别设置在缝隙25的两侧。即，馈电点m位于侧边23-2的第一部分上、馈电点n位于侧边23-2的第二部分上。

与实施例1不同的是，实施例2中的桥结构29可以是u型结构，桥结构29的两端可分别连接缝隙25两侧的槽。桥结构29的第一端26-1、第二端26-2具体可连接金属边框11的底边。

实施例2提供的天线装置的尺寸可如图15a或图15b所示，槽21的宽度为1mm。金属边框11底部开设的1个缝隙25的宽度为2mm，这个缝隙25两侧的槽的长度均为22mm。

实施例2中可采用同于实施例1中描述的反对称馈电结构和对称馈电结构，具体可参考实施例1，这里不再赘述。

同于实施例1，实施例2中的缝隙25也可以包括两个缝隙25。桥结构29也可以为实施例1的扩展方案中描述的桥结构29。

下面结合附图说明实施例2提供的天线装置的仿真。

图16a-图16c分别示出了该mimo天线装置的反射系数、隔离度、天线效率。

其中，图16a示出了该mimo天线装置仿真的一组反射系数曲线。其中，“1”、“2”代表不同的谐振。该mimo天线装置可在2.47ghz附近产生谐振“1”，还可在2.47ghz附近产生谐振“2”。谐振“1”是cm槽天线模式的谐振，谐振“2”是dm槽天线模式的谐振。具体的：谐振“1”可由缝隙25两侧的槽各自工作在1/4波长模式产生。谐振“2”可由整个槽21工作在1/2波长模式产生。不限制槽21产生谐振“1”的波长模式，谐振“1”也可由缝隙25两侧的槽的四分之三波长模式等产生。不限制槽21产生谐振“2”的波长模式，谐振“2”也可由槽21工作在一倍波长模式、二分之三波长模式等产生。除了图16a中示出的2.47ghz频段，实施例2提供的天线装置还可以产生其他中高频频段的谐振，具体可通过调整槽21的尺寸来设置。

其中，图16b示出了该mimo天线装置所具有的两种槽天线模式之间的隔离度。可以看出，这两种槽天线模式之间的隔离度可高达21db以上。

其中，图16c示出了该mimo天线装置所具有的两种槽天线模式的辐射效率和系统效率。可以看出，这两种槽天线模式在谐振频率2.47ghz附近均具有优良的辐射效率和系统效率。

图17a-图17b示出了实施例2提供的天线装置仿真的电流、电场分布。

其中，图17a示出了该mimo天线装置的cm槽天模式的电流、电场分布。从图17a可以看出，电流在缝隙25两侧呈现同向分布，但电场在缝隙25两侧呈现反向分布。图17a所示的电场、电流可分别称为cm槽天线模式的电场、电流。cm槽天线模式的电流、电场是缝隙25两侧的槽各自工作在1/4波长模式产生的：电流在槽21的缝隙25处弱，在槽21的两端强。电场在槽21的缝隙25处强，在槽21的两端弱。

其中，图17b示出了该mimo天线装置的dm槽天模式的电流、电场分布。从图17b可以看出，电流在缝隙25两侧呈现反向分布，但电场在缝隙25两侧呈现同向分布。图17b所示的电场、电流可分布称为dm槽天线模式的电场、电流。dm槽天线模式的电流、电场是整个槽21工作在1/2波长模式产生：电流在槽21的缝隙25处弱，在槽21的两端强。电场在槽21的缝隙25处强，在槽21的两端弱。

图18示出了图15a-图15d所示槽天线仿真的辐射方向图。根据图18所示辐射方向图计算ecc，cm槽天线模式和dm槽天线模式在2.47ghz附近的ecc可低至0.04。

可以看出，实施例2提供的天线设计方案，通过对称馈电和反对称馈电，在一个较短的槽天线辐射体上可分别激励出两个中高频(工作频段在wi-fi2.4ghz附近)天线：cm槽天线和dm槽天线，在中高频宽频段内实现高隔离度和低ecc的mimo天线特性。而且，实施例2可通过共体馈电的形式，即两种槽天线模式共用同一个槽天线辐射体，可节约天线设计空间。

以上实施例中，馈电点m、馈电点n可以分别称为第一馈电点、第二馈电点。桥结构29上的馈电点s可以称为第三馈电点。

以上实施例中，不限于馈电点m、馈电点n靠近缝隙而设，馈电点m、馈电点n也可以分别靠近槽21的两端而设，可如图21a-图21b所示。

以上实施例中的馈电结构中，“桥”结构(即桥结构29)的尺寸较大，可以增加一些集总器件(如集总电感)来缩小尺寸，可如图19所示。不限于通过桥结构29实现“桥”结构，也可以通过镂空pcb地板来形成该“桥”结构。

以上实施例提供的mimo天线装置不限于布局在电子设备10的底部，还可布局在电子设备10的顶部或侧边，可如图20所示。可以看出，通过本申请实施例提供的这种共体馈电的槽天线，可以在实现4*4mimo天线时，相比传统mimo天线节约不少空间。

以上实施例提供的天线设计方案不限于在金属边框id的电子设备中实施，以上实施例中提及的槽21也可通过金属中框与pcb17形成。

实际应用中，电子设备的结构一般难以完全对称，可以调整匹配网络、“桥”结构的连接位置等来补偿这种结构上的不平衡。

本申请中，天线的某种波长模式(如二分之一波长模式、四分之一波长模式等)中的波长可以是指该天线辐射的信号的波长。例如，天线的二分之一波长模式可产生2.4ghz频段的谐振，其中二分之一波长模式中的波长是指天线辐射2.4ghz频段的信号的波长。应理解的是，辐射信号在空气中的波长可以如下计算：波长＝光速/频率，其中频率为辐射信号的频率。辐射信号在介质中的波长可以如下计算：其中，ε为该介质的相对介电常数，频率为辐射信号的频率。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。