1.一种具有alinn镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器，包括：
一氮化镓同质衬底；
一n型同质外延层，其制作在氮化镓同质衬底上；
一n型限制层，其制作在n型同质外延层上；
一n型波导层，其制作在n型限制层上；
一有源区，其制作在n型波导层上；
一alinn镁反向扩散阻挡层，其制作在有源区上；
一p型电子阻挡层，其制作在alinn镁反向扩散阻挡层上；
一p型波导层，其制作在p型电子阻挡层上；
一p型限制层，其制作在p型波导层上，该p型限制层的中间为一凸起的脊形；
一p型掺杂/p型重掺接触层，其制作在p型限制层凸起的脊形上；
一p型欧姆电极，其制作在p型掺杂/p型重掺接触层上；以及
一n型欧姆电极，其制作在氮化镓同质衬底的底部。
2.如权利要求1所述的氮化镓基紫外激光器，其特征在于，
所述氮化镓同质衬底包括n型掺杂的自支撑氮化镓材料厚度为200至1000μm。
3.如权利要求1所述的氮化镓基紫外激光器，其特征在于，
所述n型同质外延层包括n型gan同质外延层，其中n型gan同质外延层为掺si的n型gan，厚度为1至10μm；
所述n型限制层包括n型algan限制层，其中n型algan限制层为掺si的n型algan，al组分为0.01至1，厚度为10至1000nm。
4.如权利要求1所述的氮化镓基紫外激光器，其特征在于，
所述n型波导层包括n型algan波导层，其中n型algan波导层为掺si的n型algan，al组分为0.01至1，厚度为50至300nm。
5.如权利要求1所述的氮化镓基紫外激光器，其特征在于，
所述有源区包括ingan/algan量子阱有源区，其中ingan/algan量子阱有源区为非故意掺杂的ingan/algan，量子阱的周期数目为1至5个；阱层为ingan材料，in组分为0.01至1，厚度为1至10nm；垒层为algan，al组分为0.01至1，厚度为5至30nm。
6.如权利要求1所述的氮化镓基紫外激光器，其特征在于，
所述alinn镁反向扩散阻挡层为非故意掺杂的alinn，厚度为5至100nm，al组分为0.01至1，in组分为0.01至1。
7.如权利要求1所述的氮化镓基紫外激光器，其特征在于，
所述p型电子阻挡层包括p型algan电子阻挡层，其中p型algan电子阻挡层为掺mg的p型algan，al组分为0.1至0.3，厚度为5至40nm。
8.如权利要求1所述的氮化镓基紫外激光器，其特征在于，
所述p型波导层包括p型algan波导层，其中p型algan波导层为掺mg的p型algan，al组分为0.01至1，厚度为30至300nm。
9.如权利要求1所述的氮化镓基紫外激光器，其特征在于，
所述p型限制层包括p型algan限制层，其中p型algan限制层为掺mg的p型algan，al组分为0.01至1，厚度为10至1000nm。
10.如权利要求1所述的氮化镓基紫外激光器，其特征在于，
所述p型掺杂/p型重掺接触层为p型掺杂和p型重掺杂的复合结构；
其中，p型掺杂层为掺mg的p型gan，厚度为10至100nm，mg掺杂浓度为1×1018至1×1020cm-3；
其中，p型重掺杂层为重掺杂mg的p型gan或p型algan层，厚度小于p型掺杂层，为5至50nm，mg掺杂浓度为1×1019至3×1021cm-3，p型algan层的al组分为0.01至1。