一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术：

随着平板显示技术的发展，人们对显示器尺寸、分辨率和画面刷新速率的追求越来越高，因此采用铜取代铝作为导电金属材料。但是铜膜作为导电层时，与玻璃基板以及二氧化硅介电层之间的附着力较差，尤其是低温沉积二氧化硅介电层，再经过退火等高温制程后，容易出现剥落现象。

现有技术的tft半导体制程，为了提高铜膜与其他膜层的附着力，通常采用三层铜结构，在铜膜的顶部和底部沉积阻挡层。但在实际蚀刻过程中，由于阻挡层与铜的蚀刻选择比较大，导致蚀刻后锥形的顶部阻挡层和中间的铜界面产生帽檐，在后续制备介电层时，介电层对锥形铜的覆盖性不佳，进而出现断裂。故，有必要改善这一缺陷。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种显示面板的制备方法，用于解决现有技术的显示面板，其导电层采用三层铜结构，在蚀刻过程中，由于阻挡层与铜的蚀刻选择比较大，导致蚀刻后顶部阻挡层与中间铜膜的界面处产生帽檐，在后续制备介电层时，导致介电层对导电层覆盖性不佳，以致出现介电层断裂的技术问题。

本发明实施例提供一种显示面板的制备方法，包括步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板上制备第一阻挡层；在所述第一阻挡层上制备导电层；在所述导电层上制备第二阻挡层；在所述第二阻挡层上涂布光阻，对所述光阻进行曝光、显影，形成光阻图案；对所述第一阻挡层、所述导电层、以及所述第二阻挡层进行第一次湿刻蚀，其中，所述第二阻挡层端部形成第一凸起；对所述光阻图案进行等离子体处理，所述光阻图案与所述第二阻挡层之间形成第一间隙；对所述第一阻挡层、所述导电层、以及所述第二阻挡层进行第二次湿刻蚀；以及剥离所述光阻图案。

进一步的，所述导电层的材料为铜。

进一步的，所述第一阻挡层的材料为钽化钼、钛化钼、钼、铌化钼、钨化钼中的一种或多种。

进一步的，所述第二阻挡层的材料为钽化钼、钛化钼、钼、铌化钼、钨化钼中的一种或多种。

进一步的，所述第一阻挡层的材料与所述第二阻挡层的材料相同。

进一步的，所述对所述光阻图案进行等离子体处理具体为：使用惰性气体的等离子体轰击所述光阻图案。

进一步的，所述使用惰性气体的等离子体轰击所述光阻图案具体为：使用氦气或者氩气的等离子体轰击所述光阻图案。

进一步的，所述第一间隙的深度与所述第一凸起的长度对应相等。

本发明实施例提供一种显示面板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的第一阻挡层、位于所述第一阻挡层上的导电层、以及位于所述导电层上的第二阻挡层；其中，所述第一阻挡层、所述导电层、以及所述第二阻挡层的截面宽度依次递减。

本发明实施例提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

有益效果：本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法，通过在第一次湿刻蚀后，采用等离子体轰击光阻，使得光阻与顶部阻挡层之间形成间隙，再进行第二次湿刻蚀，有效去除顶部阻挡层产生的帽檐，避免后续制备介电层时发生破裂、断膜现象，提高产品良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图。

图2a～2f是本发明实施例提供的显示面板的制备方法的工艺流程图。

图3是本发明实施例提供的显示面板的基本结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图，所述制备方法包括步骤：

s101、提供一衬底基板；

s102、在所述衬底基板上制备第一阻挡层；

s103、在所述第一阻挡层上制备导电层；

s104、在所述导电层上制备第二阻挡层；

s105、在所述第二阻挡层上涂布光阻，对所述光阻进行曝光、显影，形成光阻图案；

s106、对所述第一阻挡层、所述导电层、以及所述第二阻挡层进行第一次湿刻蚀，其中，所述第二阻挡层端部形成第一凸起；

s107、对所述光阻图案进行等离子体处理，所述光阻图案与所述第二阻挡层之间形成第一间隙；

s108、对所述第一阻挡层、所述导电层、以及所述第二阻挡层进行第二次湿刻蚀；以及

s109、剥离所述光阻图案。

其中，所述对所述光阻图案进行等离子体处理具体为：使用惰性气体的等离子体轰击所述光阻图案。

在一种实施例中，所述使用惰性气体的等离子体轰击所述光阻图案具体为：使用氦气或者氩气的等离子体轰击所述光阻图案。

在一种实施例中，所述第一间隙的深度与所述第一凸起的长度对应相等。其中，所述第一间隙的深度可以通过控制等离子体处理的磁场大小、等离子源产生的等离子体密度、以及处理时间来控制。

在一种实施例中，所述第一阻挡层的材料为钽化钼、钛化钼、钼、铌化钼、钨化钼中的一种或多种；所述第二阻挡层的材料为钽化钼、钛化钼、钼、铌化钼、钨化钼中的一种或多种。

在一种实施例中，所述第一阻挡层的材料与所述第二阻挡层的材料相同。例如，所述第一阻挡层的材料与所述第二阻挡层的材料均为钽化钼。

需要说明的是，本发明实施例提供的显示面板的制备方法具体涉及半导体工艺中的导电层的制备方法。在一种实施例中，所述导电层的材料为铜。由于铜膜作为导电层时与衬底基板(例如玻璃基板)以及二氧化硅介电层(后续制程，覆盖在导电层上方)之间的附着力较弱，所以采用在铜膜的底部和顶部沉积第一阻挡层、第二阻挡层的方法提高铜膜与玻璃基板以及二氧化硅介电层之间的附着力。然而在形成锥形铜的制程中，由于阻挡层与铜的蚀刻选择比较大，导致在第二阻挡层与中间铜膜的界面处形成第一凸起(即帽檐)，导致后续制备介电层时容易发生断膜，本发明通过在第一次湿刻蚀后，采用等离子体轰击光阻，使得光阻硬化，与第二阻挡层之间形成第一间隙，然后再进行第二次湿刻蚀，第二次湿刻蚀时，蚀刻液可抵达第一间隙，与所述第一凸起的接触面积变大，能有效去除所述第一凸起(即帽檐)，避免了后续制备介电层时发生破裂、断膜现象，提高了产品良率。

具体地，如图2a～2f所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法的工艺流程图，首先在衬底基板201上沉积第一阻挡层202/导电层203/第二阻挡层204的复合膜层；然后在所述第二阻挡层204的上表面涂布光阻，经曝光、显影后形成光阻图案205；紧接着进行第一次湿刻蚀，由于所述第二阻挡层204与所述导电层203的蚀刻选择比较大，导致在所述第二阻挡层204的端部形成第一凸起206，即此时在第二阻挡层204与中间的所述导电层203的界面处存在帽檐，若此时剥离光阻，后续制备介电层时极易发生介电层破裂、断膜现象。

本发明通过在第一次湿刻蚀后，采用等离子体轰击所述光阻图案205，使所述光阻图案205硬化，与所述第二阻挡层204之间的附着力降低，使得所述光阻图案205与所述第二阻挡层204的界面处形成第一间隙207；然后再进行第二次湿刻蚀，此时，蚀刻液可以从所述第一凸起206的侧面和所述第一间隙207的内表面与所述第一凸起206反应，即蚀刻液与所述第一凸起206的接触面积变大，如此可以有效将所述第一凸起206(帽檐)刻蚀掉，形成光滑无帽檐的三层导电层结构；之后再剥离所述光阻图案205，后续再形成介电层时，不会再发生破裂、断膜现象。

在一种实施例中，所述衬底基板201为玻璃基板；所述第一阻挡层202的材料为钽化钼、钛化钼、钼、铌化钼、钨化钼中的一种或多种；所述导电层203的材料为铜；所述第二阻挡层204的材料为钽化钼、钛化钼、钼、铌化钼、钨化钼中的一种或多种。

在一种实施例中，所述第一阻挡层202的材料与所述第二阻挡层204的材料相同。例如，所述第一阻挡层202的材料与所述第二阻挡层204的材料均为钽化钼。

在一种实施例中，所述对所述光阻图案205进行等离子体处理具体为：使用惰性气体的等离子体轰击所述光阻图案205。

在一种实施例中，所述使用惰性气体的等离子体轰击所述光阻图案205具体为：使用氦气或者氩气的等离子体轰击所述光阻图案205。

在一种实施例中，所述第一间隙207的深度与所述第一凸起206的长度对应相等。其中，所述第一间隙207的深度可以通过控制等离子体处理的磁场大小、等离子源产生的等离子体密度、以及处理时间来控制。

如图3所示，本发明实施例提供的显示面板的基本结构示意图，从图中可以很直观地看到本发明的各组成部分，以及各组成部分之间的相对位置关系，所述显示面板包括衬底基板201、位于所述衬底基板201上的第一阻挡层202、位于所述第一阻挡层202上的导电层203、以及位于所述导电层203上的第二阻挡层204；其中，所述第一阻挡层202、所述导电层203、以及所述第二阻挡层204的截面宽度依次递减。

需要说明的是，本实施例提供的显示面板是采用如图1所述的显示面板的制备方法制备而成，在一种实施例中，所述导电层203的材料为铜。由于铜膜作为导电层时与所述衬底基板201(例如玻璃基板)以及二氧化硅介电层(后续制程，覆盖在导电层上方)之间的附着力较弱，所以采用在铜膜的底部和顶部沉积所述第一阻挡层202、所述第二阻挡层204的方法提高铜膜与玻璃基板以及二氧化硅介电层之间的附着力。然而在形成锥形铜的制程中，由于阻挡层与铜的蚀刻选择比较大，导致在所述第二阻挡层204与中间铜膜的界面处形成第一凸起(即帽檐)，导致后续制备介电层时容易发生断膜，本发明通过在第一次湿刻蚀后，采用等离子体轰击光阻，使得光阻硬化，与第二阻挡层之间形成第一间隙，然后再进行第二次湿刻蚀，第二次湿刻蚀时，蚀刻液可抵达第一间隙，与所述第一凸起的接触面积变大，能有效去除所述第一凸起，此时，所述第一阻挡层202、所述导电层203、以及所述第二阻挡层204的截面宽度依次递减，形成光滑无帽檐的三层导电层结构，避免了后续制备介电层时发生破裂、断膜现象，提高了产品良率。

在一种实施例中，所述第一阻挡层202的材料为钽化钼、钛化钼、钼、铌化钼、钨化钼中的一种或多种；所述第二阻挡层204的材料为钽化钼、钛化钼、钼、铌化钼、钨化钼中的一种或多种。

在一种实施例中，所述第一阻挡层202的材料与所述第二阻挡层204的材料相同。例如，所述第一阻挡层202的材料与所述第二阻挡层204的材料均为钽化钼。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括驱动芯片和上述的显示面板。本发明实施例提供的显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

综上所述，本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法，通过在第一次湿刻蚀后，采用等离子体轰击光阻，使得光阻与顶部阻挡层之间形成间隙，再进行第二次湿刻蚀，有效去除顶部阻挡层产生的帽檐，避免后续制备介电层时发生破裂、断膜现象，提高产品良率，解决了现有技术的显示面板，其导电层采用三层铜结构，在蚀刻过程中，由于阻挡层与铜的蚀刻选择比较大，导致蚀刻后顶部阻挡层与中间铜膜的界面处产生帽檐，在后续制备介电层时，导致介电层对导电层覆盖性不佳，以致出现介电层断裂的技术问题。

以上对本发明实施例所提供的一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。