技术特征：
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：一载体，其具有一承载面；一发光单元，其设置于所述承载面上，所述发光单元具有一发光面；一波长转换层，其设置于所述发光单元上，所述波长转换层具有面向所述发光面的一入光面，及相对于所述入光面的一上出光面，以及连接所述上出光面及所述入光面的一侧出光面；以及一反射结构，其设置于所述承载面上，所述反射结构具有一内侧反射面，其环绕所述发光单元以及所述波长转换层，所述反射结构的顶部具有一上反射面，其与所述内侧反射面相连；其中，所述上反射面所在的高度位置高于所述入光面的高度位置，且低于所述上出光面的高度位置。2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述反射结构的所述上反射面与所述承载面平行。3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述反射结构的所述上反射面相对于所述承载面倾斜一预定角度，所述预定角度为大于0度至小于90度。4.根据权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述预定角度为25度至65度。5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构还进一步包括一透光体，所述透光体设置于所述上反射面上，并且与所述波长转换层的所述侧出光面相接触。6.根据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述透光体的折射率介于所述波长转换层的折射率以及空气的折射率之间。7.根据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述透光体的透光率大于或等于90％。8.根据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述透光体具有一上表面，其与所述波长转换层的所述上出光面齐平。9.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光面的面积大于所述入光面的面积。10.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述波长转换层具有一外端部，且所述外端部限位在所述反射结构上。11.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述反射结构披覆所述发光单元的侧面。12.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光单元包括间隔排列的多个发光二极管。13.根据权利要求1或12所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光单元及所述反射结构之间具有至少一间隙。14.根据权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构还进一步包括一填隙胶体，所述填隙胶体填充于所述至少一间隙内。15.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光单元包括一个
或多个的发光二极管芯片，且所述发光二极管芯片是水平式发光二极管芯片、垂直式发光二极管芯片或倒装式发光二极管芯片。
技术总结
本发明公开一种发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包括一载体、一发光单元、一波长转换层及一反射结构。载体具有一承载面。发光单元设置于承载面上，并具有一发光面。波长转换层设置于发光单元上，波长转换层具有面向发光面的一入光面、相对于入光面的一上出光面，以及连接上出光面及入光面的一侧出光面。反射结构设置于承载面上，反射结构具有一内侧反射面，反射结构环绕发光单元以及波长转换层，反射结构的顶部具有一上反射面，其与内侧反射面相连。上反射面所在的高度位置高于入光面的高度位置，且低于上出光面的高度位置。如此，发光二极管封装结构具有较佳的发光效率。发光二极管封装结构具有较佳的发光效率。发光二极管封装结构具有较佳的发光效率。
技术研发人员：贾树勇 李鹏飞 张利
受保护的技术使用者：光宝光电（常州）有限公司
技术研发日：2020.06.18
技术公布日：2021/12/21