电子封装件的制法及其承载结构的制作方法

1.本发明关于一种半导体封装制程，特别是关于一种电子封装件的制法及其承载结构。


背景技术：

2.随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化(miniaturization)的封装需求，发展出扇出(fan out)型封装的技术。
3.如图1所示，现有半导体封装件的制法于一承载件10上进行半导体元件15的封装制程。具体地，于该承载件10的粘着层100上形成线路结构11，再以覆晶方式经由导电凸块16及底胶17配置多个半导体元件15于该线路结构11(包含介电层110与线路部111)上，使该半导体元件15的电极垫150经由该导电凸块16电性连接该线路部111。之后，以压合(lamination)方式形成一包覆层18于该线路结构11上，以包覆该半导体元件15。
4.于后续制程中，可移除该承载件10及粘着层100，再进行植球及切单制程。
5.然而，现有半导体封装件1的制法中，于高温状态(如覆晶作业)下，该承载件10与粘着层100之间会发生剥离(peeling)现象，导致后续制程无法顺利进行。
6.因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成为目前亟欲解决的课题。


技术实现要素：

7.鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提供一种电子封装件的制法及其承载结构，
8.本发明的承载结构，包括强化层，其包含聚硅氧烷、二氧化硅及聚对苯二甲酸乙二酯薄膜，其中，该聚硅氧烷于该强化层中占有5～30重量百分比，该二氧化硅于该强化层中占有1～20重量百分比，该聚对苯二甲酸乙二酯薄膜于该强化层中占有60～85重量百分比。
9.前述的承载结构中，还包括承载板，其上依序形成有一离形层、该强化层及一结合层。
10.本发明还提供一种电子封装件的制法，包括：提供一如前述的承载结构；于该承载结构上进行电子元件的封装制程；以及移除该承载结构。
11.前述的制法中，该电子元件的封装制程包括：形成线路结构于该承载结构上；设置该电子元件于该线路结构上；以及形成包覆层于该线路结构上，使该包覆层包覆该电子元件。进一步，于移除该承载结构后，外露出该线路结构，以形成导电元件于该线路结构上。
12.前述的制法中，该电子元件的封装制程包括：设置该电子元件于该承载结构上；以及形成包覆层于该承载结构上，使该包覆层包覆该电子元件。例如，于移除该承载结构后，形成线路结构于该包覆层与该电子元件上，使该线路结构电性连接该电子元件。或者，于移除该承载结构前，形成线路结构于该包覆层与该电子元件上，使该线路结构电性连接该电子元件。进一步，可形成导电元件于该线路结构上。
13.前述的制法中，还包括于移除该承载结构后，进行切单制程。
14.由上可知，本发明的电子封装件的制法及其承载结构，主要经由该强化层的设计，以于高温状态下，可避免该承载结构发生剥离现象，故相比于现有技术，本发明的制法能顺利进行所需的制程。
附图说明
15.图1为现有半导体封装件的制法的剖面示意图。
16.图2a至图2f为本发明的电子封装件的制法的第一实施例的剖面示意图。
17.图2d’为图2d的另一实施例示意图。
18.图3a至图3d为本发明的电子封装件的制法的第二实施例的剖面示意图。
19.图3b’至图3d’为图3b至图3d的另一实施例示意图。
20.附图标记说明
21.1:半导体封装件
22.10:承载件
23.100:粘着层
24.11,21:线路结构
25.110:介电层
26.111:线路部
27.15:半导体元件
28.150:电极垫
29.16:导电凸块
30.17:底胶
31.18,28:包覆层
32.2,3:电子封装件
33.2a:承载结构
34.20:承载板
35.200:离形层
36.201:强化层
37.202:结合层
38.21a:第一侧
39.21b:第二侧
40.210:绝缘层
41.211:线路层
42.212:电性接触垫
43.213:绝缘保护层
44.214:植球垫
45.25:电子元件
46.25a:作用面
47.25b:非作用面
48.250:电极垫
49.26:导电凸块
50.27:底胶
51.28a:表面
52.29:导电元件
53.36:导电盲孔
54.s:切割路径。
具体实施方式
55.以下经由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
56.须知，本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“第一”、“第二”、“第三”、“上”、“下”、及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
57.图2a至图2f为本发明的电子封装件2的制法的第一实施例的剖视示意图。
58.如图2a所示，提供一承载结构2a，其包含一承载板20，且该承载板20上依序形成有一离形(release)层200、一强化层201与一结合层202。
59.于本实施例中，该承载板20为半导体材料，如玻璃或其它适当构造，且该结合层202为粘着层，如贴布(tape)。
60.此外，该强化层201为含硅材料，如聚硅氧烷、二氧化硅或其它适当成分等。例如，该强化层201包含聚硅氧烷、二氧化硅及聚对苯二甲酸乙二酯(pet)薄膜。具体地，该强化层201的成分组成如下表所示：
[0061][0062][0063]
另外，有关离形层200的种类繁多，并无特别限制。
[0064]
如图2b所示，形成一线路结构21于该承载结构2a的结合层202上。
[0065]
于本实施例中，该线路结构21定义有相对的第一侧21a与第二侧21b，且该线路结构21以其第二侧21b结合该结合层202。
[0066]
此外，该线路结构21包含至少一绝缘层210与设于该绝缘层210上的线路层211。例如，该线路层211为扇出(fan out)型线路重布层(redistribution layer，简称rdl)。
[0067]
此外，该线路结构21的制程方式繁多，例如，可采用晶圆制程制作铜材线路层，而以化学气相沉积(chemical vapor deposition，简称cvd)形成氮化硅或氧化硅以作为绝缘
层210；或者，可采用一般非晶圆制程方式形成铜材线路层211，即采用成本较低的高分子介电材作为绝缘层210，如聚酰亚胺(polyimide，简称pi)、聚对二唑苯(polybenzoxazole，简称pbo)、预浸材(prepreg，简称pp)、封装胶体(molding compound)、感光型介电层或其它材料等以涂布方式形成。
[0068]
另外，于该线路结构21于第一侧21a可依需求形成一外露局部该线路层211的绝缘保护层213，如防焊材，以令该线路层211的外露部分作为电性接触垫212。
[0069]
如图2c所示，设置至少一电子元件25于该线路结构21的第一侧21a上。
[0070]
于本实施例中，该电子元件25为主动元件、被动元件或其二者组合，且该主动元件例如为半导体芯片，而该被动元件例如为电阻、电容及电感。例如，该电子元件25为半导体芯片，其具有相对的作用面25a与非作用面25b，该作用面25a具有多个电极垫250，且该电子元件25采用覆晶方式以其电极垫250经由多个如铜块或焊锡材的导电凸块26电性连接该电性接触垫212。进一步，可依需求形成底胶27于该作用面25a与该线路结构21之间以包覆该些导电凸块26。
[0071]
如图2d所示，形成一包覆层28于该线路结构21的第一侧21a(或绝缘保护层213)上，以令该包覆层28包覆该电子元件25。
[0072]
于本实施例中，该包覆层28为绝缘材，如聚酰亚胺(pi)、干膜(dry film)、如环氧树脂(epoxy)的封装胶体或封装材(molding compound)，其可用压合(lamination)、涂布(coating)或模压(molding)的方式形成于该线路结构21的绝缘保护层213上。
[0073]
进一步，可依需求进行薄化制程，如经由研磨方式，移除该包覆层28的部分材料，如图2d’所示，使该电子元件25的非作用面25b外露于该包覆层28。例如，该包覆层28的表面28a齐平该电子元件25的非作用面25b。
[0074]
如图2e所示，接续图2d’所示，于烘烤固化该包覆层28后，移除该承载结构2a，以外露该线路结构21的第二侧21b。
[0075]
如图2f所示，形成多个如焊球的导电元件29于该线路结构21的第二侧21b的植球垫214上，以供后续接置如封装结构或如另一封装件或半导体芯片的电子装置，再沿如图2e所示的切割路径s进行切单制程，以获取多个电子封装件2。
[0076]
因此，本发明的制法中，主要经由该强化层201阻隔于该承载板20与该结合层202之间，以避免于热制程(如覆晶制程或烘烤固化该包覆层28)中，该承载板20与该结合层202产生剥离(peeling)之问题，故相比于现有技术，本发明的制法不仅可避免该承载结构2a损坏，且能避免该绝缘层210随该结合层202于制程中一并剥离的问题。
[0077]
图3a至图3d为本发明的电子封装件3的制法的第二实施例的剖视示意图。本实施例与第一实施例的差异在于电子元件封装制程，故以下不再赘述相同处。
[0078]
如图3a所示，接续图2a的制程，设置至少一电子元件25于该承载结构2a的结合层202上。
[0079]
于本实施例中，该电子元件25以其作用面25a粘贴于该结合层202上。
[0080]
如图3b所示，形成一包覆层28于该承载结构2a的结合层202上，以令该包覆层28包覆该电子元件25。之后，烘烤固化该包覆层28。
[0081]
于本实施例中，如图3b’所示，该电子元件25亦可以其非作用面25b粘贴于该结合层202上。
[0082]
如图3c至图3d所示，接续图3b的制程，先移除该承载结构2a，以外露该电子元件25的作用面25a，再形成一线路结构21于该包覆层28与该电子元件25的作用面25a上。之后，形成多个导电元件29于该线路结构21上，再沿切割路径s进行切单制程，以获取多个电子封装件3。
[0083]
于本实施例中，该线路结构21的线路层211经由导电盲孔36电性连接该电极垫250。
[0084]
此外，若接续图3b’的制程，如图3c’至图3d’所示，先形成一线路结构21于该包覆层28与该电子元件25的作用面25a上，再移除该承载结构2a，以外露该电子元件25的非作用面25b，且形成多个导电元件29于该线路结构21的第二侧21b的植球垫214上，再沿切割路径s进行切单制程，以获取多个电子封装件3。
[0085]
因此，本发明的制法中，主要经由该强化层201阻隔于该承载板20与该结合层202之间，以避免于热制程(如烘烤固化该包覆层28)中，该承载板20与该结合层202产生剥离的问题，故相比于现有技术，本发明的制法不仅可避免该承载结构2a损坏，且能避免该电子元件25受损(如氧化或刮损)的问题。
[0086]
应可理解地，有关半导体封装制程的态样繁多，并不限于上述第一与第二实施例，特此述明。
[0087]
综上所述，本发明的电子封装件的制法及其承载结构，经由该强化层的设计，以于高温状态下，可避免该承载结构发生剥离现象，故本发明的制法能顺利进行所需的制程，因而能提高本发明的制法的可靠度。
[0088]
上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。