显示基板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及显示装置。


背景技术：

2.显示基板通常包括阵列排布在衬底基板的显示区域的多个像素单元，以及用于为每个像素单元提供正极电源信号的电源走线(一般称为vdd走线)。
3.相关技术中，衬底基板包括包围该显示区域的封装区域。该vdd走线的一端位于封装区域外，用于连接驱动电路，vdd走线的另一端与位于衬底基板的封装区域内的像素单元连接，从而为该像素电源提供来自驱动电路的正极电源信号。为了避免该vdd走线的侧边裸露导致该vdd走线被腐蚀，需要采用有机层覆盖该vdd走线。
4.但是，由于制成有机层的材料通常为亲水性材料，且该有机层与vdd走线位于封装区域内的部分接触，同时该有机层还位于该显示区域，因此vdd走线位于封装区域外的另一端将水汽或氧气带入封装区域之后，水汽会通过有机层进入至显示区域，影响显示基板的显示效果。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种显示基板及显示装置，可以解决相关技术中显示基板的显示效果较差的问题。所述技术方案如下：
6.一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：
7.衬底基板，所述衬底基板具有显示区域；
8.多个像素单元，所述多个像素单元位于所述显示区域；
9.阻挡结构，所述阻挡结构围绕所述显示区域；
10.第一有机膜层，所述第一有机膜层位于所述衬底基板的一侧，且所述第一有机膜层在所述衬底基板上的正投影，与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影之间具有间隙；
11.以及，位于所述第一有机膜层靠近所述衬底基板一侧的至少一条第一电源线，所述第一电源线的一端位于所述阻挡结构远离所述显示区域的一侧，用于接收第一电源信号，所述第一电源线的另一端位于所述阻挡结构靠近所述显示区域的一侧，且与所述多个像素单元连接；
12.其中，所述第一电源线被所述阻挡结构覆盖的线段的侧边的长度大于相同宽度的虚拟阻挡结构覆盖的所述第一电源线的线段的侧边的长度，所述虚拟阻挡结构的延伸方向与所述阻挡结构的延伸方向平行。
13.可选的，位于所述第一电源线的侧边的多个第一凸起结构。
14.可选的，所述第一电源线被所述阻挡结构覆盖的线段的侧边的长度，大于一个所述第一凸起结构的长度。
15.可选的，所述第一电源线被所述阻挡结构覆盖的线段的侧边的长度，大于所述虚
拟阻挡结构覆盖的所述第一凸起结构的长度。
16.可选的，所述第一凸起结构在所述衬底基板上的正投影与所述第一有机膜层在所述衬底基板上的正投影不重叠，且所述第一凸起结构在所述衬底基板上的正投影与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影不重叠。
17.可选的，所述第一电源线被所述阻挡结构覆盖的线段的侧边的长度，大于任一位置的所述虚拟阻挡结构覆盖的所述第一电源线的线段的侧边的长度。
18.可选的，所述第一电源线被所述阻挡结构覆盖的部分的侧边在所述衬底基板上的正投影呈折线，且所述折线中相邻的两个线段相互垂直。
19.可选的，所述第一电源线被所述阻挡结构覆盖的线段中，靠近所述显示区域的部分的线宽大于远离所述显示区域的部分的线宽。
20.可选的，所述第一电源线被所述第一有机膜层覆盖的线段的侧边的长度大于相同宽度的虚拟第一有机膜层覆盖的所述第一电源线的线段的侧边的长度，所述虚拟第一有机膜层的延伸方向平行于所述第一有机膜层的延伸方向。
21.可选的，所述第一电源线被所述第一有机膜层覆盖的线段中，位于所述阻挡结构围绕的区域之内的部分的线宽，大于位于所述阻挡结构围绕的区域之外的部分的线宽。
22.可选的，所述第一电源线被所述阻挡结构覆盖的线段的侧边的长度，与所述虚拟阻挡结构覆盖的所述第一电源线的线段的侧边的长度的差值大于400微米。
23.可选的，所述第一电源线被所述阻挡结构覆盖的线段的侧边的长度，大于所述阻挡结构的宽度的5倍。
24.可选的，所述阻挡结构包括：第一阻挡坝和第二阻挡坝；
25.所述第一阻挡坝相对于所述第二阻挡坝远离所述显示区域，且所述第一阻挡坝的厚度大于所述第二阻挡坝的厚度。
26.可选的，所述第一阻挡坝的宽度大于或等于第一宽度阈值，所述第二阻挡坝的宽度大于或等于第二宽度阈值。
27.可选的，所述第一阻挡坝和所述第二阻挡坝之间沿所述第一电源线的延伸方向的第一距离大于或等于第一距离阈值。
28.可选的，所述第一宽度阈值，所述第二宽度阈值，以及所述第一距离阈值均为40微米。
29.可选的，所述第一电源线包括：第一线段和第二线段；
30.其中，所述第一线段相对于所述第二线段远离所述显示区域，且所述第一线段被所述第一阻挡坝覆盖，所述第二线段被所述第二阻挡坝覆盖，所述第一线段的侧边的长度大于所述虚拟阻挡结构覆盖的所述第一电源线的线段的侧边的长度，所述第二线段的侧边的长度大于所述虚拟阻挡结构覆盖的所述第一电源线的线段的侧边的长度。
31.可选的，所述第一线段的侧边的长度为所述第二线段的侧边的长度的1倍至5倍。
32.可选的，所述第一阻挡坝包括：沿远离所述衬底基板的一侧依次层叠的所述第一有机膜层的第一图案，第二有机膜层的第二图案，以及第三有机膜层的第三图案；
33.所述第二阻挡坝包括：沿远离所述衬底基板的一侧依次层叠的所述第二有机膜层的第四图案，以及所述第三有机膜层的第五图案。
34.可选的，所述显示基板还包括至少一个条状的延伸结构，所述延伸结构位于所述
阻挡结构靠近所述显示区域的一侧，且与一条所述第一电源线的另一端的侧边连接，所述延伸结构的延伸方向垂直于所述第一电源线的延伸方向。
35.可选的，所述显示基板包括两条所述第一电源线，两条所述第一电源线以所述衬底基板的轴线为轴对称设置。
36.可选的，两条所述第一电源线的另一端为一体结构。
37.可选的，所述显示基板还包括：阴极层以及第二电源线；
38.所述阴极层位于所述第一有机膜层远离所述衬底基板的一侧；
39.所述第二电源线与所述第一电源线位于同层，所述第二电源线包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述阻挡结构远离所述显示区域的一侧，用于接收第二电源信号，所述第二部分环绕所述显示区域，且所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影重叠，所述第二部分与所述阴极层连接。
40.可选的，所述显示基板还包括：位于所述连接部的侧边的多个第二凸起结构。
41.可选的，所述第二凸起结构在所述衬底基板上的正投影与所述第一有机膜层在所述衬底基板上的正投影不重叠，且所述第二凸起结构在所述衬底基板上的正投影与所述阻挡结构在所述衬底基板上的正投影不重叠。
42.可选的，所述第二电源线的第二部分包括：连接部和环绕部，所述连接部分别与所述第一部分和所述环绕部连接，所述环绕部环绕所述显示区域；
43.其中，所述连接部被所述阻挡结构覆盖的部分的侧边的长度大于所述虚拟阻挡结构覆盖的所述连接部的侧边的长度。
44.可选的，所述连接部被所述阻挡结构覆盖的部分的侧边在所述衬底基板上的正投影呈折线，且所述折线中相邻的两个线段相互垂直。
45.可选的，所述连接部被所述阻挡结构覆盖的部分的侧边在所述衬底基板上的正投影呈直线，且所述直线平行于所述第一电源线的延伸方向；所述第一电源线和所述连接部之间的第二距离大于或等于第二距离阈值，所述第一电源线和所述连接部之间的第三距离大于或等于第三距离阈值，所述第一电源线和所述连接部之间的第四距离大于或等于第四距离阈值；
46.其中，所述第二距离为所述第一电源线被所述阻挡结构中的第一阻挡坝覆盖的线段，与所述连接部之间在垂直于所述第一电源线的延伸方向上的最大距离；所述第三距离为所述第一电源线位于所述第一阻挡坝和所述阻挡结构中的第二阻挡坝之间的线段，与所述连接部之间在垂直于所述第一电源线的延伸方向上的最大距离；所述第四距离为所述第一电源线被所述第二阻挡坝覆盖的线段，与所述连接部之间在垂直于所述第一电源线的延伸方向上的最大距离；所述第二距离阈值大于所述第三距离阈值，所述第三距离阈值大于所述第四距离阈值。
47.可选的，所述第一电源线和所述连接部之间的第五距离大于或等于第五距离阈值，所述第一电源线和所述连接部之间的第六距离大于或等于第六距离阈值；
48.其中，所述第五距离为所述第一电源线被所述第一有机膜层覆盖的线段中位于所述阻挡结构围绕的区域之外的部分，与所述连接部之间在垂直于所述第一电源线的延伸方向上的最大距离；所述第六距离为所述第一电源线被所述第一有机膜层覆盖的线段中位于所述阻挡结构围绕的区域之内的部分，与所述连接部之间在垂直于所述第一电源线的延伸
方向上的最大距离；所述第五距离阈值大于所述第二距离阈值，所述第六距离阈值小于所述第四距离阈值。
49.可选的，所述第二距离阈值为3323微米，所述第三距离阈值为2723微米，所述第四距离阈值为2123微米，所述第五距离阈值为3795微米，所述第六距离阈值为1523微米。
50.可选的，所述显示基板还包括至少一个条状的延伸结构，所述延伸结构位于所述阻挡结构靠近所述显示区域的一侧，且与一条所述第一电源线的另一端的侧边连接，所述延伸结构的延伸方向垂直于所述第一电源线的延伸方向；
51.所述连接部相对于所述延伸结构远离所述显示区域。
52.可选的，所述第一电源线被所述阻挡结构覆盖的部分的侧边在所述衬底基板上的正投影呈折线，且所述第一电源线被所述第一有机膜层覆盖的线段的侧边在所述衬底基板上的正投影呈折线；
53.所述第一电源线的第一台阶线与所述第一电源线的第二台阶线之间在沿所述第一电源线的延伸方向上的第七距离大于或等于第七距离阈值；
54.所述第二台阶线与所述第一电源线的第三台阶线之间在沿所述第一电源线的延伸方向上的第八距离大于或等于第八距离阈值；
55.所述第三台阶线与所述第一电源线的第四台阶线之间在沿所述第一电源线的延伸方向上的第九距离大于或等于第九距离阈值；
56.所述第四台阶线与所述延伸结构在沿所述第一电源线的延伸方向上的第十距离大于或等于第十距离阈值；
57.其中，所述第一台阶线被位于所述阻挡结构围绕的区域之外的所述第一有机膜层覆盖；所述第二台阶线被所述阻挡结构的第一阻挡坝覆盖，所述第三台阶线被所述阻挡结构的第二阻挡坝覆盖，所述第四台阶线被位于所述阻挡结构围绕的区域之内的所述第一有机膜层覆盖，且所述第一台阶线，所述第二台阶线，所述第三台阶线，以及所述第四台阶线均垂直于所述第一电源线的延伸方向。
58.可选的，所述第七距离阈值为140微米，所述第八距离阈值为80微米，所述第九距离阈值为110微米，所述第十距离阈值为275微米。
59.可选的，所述延伸结构与所述连接部沿垂直于所述延伸结构的延伸方向的方向之间的第十一距离大于第十一距离阈值。
60.可选的，所述第十一距离阈值为80微米。
61.可选的，所述第一有机膜层覆盖所述第二电源线的第一部分，且覆盖所述第二电源线的第二部分靠近所述显示区域的边界和远离所述显示区域的边界。
62.可选的，所述第二电源线包括两个所述第一部分；
63.其中，一个所述第一部分与所述第二部分的一端连接，另一个所述第一部分与所述第二部分的另一端连接，且两个所述第一部分以所述衬底基板的轴线为轴对称设置。
64.可选的，所述第一电源线的一端均位于两个所述第一部分之间。
65.另一方面，提供了一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：电源驱动电路以及如上述方面所述的显示基板；
66.所述电源驱动电路与所述显示基板中的至少一条第一电源线连接，用于为所述第一电源线提供第一电源信号。
67.本技术提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
68.本技术提供了一种显示基板及显示装置，该显示基板中的第一电源线被阻挡结构覆盖的线段的侧边的长度较大，可以延长水汽或氧气通过该第一电源线进入的路径，避免水汽或氧气被引入像素单元中。并且，由于该第一电源线的线段的侧边长度较大的部分被阻挡结构覆盖，能够避免第一电源线暴露在外的线段较长而导致该第一电源线被腐蚀，保证该第一电源线的质量，进而保证显示基板的良率，提高显示装置的显示效果。
附图说明
69.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
70.图1是本技术实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
71.图2是图1所示的显示基板沿aa方向的截面图；
72.图3是本技术实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
73.图4是图1所示的显示基板的局部结构示意图；
74.图5是本技术实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
75.图6是本技术实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
76.图7是图6所示的显示基板的局部结构示意图；
77.图8是本技术实施例提供的一种显示基板的局部结构示意图；
78.图9是本技术实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
79.图10是图9所示的显示基板的局部结构示意图；
80.图11是图3所示的显示基板的局部结构示意图；
81.图12是本技术实施例提供的另一种显示基板的局部结构示意图；
82.图13是本技术实施例提供的又一种显示基板的局部结构示意图；
83.图14是本技术实施例提供的一种第一电源线和阻挡结构的结构示意图；
84.图15是本技术实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
85.图16是图15所示的显示基板的局部结构示意图；
86.图17是本技术实施例提供的再一种显示基板的局部结构示意图；
87.图18是图15所示的显示基板沿bb方向的截面图；
88.图19是本技术实施例提供的一种第一电源线和连接部的结构示意图；
89.图20是本技术实施例提供的一种第一电源线的结构示意图；
90.图21是本技术实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
91.图22是本技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
92.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。
93.图1是本技术实施例提供的一种显示基板的结构示意图。图2是图1所示的显示基
板沿aa方向的截面图。结合图1和图2可以看出，该显示基板10可以包括：衬底基板101，多个像素单元102，阻挡结构103，第一有机膜层104，以及至少一条第一电源线105。其中，该衬底基板101可以具有显示区域101a，该多个像素单元102可以位于该显示区域101a。该阻挡结构103可以围绕该显示区域101a，即参考图1，该阻挡结构103可以围绕该多个像素单元102。
94.该第一有机膜层104可以位于衬底基板101的一侧，且该第一有机膜层104在衬底基板101上的正投影，可以与阻挡结构103在衬底基板101上的正投影之间具有间隙。该至少一条第一电源线105可以位于该第一有机膜层104靠近衬底基板101的一侧。第一电源线105的一端105a可以位于阻挡结构103远离显示区域101a的一侧，用于接收电源信号。第一电源线105的另一端105b可以位于阻挡结构103靠近显示区域101a的一侧，且与多个像素单元102连接。
95.示例的，图1中示出了两条第一电源线105，第一电源线105的一端105a可以与电源驱动电路连接，用于接收该电源驱动电路提供的第一电源信号。当然，该显示基板10还可以包括更多条第一电源线105，本技术实施例对此不做限定。
96.由于制成第一有机膜层104的有机材料通常为亲水材料，因此通过使得该第一有机膜层104在衬底基板101上的正投影，与阻挡结构103在衬底基板101上的正投影之间具有间隙，可以使得该第一有机膜层104位于阻挡结构103远离显示区域101a的部分，与位于阻挡结构103靠近显示区域101a的部分不接触。由此，可以减少第一电源线105的一端105a带入的水汽或氧气通过该第一有机膜层104引入至像素单元102，保证显示基板10的良率，显示装置的显示效果较好。
97.并且，在本技术实施例中，第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边的长度大于相同宽度的虚拟阻挡结构覆盖的第一电源线105的长度。其中，第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边的长度，可以是指第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边在衬底基板101上的正投影的长度。参考图3，虚拟阻挡结构k1的延伸方向平行于阻挡结构103的延伸方向。
98.示例的，参考图4，第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的一个侧边在衬底基板101上的正投影呈折线。由于第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边的长度较大(例如大于虚拟阻挡结构覆盖的第一电源线105的线段的侧边的长度)，因此能够延长水汽或氧气通过该第一电源线105进入的路径，避免水汽被引入至多个像素单元102中。
99.又由于第一有机膜层104在衬底基板101上的正投影，与阻挡结构103在衬底基板101上的正投影之间具有间隙，因此会导致该第一电源线105的部分区域不能被第一有机膜层104覆盖，即该第一电源线105的部分区域裸露在外。由此可能会导致在后续刻蚀工艺形成阳极层的过程中，刻蚀药液与裸露在外的该第一电源线105发生反应，导致该第一电源线105的边界存在缺陷。例如在该第一电源线105的边界形成黑色斑点，该黑色斑点逐渐变大(growing dark spot，gds)会使得显示装置失效，影响显示装置的显示效果。
100.在本技术实施例中，由于该第一电源线105的线段的侧边长度较大的部分被阻挡结构103覆盖，因此可以在确保延长水汽或氧气通过该第一电源线105进入的路径的前提下，避免第一电源线105裸露在外的线段较长而导致该第一电源线105较长的边界被腐蚀，进而避免在该第一电源线105的边界形成大量的黑色斑点，即能够避免加重gds不良，显示装置的显示效果较好。
101.综上所述，本技术实施例提供了一种显示基板，该显示基板中的第一电源线被阻挡结构覆盖的线段的侧边的长度较大，可以延长水汽或氧气通过该第一电源线进入的路径，避免水汽或氧气被引入像素单元中。并且，由于该第一电源线的线段的侧边长度较大的部分被阻挡结构覆盖，能够避免第一电源线暴露在外的线段较长而导致该第一电源线被腐蚀，保证该第一电源线的质量，进而保证显示基板的良率，提高显示装置的显示效果。
102.并且，本技术实施例提供的显示基板无新增膜层，进而在制造过程中无需新增掩膜板和制造工艺，效率较高。
103.参考图1，第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的一个侧边在衬底基板101上的正投影可以呈折线或曲线。或者，参考图5，第一电源线105被阻挡结构103覆盖的两个侧边在衬底基板101上的正投影均可以呈折线或曲线。
104.可选的，第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边的长度，与虚拟阻挡结构覆盖的第一电源线105的差值大于400μm(微米)。由此能够有效延长水汽进入的路径，保证显示基板10的良率。并且，第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边的长度，可以大于阻挡结构103的宽度的5倍。
105.在本技术实施例中，第一电源线105的一端105a位于阻挡结构103围成的区域之外，另一端位于阻挡结构103围成的区域之内。即第一电源线105可以穿过阻挡结构103进入该阻挡结构103围成的区域内。其中，阻挡结构103中供电源线穿过的部分可以称为进线口(port口)。
106.在本技术实施例中，该多条第一电源线105的另一端105b可以与显示基板10中的像素单元102中的晶体管电连。例如，可以与像素单元102中晶体管的源极或者漏极连接。该第一电源线105可以用于为像素单元102中的晶体管提供第一电源信号(该第一电源信号为正极电源信号)，因此该第一电源线也可以称为vdd电源线或者vdd走线。
107.图6是本技术实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。参考图6可以看出，该显示基板还可以包括：位于第一电源线105的侧边的多个第一凸起结构106。
108.通过将第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边设置为折线或曲线，且在第一电源线105的侧边设置多个第一凸起结构106，能够进一步延长水汽或氧气通过该第一电源线105进入的路径，避免水汽或氧气通过该第一电源线105被引入至多个像素单元102中。其中，该多个第一凸起结构106可以与第一电源线105采用相同材料由同一次构图工艺制备得到，且该多个第一凸起结构106可以与第一电源线105为一体结构。
109.图7是图6所示的显示基板的局部结构示意图。参考图7，该第一凸起结构106在衬底基板101上的正投影可以与第一有机膜层104在衬底基板101上的正投影不重叠，且该第一凸起结构106在衬底基板101上的正投影可以与阻挡结构103在衬底基板101上的正投影不重叠。也即是，第一凸起结构106设置在第一电源线105未被第一有机膜层104以及阻挡结构103覆盖的部分的侧边，由此能够减少第一电源线105未被第一有机膜层104以及阻挡结构103覆盖的部分被腐蚀的风险，保证该第一电源线105的质量。
110.当然，参考图8，该第一凸起结构106在衬底基板101上的正投影也可以与阻挡结构103和第一有机膜层104在衬底基板101上的正投影重叠。也即是，该第一凸起结构106除了设置在第一电源线105未被第一有机膜层104以及阻挡结构103覆盖的部分的侧边之外，该第一凸起结构106也可以设置在第一电源线105被第一有机膜层104覆盖的部分的侧边，或
者设置在第一电源线105被阻挡结构103覆盖的部分的侧边，由此能够进一步延长水汽进入的路径，保证显示基板10的良率。
111.参考图4可以看出，第一电源线105被阻挡结构103覆盖的部分的一个侧边在衬底基板101上的正投影可以呈折线，且该折线中相邻的两个线段相互垂直。也即是，第一电源线105的侧边可以呈台阶状。
112.可选的，结合图1和图4，第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段中，靠近显示区域101a的部分的线宽w1可以大于远离显示区域101a的部分的线宽w2。也即是，第一电源线105靠近显示区域101a的部分的线宽w1较大，而远离显示区域101a的部分的线宽w2较小，从而能够减少该第一电源线105在阻挡结构103之外的区域的面积，提高显示装置的屏占比。
113.当然，第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段中，靠近显示区域101a的部分的线宽也可以小于远离显示区域101a的部分的线宽，本技术实施例对此不做限定。
114.图9是本技术实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。图10是图9所示的显示基板的局部结构示意图。参考图9和图10可以看出，第一电源线105被第一有机膜层104覆盖的线段的侧边的长度可以大于相同宽度的虚拟第一有机膜层覆盖的第一电源线105的长度。
115.其中，第一电源线105被第一有机膜层104覆盖的线段的侧边的长度，可以是指第一电源线105被第一有机膜层104覆盖的线段的侧边在衬底基板101上的正投影的长度。该虚拟第一有机膜层的延伸方向可以平行于第一有机膜层104的延伸方向。
116.由于该第一电源线105被第一有机膜层104覆盖的线段的侧边的长度较大，因此能够进一步延长水汽或氧气通过该第一电源线105进入的路径，避免水汽被引入至多个像素单元102中。
117.结合图9和图10，第一电源线105被第一有机膜层104覆盖的部分的侧边在衬底基板101上的正投影可以呈折线，且该折线中相邻的两个线段相互垂直。第一电源线105被第一有机膜层104覆盖的线段中，位于阻挡结构103围绕的区域之内的部分的线宽w3，可以大于位于阻挡结构103围绕的区域之外的部分的线宽w4。也即是，第一电源线105靠近显示区域101a的部分的线宽可以较大，而远离显示区域101a的部分的线宽可以较小，即w3》w1》w2》w4。由此能够减少该第一电源线105在阻挡结构103之外的区域的面积，提高显示装置的屏占比。
118.在本技术实施例中，参考图1，图3，图5，图6以及图9，该阻挡结构103可以为环绕显示区域101a的环状结构，用于阻挡显示基板10中位于该阻挡结构103围成的区域内的有机层溢流。该阻挡结构103可以包括：第一阻挡坝1031和第二阻挡坝1032。该第一阻挡坝1031相对于该第二阻挡坝1032远离显示区域101a，且该第一阻挡坝1031的厚度可以大于该第二阻挡坝1032的厚度。
119.通过设置两个阻挡坝，且远离显示区域101a的第一阻挡坝1031的厚度大于靠近显示区域101a的第二阻挡坝1032的厚度，可以进一步防止位于该阻挡结构103围成的区域内的有机层溢流。当然，该阻挡结构103还可以包括一个阻挡坝，或两个以上的阻挡坝，本技术实施例对此不做限定。
120.在本技术实施例中，第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边的长度，可以大于一个第一凸起结构106的长度。并且，参考图11，该第一电源线105被阻挡结构103覆
盖的线段的侧边的长度，可以大于虚拟阻挡结构k1覆盖的第一凸起结构106的长度。其中，该虚拟阻挡结构k1覆盖的第一凸起结构106的数量的数量可以为一个，也可以为多个。
121.可选的，虚拟阻挡结构可以位于任一位置，例如参考图3和图11，虚拟阻挡结构k1可以位于阻挡结构103靠近显示区域101a的一侧。或者，参考图12，虚拟阻挡结构k2可以位于第一阻挡坝1031和第二阻挡坝1032之间。又或者，参考图13，虚拟阻挡结构k3可以位于阻挡结构103远离显示区域101a的一侧。
122.该第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边的长度，可以大于任一位置的虚拟阻挡结构覆盖的第一电源线105的线段的侧边的长度。例如，该第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边的长度，大于图3和图11中虚拟阻挡结构k1覆盖的第一电源线105的线段的侧边的长度。并且，该第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边的长度，大于图12中虚拟阻挡结构k2覆盖的第一电源线105的线段的侧边的长度。并且，该第一电源线105被阻挡结构103覆盖的线段的侧边的长度，大于图13中虚拟阻挡结构k3覆盖的第一电源线105的线段的侧边的长度。
123.参考图4，图7，图8，以及图10至图13，由于该阻挡结构103包括两个阻挡坝，因此该第一电源线105可以包括：第一线段1051和第二线段1052。其中，该第一线段1051相对于第二线段1052远离显示区域101a，该第一线段1051可以被第一阻挡坝1031覆盖，第二线段1052可以被第二阻挡坝1032覆盖。该第一线段1051的侧边的长度大于虚拟阻挡结构覆盖的第一电源线105的长度，第二线段1052的侧边的长度大于虚拟阻挡结构覆盖的第一电源线105的长度。也即是，通过将该两个线段的侧边的长度设置的较大，能够延长水汽或氧气进入的路径。
124.可选的，该第一线段1051的侧边的长度可以为第二线段1052的侧边的长度的1倍至5倍。
125.在本技术实施例中，若该阻挡结构103包括更多数量的阻挡坝，则该第一电源线105也可以包括更多数量的线段(每个线段的侧边的长度均较大，例如每个线段的侧边在衬底基板101上的正投影可以均呈折线或曲线)，只需保证每个线段的侧边在衬底基板101上的正投影均被一个阻挡坝覆盖。
126.参考图1，图3，图5，图6以及图9，第一阻挡坝1031和第二阻挡坝1032在衬底基板101上的正投影均可以为环形，且第一阻挡坝1031包围该第二阻挡坝1032。
127.参考图2可以看出，该第一阻挡坝1031可以包括：沿远离衬底基板101的一侧依次层叠的第一有机膜层104的第一图案104a，第二有机膜层107的第二图案107a，以及第三有机膜层108的第三图案108a。该第二阻挡坝1032可以包括：沿远离衬底基板101的一侧依次层叠的第二有机膜层107的第四图案107b，以及第三有机膜层108的第五图案108b。
128.其中，第二有机膜层107的第二图案107a，以及第二有机膜层107的第四图案107b可以采用相同材料由同一次构图工艺制得。第三有机膜层108的第三图案108a，以及第三有机膜层108的第五图案108b可以采用相同材料由同一次构图工艺制得。
129.在本技术实施例中，该第一有机膜层104可以为平坦层(planarization layer，pnl)，该第二有机膜层107可以为像素界定层(pixel definition layer，pdl)，第三有机膜层108可以为支撑层(photo spacer，ps)。
130.可选的，该第一有机膜层104，第二有机膜层107，以及第三有机膜层108可以均由
有机材料制成。例如可以由树脂材料制成。本技术实施例对此不做限定。
131.参考图2可以看出，第一阻挡坝1031相对于第二阻挡坝1032多一层有机图案，从而可以使得该第一阻挡坝1031的厚度大于该第二阻挡坝1032的厚度，防止有机层溢流。
132.图14是本技术实施例提供的一种第一电源线和阻挡结构的示意图。参考图14，该第一阻挡坝1031的宽度h1可以大于或等于第一宽度阈值，该第二阻挡坝1032的宽度h2可以大于或等于第二宽度阈值。该第一阻挡坝1031和第二阻挡坝1032之间沿第一电源线105的延伸方向的第一距离d1大于或等于第一距离阈值。
133.可选的，该第一宽度阈值，第二宽度阈值，以及第一距离阈值均可以为40μm。也即是，该第一阻挡坝1031的宽度h1，第二阻挡坝1032的宽度h2，以及第一距离d1均大于或等于40μm。
134.图15是本技术实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。图16是图15所示的显示基板的局部结构示意图。图17是本技术实施例提供的一种显示基板的局部结构示意图。参考图15至图17可以看出，该显示基板10还可以包括：至少一个条状的延伸结构109。该延伸结构109可以位于阻挡结构103靠近显示区域101a的一侧，且与一条第一电源线105的另一端105b的侧边连接。该延伸结构109的延伸方向m垂直于第一电源线105的延伸方向n。
135.通常情况下，该第一电源线105接收到的第一电源信号需传输至显示区域101a的每个像素单元102，位于显示区域101a的中部的像素单元102与第一电源线105之间的距离较小，而位于显示区域101a的边界处的像素单元102与第一电源线105之间的距离较大，由此可能导致位于显示区域101a的边界处的像素单元102接收到的第一电源信号的可靠性较低。
136.因此，在本技术实施例中，该第一电源线105的另一端105b的侧边设置有延伸结构109，该第一电源线105接收到的第一电源信号可以通过该延伸结构109传输至位于显示区域101a的边界处的像素单元102，保证位于该显示区域101a的边界处的像素单元102接收到的第一电源信号的可靠性，进而保证显示装置的显示效果。
137.可选的，该至少一个条状的延伸结构109可以与第一电源线105采用相同材料由一次构图工艺制备得到，且该至少一个条状的延伸结构109与第一电源线105可以为一体结构。
138.参考图1，图3，图5，图6以及图9可以看出，该显示基板10可以包括两条第一电源线105，该两条第一电源线105可以以衬底基板101的轴线x为轴对称设置。并且，参考图15，该两条第一电源线105的另一端105b可以为一体结构，从而可以保证该两条第一电源线105传输至显示区域101a中各个像素单元102的第一电源信号的一致性，保证显示装置的显示效果。
139.图18是图15沿bb方向的截面图。参考图2和图18可以看出，该显示基板10还可以包括：阴极层110。该阴极层110可以位于第一有机膜层104远离衬底基板101的一侧。并且，该阴极层110在衬底基板101上的正投影可以覆盖显示区域101a，并且，该阴极层110在衬底基板101上的正投影可以位于阻挡结构103围成的区域内。
140.参考图1，图3，图5，图6，图9，图15以及图17，该显示基板10还可以包括：第二电源线111。该第二电源线111可以与第一电源线105位于同层。该第二电源线111可以包括第一部分1111和第二部分1112。该第一部分1111可以位于阻挡结构103远离显示区域101a的一
侧，用于接收第二电源信号。例如，该第一部分1111可以与电源驱动电路连接，用于接收该电源驱动电路提供的第二电源信号。该第二部分1112可以环绕显示区域101a，且该第二部分1112在衬底基板101上的正投影可以与阻挡结构103在衬底基板101上的正投影重叠，该第二部分1112可以与阴极层110连接。
141.可选的，该第一部分1111和第二部分1112可以直接接触，例如可以为一体结构。
142.由于该第二电源线111的第二部分1112与阴极层110连接，用于为该阴极层110提供第二电源信号，且阴极层110接收到的第二电源信号为负极电源信号，因此该第二电源线111也可以称为vss电源线或者vss走线。
143.参考图17，该显示基板10还可以包括：位于连接部11121的侧边的多个第二凸起结构112。通过在第二电源线111的侧边设置多个第二凸起结构112，能够进一步延长水汽或氧气通过该第二电源线111进入的路径，避免水汽或氧气通过该第二电源线111被引入至多个像素单元102中。其中，该多个第二凸起结构112可以与第二电源线111采用相同材料由同一次构图工艺制备得到，且该多个第二凸起结构112与第二电源线111可以为一体结构。
144.可选的，参考图17，该第二凸起结构112在衬底基板101上的正投影可以与第一有机膜层104在衬底基板101上的正投影不重叠，且该第二凸起结构112在衬底基板101上的正投影可以与阻挡结构103在衬底基板101上的正投影不重叠。也即是，第二凸起结构112设置在第二电源线111未被第一有机膜层104以及阻挡结构103覆盖的部分的侧边，由此能够减少第二电源线111未被第一有机膜层104以及阻挡结构103覆盖的部分被腐蚀的风险，保证该第二电源线111的质量。
145.当然，该第二凸起结构112在衬底基板101上的正投影也可以与阻挡结构103和第一有机膜层104在衬底基板101上的正投影重叠。也即是，该第二凸起结构112除了设置在第二电源线111未被第一有机膜层104以及阻挡结构103覆盖的部分的侧边之外，该第二起结构112也可以设置在第二电源线111被第一有机膜层104覆盖的部分的侧边，或者设置在第二电源线111被阻挡结构103覆盖的部分的侧边，由此能够进一步延长水汽进入的路径，保证显示基板10的良率。
146.参考图1，图3，图5，图6，图9，图15以及图17，该第二电源线111的第二部分1112可以包括：连接部11121和环绕部11122。该连接部11121可以分别与第一部分1111和环绕部11122连接，该环绕部11122可以环绕显示区域101a，该环绕部11122相对于连接部11121远离第一部分1111。并且，该环绕部11122可以为非封闭结构，例如，图1，图3，图5，图6以及图9中该环绕部11122围绕显示区域101a的三条边。
147.其中，该连接部11121被阻挡结构103覆盖的部分的侧边的长度大于虚拟阻挡结构覆盖的连接部11121侧边的长度。示例的，参考图17，该连接部11121被阻挡结构103覆盖的部分的侧边在衬底基板101上的正投影可以呈折线或曲线。
148.在本技术实施例中，该连接部11121被阻挡结构103覆盖的部分的侧边在衬底基板101上的正投影呈折线或曲线，由此能够延长水汽或氧气通过该第二电源线111进入的路径，避免水汽或氧气通过该第二电源线111被引入像素单元102中。
149.可选的，参考图17，该连接部11121被阻挡结构103覆盖的部分的侧边在衬底基板101上的正投影呈折线，且该折线中相邻的两个线段相互垂直。也即是，该连接部11121的侧边可以呈台阶状。
150.在本技术实施例中，该连接部11121被阻挡结构103覆盖的部分的侧边的长度还可以小于或等于相同宽度的阻挡结构103覆盖的第二凸起结构112的周长。例如，参考图1，图3，图5，图6，图9以及图15，该连接部11121被阻挡结构103覆盖的部分的侧边在衬底基板101上的正投影还可以呈直线，且该直线平行于第一电源线105的延伸方向n。
151.该第一电源线105和连接部11121之间的第二距离d2可以大于或等于第二距离阈值，该第一电源线105和连接部11121之间的第三距离d3可以大于或等于第三距离阈值，该第一电源线105和连接部11121之间的第四距离d4可以大于或等于第四距离阈值。
152.其中，参考图19，该第二距离d2可以为第一电源线105被第一阻挡坝1031覆盖的线段，与连接部11121之间在垂直于第一电源线105的延伸方向n上的最大距离。该第三距离d3为第一电源线105位于第一阻挡坝1031和第二阻挡坝1032之间的线段，与连接部11121之间在垂直于第一电源线105的延伸方向n上的最大距离。该第四距离d4可以为第一电源线105被第二阻挡坝1032覆盖的线段，与连接部11121之间在垂直于第一电源线105的延伸方向n上的最大距离。
153.可选的，该第二距离阈值大于第三距离阈值，第三距离阈值大于第四距离阈值。也即是，该第二距离d2可以大于第三距离d3，该第三距离d3可以大于第四距离d4，即d2》d3》d4。
154.在本技术实施例中，该第一电源线105和连接部11121之间的第五距离d5可以大于或等于第五距离阈值，该第一电源线105和连接部11121之间的第六距离d6可以大于或等于第六距离阈值。
155.其中，该第五距离d5可以为第一电源线105被第一有机膜层104覆盖的线段中位于阻挡结构103围绕的区域之间的部分，与连接部11121之间在垂直于第一电源线105的延伸方向n上的最大距离。该第六距离d6可以为第一电源线105被第一有机膜层104覆盖的线段中位于阻挡结构103围绕的区域之内的部分，与连接部11121之间在垂直于第一电源线105的延伸方向n上的最大距离。
156.可选的，该第五距离阈值可以大于第二距离阈值，第六距离阈值可以小于第四距离阈值。也即是，该第五距离d5可以大于第二距离d2，第四距离d4可以大于第六距离d6，即d5》d2》d3》d4》d6。
157.在本技术实施例中，该第二距离阈值可以为3323μm，该第三距离阈值可以为2723μm，该第四距离阈值可以为2123μm，该第五距离阈值可以为3795μm，该第六距离阈值可以为1523μm。
158.由于该第二距离d2，第三距离d3，第四距离d4，第五距离d5，以及第六距离d6均较大，因此能够减小该第一电源线105与第二电源线111产生的耦合电容，保证显示装置的显示效果。
159.在本技术实施例中，图19中为了清楚示意第二距离d2，第三距离d3，第四距离d4，并未示意出设置在第一电源线105未被第一有机膜层104覆盖的部分的侧边的第一凸起结构106。
160.参考图15和图17，该连接部11121相对于延伸结构109可以远离显示区域101a。也即是，连接部11121与显示区域101a的距离可以较远，延伸结构109与显示区域101a的距离可以较近，从而便于使得第一电源线105将第一电源信号通过该延伸结构109传输至显示区
域101a中的像素单元102。
161.参考图15和图17，该第一电源线105被阻挡结构103覆盖的部分的侧边在衬底基板101上的正投影呈折线，且该第一电源线105被第一有机膜层104覆盖的线段的侧边在衬底基板101上的正投影呈折线。
162.参考图20，该第一电源线105的第一台阶线l1与第一电源线105的第二台阶线l2之间在沿第一电源线105的延伸方向n上的第七距离d7大于或等于第七距离阈值。该第二台阶线l2与第一电源线105的第三台阶线l3之间在第一电源线105的延伸方向n上的第八距离d8大于或等于第八距离阈值。该第三台阶线l3与第一电源线105的第四台阶线l4之间在沿第一电源线105的延伸方向n上的第九距离d9大于或等于第九距离阈值。该第四台阶线l4与延伸结构109在沿第一电源线105的延伸方向n上的第十距离d10大于或等于第十距离阈值。
163.其中，结合图19和图20，该第一台阶线l1被位于阻挡结构103围绕的区域之外的第一有机膜层104覆盖。该第二台阶线l2被阻挡结构103的第一阻挡坝1031覆盖。该第三台阶线l3被阻挡结构103的第二阻挡坝1032覆盖。该第四台阶线l4被位于阻挡结构103围绕的区域之内的第一有机膜层104覆盖。该第一台阶线l1，第二台阶线l2，第三台阶线l3，以及第四台阶线l4均垂直于第一电源线105的延伸方向n。
164.可选的，该第七距离阈值可以为140μm，该第八距离阈值可以为80μm，该第九距离阈值可以为110μm，该第十距离阈值可以为275μm。
165.在本技术实施例中，参考图19，该延伸结构109可以与连接部11121沿第一电源线105的延伸方向n之间的第十一距离d11大于第十一距离阈值。可选的，该第十一距离阈值可以为80μm。
166.由于该第十一距离d11较大，因此能够减小延伸结构109和第二电源线111产生的耦合电容，保证显示装置的显示效果。
167.在本技术实施例中，该第一有机膜层104可以覆盖第二电源线111的第一部分1111，且可以覆盖第二电源线111的第二部分1112靠近显示区域101a的边界和远离显示区域101a的边界。由此，能够避免该第二电源线111的第二部分1112的边界，以及第一部分1111被腐蚀，保证该第二电源线111的质量。
168.参考图15，该第二电源线111可以包括两个第一部分1111。其中，一个第一部分1111可以与第二部分1112的一端连接，另一个第一部分1111可以与第二部分1112的另一端连接。该两个第一部分1111可以以衬底基板101的轴线x为轴对称设置。
169.可选的，第一电源线105的一端105a可以位于两个第一部分1111之间。示例的，图15中示出了两个第一电源线105，该两个第一电源线105的一端105a均位于两个第一部分1111之间。
170.参考图2和图18可以看出，该显示基板10还可以包括：封装膜层113。该封装膜层113可以位于第一有机膜层104远离衬底基板101的一侧，该封装膜层113可以覆盖阻挡结构103围成的区域。参考图2，该封装膜层113覆盖的区域113a的边界可以位于阻挡结构103远离多个像素单元002的一侧。
171.在本技术实施例中，封装膜层113可以包括：沿远离衬底基板101的方向层叠设置的第一膜层1131，第二膜层1132以及第三膜层1133。
172.可选的，该第一膜层1131和该第三膜层1133可以由无机材料制成，该第二膜层
1132可以由有机材料制成。例如，该第一膜层1131和该第三膜层1133可以由sinx(氮化硅)、siox(氧化硅)和sioxny(氮氧化硅)等一种或多种无机氧化物制成。第二膜层1132可以由树脂材料制成。该树脂可以为热塑性树脂或热塑性树脂，热塑性树脂可以包括亚克力(pmma)树脂，热固性树脂可以包括环氧树脂。
173.需要说明的是，该第二膜层1132可以位于阻挡结构103围成的区域内，第一膜层1131和第三膜层1133可以覆盖阻挡结构103围成的区域，且覆盖该阻挡结构103。即阻挡结构103在衬底基板101上的正投影，位于该封装膜层113覆盖的区域内，由此确保该封装膜层113对位于阻挡结构103围成的区域内的各个结构的有效封装。
174.在本技术实施例中，第二膜层1132可以采用喷墨打印(ink jet printing，ijp)的方法制作。第一膜层1131和第三膜层1133可以采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)的方法制作。
175.图21是本技术实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。参考图21可以看出，该显示基板还可以包括：沿远离衬底基板101的方向依次层叠的缓冲层114，半导体层115，栅极绝缘层116，栅极117，层间介电层118和源漏极层119，源漏极层119可以包括源极1191和漏极1192。源极1191和漏极1192彼此间隔并可分别通过过孔与半导体层115连接。沿源漏极层119远离衬底基板101的方向依次设置有第一有机膜层104，阳极层120，发光层121，以及阴极层110。其中，该阳极层120，发光层121，以及阴极层110，可以构成一个发光元件。该阳极层120可以通过过孔与漏极1192电连。其中，栅极117，源极1191和漏极1192构成一个晶体管，每个发光元件和其所连接的晶体管可以构成一个像素单元102。
176.参考图21可以看出，第一电源线105可以与第二电源线111以及源漏极层119位于同层。该第一电源线105，第二电源线111以及源漏极层119可以包括三层膜层，例如，该三层膜层的材料可以依次为：钛(ti)，铝(al)以及ti。
177.综上所述，本技术实施例提供了一种显示基板，该显示基板中的第一电源线被阻挡结构覆盖的线段的侧边的长度较大，可以延长水汽或氧气通过该第一电源线进入的路径，避免水汽或氧气被引入像素单元中。并且，由于该第一电源线的线段的侧边长度较大的部分被阻挡结构覆盖，能够避免第一电源线暴露在外的线段较长而导致该第一电源线被腐蚀，保证该第一电源线的质量，进而保证显示基板的良率，提高显示装置的显示效果。
178.图22是本技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图，参考图22，该显示装置可以包括电源驱动电路20以及如上述实施例提供的显示基板10。
179.该电源驱动电路20可以与显示基板10中的至少一条第一电源线105连接，用于为第一电源线105提供第一电源信号。第一电源线105可以用于向与其连接的像素单元102提供来自电源驱动电路20的第一电源信号。示例的，图22中示出了两条第一电源线105，该电源驱动电路20可以与该两条第一电源线105均连接。
180.可选的，参考图22，该显示装置还可以包括栅极驱动电路30和源极驱动电路40。该栅极驱动电路30可以通过栅线与显示基板10中的各行像素单元102连接，用于为各行像素单元102提供栅极驱动信号。源极驱动电路40可以通过数据线与显示基板10中的各列像素单元102连接，用于为各列像素单元102提供数据信号。
181.在本技术实施例中，该显示装置可以为液晶显示装置、电子纸、无源矩阵有机发光二极管(passive-matrix organic light-emitting diode，pmoled)显示装置、有源矩阵有
机发光二极管(active-matrix organic light-emitting diode，amoled)显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
182.以上所述仅为本技术的可选实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。