技术特征：
1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：于晶圆上产生第一氧化层；于所述第一氧化层上产生氮化硅层；产生复数个沟槽；以氧化材料填补所述复数个沟槽以形成复数个浅沟槽隔离区；执行研磨程序以平坦化所述氮化硅层的表面；移除所述氮化硅层且不移除所述第一氧化层；使用光罩以施加光阻，以于第一区域遮盖所述第一氧化层的第一部分，且于第二区域露出所述第一氧化层的第二部分；及移除所述第一氧化层的所述第二部分，且保留所述第一氧化层的所述第一部分。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：移除所述光阻；执行第一氧化程序以于所述第二区域形成第二氧化层，及增加所述第一氧化层的所述第一部分的厚度；植入离子以形成复数个阱；移除所述第二氧化层；及执行第二氧化程序，以于所述第二区域形成第三氧化层，及增加所述第一氧化层的所述第一部分的厚度。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层是垫氧化层，所述第二氧化层是牺牲氧化层，且所述第三氧化层是输入输出装置的栅极氧化层。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，于执行所述第二氧化程序后，所述第一氧化层的所述第一部分的厚度大于所述第三氧化层的厚度。5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一氧化程序及所述第二氧化程序的每一者包括物理气相沉积程序、化学气相沉积程序、电浆增强化学气相沉积程序及热氧化程序的一者。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域对应于存储装置，且所述第二区域对应于输入输出装置。7.如权利要求1所述的方法，其中所述研磨程序包括化学机械研磨程序。8.一种制造半导体结构的方法，包括：于晶圆上产生第一氧化层；于所述第一氧化层上产生氮化硅层；产生复数个沟槽；以氧化材料填补所述复数个沟槽以形成复数个浅沟槽隔离区；执行研磨程序以平坦化所述氮化硅层的表面；移除所述氮化硅层及所述第一氧化层；形成第二氧化层；植入离子以形成复数个阱；使用第一光罩以施加第一光阻，以于第一区域遮盖所述第二氧化层的第一部分，且于第二区域露出所述第二氧化层的第二部分；及
移除所述第二氧化层的所述第二部分且保留所述第二氧化层的所述第一部分。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括执行打薄程序以减少所述第二氧化层的厚度。10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：移除所述第一光阻；及执行氧化程序以于所述第二区域形成一第三氧化层，及增加所述第二氧化层的所述第一部分的厚度。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层是垫氧化层，所述第二氧化层是牺牲氧化层，且所述第三氧化层是输入输出装置的栅极氧化层。12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，于执行所述氧化程序后，所述第二氧化层的所述第一部分的厚度大于所述第三氧化层的厚度。13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一区域对应于存储装置，且所述第二区域对应于输入输出装置。14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：移除所述第一光阻；执行第一氧化程序以于所述第二区域形成第三氧化层，及增加所述第二氧化层的所述第一部分的厚度；及使用第二光罩以施加第二光阻，以遮盖所述第三氧化层的第一部分，及露出所述第三氧化层的第二部分；其中所述第三氧化层的所述第一部分位于所述第二区域的第一部分，且所述第三氧化层的所述第二部分位于所述第二区域的第二部分。15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：执行蚀刻程序以移除所述第三氧化层的所述第二部分，及减少所述第二氧化层的所述第一部分的厚度；移除所述第二光阻；及执行第二氧化程序以于所述第二区域的所述第二部分上产生第四氧化层，增加所述第二氧化层的所述第一部分的厚度，及增加所述第三氧化层的所述第一部分的厚度。16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层是垫氧化层，所述第二氧化层是牺牲氧化层，所述第三氧化层是输入输出装置的栅极氧化层，且所述第四氧化层是核心装置的氧化层。17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第二氧化层的所述第一部分的厚度大于所述第三氧化层的所述第一部分的厚度，且所述第三氧化层的所述第一部分的厚度大于所述第四氧化层的厚度。18.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一区域对应于存储装置，所述第二区域的所述第一部分对应于输入输出装置，且所述第二区域的所述第二部分对应于核心装置。19.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述研磨程序包括化学机械研磨程序。20.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括于植入离子后，对所述第二氧化层进行退火。