显示装置和制造该显示装置的方法与流程

本申请要求于2019年10月30日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0136899号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。

背景技术：

近年来，一直在拓宽显示装置的用途。随着显示装置变得更薄和更轻质，它们的使用范围已经持续多样化。

可以与显示装置组合或相关联的装置正在增多。因为以各种方式使用显示装置，所以它们的形状可以以各种方式进行设计。

技术实现要素：

随着显示装置的功能的增多，实施例可以提供在显示区域内部包括其中可布置有光学元件、传感器等的区域的显示装置。

另外的方面将在下面的描述中部分地进行阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过公开的给出的实施例的实践而获知。

根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括显示区域，显示区域包括第一区域和第二区域；第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极位于第一区域中，第二像素电极位于第二区域中；像素限定层，位于基底上并且包括第一开口和第二开口，第一开口暴露第一像素电极的至少一部分，并且第二开口暴露第二像素电极的至少一部分；第一中间层和第二中间层，第一中间层位于第一像素电极的至少一部分上，第二中间层位于第二像素电极的至少一部分上；第一对电极，位于第一中间层上；以及第二对电极，位于第一对电极和第二中间层上。

第二对电极可以包括透明导电材料。

透明导电材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)中的至少一种。

第二对电极可以与第一对电极直接接触。

显示装置还可以包括：岛电极，布置在第二中间层上并且暴露第二中间层的至少一部分。

第二对电极与岛电极直接接触。

显示装置还可以包括：疏水层，布置在岛电极与第二中间层之间。

疏水层可以包括自组装单层(sam)。

第一开口可以具有第一宽度，并且第二开口可以具有第二宽度，第二宽度小于或等于第一宽度。

显示装置还可以包括：第三像素电极，位于第二区域中；以及第三中间层，位于第三像素电极上。

第一对电极可以朝向第二区域延伸并布置在第三中间层上。

第二对电极可以布置在第一对电极上。

根据一个或更多个实施例，制造显示装置的方法包括以下步骤：准备包括显示区域的基底，显示区域包括第一区域和第二区域；在第一区域中形成第一像素电极，并且在第二区域中形成第二像素电极；形成包括第一开口和第二开口的像素限定层，第一开口位于第一区域中并暴露第一像素电极的至少一部分，并且第二开口位于第二区域中并暴露第二像素电极的至少一部分；在第一像素电极的至少一部分上形成第一中间层，并且在第二像素电极的至少一部分上形成第二中间层；在第二中间层上形成疏水层；在第一中间层和疏水层上形成第一对电极；去除疏水层和位于疏水层上的第一对电极；以及在第一对电极和第二中间层上形成第二对电极。

第二对电极可以包括透明导电材料。

透明导电材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)中的至少一种。

在第一对电极上形成第二对电极的步骤可以包括直接在第一对电极上形成第二对电极。

在形成包括第一开口和第二开口的像素限定层的步骤中，第一开口可以具有第一宽度，并且第二开口可以具有第二宽度，第二宽度小于或等于第一宽度。

通过下面的描述、附图和权利要求，公开的某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显。

附图说明

通过下面结合附图进行的描述，公开的特定实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显，在附图中：

图1是根据实施例的显示装置的透视图；

图2是根据实施例的显示装置的剖视图；

图3是根据实施例的显示装置的平面图；

图4和图5是根据实施例的可以包括在显示装置中的像素的等效电路图；

图6是图3的区域v的放大图；

图7是根据实施例的显示装置的剖视图；

图8是根据实施例的显示装置的剖视图；

图9是图3的区域v的放大图；

图10是根据实施例的显示装置的剖视图；

图11a、图11b、图11c、图11d和图11e是根据实施例的制造显示装置的一些工艺的剖视图；以及

图12是实施例和对比示例中的根据波长的透射率曲线的视图。

具体实施方式

现在将详细参考实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为局限于在这里阐述的描述。因此，在下面通过参照附图来描述实施例，以解释本描述的各个方面。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、全部a、b和c或者它们的变型。

在下文中，结合附图详细地描述本实施例。在附图中，将相同的附图标记赋予相同的或对应的元件，并且省略其重复描述。

尽管可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个组件与另一组件区分开。在不脱离一个或更多个实施例的教导的情况下，第一组件可以被命名为第二组件。将组件描述为“第一”组件可以不要求或不暗示存在第二组件或其他组件。术语“第一”、“第二”等可以用于区分组件的不同类别或不同集合。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类型(或第一集合)”、“第二类型(或第二集合)”等。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述/该”也意图包括复数形式。

还将理解的是，在这里使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。当第一元件被称为“在”第二元件“上”时，第一元件可以直接地或间接地在第二元件上。在第一元件与第二元件之间可以存在一个或更多个中间元件。

为了便于解释，可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之，因为为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。

在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

当某个实施例可以被不同地实现时，可以不同于所描述的顺序执行特定工艺顺序。例如，可以基本同时执行两个连续描述的工艺，或者可以按照与所描述的顺序相反的顺序来执行两个连续描述的工艺。

图1是根据实施例的显示装置1的透视图。

参照图1，显示装置1包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da可以显示图像，非显示区域nda可以不显示图像。显示区域da包括第一区域1a和第二区域2a。显示装置1可以通过使用从布置在第一区域1a中的多个像素p和布置在第二区域2a中的多个像素p发射的光来提供图像。组件可以布置在第二区域2a下方，组件包括光学元件。

在实施例中，可以使用诸如无机发光显示器和量子点发光显示器的各种类型的显示装置。在下文中，根据实施例的显示装置1被描述为有机发光显示装置。

在图1中示出了第二区域2a布置在具有四边形形状的显示区域da的上部上。在实施例中，显示区域da的形状可以是圆形、椭圆形或诸如三角形的多边形，与所示相比，第二区域2a的位置和数量可以进行各种改变。

图2是根据实施例的显示装置1的剖视图。

参照图2，显示装置1可以包括显示面板10和组件20，其中，显示面板10包括显示元件，组件20位于显示面板10下方以与第二区域2a对应。显示面板10可以包括基底100、在基底100上的显示元件层200和密封显示元件层200的薄膜封装层300。此外，显示面板10还可以包括布置在基底100下面的底保护膜175。

基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有多层结构，所述多层结构在层中同时包括聚合物树脂和无机层(未示出)。

显示元件层200可以包括电路层、作为显示元件的有机发光二极管oled以及在电路层与显示元件之间的绝缘层il。电路层包括薄膜晶体管tft。电路层和像素p可以布置在第一区域1a和第二区域2a中。电路层可以包括薄膜晶体管tft，像素p可以包括作为显示元件的有机发光二极管oled。连接到每个像素p的布线(未示出)可以布置在第一区域1a和第二区域2a中。

组件20可以位于第二区域2a中。组件20可以包括诸如光学元件的电子元件。例如，组件20可以是发射和/或接收光的传感器(诸如，红外传感器)、输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯或者输出声音的扬声器。

薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。对于此，图2示出了第一无机封装层310、第二无机封装层330以及位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机绝缘材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐(酯)、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或所列材料的任意组合。

底保护膜175可以附着在基底100下面，以支撑和保护基底100。底保护膜175可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。底保护膜175可以包括与第二区域2a对应的开口175op。因为开口175op设置在底保护膜175中，所以可以提高第二区域2a的透光率。

第二区域2a的面积可以比其中布置有组件20的区域的面积大。第二区域2a的面积可以与开口175op的面积相等，或者设置在底保护膜175中的开口175op的面积可以不与第二区域2a的面积相等。具有不同的或相同的功能的多个组件20可以布置在第二区域2a中。

可以在显示面板10上进一步布置诸如感测触摸输入的输入感测构件、防反射构件和透明窗的元件，防反射构件包括偏振器、延迟器或滤色器以及黑矩阵。

薄膜封装层300可以用作密封显示元件层200的封装构件。例如，通过利用密封剂或玻璃料附着到基底100的密封基底也可以用作密封显示元件层200的构件。

图3是根据实施例的显示装置1的平面图。

参照图3，构成显示装置1的各种元件布置在基底100上。基底100包括显示区域da和围绕显示区域da的非显示区域nda。显示区域da包括第一区域1a和第二区域2a。显示区域da可以被薄膜封装层300保护而免受外部空气或湿气等影响。

像素p布置在第一区域1a和第二区域2a中。每个像素p可以包括诸如有机发光二极管oled的显示元件。例如，每个像素p可以从有机发光二极管oled发射红光、绿光、蓝光或白光。在本说明书中，如上所述，像素p可以是发射红光、绿光、蓝光或白光的像素。至少一个组件20可以布置在显示装置1的第二区域2a下方。

每个像素p可以电连接到布置在非显示区域nda中的外部电路。第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170可以布置在非显示区域nda中。

第一扫描驱动电路110可以通过扫描线sl向每个像素p提供扫描信号。第一扫描驱动电路110可以通过发射控制线el向每个像素p提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行地布置，并且显示区域da位于第二扫描驱动电路120与第一扫描驱动电路110之间。布置在显示区域da中的一些像素p可以电连接到第一扫描驱动电路110，并且其余的像素p可以连接到第二扫描驱动电路120。

端子140可以布置在基底100的一侧上。由于端子140未被绝缘层覆盖，所以端子140可以被暴露且电连接到印刷电路板pcb。印刷电路板pcb的端子pcb-p可以电连接到显示装置1的端子140。印刷电路板pcb被配置为将电力或控制器(未示出)的信号传输到显示装置1。由控制器产生的控制信号可以通过印刷电路板pcb分别传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120。控制器可以通过第一连接线161和第二连接线171分别向第一电源线160和第二电源线170提供第一电力电压elvdd和第二电力电压elvss(见图4和图5)。第一电力电压elvdd可以通过连接到第一电源线160的驱动电压线pl而被提供到每个像素p，第二电力电压elvss(也被称为共电压)可以被提供到每个像素p的连接到第二电源线170的对电极。

数据驱动电路150可以电连接到数据线dl。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接线151和数据线dl而被提供到每个像素p，连接线151连接到端子140，数据线dl连接到连接线151。数据驱动电路150可以布置在印刷电路板pcb上。在实施例中，数据驱动电路150可以布置在基底100上。例如，数据驱动电路150可以布置在端子140与第一电源线160之间。

第一电源线160可以包括彼此平行且在x方向上延伸的第一子线162和第二子线163，并且显示区域da位于第一子线162与第二子线163之间。第二电源线170可以具有具备一个开口侧且部分地围绕显示区域da的环形形状。

图4和图5是根据实施例的可以包括在显示装置1中的像素p的等效电路图。

参照图4，像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2和存储电容器cst。开关薄膜晶体管t2连接到扫描线sl和数据线dl，并且可以被配置为响应于通过扫描线sl输入的扫描信号sn而将通过数据线dl输入的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1。

存储电容器cst连接到开关薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且可以存储对应于从开关薄膜晶体管t2传输的电压与供应到驱动电压线pl的第一电力电压elvdd(或驱动电压)之间的差的电压。

驱动薄膜晶体管t1连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以响应于存储在存储电容器cst中的电压而控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射具有预定亮度的光。

像素电路pc可以包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器。如图5中所示，像素电路pc可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。在实施例中，像素电路pc可以包括两个或更多个存储电容器。

参照图5，每个像素p包括像素电路pc和连接到像素电路pc的有机发光二极管oled。像素电路pc可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器cst。多个薄膜晶体管和存储电容器cst可以连接到信号线sl、sl-1、el和dl、初始化电压线vl以及驱动电压线pl。

像素p可以连接到信号线sl、sl-1、el和dl、初始化电压线vl以及驱动电压线pl。在实施例中，信号线sl、sl-1、el和dl、初始化电压线vl以及驱动电压线pl中的至少一条可以由彼此邻近的像素p共享。

信号线sl、sl-1、el和dl包括扫描线sl、前一扫描线sl-1、发射控制线el和数据线dl。扫描线sl可以将扫描信号sn传输到开关薄膜晶体管t2和补偿薄膜晶体管t3，前一扫描线sl-1可以将前一扫描信号sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7。发射控制线el可以将发射控制信号en传输到操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6，数据线dl与扫描线sl交叉并可以传输数据信号dm。驱动电压线pl可以将驱动电压elvdd传输到驱动薄膜晶体管t1，初始化电压线vl可以传输将驱动薄膜晶体管t1和有机发光二极管oled的像素电极初始化的初始化电压vint。

驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1连接到存储电容器cst的底电极cst1，驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1通过操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl，驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极d1通过发射控制薄膜晶体管t6电连接到有机发光二极管oled的像素电极。驱动薄膜晶体管t1可以根据开关薄膜晶体管t2的开关操作来接收数据信号dm，并且将驱动电流ioled供应到有机发光二极管oled。

开关薄膜晶体管t2的开关栅电极g2连接到扫描线sl，开关薄膜晶体管t2的开关源电极s2连接到数据线dl，开关薄膜晶体管t2的开关漏电极d2连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1并同时通过操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl。开关薄膜晶体管t2响应于通过扫描线sl传输的扫描信号sn而导通，并且可以执行将通过数据线dl传输的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1的开关操作。

补偿薄膜晶体管t3的补偿栅电极g3连接到扫描线sl，补偿薄膜晶体管t3的补偿源电极s3连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极d1并同时通过发射控制薄膜晶体管t6连接到有机发光二极管oled的像素电极。补偿薄膜晶体管t3的补偿漏电极d3连接到存储电容器cst的底电极cst1、第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏电极d4和驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1。补偿薄膜晶体管t3响应于通过扫描线sl传输的扫描信号sn而导通，并且可以通过将驱动栅电极g1电连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极d1来使驱动薄膜晶体管t1二极管连接。第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化栅电极g4可以连接到前一扫描线sl-1。第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化源电极s4可以连接到第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化漏电极d7和初始化电压线vl。第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏电极d4可以连接到存储电容器cst的底电极cst1、补偿薄膜晶体管t3的补偿漏电极d3和驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1。第一初始化薄膜晶体管t4响应于通过前一扫描线sl-1接收的前一扫描信号sn-1而导通。第一初始化薄膜晶体管t4可以执行将初始化电压vint传输到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1的初始化操作，以将驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1的电压初始化。

操作控制薄膜晶体管t5的操作控制栅电极g5连接到发射控制线el，操作控制薄膜晶体管t5的操作控制源电极s5连接到驱动电压线pl，操作控制薄膜晶体管t5的操作控制漏电极d5连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1和开关薄膜晶体管t2的开关漏电极d2。

发射控制薄膜晶体管t6的发射控制栅电极g6连接到发射控制线el，发射控制薄膜晶体管t6的发射控制源电极s6连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极d1和补偿薄膜晶体管t3的补偿源电极s3。发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏电极d6连接到第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源电极s7和有机发光二极管oled的像素电极。

操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6响应于通过发射控制线el传输的发射控制信号en而同时导通，以使驱动电压elvdd传输到有机发光二极管oled。因此，驱动电流ioled可以流过有机发光二极管oled。

第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化栅电极g7连接到前一扫描线sl-1，第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源电极s7连接到发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏电极d6和有机发光二极管oled的像素电极。第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化漏电极d7连接到第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化源电极s4和初始化电压线vl。第二初始化薄膜晶体管t7响应于通过前一扫描线sl-1传输的前一扫描信号sn-1而导通，并且可以将有机发光二极管oled的像素电极初始化。

第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7可以连接到前一扫描线sl-1。在实施例中，第一初始化薄膜晶体管t4可以连接到前一扫描线sl-1并且响应于前一扫描信号sn-1而驱动，第二初始化薄膜晶体管t7可以连接到单独的信号线(例如，下一扫描线)并且响应于通过单独的信号线传输的信号而驱动。

存储电容器cst的顶电极cst2连接到驱动电压线pl，有机发光二极管oled的对电极被供应有共电压elvss。因此，有机发光二极管oled可以被配置为从驱动薄膜晶体管t1接收驱动电流ioled并且发光，从而显示图像。

尽管在图5中示出了补偿薄膜晶体管t3和第一初始化薄膜晶体管t4均具有双栅电极，但补偿薄膜晶体管t3和第一初始化薄膜晶体管t4均可以具有一个栅电极。

图6是图3的区域v的放大图。图7对应于沿着图6的线ii-ii'截取的显示装置1的剖视图。

参照图6和图7，像素电路pc和有机发光二极管oled可以布置在基底100的第一区域1a中，有机发光二极管oled电连接到像素电路pc。像素电路pc和有机发光二极管oled可以布置在基底100的第二区域2a中，有机发光二极管oled电连接到像素电路pc。布置在第一区域1a和第二区域2a中的像素电路pc中的每个可以包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst。

位于基底100上的缓冲层101可以在基底100上提供平坦表面，并且可以减少或阻挡外来物质、湿气或外部空气从基底100下方渗透。缓冲层101可以包括无机材料(诸如，氧化物或氮化物)、有机材料或有机/无机复合材料，并且可以包括包含无机材料和有机材料的单层或多层。阻挡外部空气渗透的阻挡层(未示出)可以进一步布置在基底100与缓冲层101之间。

薄膜晶体管tft可以包括半导体层134、栅电极136、源电极138s和漏电极138d。半导体层134可以包括例如多晶硅。半导体层134可以包括沟道区131、源区132和漏区133，沟道区131与栅电极136叠置，源区132和漏区133布置在沟道区131的两个相对侧上并包括具有比沟道区131的杂质的浓度高的浓度的杂质。这里，杂质可以包括n型杂质或p型杂质。源区132和漏区133可以分别电连接到薄膜晶体管tft的源电极138s和漏电极138d。

半导体层134可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。当半导体层134包括氧化物半导体时，半导体层134可以包括例如铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)中的至少一种的氧化物。例如，半导体层134可以包括insnzno(itzo)、ingazno(igzo)等。当半导体层134包括硅半导体时，半导体层134可以包括例如非晶硅(a-si)或其中非晶硅(a-si)结晶的低温多晶硅(ltps)。

栅电极136可以包括包含铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种金属的单层或多层。栅电极136可以连接到向栅电极136施加电信号的栅极线。

第一栅极绝缘层103可以布置在半导体层134与栅电极136之间。第一栅极绝缘层103可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno2)之中的至少一种无机绝缘材料。第一栅极绝缘层103可以包括包含至少一种无机绝缘材料的单层或多层。

存储电容器cst可以布置在栅电极136上。存储电容器cst可以包括底电极144和顶电极146，并且可以与薄膜晶体管tft叠置。存储电容器cst的底电极144可以与薄膜晶体管tft的栅电极136布置为一体。在实施例中，存储电容器cst可以不与薄膜晶体管tft叠置，并且底电极144可以是与薄膜晶体管tft的栅电极136分离的独立元件。

第二栅极绝缘层105可以布置在栅电极136上。第二栅极绝缘层105可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno2)之中的至少一种无机绝缘材料。第二栅极绝缘层105可以包括包含至少一种无机绝缘材料的单层或多层。

存储电容器cst的顶电极146可以布置在第二栅极绝缘层105上。层间绝缘层107可以布置在存储电容器cst的顶电极146上。层间绝缘层107可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno2)之中的至少一种无机绝缘材料。层间绝缘层107可以包括包含至少一种无机绝缘材料的单层或多层。

源电极138s和漏电极138d可以布置在层间绝缘层107上。源电极138s和漏电极138d可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。源电极138s和漏电极138d可以均包括ti/al/ti的多层结构。

平坦化层113可以布置在源电极138s和漏电极138d上。平坦化层113可以包括接触孔。以下描述的像素电极可以通过接触孔电连接到像素电路pc。

平坦化层113可以使像素电路pc的顶表面平坦化，从而使有机发光二极管oled将要位于其上的表面平坦化。平坦化层113可以包括通用聚合物(诸如，苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或所列材料的共混物。平坦化层113可以包括无机材料。平坦化层113可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno2)中的至少一种。在平坦化层113包括无机材料的情况下，可以根据情况执行化学平坦化抛光。平坦化层113可以包括有机材料和无机材料两者。

有机发光二极管oled可以在基底100的第一区域1a中位于平坦化层113上，有机发光二极管oled包括第一像素电极210、第一中间层220和第一对电极230，第一对电极230面对第一像素电极210，并且第一中间层220位于第一对电极230与第一像素电极210之间。

有机发光二极管oled可以在基底100的第二区域2a中位于平坦化层113上，有机发光二极管oled包括第二像素电极211、第二中间层221和第二对电极231，第二对电极231面对第二像素电极211，并且第二中间层221位于第二对电极231与第二像素电极211之间。

第一像素电极210和第二像素电极211可以布置在平坦化层113上。第一像素电极210和第二像素电极211可以包括(半)透明电极或者反射电极。第一像素电极210和第二像素电极211可以包括反射层以及在反射层上的透明电极层或半透明电极层，反射层包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或所列元素的混合物。透明电极层或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)中的至少一种。第一像素电极210可以具有ito/ag/ito的堆叠结构。

像素限定层180可以布置在平坦化层113上。像素限定层180可以包括第一开口op1和第二开口op2，第一开口op1暴露第一像素电极210的至少一部分，第二开口op2暴露第二像素电极211的至少一部分。在实施例中，第一区域1a中的第一开口op1可以具有第一宽度w1，第二区域2a中的第二开口op2可以具有等于或小于第一宽度w1的第二宽度w2。

像素限定层180可以通过增大第一像素电极210的边缘与在第一像素电极210上方的第一对电极230之间的距离来防止在第一像素电极210的边缘处发生电弧和其他问题，并且通过增大第二像素电极211的边缘与在第二像素电极211上方的第二对电极231之间的距离来防止在第二像素电极211的边缘处发生电弧和其他问题。像素限定层180可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、bcb、hmdso和/或酚醛树脂。像素限定层180可以通过诸如旋涂的方法形成。

第一中间层220可以布置在第一像素电极210的被像素限定层180暴露的部分上，第二中间层221可以布置在第二像素电极211的被像素限定层180暴露的部分上。第一中间层220和第二中间层221可以包括发射层，并且还可以在发射层之下和之上包括诸如空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)的功能层中的至少一种。

发射层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料的有机材料。发射层可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。例如，包括在第一中间层220和第二中间层221中的发射层可以包括发射绿光的材料。

当发射层包括低分子量材料时，第一中间层220和第二中间层221可以具有其中以单一构造或复合构造堆叠有hil、htl、发射层(eml)、etl、eil等的结构。第一中间层220和第二中间层221可以包括诸如铜酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb)和三-8-羟基喹啉铝(alq3)的各种有机材料作为低分子量材料。这些层可以通过真空沉积形成。

当发射层包括聚合物材料时，第一中间层220和第二中间层221可以具有包括htl和eml的结构。htl可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(pedot)，eml可以包括诸如聚苯撑乙烯撑(ppv)类材料和聚芴类材料的聚合物材料。发射层可以通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(liti)等形成。

第一对电极230可以布置在第一中间层220上。第一对电极230可以布置在第一中间层220上，并且可以完全覆盖第一中间层220。第一对电极230可以布置在第一区域1a中遍及第一区域1a的整个区域。也就是说，第一对电极230可以设置为一个连续体，以覆盖布置在第一区域1a中的多个像素p。在实施例中，第一对电极230可以不布置在布置于第二区域2a中的第二中间层221上。

第二对电极231可以布置在第一对电极230和第二中间层221上。在实施例中，第二对电极231可以直接布置在第一对电极230上，即，与第一对电极230直接接触。第二对电极231可以布置在第二区域2a中，并且可以延伸到第一区域1a并布置在第一区域1a和第二区域2a的整个区域中。也就是说，第二对电极231可以设置为一个连续体，以覆盖布置在第一区域1a中的多个像素p和布置在第二区域2a中的多个像素p。第二对电极231可以布置为与第一对电极230直接接触且电连接到第一对电极230。

第一对电极230可以包括反射导电材料。在实施例中，第一对电极230可以包括反射电极，并且可以包括具有小逸出功且包含锂(li)、钙(ca)、氟化锂(lif)/ca、lif/铝(al)、al、银(ag)、镁(mg)和所列材料的混合物中的至少一种的金属薄层。在实施例中，透明导电氧化物(tco)层可以进一步布置在第一对电极230上，tco层包括ito、izo、zno或in2o3。

第二对电极231可以是包括透明导电材料的透明电极。在实施例中，第二对电极231可以是透明电极或半透明电极，并且可以包括作为透明导电材料的ito、izo、zno、in2o3、igo和azo中的至少一种。在实施例中，第二对电极231可以包括纳米线和/或纳米颗粒。

因为第二对电极231包括透明导电材料，所以与第一对电极230的透射率相比，第二对电极231的透射率可以提高大约60％或更多。在实施例中，第二对电极231可以通过使用溅射和印刷方法形成在第一区域1a和第二区域2a中。

在对比示例中，通过使用激光切割其中布置有组件的区域并制作开口会使装置易受湿气影响。此外，存在非显示区域(即，为容纳布线所提供的死空间)。

为了解决所陈述问题，即使在其中布置有组件的区域(即，第二区域2a)中也布置像素，而不是切割其中布置有组件的区域并制作开口，并且使用包括透明导电材料的透明电极来提高其中布置有组件的区域的透射率。因此，实现了其中不存在死空间的显示器。

图8是根据实施例的显示装置1的剖视图。

在图8中，疏水层225和岛电极235布置在第二中间层221上。在图8中，省略了对与图7的元件相同的元件的描述。

参照图8，岛电极235可以在第二区域2a中布置在第二中间层221上方，岛电极235暴露第二中间层221的至少一部分。在实施例中，疏水层225可以布置在岛电极235与第二中间层221之间。疏水层225可以包括氟类材料、全氟类材料和自组装单层(sam)中的至少一种。

sam是由从溶液相或气相吸附分子结构所形成的有机组装体，并且可以包括烷硫醇、烷基硅氧烷、烷膦酸、3,4-二羟基苯基乙胺(多巴胺)和(3-氨基丙基)三甲氧基硅烷中的至少一种。

在实施例中，第二对电极231可以布置在岛电极235上。岛电极235可以不与第一对电极230直接接触。更具体地，岛电极235可以通过直接布置在岛电极235上的第二对电极231间接地电连接到第一对电极230。

图9是图3的区域v的放大图，图10是根据实施例的显示装置1的剖视图。

图10示出了第一对电极230还布置在第二区域2a中。在图10中，省略了对与图7的元件相同的元件的描述。

参照图9和图10，在基底100的第二区域2a中，有机发光二极管oled可以位于平坦化层113上，有机发光二极管oled包括第三像素电极212、第三中间层222和第一对电极230，第一对电极230面对第三像素电极212并且第三中间层222位于第一对电极230与第三像素电极212之间。

第三像素电极212可以布置在平坦化层113上。第三像素电极212可以是(半)透明电极或者反射电极。第三像素电极212可以包括反射层以及在反射层上的透明电极层或半透明电极层，反射层包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr和所列元素的混合物中的至少一种。透明电极层或半透明电极层可以包括ito、izo、zno、in2o3、igo和azo中的至少一种。第三像素电极212可以具有ito/ag/ito的堆叠结构。

像素限定层180可以布置在平坦化层113上，并且可以包括暴露第三像素电极212的至少一部分的第三开口op3。在实施例中，第三开口op3可以具有等于或大于第二宽度w2的第三宽度w3。

像素限定层180可以通过增大第三像素电极212的边缘与在第三像素电极212上方的第一对电极230之间的距离来防止在第三像素电极212的边缘处发生电弧和其他问题。

第三中间层222可以布置在第三像素电极212的被像素限定层180暴露的部分上。第三中间层222可以包括发射层，并且还可以在发射层之下和之上包括诸如htl、hil、etl和eil的功能层中的至少一种。

第一对电极230可以布置在第三中间层222上。更具体地，布置在第一区域1a的整个区域中的第一对电极230的至少一部分可以朝向第二区域2a延伸并布置在第三中间层222上。

因为布置在第一区域1a中的第一对电极230朝向第二区域2a延伸，所以可以提高第二区域2a的透射率和第二区域2a的发射效率。

第二对电极231可以延伸到第二区域2a中的第一对电极230上。第二对电极231可以直接布置在第一对电极230上并由此电连接到第一对电极230。

图11a至图11e是根据实施例的制造显示装置1的工艺的剖视图。

下面参照图11a至图11e顺序地描述制造显示装置1的方法。

首先，参照图11a，所述方法包括准备在其中限定有显示区域da的基底100，显示区域da包括第一区域1a和第二区域2a，在第一区域1a中形成第一像素电极210并在第二区域2a中形成第二像素电极211。在第一像素电极210上形成包括第一开口op1和第二开口op2的像素限定层180，第一开口op1暴露第一像素电极210的至少一部分，第二开口op2暴露第二像素电极211的至少一部分。在第一像素电极210的至少一部分上形成第一中间层220，在第二像素电极211的至少一部分上形成第二中间层221。

可以在基底100中限定包括第一区域1a和第二区域2a的显示区域da。参照图11a，可以在基底100上布置缓冲层101、第一栅极绝缘层103、第二栅极绝缘层105、层间绝缘层107和平坦化层113。在实施例中，可以在基底100上方布置薄膜晶体管tft和存储电容器cst，薄膜晶体管tft包括半导体层134、栅电极136、源电极138s和漏电极138d，存储电容器cst包括底电极144和顶电极146。

可以在第一区域1a中形成第一像素电极210，可以在第二区域2a中形成第二像素电极211。可以在第一像素电极210和第二像素电极211上形成包括第一开口op1和第二开口op2的像素限定层180。第一开口op1暴露第一像素电极210的至少一部分，第二开口op2暴露第二像素电极211的至少一部分。可以在第一像素电极210的被像素限定层180暴露的至少一部分上形成第一中间层220，可以在第二像素电极211的被像素限定层180暴露的至少一部分上形成第二中间层221。

第一开口op1可以具有第一宽度w1，第二开口op2可以具有等于或小于第一宽度w1的第二宽度w2。

参照图11b，所述方法还可以包括在第二中间层221上形成疏水层225。可以在第二区域2a的整个区域中形成疏水层225，疏水层225包括氟类材料、全氟类材料和自组装单层(sam)中的至少一种。

参照图11c，所述方法还可以包括在第一中间层220和疏水层225上形成第一对电极230。可以遍及基底100的第一区域1a和第二区域2a整体地形成第一对电极230。

通常，无法在具有低表面能的材料上平滑地形成有机材料或金属材料。在实施例中，通过作为疏水层225的具有低表面能的sam可以在疏水层225上不平滑地形成第一对电极230。第一对电极230的在第二区域2a中的部分可以比第一对电极230的在第一区域1a中的部分形成得薄。在实施例中，第二区域2a中的第一对电极230可以在疏水层225上形成为彼此间隔开。

图12是对比示例和本公开的实施例中的根据波长的透射率曲线图。更具体地，图12是其中中间层和对电极形成在sam上的实施例和其中中间层和对电极形成在基底上的对比示例中的根据波长的透射率曲线。

参照图12，实施例的透射率在所有波段中都比对比示例的透射率高。因此，当通过使用自组装单层(sam)形成疏水层225时，可以增大透射率。

参照图11d，所述方法还可以包括去除形成在第二中间层221上的疏水层225和形成在疏水层225上的第一对电极230。

可以通过在以下描述的形成第二对电极231的工艺期间使用的等离子体来去除形成在第二中间层221上的疏水层225和形成在疏水层225上的第一对电极230。因为通过等离子体去除了布置在第二中间层221上的第一对电极230，所以第一对电极230可以不布置在第二中间层221上。在实施例中，可以在第二中间层221上布置疏水层225和第一对电极230，并且疏水层225的在第二中间层221上的至少一部分和第一对电极230的在疏水层225上的至少一部分未被去除。未被等离子体去除的第一对电极230可以是岛电极235。

参照图11e，所述方法还可以包括在第一对电极230和第二中间层221上形成第二对电极231。也就是说，可以将第二对电极231形成为一体，以覆盖布置在第一区域1a中的多个像素p和布置在第二区域2a中的多个像素p。第二对电极231可以直接布置在第一对电极230上并由此电连接到第一对电极230。在实施例中，第二对电极231可以包括透明导电材料，透明导电材料可以包括ito、izo、zno、in2o3、igo和azo中的至少一种。

根据实施例，在其中布置有光学元件等的第二区域2a中布置像素，并且通过使用疏水层来布置包括透明导电材料的对电极。因此，可以提高第二区域2a的透射率，同时，可以提供一种具有改善的产品可靠性的显示装置及制造该显示装置的方法。

根据实施例，因为通过使用疏水层将像素布置在其中布置有诸如光学元件或传感器的电子元件的区域中，所以可以实现具有减少的死空间和改善的产品可靠性的显示装置。然而，本公开的范围不受该效果限制。

在这里描述的实施例是说明性的。在每个实施例内对特征或方面的描述应通常被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。尽管已经参照图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式上和细节上的各种改变。