一种介质滤波器的负耦合结构的制作方法

本发明属于介质滤波器耦合结构技术领域，具体涉及一种介质滤波器的负耦合结构。

背景技术：

5g时代，受限于massivemimo（大规模天线技术）对大规模天线集成化的要求，滤波器需更加小型化和集成化，在限定腔体尺寸的情况下，由于自身材料的损耗，金属同轴腔体滤波器和金属腔介质滤波器均无法取得很高的q值，从而导致滤波器的各项性能指标都受到了限制。

陶瓷介质滤波器中的电磁波谐振发生在介质材料内部，传统的金属腔体被金属镀层替代，因此体积会更小，重量更轻，此外，陶瓷介质滤波器具有q值高、选频特性好、工作频率稳定性好、插入损耗小、高低温漂特性小等优点。因此，为了满足5g基站滤波器对小型化的要求，更易小型化的陶瓷介质滤波器就成为了主流的解决方案。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种适用于陶瓷介质滤波器的负耦合结构，该负耦合结构可以使谐振腔之间的容性耦合结构转变成感性，以提高介质滤波器的带外抑制性能。

为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种介质滤波器的负耦合结构，该介质滤波器包括介质块、ant端口、tx端口和多个谐振腔，任意两个所述的谐振腔之间均可选择性的通过一贯穿介质块设置的调节孔相连通，通过调整调节孔的大小和相连通的两个谐振腔之间的距离来调整该介质滤波器的远端抑制性能。

进一步的，所述ant端口和tx端口之间开设有调节槽，通过调整调节槽的宽度和深度来提高该介质滤波器的远端抑制性能。

进一步的，所述ant端口和tx端口共同设置在介质块的其中一个端面上，调节槽设置在介质块的另一个端面上。

进一步的，所述的调节槽和多个谐振腔均为盲槽状结构。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明可选择性的在任意两个谐振腔之间设置一贯穿介质块的调节孔，两个谐振腔通过该调节孔相连通，从而可以使谐振腔之间的容性耦合结构转变成感性，形成一种负耦合结构，同时，本发明在滤波器输入端口的背面设置有调节槽，通过调整调节槽的深度和宽度可进一步提高介质滤波器的远端抑制性能。而且，本发明结构简单，适用性强，能够应用于所有的介质滤波器来优化其远端性能。

附图说明

图1为本发明一种介质滤波器的负耦合结构的结构示意图；

图2为采用本发明所述的负耦合结构的介质滤波器的仿真频率响应曲线；

图中标记：1、ant端口，2、tx端口，3、调节槽，4、第一谐振腔，5、第二谐振腔，6、调节孔。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，一种介质滤波器的负耦合结构，该介质滤波器包括介质块、ant端口1、tx端口2和多个谐振腔，任意两个所述的谐振腔之间均可选择性的通过一贯穿介质块设置的调节孔6相连通，从而可以使谐振腔之间的容性耦合结构转变成感性，形成一种负耦合结构，并且，通过调整调节孔6的大小和相连通的两个谐振腔之间的距离来调整该介质滤波器的远端抑制性能。

本实施例中，采用第一谐振腔4和第二谐振腔5对本发明的方案进行说明：第一谐振腔4和第二谐振腔5均为盲槽状结构，两者的开口端分别开设在介质块的两个端面上，调节孔6为贯穿介质块设置的通孔，两个谐振腔通过该调节孔6相连通，从而可以使两个谐振腔之间的容性耦合结构转变成感性，形成一种负耦合结构。

为了达到最佳的使用效果，所述ant端口1和tx端口2之间开设有调节槽3，调节槽3为盲槽状结构，ant端口和tx端口共同设置在介质块的其中一个端面上，调节槽3设置在介质块的另一个端面上，通过调整调节槽3的宽度和深度来提高该介质滤波器的远端抑制性能。

对采用本发明所述的负耦合结构的介质滤波器进行仿真实验，仿真后得到的仿真频率响应曲线如图2所示，图中包含两条曲线s11，s21，其中，曲线s11是反射特性曲线，曲线s21是传输特性曲线，曲线s11位于曲线s21的上方，由图2可知，采用本发明所述的负耦合结构，可以将原本应该在4.3g左右产生的二次斜峰推至5.7g以后产生，显然，采用本发明所述的负耦合结构的介质滤波器具有良好的远端抑制性能。而且，本发明结构简单，适用性强，能够应用于所有的介质滤波器来优化其远端性能。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：

1.一种介质滤波器的负耦合结构，该介质滤波器包括介质块、ant端口、tx端口和多个谐振腔，其特征在于：任意两个所述的谐振腔之间均可选择性的通过一贯穿介质块设置的调节孔相连通，通过调整调节孔的大小和相连通的两个谐振腔之间的距离来调整该介质滤波器的远端抑制性能。

2.根据权利要求1所述的一种介质滤波器的负耦合结构，其特征在于：所述ant端口和tx端口之间开设有调节槽，通过调整调节槽的宽度和深度来提高该介质滤波器的远端抑制性能。

3.根据权利要求2所述的一种介质滤波器的负耦合结构，其特征在于：所述ant端口和tx端口共同设置在介质块的其中一个端面上，调节槽设置在介质块的另一个端面上。

4.根据权利要求3所述的一种介质滤波器的负耦合结构，其特征在于：所述的调节槽和多个谐振腔均为盲槽状结构。

技术总结
本发明提供一种介质滤波器的负耦合结构，本发明可选择性的在任意两个谐振腔之间设置一贯穿介质块的调节孔，两个谐振腔通过该调节孔相连通，从而可以使谐振腔之间的容性耦合结构转变成感性，形成一种负耦合结构，同时，本发明在滤波器输入端口的背面设置有调节槽，通过调整调节槽的深度和宽度可进一步提高介质滤波器的远端抑制性能。而且，本发明结构简单，适用性强，能够应用于所有的介质滤波器来优化其远端性能。

技术研发人员：李龙章;任雷斌;杨佳卓
受保护的技术使用者：广东通宇通讯股份有限公司
技术研发日：2020.10.29
技术公布日：2021.01.01