微型发光二极管及显示面板的制作方法

[0001]
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种微型发光二极管及显示面板。


背景技术：

[0002]
micro led(micro light emitting diode，微型发光二极管)显示器具有可靠性高、色域高、亮度高、透明度高、像素密度高等优点，且micro led显示器的封装要求低，非常容易实现柔性及无缝拼接显示，是未来极具有发展潜力的显示器。
[0003]
目前，在micro led显示器的全彩化显示技术中，通常采用蓝光+光致转换层的方案来实现全彩化显示。具体的，通过在驱动基板的红像素、绿像素和蓝像素位置处分别转移蓝光芯片，然后在彩膜基板上分别打印红色量子点和绿色量子点，并通过上下基板的对位贴合来实现颜色的转换，以实现全彩化显示。由于该方案需要防止红像素、绿像素和蓝像素之间的串色，因而通常需要在相邻像素对应的量子点之间单独设置黑色遮光结构。
[0004]
然而，由于采用喷墨打印的方式在彩膜基板上形成红绿量子点来实现颜色转换时，相邻量子点之间黑色遮光结构的厚度较大，使得蓝光芯片发出的部分光因被黑色遮光结构吸收而损失掉，进而大大降低了蓝光芯片的光能利用率，增加了产品的能耗。


技术实现要素：

[0005]
本申请提供一种微型发光二极管及显示面板，以解决蓝光芯片光能利用率降低的技术问题。
[0006]
本申请提供一种微型发光二极管，其包括：
[0007]
一发光芯片本体；以及
[0008]
一光转换结构，所述光转换结构设置于所述发光芯片本体的发光侧，并用于将所述发光芯片本体发出的光转换成白光；
[0009]
其中，所述光转换结构包括缓冲层和光转换单元，所述缓冲层上设置有至少一凹槽，所述光转换单元容置于所述凹槽内。
[0010]
在本申请的微型发光二极管中，所述凹槽的数量为多个，每一所述凹槽内均容置有所述光转换单元。
[0011]
在本申请的微型发光二极管中，自所述缓冲层的两侧向所述缓冲层的中心的方向上，相邻所述凹槽之间的距离递增。
[0012]
在本申请的微型发光二极管中，所述发光芯片本体发出的光为蓝光；
[0013]
所述光转换单元的材料包括红色量子点和绿色量子点。
[0014]
在本申请的微型发光二极管中，所述发光芯片本体包括：
[0015]
一第一电极；
[0016]
一第二电极，所述第二电极和所述第一电极相邻设置；
[0017]
一电流扩散层，所述电流扩散层设置于所述第二电极上；
[0018]
一第一半导体层，所述第一半导体层设置于所述电流扩散层上；
[0019]
一发光层，所述发光层设置于所述第一半导体层上；以及
[0020]
一第二半导体层，所述第二半导体层设置于所述发光层上，并覆盖所述第一电极，所述光转换结构位于所述第二半导体层上。
[0021]
在本申请的微型发光二极管中，所述微型发光二极管还包括一阻隔结构层，所述阻隔结构层设置于所述光转换结构上；
[0022]
所述阻隔结构层包括依次设置于所述光转换结构上的第一无机层、有机层和第二无机层。
[0023]
本申请还提供一种显示面板，其包括：
[0024]
驱动基板；以及
[0025]
多个微型发光二极管，多个所述微型发光二极管设置于所述驱动基板上，并电性连接于所述驱动基板；
[0026]
其中，所述微型发光二极管包括：
[0027]
一发光芯片本体；以及
[0028]
一光转换结构，所述光转换结构设置于所述发光芯片本体的发光侧，并用于将所述发光芯片本体发出的光转换成白光；
[0029]
其中，所述光转换结构包括缓冲层和光转换单元，所述缓冲层上设置有至少一凹槽，所述光转换单元容置于所述凹槽内。
[0030]
在本申请的显示面板中，所述凹槽的数量为多个，每一所述凹槽内均容置有所述光转换单元。
[0031]
在本申请的显示面板中，自所述缓冲层的两侧向所述缓冲层的中心的方向上，相邻所述凹槽之间的距离递增。
[0032]
在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括一遮光单元，所述遮光单元设置于相邻的所述微型发光二极管之间。
[0033]
相较于现有技术中的微型发光二极管，本申请提供的微型发光二极管通过将光转换单元集成在发光芯片本体上，具体的，通过在缓冲层上设置至少一凹槽，并将光转换单元容置于凹槽内，进而缩短了发光芯片本体与光转换单元之间的距离，使得发光芯片本体发出的光能够有效地被光转换单元吸收，从而提高了发光芯片本体的光能利用率，降低了光能的损耗，进而降低了产品的能耗。
附图说明
[0034]
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]
图1是本申请实施例提供的微型发光二极管的结构示意图；
[0036]
图2是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
[0037]
图3是本申请实施例提供的显示面板中微型发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
[0038]
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0039]
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0040]
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0041]
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0042]
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0043]
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的微型发光二极管的结构示意图。
[0044]
本申请实施例提供一种微型发光二极管100，其包括一发光芯片本体10、一光转换结构11、一阻隔结构层12和一保护层13。光转换结构11设置于发光芯片本体10的发光侧，并用于将发光芯片本体10发出的光转换成白光。阻隔结构层12设置于光转换结构11上。保护层13设置于发光芯片本体10的周侧。其中，光转换结构11包括缓冲层111和光转换单元112。缓冲层111上设置有至少一凹槽111a。光转换单元112容置于凹槽111a内。
[0045]
由此，本申请实施例提供的微型发光二极管100通过将光转换单元112集成在发光芯片本体10上，具体的，通过在缓冲层111上设置至少一凹槽111a，并将光转换单元112容置于凹槽111a内，进而缩短了发光芯片本体10与光转换单元112之间的距离，使得发光芯片本
体10发出的光能够有效地被光转换单元112吸收，从而提高了发光芯片本体10的光能利用率，降低了光能的损耗。
[0046]
在本申请实施例中，发光芯片本体10发出的光为蓝光。光转换单元112的材料包括红色量子点和绿色量子点。其中，光转换单元112由一定配比的红色量子点和绿色量子点混合而成，红色量子点和绿色量子点的具体配比可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
[0047]
在一些实施例中，光转换单元112的材料还可以为黄色量子点或者其他能够将蓝光转换成白光的光转换材料。
[0048]
另外，在一些实施例中，发光芯片本体10发出的光为紫光。此时，光转换单元112的材料可以为红色量子点、绿色量子点和蓝色量子点的混合，或者，还可以为其他将紫光转换成白光的光转换材料，在此不再赘述。
[0049]
进一步的，在本申请实施例中，发光芯片本体10包括：
[0050]
一第一电极101；
[0051]
一第二电极102，第二电极102和第一电极101相邻设置；
[0052]
一电流扩散层103，电流扩散层103设置于第二电极102上；
[0053]
一第一半导体层104，第一半导体层104设置于电流扩散层103上；
[0054]
一发光层105，发光层105设置于第一半导体层104上；以及
[0055]
一第二半导体层106，第二半导体层106设置于发光层105上，并覆盖第一电极101，光转换结构11位于第二半导体层106上。
[0056]
需要说明的是，本申请中发光芯片本体10的结构仅为示意，用以方便描述本申请实施例，但并不能理解为对本申请的限制。
[0057]
其中，第一电极101为n型电极。第二电极102为p型电极。第一电极101和第二电极102的材料均可以为铟、锡、锌、镍、银、铝、金、铂、钯、镁、钨等金属或合金中的一种或几种，且第一电极101和第二电极102的材料可以相同，也可以不同，本申请对此不作限定。
[0058]
电流扩散层103用于增加发光芯片本体10的发光面积。电流扩散层103的材料可以为石墨烯、氧化铟锡、氧化锌、镍、银、铝、金、铂、钯、镁、钨等导电性能及反射性能较好的材料，电流扩散层103的材料还可以根据实际情况进行选择，本申请对此不作限定。
[0059]
第一半导体层104为p型氮化镓层。具体的，第一半导体层104为掺杂镁的氮化镓层。
[0060]
第二半导体层106为n型氮化镓层。具体的，第二半导体层106为掺杂硅的氮化镓层。
[0061]
发光层105为氮化镓量子阱层。具体的，发光层105可以为依次重复排列的氮化铟镓/氮化镓层。
[0062]
需要说明的是，本实施例中第一半导体层104、发光层105及第二半导体层106的材料具体可以根据发光芯片本体10的种类进行选择，本实施例不能理解为对本申请的限制。
[0063]
另外，在本申请实施例中，保护层13起到阻隔水氧的作用，其用于降低微型发光二极管100中各膜层性能的衰减速率，进而提升微型发光二极管100的使用寿命。其中，保护层13的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氮化铝等导热性能良好的材料，本申请对保护层13的材料不作具体限定。
[0064]
在本申请实施例中，缓冲层111的材料为氮化镓。缓冲层111的厚度介于1微米至6微米之间，缓冲层111的具体厚度可以根据实际情况进行设定，在此不再赘述。
[0065]
在本申请实施例中，凹槽111a的数量为多个。每一凹槽111a内均容置有光转换单元112。
[0066]
需要说明的是，本申请中多个凹槽111a的尺寸可以相同，也可以不同，本申请实施例仅以多个凹槽111a的尺寸相同为例进行说明，但并不限于此。另外，本申请中凹槽111a的截面形状可以为方形或梯形等，本实施例仅以凹槽111a的截面形状为梯形为例进行说明，但并不能理解为对本申请的限制。
[0067]
进一步的，凹槽111a的具体个数可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。凹槽111a的深度可以根据缓冲层的厚度进行设定，在此不再赘述。
[0068]
可以理解的是，当发光芯片本体10发出的蓝光射向光转换单元112时，光转换单元112中的红色量子点和绿色量子点受到蓝光的激发而分别发出红光和绿光，红光、绿光和蓝光混合而形成白光，进而得到能够发出白光的微型发光二极管100。
[0069]
在本实施例中，当缓冲层111的厚度一定时，通过在缓冲层111上设置多个凹槽111a，进而为相邻的光转换单元112提供了混光空间，使得单个微型发光二极管中的光转换单元112能够均匀分布，从而有利于提高微型发光二极管出射光线的均一性。进一步的，凹槽111a的数量越多，相邻凹槽111a之间的距离越小，相邻的光转换单元112之间的混光效果越好，从而使得微型发光二极管出射光线的均一性越好。
[0070]
进一步的，由于光转换单元112中的红绿量子点所在区域的散热性能较差，本实施例中多个凹槽111a的设置不仅能够将单个微型发光二极管100中的量子点分散开来，而且由于凹槽111a内槽壁的存在，多个凹槽111a的设置增大了量子点和槽壁之间的接触面积，进而有效降低了因量子点过于集中而出现散热性较差的风险，提高了微型发光二极管的散热效果，从而有利于提高微型发光二极管的使用寿命。
[0071]
进一步的，在一些实施例中，自缓冲层111的两侧向缓冲层111的中心的方向上，相邻凹槽111a之间的距离递增。
[0072]
可以理解的是，由于位于缓冲层111两侧的光的亮度低于位于缓冲层111中心的光的亮度，由此导致微型发光二极管发出的光出现不均匀的问题。在多个凹槽111a的尺寸均相同的情况下，上述设置通过使缓冲层111中心的相邻凹槽111a之间的距离大于两侧的相邻凹槽111a之间的距离，使得缓冲层111中心的光转换单元112的占用面积相较于两侧而降低，也即，此时缓冲层111边缘出射光线的亮度相对于缓冲层111中心出射光线的亮度是增大的，进而缓解了缓冲层111边缘区域的亮度相较于中心区域较暗的现象，从而提高了微型发光二极管出射光线的均匀性，有利于提升微型发光二极管的发光性能。
[0073]
在一些实施例中，光转换结构11包括第一区域和第二区域。第一区域和第二区域交替设置。凹槽111a包括第一凹槽和第二凹槽。第一凹槽设置在第一区域。第二凹槽设置在第二区域。相邻的第一凹槽之间设置有第二凹槽。第一凹槽内光转换单元112的材料为红色量子点和绿色量子点。第二凹槽内光转换单元112的材料为黄色量子点。
[0074]
可以理解的是，由于黄色量子点的发光效率低于红绿量子点，上述设置通过使黄色量子点和红绿量子点交叉设置，且相邻红绿量子点之间设置为黄色量子点，进而可以降低缓冲层111中间区域的发光亮度，从而提高微型发光二极管出射光线的均匀性。
[0075]
在本申请实施例中，阻隔结构层12包括依次设置于光转换结构11上的第一无机层121、有机层122和第二无机层123。
[0076]
由于有机材料具有释放应力的作用，本实施例通过在阻隔结构层12中设置一有机层122，能够避免微型发光二极管因受热影响或机械应力的影响而出现膜层的开裂，从而有利于提升微型发光二极管的性能，进一步增加了微型发光二极管的使用寿命。
[0077]
其中，第一无机层121及第二无机层123的材料均可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等具有良好阻隔水氧作用的无机材料。有机层122的材料可以为聚酰亚胺等有机材料。另外，第一无机层121的材料和第二无机层123的材料可以相同，也可以不同，本申请对此不作限定。
[0078]
进一步的，本申请实施例提供的微型发光二极管100的制备方法具体包括以下步骤：
[0079]
s101：提供一衬底基板。
[0080]
可选的，上述衬底基板可以为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。在本申请实施例中，衬底基板为蓝宝石衬底。
[0081]
s102：在衬底基板上形成图案化的掩膜层；
[0082]
具体的，步骤s102包括以下步骤：
[0083]
s1021：在衬底基板上形成一层掩膜层。
[0084]
其中，掩膜层的材料可以为氧化硅或氮化硅。在本申请实施例中，掩膜层的材料为氧化硅。
[0085]
s1022：形成图案化的掩膜层；
[0086]
具体的，采用刻蚀工艺对掩膜层进行刻蚀，以形成图案化的掩膜层。具体的，在本申请实施例中，图案化的掩膜层为条状掩膜层，即，在掩膜层上形成多个条形槽，该条形槽裸露出衬底基板。
[0087]
由于电场的极性作用，当电流密度增加时，发光芯片本体的发光波长会发生蓝移现象，上述设置通过使氮化镓晶体沿着条形槽的延伸方向横向生长，有利于生成半极性的氮化镓晶体，进而改善了发光波长的蓝移现象，在微型发光二极管的变电流驱动下，能够保持发光波长的一致性，从而有利于提高微型发光二极管的发光性能。
[0088]
在一些实施例中，图案化的掩膜层也可以为其他形状，具体可以根据实际应用需求进行选择，本申请对此不作限定。
[0089]
s1023：在图案化的掩膜层上形成缓冲层111。
[0090]
首先，采用金属有机化合物化学气相沉积技术，在条形槽内生长氮化镓晶体，使得氮化镓晶体沿着条形槽的延伸方向生长。
[0091]
接着，当氮化镓晶体生长至与掩膜层的厚度相同时，继续生长氮化镓晶体，以使氮化镓晶体的厚度超过掩膜层的厚度，进而形成缓冲层111。
[0092]
具体的，缓冲层111的厚度介于1微米至6微米之间，缓冲层111的具体厚度可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
[0093]
s103：在缓冲层111上形成发光芯片本体10。
[0094]
首先，采用金属有机化合物化学气相沉积技术在缓冲层111上依次形成第二半导体层106、发光层105和第一半导体层104。其中，第二半导体层106朝向发光层105的一侧具
有裸露部分。
[0095]
接着，采用磁控溅射或热蒸发等技术，在第一半导体层104上形成一层电流扩散层103。
[0096]
然后，在第二半导体层106的裸露部分上形成第一电极101，在电流扩散层103上形成第二电极102。其中，第二半导体层106、发光层105、第一半导体层104、电流扩散层103、第一电极101以及第二电极102构成发光芯片本体10。
[0097]
s104：在发光芯片本体10以及缓冲层111的外侧形成一层保护层13，以得到待形成的微型发光二极管100。
[0098]
s105：在发光芯片本体10上形成光转换结构11。
[0099]
具体的，步骤s105包括以下步骤：
[0100]
步骤s1051：剥离衬底基板；
[0101]
步骤s1052：提供一临时基板，并将待形成的微型发光二极管100置于临时基板上。
[0102]
其中，上述临时基板的材料可以根据实际情况进行选择，本申请对此不作限定。
[0103]
步骤s1053：在缓冲层111上得到多个凹槽111a；
[0104]
具体的，采用刻蚀工艺对条状掩膜层进行刻蚀，以除去条状掩膜层，从而使得条状掩膜层所在位置形成条状凹槽111a。进而，在缓冲层111上得到多个凹槽111a。
[0105]
步骤s1054：形成光转换结构11。
[0106]
具体的，在凹槽111a内形成红色量子点和绿色量子点的混合物，以形成光转换单元112。其中，去除条状掩膜层后的缓冲层111和光转换单元112形成光转换结构11。
[0107]
其中，光转换单元112的形成方法可以为雾化喷涂法、刮涂法等，本申请对光转换单元112的形成方法不作具体限定。
[0108]
s106：在光转换结构11上形成阻隔结构层12。
[0109]
具体的，在光转换结构11上依次形成第二无机层123、有机层122和第一无机层121。其中，第二无机层123、有机层122和第一无机层121的形成方法可以参照现有技术中无机膜层和有机膜层的形成方法，在此不再赘述。
[0110]
由此便完成了本申请实施例中微型发光二极管100的制备方法。
[0111]
本申请实施例提供的微型发光二极管100通过将光转换单元112集成在发光芯片本体10上，具体的，通过在缓冲层111上设置多个凹槽111a，并将光转换单元112容置于凹槽111a内，进而缩短了发光芯片本体10与光转换单元112之间的距离，使得发光芯片本体10发出的光能够有效地被光转换单元112吸收，从而提高了发光芯片本体10的光能利用率，降低了光能的损耗。另外，本实施例中多个凹槽111a的设置有利于提高微型发光二极管出射光线的均一性，从而有利于提升微型发光二极管的发光性能。
[0112]
请参阅图2和图3，其中，图2为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；图3为本申请实施例提供的显示面板中微型发光二极管的结构示意图。
[0113]
本申请实施例提供一种显示面板200，其包括驱动基板20、多个微型发光二极管100和彩膜基板21。多个微型发光二极管100设置于驱动基板20上，并电性连接于驱动基板20。彩膜基板21设置于微型发光二极管100远离驱动基板20的一侧。其中，微型发光二极管100包括一发光芯片本体10和一光转换结构11。光转换结构11设置于发光芯片本体10的发光侧，并用于将发光芯片本体10发出的光转换成白光。光转换结构11包括缓冲层111和光转
换单元112。缓冲层111上设置有至少一凹槽111a。光转换单元112容置于凹槽111a内。
[0114]
由此，本申请实施例提供的显示面板200通过将光转换单元112集成在发光芯片本体10上，具体的，通过在缓冲层111上设置至少一凹槽111a，并将光转换单元112容置于凹槽111a内，进而缩短了发光芯片本体10与光转换单元112之间的距离，使得发光芯片本体10发出的光能够有效地被光转换单元112吸收，从而提高了发光芯片本体10的光能利用率，降低了显示面板的能耗。
[0115]
在现有技术中，当采用喷墨打印方式在彩膜基板上分别形成红色量子点和绿色量子点以实现颜色转换时，为了避免像素之间的串色，通常在相邻像素对应的量子点之间设置黑色遮光结构。然而，在上述设置中，采用喷墨打印技术形成量子点的成本较高，且工艺复杂。
[0116]
本实施例通过将光转换单元112集成在发光芯片本体10上，进而能够省去喷墨打印工艺，从而有利于节省工艺成本，并且降低了对设备的依赖性。另外，通过将光转换单元112集成的方式，省去了原有彩膜基板21上相邻像素对应的量子点之间的黑色遮光结构，从而进一步降低了工艺成本。
[0117]
需要说明的是，本申请实施例中微型发光二极管100的具体结构及各膜层材料可以参照前述实施例中微型发光二极管100的阐述，在此不再赘述。
[0118]
在本申请实施例中，显示面板200还包括一遮光单元22。遮光单元22设置于相邻的微型发光二极管100之间。具体的，遮光单元22远离驱动基板20的一侧与光转换结构11远离基板的一侧齐平。由此，本实施例使得相邻微型发光二极管100对应的光转换结构11之间与发光芯片本体10之间共用一遮光单元22，进而节约了工艺成本。
[0119]
在一些实施例中，遮光单元22远离驱动基板20的一侧与阻隔结构层12远离基板的一侧齐平。该设置可以最大程度防止相邻微型发光二极管100之间发生串色，能够避免发光芯片本体10光能的损耗，进而进一步提高了发光芯片本体10的光能利用率，从而提高了光转换单元112的发光效率。
[0120]
在本申请实施例中，彩膜基板21包括基底21a和设置在基底21a上的彩色滤光层21b。彩色滤光层21b位于基底21a靠近驱动基板20的一侧上。彩色滤光层21b包括相邻设置的红色滤光块211、绿色滤光块212以及蓝色滤光块213。此外，彩膜基板21还包括设置在红色滤光块211、绿色滤光块212以及蓝色滤光块213之间的黑色矩阵214。
[0121]
需要说明的是，本申请实施例中彩膜基板21及驱动基板20的结构仅为示意，用以方便描述本申请实施例，但并不能理解为对本申请的限制。
[0122]
另外，本申请实施例中驱动基板20的具体结构可以参照现有技术，在此不再赘述。
[0123]
本申请实施例提供的显示面板200通过将光转换单元112集成在发光芯片本体10上，具体的，通过在缓冲层111上设置至少一凹槽111a，并将光转换单元112容置于凹槽111a内，进而缩短了发光芯片本体10与光转换单元112之间的距离，使得发光芯片本体10发出的光能够有效地被光转换单元112吸收，从而提高了发光芯片本体10的光能利用率，降低了显示面板的能耗。此外，本实施例省去了喷墨打印技术，进而简化了工艺，节约了工艺成本。
[0124]
相较于现有技术中的微型发光二极管，本申请提供的微型发光二极管通过将光转换单元集成在发光芯片本体上，具体的，通过在缓冲层上设置至少一凹槽，并将光转换单元容置于凹槽内，进而缩短了发光芯片本体与光转换单元之间的距离，使得发光芯片本体发
出的光能够有效地被光转换单元吸收，从而提高了发光芯片本体的光能利用率，降低了光能的损耗，进而降低了产品的能耗。
[0125]
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。