用于毫米波通信的部件的制作方法

用于毫米波通信的部件


背景技术：

1.通信系统通常包括电磁信号在适当介质上的传输。一些常规系统包括铜布线上的电信号传递（signaling）或光纤上的光信号传递。
附图说明
2.通过结合附图的以下详细描述，将容易理解实施例。为了便于本描述，相似的参考标号指定相似的结构元件。在附图的图中，通过示例而不是通过限制示出了实施例。
3.图1示出了根据各种实施例的毫米波通信系统。
4.图2
‑
4是根据各种实施例的可以在通信系统中使用的示例波导束的截面图。
5.图5a
‑
5c是根据各种实施例的可以在通信系统中使用的示例电介质波导的截面图。
6.图6
‑
8是根据各种实施例的可以在通信系统中使用的示例电介质波导的截面图。
7.图9a
‑
9c是根据各种实施例的可以在通信系统中使用的示例波导束的截面图。
8.图10a
‑
10c是根据各种实施例的可以在通信系统中使用的示例波导束的截面图。
9.图11a
‑
11c是根据各种实施例的可以在通信系统中使用的示例电介质波导的截面图。
10.图12
‑
23是可以在通信系统中使用的波导束的示例部分的截面图。
11.图24
‑
27是根据各种实施例的可以在通信系统中使用的示例电介质波导的截面图。
12.图28a
‑
28b、29a
‑
29b、30、31a
‑
31b、32、33a
‑
33b和34
‑
35是根据各种实施例的可以在通信系统中使用的示例波导连接器复合体（complex）的截面图。
13.图36a
‑
36c是根据各种实施例的可以在通信系统中使用的示例衬底集成波导的截面图。
14.图37
‑
39是根据各种实施例的可以包括一个或多个衬底集成波导的示例微电子封装的截面图。
15.图40
‑
42是根据各种实施例的可以包括一个或多个传输线过渡（transition）的示例微电子封装的截面图。
16.图43是根据各种实施例的可以包括具有一个或多个短截线（stub）的传输线的微电子支撑件的截面图。
17.图44a
‑
44e是根据各种实施例的图43的微电子支撑件中的金属层的顶视图。
18.图45是根据各种实施例的可以包括具有一个或多个短截线的传输线的微电子支撑件的截面图。
19.图46a
‑
46e是根据各种实施例的图45的微电子支撑件中的金属层的顶视图。
20.图47是根据各种实施例的可以包括具有一个或多个短截线的传输线的微电子支撑件的截面图。
21.图48a
‑
48d是根据各种实施例的图47的微电子支撑件中的金属层的顶视图。
22.图49
‑
53是根据各种实施例的包括一个或多个短截线的传输线中的示例金属层的顶视图。
23.图54
‑
56是根据各种实施例的可以包括具有一个或多个短截线的传输线的示例微电子封装的截面图。
24.图57是根据各种实施例的包括一个或多个短截线的传输线中的示例金属层的顶视图。
25.图58a
‑
58b是根据各种实施例的传输线中的示例金属层的顶视图，所述传输线包括具有不同迹线宽度的部分。
26.图59
‑
62是根据各种实施例的可以包括传输线的示例微电子封装的截面图，所述传输线包括具有不同迹线宽度的部分。
27.图63是根据各种实施例的传输线中的示例金属层的顶视图，所述传输线包括具有不同迹线宽度的部分。
28.图64
‑
65是根据各种实施例的可以包括传输线的示例微电子封装的截面图，所述传输线包括具有不同迹线宽度的部分。
29.图66是根据本文公开的实施例中的任何实施例的可以包括在收发器或其它微电子部件（component）中的晶片和管芯的顶视图。
30.图67是根据本文公开的实施例中的任何实施例的可以包括在收发器或其它微电子部件中的微电子装置的侧视截面图。
31.图68是根据各种实施例的可以包括在通信系统中的微电子封装的侧视截面图。
32.图69是根据本文公开的实施例中的任何实施例的可以包括微电子封装和/或波导线缆的微电子组装件的侧视截面图。
33.图70是根据本文公开的实施例中的任何实施例的可以包括通信系统、微电子封装和/或波导线缆的示例计算装置的框图。
具体实施方式
34.本文公开的是用于毫米波通信的部件以及相关方法和系统。涉及大量数据的计算应用（例如深度学习、自主车辆管理以及虚拟和增强现实）对计算系统提出了空前的需求。现有的常规互连技术（例如基带铜线缆或光通信部件）可能不能够实现高数据速率通信的低延迟、低成本和低功率的目标。本文公开的部件（例如电介质波导、波导束、波导连接器和/或传输线结构）可以帮助以密集、低延迟、有功率效率的方式使能高数据速率毫米波通信。
35.在以下详细描述中，对形成本文中的一部分的附图进行参考，其中相似的标号通篇指定相似的部分，并且在附图中通过说明示出了可实践的实施例。要理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其它实施例，并且可以进行结构或逻辑改变。因此，以下详细描述不要以限制性意义被理解。
36.各种操作可以以最有助于理解所要求保护的主题的方式依次描述为多个分立的动作或操作。然而，描述的顺序不应该被解释为意味着这些操作必定是顺序依赖的。特别地，这些操作可以不以呈现的顺序执行。所描述的操作可以以与所描述的实施例不同的顺序来执行。在附加的实施例中，可以执行各种附加的操作，和/或可以省略所描述的操作。
37.为了本公开的目的，短语“a和/或b”意味着（a）、（b）或（a和b）。为了本公开的目的，短语“a、b和/或c”意味着（a）、（b）、（c）、（a和b）、（a和c）、（b和c）或（a、b和c）。短语“a或b”意味着（a）、（b）或（a和b）。附图不必按比例。尽管许多附图示出了具有平坦壁和直角拐角的直线结构，但这仅仅是为了易于说明，并且使用这些技术制造的实际装置将表现出圆角、表面粗糙度和其它特征。
38.本描述使用短语“在一实施例中”或“在实施例中”，其可以每个指相同或不同实施例中的一个或多个。此外，如相对于本公开的实施例所使用的，术语“包括（comprising）”、“包含（including）”、“具有（having）”等等是同义的。当用于描述尺寸的范围时，短语“在x和y之间”表示包括x和y的范围。为了方便起见，短语“图5”可以用于指图5a
‑
5c的附图的集合，短语“图9”可以用于指图9a
‑
9c的附图的集合等。
39.图1示出了根据各种实施例的毫米波通信系统100。图1的通信系统100的元件中的任何一个或多个元件可以包括本文公开的那些元件的新颖实施例。毫米波通信系统100可以包括一个或多个微电子封装102；图1中描绘了两个微电子封装102
‑
1和102
‑
2，但是这仅仅是说明性的，并且毫米波通信系统100可以包括一个微电子封装102或多于两个微电子封装102。微电子封装102可以包括微电子支撑件104和一个或多个微电子部件106；两个微电子部件106示出为被设置在图1中的微电子支撑件104中的每个微电子支撑件的相反面，但是这仅仅是说明性的，并且微电子封装102可以包括一个微电子部件106或布置在微电子支撑件104的任何一个或多个面上的多于两个微电子部件106。在一些实施例中，微电子部件106可以通过焊剂、金属到金属互连、引线接合（wirebonding）或另一适当的互连而耦合到在微电子支撑件104的面处的导电触点。
40.微电子封装102可以还包括可以与波导线缆118的线缆连接器114配合的封装连接器112。波导线缆118可以包括在线缆主体116的任一末端（end）处的线缆连接器114，并且可以允许微电子封装102
‑
1和微电子封装102
‑
2之间的毫米波通信。在一些实施例中，波导线缆118的总长度可以小于2米。在一些实施例中，波导线缆118的总长度可以小于20米（例如，在1米和20米之间、小于10米或小于5米）。微电子支撑件104可以包括在微电子部件106中的不同微电子部件之间和/或在微电子部件106与封装连接器112之间的一个或多个传输线120。微电子封装102可以还包括传输线120和封装连接器112之间的发射/滤波器结构110，其中发射/滤波器结构110提供期望的发射和滤波器功能性，如下面进一步讨论的。
41.微电子支撑件104中的传输线120可以包括一个或多个水平部分124和/或一个或多个竖直部分126。如本文所使用的，“水平部分”可以指传输线120的被限制到微电子支撑件中的特定金属层的部分，而“竖直部分”可以指传输线120的在多个金属层之间延伸的部分。如下面进一步详细讨论的，水平部分124可以包括一个或多个迹线（和通孔焊盘），而竖直部分126可以包括一个或多个通孔（和通孔焊盘）。包括至少一个水平部分124和至少一个竖直部分126的传输线120可以还包括水平部分124和竖直部分126之间的过渡122；图1中突出了一些示例过渡122。图1的微电子支撑件104中的传输线120的特定布置仅仅是说明性的，并且本文公开了传输线120的许多实施例。在一些实施例中，微电子支撑件104可以包括2个和30个之间的金属层。
42.微电子支撑件104可以包括电介质材料（例如，电介质材料182，如下面参考图36
‑
65所讨论的）和导电材料，其中导电材料布置在电介质材料中（例如，在迹线、通孔、通孔焊
盘和金属平面中，如下面所讨论的），以提供通过电介质材料的传输线120。在一些实施例中，电介质材料（例如，电介质材料182）可以包括有机材料，比如有机积聚膜。在一些实施例中，电介质材料可以包括例如陶瓷（例如，低温共烧陶瓷或高温共烧陶瓷）、在其中具有填充料颗粒的环氧树脂膜、玻璃、无机材料或有机和无机材料的组合。在一些实施例中，微电子支撑件104的导电材料可以包括金属（例如，铜）。在一些实施例中（例如，如下面参考图36
‑
65所讨论的），微电子支撑件104可以包括电介质材料/导电材料的层，其中一个金属层中的导电材料的迹线通过导电材料的通孔电耦合到相邻金属层中的导电材料的迹线。包括此类层的微电子支撑件104可以使用例如印刷电路板（pcb）制造技术形成。尽管在附图中的各种附图中示出了电介质材料/导电材料的层的特定数量和布置，但是这些特定数量和布置仅仅是说明性的，并且可以在微电子支撑件104中使用电介质材料/导电材料的任何期望数量和布置。在一些实施例中，微电子支撑件104可以包括封装衬底。在一些实施例中，微电子支撑件104可以包括中介层（interposer）。
43.图2
‑
4是根据各种实施例的可以在通信系统100中使用的示例波导束148的截面图；图2
‑
4中示出的电介质波导150的纵向轴线可以向页面的平面内和外延伸。图2
‑
4的波导束148可以包括在线缆主体116中和/或可以是传输线120的一部分。尽管图2
‑
4描绘了波导束148中特定数量的电介质波导150，但是波导束148可以包括任何期望数量的电介质波导150。例如，在一些实施例中，用于服务器互连应用的包括在线缆主体116中的波导束148可以包括波导束148中的高达16个电介质波导150（例如，5
‑
15个电介质波导150或8
‑
16个电介质波导150）；在其它实施例中，用于服务器互连应用的包括在线缆主体116中的波导束148可以包括多于16个电介质波导150。在另一示例中，在一些实施例中，用于背板互连应用的包括在线缆主体116中的波导束148可以包括波导束148中的高达72个电介质波导150；在其它实施例中，用于背板互连应用的包括在线缆主体116中的波导束148可以包括多于72个电介质波导150。在另一示例中，在一些实施例中，用于汽车通信应用的包括在线缆主体116中的波导束148可以包括波导束148中的两个电介质波导150；在其它实施例中，用于汽车通信应用的包括在线缆主体116中的波导束148可以包括多于两个电介质波导150。
44.在图2的波导束148中，一个或多个电介质波导150可以布置在簇中并且可以被线缆主体包装（wrapper）128包围。线缆主体包装128可以将电介质波导150维持在一起并且可以向波导束148提供机械保护、热保护和/或电磁保护。线缆主体包装128可以包括任何适合的材料（例如聚对苯二甲酸乙二醇酯（pet））、其它塑料材料和/或金属箔（例如铜、铝和/或双轴线取向的聚对苯二甲酸乙二醇酯箔）。在图3的波导束148中，多个电介质波导150可以沿金属平面146（例如，由波导线缆118中的金属箔薄片或者由微电子支撑件104中的金属平面提供）布置。图3的波导束148可以也被线缆主体包装128（未示出）包围。图3的波导束148可以被称为接地电介质波导束。在图4的波导束148中，多个电介质波导150可以布置在两个金属平面146（例如，由波导线缆118中的金属箔薄片或者由微电子支撑件104中的金属平面提供）之间。图4的波导束148可以也被线缆主体包装128（未示出）包围。图4的波导束148可以被称为非辐射电介质波导束。图2
‑
4的波导束148可以包括本文公开的电介质波导150中的任何电介质波导。
45.图5
‑
27示出可以在毫米波通信系统100中使用的示例电介质波导150和波导束148（例如，包括在线缆主体116和/或传输线120的一部分中）。图5的许多元件与图6
‑
27共享；为
了易于讨论，不重复这些元件的描述，并且这些元件可以采取本文公开的实施例中的任何实施例的形式。本文公开的电介质波导150和波导束148可以在带宽密度和传输距离方面提供优于基带铜线缆的显著优点，而不招致由光互连链路所要求的光部件的复杂和昂贵的集成。
46.如下面所讨论的，电介质波导150可以包括覆层（cladding）材料130。在一些实施例中，覆层材料130可以不包括金属，电介质波导150也可以不具有另一金属涂层（coating）。利用金属覆层或涂层可以有利地消除相邻电介质波导150之间的串扰和能量泄漏，从而允许带宽密度的增加，因为电介质波导150可以被密集地捆绑在波导束148中（例如，在波导线缆118中）。然而，金属覆层或涂层可以通过以下而连累（compromise）在毫米波频率的通信：当频率按比例增大超过60千兆赫时引入越来越大的信号衰减、引入大的群时延（group delay）色散（其在时间上扩展所传送的符号并且引起必须通过高度复杂和昂贵的均衡/色散补偿方案来克服的符号间干扰（isi））和/或由于金属覆层或涂层中的不完美（由于包裹（wrapping）其截面随着增加的频率而减小的电介质波导150的困难而引起）而降低信号完整性。本文公开的不包括金属覆层或涂层的电介质波导150和波导束148可以克服由缺少此类金属覆层或涂层而引起的挑战中的一个或多个挑战（例如，实现足够的带宽密度并且减少串扰），以实现可以以高数据速率（例如，超过100千兆位每秒）支持毫米波通信的密集、低延迟、低重量、有功率效率的互连。
47.图5a
‑
5c是根据各种实施例的可以在毫米波通信系统100中使用的示例电介质波导150的截面图。特别地，图5a是沿电介质波导150的纵向轴线的侧视截面图，图5b是图5a的电介质波导150在区段（section）b
‑
b的截面图，并且图5c是图5a的电介质波导150在区段c
‑
c的截面图。图5的电介质波导150可以包括在其中具有开口（opening）134的芯材料132，其中开口134在纵向方向上延伸，如示出的。覆层材料130可以包裹（wrap around）芯材料132。覆层材料130可以具有小于芯材料132的电介质常数的电介质常数。芯材料132中的开口134可以填充有具有小于芯材料132的电介质常数的电介质常数的另一材料或空气。在一些实施例中，芯材料132可以具有大于2的电介质常数，而覆层材料130可以具有小于2的电介质常数。在一些实施例中，芯材料132可以包括聚四氟乙烯（ptfe）、另一含氟聚合物、低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、另一塑料、陶瓷（例如，氧化铝）、环烯烃聚合物（cop）、环烯烃共聚物（coc）或其任何组合。在一些实施例中，芯材料132可以包括具有小于10的电介质常数（例如，小于4的电介质常数）的塑料材料。在其中芯材料132包括陶瓷的一些实施例中，所使用的陶瓷的电介质常数可以小于10；此类实施例在数据中心应用中可以是特别有利的。在其中芯材料132包括陶瓷的其它实施例中，所使用的陶瓷的电介质常数可以在10和50之间；此类实施例在非常小和/或更短的电介质波导150中可以是特别有利的。在一些实施例中，覆层材料130可以包括电介质材料，比如电介质泡沫（例如，具有1.05与1.8之间的电介质常数的泡沫）、上面参考芯材料132所讨论的材料中的任何材料或任何其它适合的电介质材料。
48.图5的电介质波导150可以包括具有不同直径的开口134的区段。例如，图5a示出了具有两个区段的电介质波导150：区段136a以及区段136b，在区段136a中开口134具有更小直径，在区段136b中开口134具有更大直径。图5中的两个不同区段136的描绘仅仅是说明性的，并且电介质波导150可以具有多于两个区段136，其具有直径与相邻区段136的直径不同的开口134。例如，电介质波导150可以包括区段136a，随后是区段136b，随后是另一区段
136a。可以选择电介质波导150中区段136的布置和区段136的相对长度，以实现电介质波导150的期望性能。
49.图5的电介质波导150（以及本文公开的电介质波导150中的其它电介质波导）的尺寸可以采取任何适合的值。例如，在一些实施例中，电介质波导150的外径138可以在1毫米与10毫米之间。在一些特定实施例中，电介质波导150的外径138可以在1.5毫米和3毫米之间；此类实施例在数据中心应用中可能是特别有利的。在一些实施例中，芯材料132的外径142可以小于3毫米（例如，在0.3毫米和3毫米之间，或小于2毫米）。在一些特定实施例中，芯材料132的外径142可在1毫米与2毫米之间；此类实施例在数据中心应用中可能是特别有利的。在一些实施例中，芯材料132的厚度145可以在0.15毫米和1.5毫米之间。在一些实施例中，开口134的外径140可在0毫米（例如，在其中不存在开口134的区段136中）与2毫米之间。在一些实施例中，开口134的外径140可以在0.2毫米和0.5毫米之间；此类实施例在数据中心应用中可能是特别有利的。在一些实施例中，覆层材料130的厚度144可以在1毫米与5毫米之间。
50.在图5的电介质波导150中，从区段136a到区段136b的过渡是开口134的直径的阶梯式增加。在一些实施例中，在区段136a与区段136b之间可以存在间隙；在一些实施例中，此间隙可以具有高达1毫米的宽度，同时仍然允许足够的波传播。在其它实施例中，在具有开口134（其具有不同直径）的区段136之间的过渡可更平滑。例如，图6是在区段136a和136b之间包括锥形过渡区段136c的电介质波导150的侧视截面图。图6
‑
8与图5a共享透视图。在过渡区段136c中，开口134在区段136a与136c之间的接口（interface）处的直径可以匹配开口134在区段136a中的直径，并且直径可沿区段136c的纵向长度线性地增加，直到它到达区段136c与136b之间的接口，它在所述接口处可以匹配开口134在区段136b中的直径。在一些实施例中，过渡区段136c可以具有小于10毫米的长度。在一些实施例中，如上面所讨论的，在区段136a和区段136c之间和/或在区段136b和区段136c之间可以存在间隙。
51.在一些实施例中，具有开口134的不同直径140的不同区段136可以不是相异的；而是，开口134的直径140可以在电介质波导150的纵向长度上平滑地变化。图7是此类电介质波导150的侧视截面图。利用具有开口134（其具有平滑地变化的直径140）的芯材料132可以减少任何不期望的幅度影响（该影响可能由不同区段136之间的非平滑过渡引起），但是可能更难以制造。
52.在图5
‑
7的实施例中，电介质波导150的外径138在电介质波导150的长度上保持恒定。类似地，电介质波导150的芯材料132的外径142保持恒定。在其中外径138在电介质波导150的长度上恒定的实施例中，可以使能容易的组装件，并且可以消除或最小化附加匹配过渡的使用。然而，在其它实施例中，外径138和/或外径142可以在电介质波导150的长度上变化。例如，图8示出了其中电介质波导150的外径138在区段136的不同区段中不同的实施例。类似地，电介质波导150的芯材料132的外径142在区段136的不同区段中不同。更一般地，在一些实施例中，覆层材料130的厚度144可以在电介质波导150的长度上保持恒定（例如，如图5
‑
8中示出的），而在其它实施例中，覆层材料130的厚度144在电介质波导150的长度上可以不保持恒定。类似地，在一些实施例中，芯材料132的厚度145可以在电介质波导150的长度上保持恒定（例如，如图8中示出的），而在其它实施例中，芯材料132的厚度145在电介质波导150的长度上可以不保持恒定（例如，如图5
‑
7中示出的）。
53.图5
‑
7的电介质波导150（以及本文公开的其它电介质波导150和波导束148）可以使用任何适合的技术来制造。例如，在一些实施例中，挤出头可以用于挤出具有期望开口134的芯材料132；在其中直径140在电介质波导的长度上平滑地变化的实施例（例如，如上面参考图7所讨论的）中，可以控制挤出头以调节开口134的直径140，或者不同的区段136可以被单独挤出，并且接着使用热熔合进行组装或者通过来自覆层材料130的压力被简单地维持在一起。可以通过使用采用适合聚合物的热收缩管技术、通过螺旋包裹或使用另一技术来应用覆层材料130。覆层材料130的公共部分可以被应用到整个电介质波导150，或者单独应用到不同的区段136。
54.具有变化直径的开口134的电介质波导150可以还被利用在接地电介质波导束148（像图3的那些）中和在非辐射电介质波导束148（像图4的那些）中。例如，图9和10分别示出了接地电介质波导束148和非辐射电介质波导束148，其具有沿波导束148中电介质波导150的纵向长度的变化直径的开口134。特别地，图9a和10a是沿电介质波导150的纵向轴线的侧视截面图，图9b和10b分别是图9a和10a的电介质波导150在区段b
‑
b的截面图，并且图9c和10c分别是图9a和10a的电介质波导150在区段c
‑
c的截面图。
55.在图9的波导束148中，芯材料132的底面可以与金属平面146接触，并且覆层材料130可以存在于芯材料132的顶面和侧面，如示出的。在图10的波导束148中，芯材料132的底面和顶面可以与金属平面146接触，如示出的，并且覆层材料130可以存在于芯材料132的侧面。根据本文公开的实施例中的任何实施例，图9和10中波导束148的电介质波导150的芯材料132中的开口134可以沿电介质波导150的纵向长度具有不同直径（例如，间隙、线性过渡、平滑变化的直径等）。
56.图9和10中波导束148的尺寸可以采取任何适合的值。例如，在一些实施例中，接地电介质波导束148（像图9的那个）的高度154可以在0.5毫米和5毫米之间。在一些实施例中，在芯材料132上方的覆层材料130的厚度156可以在1毫米和3毫米之间。在一些实施例中，非辐射电介质波导束148（像图10的那个）的高度158可以在0.5毫米和3毫米之间。在一些实施例中，金属平面146的厚度152可以在0.002毫米和1毫米之间。在一些实施例中，接地电介质波导束（像图9的那个）或非辐射电介质波导束148（像图10的那个）中芯材料132的高度166可以在0.2毫米和2毫米之间。在一些实施例中，接地电介质波导束148（像图9的那个）或非辐射电介质波导束148（像图10的那个）中芯材料132的宽度164可以在0.2毫米和2毫米之间。
57.图5
‑
10的电介质波导150和波导束148可以具有优于常规电介质波导和波导束的显著优点。常规电介质波导可能表现出不期望的色散，在该色散中群时延在频率范围上不是恒定的，而是根据频率而改变，从而导致isi。处理此类色散的常规方法包括使用（例如，使用混合信号电路或在数字域中实现的）有限脉冲响应滤波器的复（complex）基带均衡器或预失真器、基于希尔伯特变换的信号传递方案和/或模拟色散补偿电路（例如，在毫米波、基带或中频实现的）。这些方法在电路复杂性、硅面积、噪声、功耗、由非理想希尔伯特变换引起的寄生响应、插入损耗和/或电路响应的有限实时可调整性方面招致显著的成本。图5
‑
10的电介质波导150和波导束148可以通过实现总体补偿色散来补救常规电介质波导的不期望的色散特性。特别地，具有开口134（其具有更小直径140）的区段136a可以表现出“异常”色散，在该色散中群时延随频率而减小，而具有开口134（其具有更大直径140）的区段
136b可以表现出“正常”色散，在该色散中群时延随频率而增加；在单个电介质波导150/波导束148中包括异常色散区段136a和异常色散区段136b可以导致电介质波导150/波导束148具有很少至无的色散（即，具有根据频率更恒定的群时延），从而改进信号传递保真度并且减少对昂贵的补偿电路的需要。实现期望色散所要求的电介质波导150中不同区段136的特定比例可以取决于区段136的几何形状、操作频率和所使用的特定材料；然后，所述特定比例可以根据这些变量确定。
58.在一些实施例中，吸收体材料可以沿电介质波导150的部分存在于覆层材料130周围。吸收体材料160可以包括基于不良导体和/或诸如铁氧体的损耗磁性材料的小损耗颗粒或纤维。在一些实施例中，吸收体材料160可以是基于聚合物复合材料的吸收涂料或其它材料，所述聚合物复合材料具有可以包括碳颗粒、纤维和/或纳米管的填充料（例如，混合有聚氨酯的碳纳米管粉末），或具有铁氧体粉末（例如，混合有非导电环氧树脂的铁氧体粉末）。例如，图11a
‑
11c是包括区段的示例电介质波导150的截面图，所述区段具有吸收体材料160。特别地，图11a是沿电介质波导150的纵向轴线的侧视截面图，图11b是图11a的电介质波导150在区段b
‑
b的截面图，并且图11c是图11a的电介质波导150在区段c
‑
c的截面图。图11的实施例示出了三个不同的区段136：区段136b，其中在芯材料132中不存在开口134，并且其中吸收体材料160存在于覆层材料130周围；区段136a，其中在芯材料132中存在开口134，并且其中没有吸收体材料160存在于覆层材料130周围；以及过渡区段136c，其中芯材料132的外径从区段136a中的外径线性地过渡到区段136b，开口134从区段136b中的无开口线性地过渡到区段136a中开口134的直径，其中没有吸收体材料160存在于覆层材料130周围。在一些实施例中，过渡区段136c可以具有1毫米和50毫米之间的长度162。在其它实施例中，开口134的存在或不存在可以平滑地发生（例如，如上面参考图7所讨论的）。在一些实施例中，开口134可以存在于区段136b中，但该开口134的直径可以小于区段136a中开口134的直径。在一些实施例中，吸收体材料160可以延伸到区段136c的覆层材料130上。在一些实施例中，吸收体材料160的厚度可以在0.1毫米和2毫米之间。
59.在一些实施例中，图11中电介质波导150的区段136b可以是单模波导，而图11中电介质波导150的区段136a可以是多模波导。如本文所使用的，“单模”波导可以是其中仅沿芯材料132主要引导信号的基本模（mode）的波导；对于具有90度旋转对称的任何截面，例如正方形和圆形波导，这个基本模可以在具有等同传播特性的两个正交偏振中存在。“多模”波导可以是其中沿芯材料132引导基本模和更高阶模的波导；这些更高阶模可能由于沿链路的不完美而被激励。在图11的电介质波导150中，单模区段136b可以表现出正常色散（其中群时延随频率增加），而多模区段136a可以表现出异常色散（其中群时延随频率减小）。图11的电介质波导150可以还通过使正常色散单模区段136b与异常色散多模区段136a交替来实现色散补偿，如上面参考图5
‑
10所讨论的。进一步地，单模区段136b上的吸收体材料160可以吸收在多模区段136a中引起的更高阶模，并且因此单模区段136b可以用作模滤波器以消除此类更高阶模并且因此减少可能损害信号传递的模间色散。不期望的更高阶模可能在图5
‑
10的波导束148和电介质波导150中引起并沿它们传播，并且此类更高阶模可以在连接器112/114和/或发射滤波器结构110中被滤除。
60.电介质波导150（像图11的那个）可以使用上面参考图5
‑
10讨论的技术来制造。在一些实施例中，单模区段136b和多模区段136a可以被独立地挤出，并且可以使用具有与区
段136a和136b中芯材料132的电介质常数类似的电介质常数的适合聚合物来3
‑
d印刷或模制过渡区段136c；然后，这些独立区段136可以被加热并熔合在一起。在其它实施例中，过渡区段136c的锥形形状可以在挤出期间实现，如上面参考图5
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10所讨论的。在一些实施例中，可以通过首先形成多模区段136a，并且然后将热和压力应用到多模区段136a中的一些或全部以将多模区段136a塌缩成单模区段136b来形成单模区段136b。吸收体材料160可以使用本文相对于覆层材料130所讨论的技术中的任何技术来应用，或者可以作为涂漆材料来应用。
61.在一些实施例中，波导束148可以包括具有不同结构的电介质波导150，所述不同结构的相位失配通过防止相邻电介质波导150中的电磁模完全交换能量来减少串扰。特别地，相邻电介质波导150在感兴趣频率范围中具有由此类不同结构引起的不同相位常数（也称为传播常数）可导致相位失配状态之间的不完全光子过渡；由于在此类相邻电介质波导150中电磁模的扰动没有建设性地增加（add），因此可以减少串扰。因此，结合了此类相位失配的电介质波导150的波导束148与以常规方式能实现的相比可以隔得更近（be spaced closer together）同时将串扰保持到可管理的级别。以此类方式利用具有不同结构的此类电介质波导150可以使每个电介质波导150中的数据在不同时间到达接收器；然而，这种效应可能仅是弱频率相关的除非电介质波导150大大不同，并且可以在接收器或传送器处被容易地补偿。例如，均衡器电路（例如，包括在微电子部件106中的毫米波收发器中的）可以在数字域中（例如，使用去歪斜（de
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skewing）缓冲器）或作为混合信号电路（例如，通过向一些通道添加附加模拟延迟）执行此校正。可以备选地或附加地使用模拟电路，例如感性/容性延迟线或全通滤波器（例如，包括在微电子部件106中和/或在微电子支撑件104中的），来在射频（rf）前端中的各种级处实现此类校正。
62.图12
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23示出了波导束148的示例，在所述示例中相邻电介质波导150具有不同的结构。本文参考图12
‑
23中的任何图讨论的特征中的任何特征可以与任何其它特征组合以形成波导束148。例如，如下面进一步讨论的，图12示出了其中相邻电介质波导150具有有不同直径140的开口134的实施例，并且图13示出了其中相邻电介质波导150具有有不同电介质常数的芯材料132的实施例。图12和13的这些特征可以组合，使得根据本公开波导束148具有相邻电介质波导150，其具有有不同直径140的开口134并且具有有不同电介质常数的芯材料132。此特定组合仅仅是示例，并且可以使用任何组合。进一步地，包括具有不同结构的电介质波导150的波导束148（如下面参考图12
‑
23所讨论的）在适当时可以包括具有上面参考图5
‑
11所讨论的结构中的任何结构的电介质波导150。
63.图12示出了其中相邻电介质波导150具有有不同直径140的开口134的波导束148。具有有不同直径140的开口134的电介质波导150可以跨波导束148交替（例如，其中具有有直径140
‑
1的开口134的电介质波导150与具有有直径140
‑
2的开口134的电介质波导150交替，如示出的），但是更一般地，波导束148中电介质波导150的直径140可以以任何期望的模式（pattern）变化。
64.图13示出了其中相邻电介质波导150具有有不同电介质常数（例如，由于不同的材料成分）的芯材料132的波导束148。具有不同芯材料132的电介质波导150可以跨波导束148交替（例如，其中具有芯材料132
‑
1的电介质波导150与具有不同芯材料132
‑
2的电介质波导150交替，如示出的），但是更一般地，波导束148中电介质波导150的芯材料132的材料成分
可以以任何期望的模式变化。
65.图14示出了其中相邻电介质波导150具有有不同电介质常数（例如，由于不同的材料成分）的覆层材料130的波导束148。具有不同覆层材料130的电介质波导150可以跨波导束148交替（例如，其中具有覆层材料130
‑
1的电介质波导150与具有不同覆层材料130
‑
2的电介质波导150交替，如示出的），更一般地，波导束148中电介质波导150的覆层材料130的材料成分可以以任何期望的模式变化。
66.图15示出了其中相邻电介质波导150具有有不同直径142的芯材料132的波导束148。具有有不同直径142的芯材料132的电介质波导150可以跨波导束148交替（例如，其中具有有直径142
‑
1的芯材料132的电介质波导150与具有有直径142
‑
2的芯材料132的电介质波导150交替，如示出的），但是更一般地，波导束148中电介质波导150的芯材料132的直径142可以以任何期望的模式变化。
67.包括具有不同结构的相邻电介质波导150的波导束148可以也被利用在接地电介质波导束148（像图3的那些）中和在非辐射电介质波导束148（像图4的那些）中。例如，图16和17分别示出了接地电介质波导束148和非辐射电介质波导束148，其包括具有不同直径140的开口134的相邻电介质波导150，如上面参考图12所讨论的。图18和19分别示出了接地电介质波导束148和非辐射电介质波导束148，其包括具有有不同电介质常数（例如，由于不同的材料成分）的芯材料132的相邻电介质波导150，如上面参考图13所讨论的。图20和21分别示出了接地电介质波导束148和非辐射电介质波导束148，其包括具有有不同电介质常数（例如，由于不同的材料成分）的覆层材料130的相邻电介质波导150，如上面参考图14所讨论的。图22和23分别示出了接地电介质波导束148和非辐射电介质波导束148，其包括具有有不同宽度164的芯材料132的相邻电介质波导150，如上面参考图15的不同直径140所讨论的。尽管图12
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23描绘了一维阵列的电介质波导150，但是这仅仅是为了易于说明，并且本文所公开的波导束148在期望时可以包括二维阵列的电介质波导150。
68.尽管在附图中将本文公开的电介质波导150和波导束148的各种元件描绘为具有特定形状，但是这些形状仅仅是说明性的，并且可以使用任何适合的形状。例如，芯材料132中的开口134可以具有任何期望的截面形状（例如，圆形、椭圆形、正方形、矩形、三角形等）。芯材料132可以具有任何期望的截面形状（例如，圆形、椭圆形、正方形、矩形、三角形等）。在波导束（像图2的那个）中，覆层材料130可以具有任何期望的截面形状（例如，圆形、椭圆形、正方形、矩形、三角形等）。电介质波导150中各种元件的截面的形状不需要全部相同；例如，芯材料132可以具有矩形截面，而覆层材料130可以具有圆形截面。图24和25示出了其中开口134、芯材料132和覆层材料130具有各种形状的示例电介质波导150；在图24中，开口134具有椭圆形截面，芯材料132具有基本上矩形截面，并且覆层材料130具有基本上正方形截面，而在图25中，开口134具有圆形截面，芯材料132具有圆形截面，并且覆层材料130具有圆形截面。此外，本文公开的电介质波导150和波导束148可以包括各种元件中的多于一个元件。例如，图26和27示出了其中芯材料132包括多个开口134（即，图26中的两个椭圆形开口134和图27中的四个圆形开口134）的实施例。本文公开的电介质波导150中的任何电介质波导可以包括在芯材料132中的多个开口134。具有90度旋转对称的电介质波导150可以对于水平偏振模式（mode）和竖直偏振模式具有等同响应；偏振复用可以用于将所支持的数据速率加倍。进一步地，偏振相关的波导结构可以与本文公开的电介质波导150和/或波导束148
中的任何电介质波导和/或波导束一起使用。
69.如上面所讨论的，本文公开的电介质波导150/波导束148中的任何电介质波导/波导束可以包括在波导线缆118中。特别地，电介质波导150/波导束148可以包括在线缆主体116中并且在耦合到封装连接器112的任一末端具有线缆连接器114。在一些实施例中，为了实现补偿的模内群时延色散的益处，本文公开的电介质波导150/波导束148可能易受不期望的更高阶模（其与信号传递模相比以不同速度行进）的寄生激励的影响，从而潜在地导致由模间色散引起的isi。线缆连接器114/封装连接器112可以设计成衰减沿线缆主体116引起的这些更高阶模，从而允许减少色散的电介质波导150（例如，图5
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11的电介质波导150中的任何电介质波导）被包括在线缆主体116中，并且通过连接器复合体114/112的结构处置由此类减少色散的电介质波导150引起的isi。
70.图28a
‑
28b、29a
‑
29b、30、31a
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31b、32、33a
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33b和34
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35是根据各种实施例的可以在毫米波通信系统100中使用的示例波导连接器复合体的截面图。尽管图28
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35中复合体的特定部分被标识为封装连接器112和线缆连接器114，但是这些连接器的角色可以颠倒（即，被标识为线缆连接器114的结构可以被用作封装连接器112，并且反之亦然）。在图28
‑
35中，所示出的波导连接器复合体包括要与封装连接器112配合的线缆连接器114（在波导线缆118的线缆主体116的末端处）。封装连接器112被示出在微电子支撑件104上，其中芯材料132耦合到微电子支撑件104的表面与微电子部件106（例如，毫米波收发器）之间的传输线120。未示出可以被包括在微电子支撑件104中在封装连接器112和传输线120之间的发射/滤波器结构110。微电子部件106被描绘为通过焊剂168耦合到微电子支撑件104，但是这仅仅是说明性的，并且可以使用任何类型的互连（例如，金属到金属互连）。进一步地，尽管图28
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35描绘了线缆主体116中的单个电介质波导（以及因此用于通信的单个“通道”），但是这仅仅是为了易于说明，并且线缆连接器114/封装连接器112可以包括用于多通道通信的多个波导（例如，如上面参考波导束148所讨论的）。
71.在图28a和28b中（以及在图29
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35中），示出了线缆主体116的通向线缆连接器114的一小部分；此线缆主体116的结构仅仅是说明性的，并且线缆主体116可以采取本文公开的电介质波导150中的任何电介质波导的形式。线缆连接器114仅仅是线缆主体116的末端，并且容纳在封装连接器112的凹陷中。封装连接器112包括芯材料132（其可以是包括在线缆主体116中的相同芯材料132，或者是不同的芯材料132），所述芯材料具有扩口部分（flared portion）228，从而朝向封装连接器112和线缆连接器114之间的接口增加直径，如示出的。使芯材料132的直径从线缆主体116到封装连接器112的芯材料132变窄可以使更高阶模相对于基本信号传递模的衰减更快地衰减，从而有效地将更高阶模滤波并且减少模间色散。此类实施例可以支持高操作带宽，并且与直接过渡到传输线中相比可以对制造变化更不敏感。覆层材料130可以包围封装连接器112的芯材料132；此覆层材料130可以是包括在线缆主体116中的相同覆层材料130，或者是不同的覆层材料130。在一些实施例中，封装连接器112中芯材料132的长度可以在5毫米和50毫米之间。
72.吸收体材料160可以设置在封装连接器112的覆层材料130的一部分周围，并且可以与芯材料132的扩口部分228和与微电子支撑件104横向间隔开，如示出的。吸收体材料160可以采取本文公开的实施例中的任何实施例的形式，并且可以吸收沿波导线缆118传播的不期望的更高阶模的能量，在这些更高阶模到达微电子支撑件104之前将其滤除，而不将
更高阶模反射回到波导线缆118中。连接器主体170可以包裹覆层材料130和吸收体材料160，其中覆层材料130和芯材料132的暴露表面从连接器主体170的末端凹进，以为线缆连接器114提供插口。在一些实施例中，连接器主体170可以由塑料材料形成。图28a示出了其中封装连接器112和线缆连接器114之间的接口平行于封装连接器112和微电子支撑件104之间的接口的实施例，而图28b示出了其中封装连接器112的芯材料132、覆层材料130和吸收体材料160被弯曲使得封装连接器112和线缆连接器114之间的接口相对于封装连接器112和微电子支撑件104之间的接口旋转90度的实施例。封装连接器112的芯材料132、覆层材料130和吸收体材料160可以以任何期望的方式被弯曲，以在封装连接器112和线缆连接器之间的接口与封装连接器112和微电子支撑件104之间的接口之间实现期望的相对角度。弯曲的线缆连接器114和/或封装连接器112在例如服务器机架互连中可能是有利的，并且可以给更高阶模到吸收体材料160中的增加的辐射提供改进的连接器性能（因为它们被更弱地限制）。
73.图29a和29b分别示出了与图28a和28b的波导连接器复合体共享许多特征的波导连接器复合体，但是其中扩口部分228是线缆连接器114的芯材料132的一部分，而不是封装连接器112的芯材料132的一部分。在图29的实施例中，封装连接器112的芯材料132的扩口部分228可以延伸超过线缆主体116的覆层材料130。在封装连接器112中，覆层材料130可以从连接器主体170的末端凹进，并且芯材料132可以从覆层材料130的末端凹进，如示出的。
74.附图中示出的波导连接器复合体的特定实施例可以允许许多变型。例如，图30示出了与图29a的那个类似的波导连接器复合体，但是其中线缆连接器114包括连接器主体170，并且吸收体材料160是线缆连接器114而不是封装连接器112的一部分。封装连接器112的芯材料132和覆层材料130从封装连接器112的连接器主体170凹进，以容纳线缆连接器114的芯材料132和覆层材料130（其延伸超出线缆连接器114的连接器主体170）。图31a示出了与图30的那个类似的波导连接器复合体，但是其中吸收体材料160被包括在线缆连接器114和封装连接器112二者中。图31b示出了与图31a的那个类似的波导连接器复合体，但是其中封装连接器112的芯材料132和覆层材料130延伸超出封装连接器112的连接器主体170，以便与波导线缆118中的插口配合，所述插口由从线缆连接器114的连接器主体170凹进的覆层材料130和芯材料132形成。本文所公开的波导连接器复合体中的任何波导连接器复合体可以包括此类变型。
75.在一些实施例中，芯材料132在线缆连接器114和封装连接器112之间的接口处的末端可以成角度（例如，以30度和60度之间的角度）。例如，图32示出了与图29a的那个类似的波导连接器复合体，但是其中封装连接器112和线缆连接器114的芯材料132的末端具有互补的倾斜芯切口（例如，相对于微电子支撑件104的与封装连接器112耦合的表面）。当线缆连接器114的芯材料132与封装连接器112的芯材料132相比具有不同的电介质常数时，芯材料132的此类成角度的末端可以是有利的。本文所公开的波导连接器复合体中的任何波导连接器复合体可以包括成角度的芯材料132。
76.在一些实施例中，波导连接器复合体可以包括在封装连接器112中芯材料132周围的金属层。图33a和33b示出了包括此类金属结构176的波导连接器复合体。金属结构176可以设置在封装连接器112的芯材料132和连接器主体170之间，并且可以具有扩口部分230，如示出的。扩口部分230可以为信号传递模减少反射以改进信号完整性；在不存在扩口部分
230的情况下，线缆连接器114和封装连接器112之间的过渡可能是突然的，从而反射大部分信号并且在封装连接器112内部潜在地引起驻波。在有或没有扩口部分230的情况下更高阶模可以被反射；这对于减少模间色散可能是期望的。在一些实施例中，扩口部分230可以具有在感兴趣频率的波长与五倍感兴趣频率的波长之间的长度174。图33a和33b的波导连接器复合体包括成角度的芯材料132，但情况不一定如此。
77.在图33a的实施例中，线缆连接器114的芯材料132的直径可以与封装连接器112的芯材料132的直径相同，并且因此可以不存在扩口部分。在图33b的实施例中，线缆连接器114的芯材料132的直径大于封装连接器112的芯材料132的直径，并且因此扩口部分228存在于线缆连接器114（或封装连接器112）中以匹配封装连接器112的芯材料132的直径。包括具有扩口部分230的金属结构176的波导连接器复合体可以引入异常色散，并且因此可以用于补偿可能在线缆主体116中引起的正常色散。进一步地，由图33a和33b的封装连接器112引入的异常色散可以是大的，从而允许在相当小的封装连接器112中补偿由线缆主体116引起的适量的正常色散。
78.图34和35示出了图33a和33b的实施例的示例变型。图34示出了其中线缆连接器114的覆层材料130是锥形的以匹配封装连接器112的金属结构176的扩口部分230的实施例。图34示出了其中线缆连接器114还包括金属结构176和连接器主体170的实施例。本文所公开的波导连接器复合体中的任何波导连接器复合体可以包括此类变型。
79.在一些实施例中，作为对本文公开的其它色散补偿结构的附加或替代，包括在微电子支撑件104中的发射/滤波器结构110可以包括一个或多个衬底集成波导以提供色散补偿。图36示出了衬底集成波导178；图36a是透视图，图36b是通过图36a的区段b
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b的侧视截面图，并且图36c是通过图36a的区段c
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c的侧视截面图。衬底集成波导178可以包括两个金属板184，所述两个金属板由金属柱186通过其间的电介质材料182耦合。在一些实施例中，金属板184可以由微电子支撑件104的金属层中的金属平面提供，而金属柱186可以由金属平面之间的通孔提供。衬底集成波导178可以具有异常色散，并且因此可以用于补偿电介质波导150/波导束148中的正常色散。
80.衬底集成波导178可以布置在微电子支撑件104中并且以许多方式中的任何方式布置。例如，图37示出了微电子支撑件104，其包括耦合在贴片发射器180（其可以是发射/滤波器结构110的一部分）和到微电子部件106的传输线120之间的衬底集成波导178。贴片发射器180可以通信地耦合到封装连接器112，并且衬底集成波导178可以经由贴片发射器180下方的缝隙188被缝隙耦合到贴片发射器180。
81.图38示出了包括多个衬底集成波导178的微电子支撑件104。这些衬底集成波导178可以耦合在多路复用器190和不同的传输线120（其可以通向一个微电子部件106，如示出的，或者在期望时通向多个微电子部件106）之间。贴片发射器180可以通信地耦合到封装连接器112，并且多路复用器190可以耦合在贴片发射器180与衬底集成波导178之间。多路复用器190可以分离不同的频带，并且将那些频带引导到衬底集成波导178中的不同衬底集成波导用于色散补偿。在一些实施例中，多路复用器190可以是双工器或者n路复用器（其中n等于三或更大）。
82.图39示出了与图38的那个类似的实施例，但是其中微电子支撑件104包括第一部分104a和第二部分104b。第一部分104a可以是例如封装衬底，而第二部分104b可以是例如
基于硅的中介层、基于另一半导体的中介层或另一中介层（例如，包括有机材料、陶瓷材料、玻璃材料等的中介层）。在图39的实施例中，封装连接器112、贴片发射器180、多路复用器190和衬底集成波导178包括在第二部分104b中，而微电子部件106耦合到第一部分104a。第一部分104a和第二部分104b可以以任何适合的方式（例如使用焊剂、金属到金属互连或其它互连）耦合在一起。第二部分104b可以是例如专用无源中介层，并且第二部分104b的材料192与第一部分104a的电介质材料182相比可以具有更高的电介质常数，从而实现每单位长度更大的色散补偿并且相对于包括在第一部分104a中的衬底集成波导178减小衬底集成波导178的宽度。在一些实施例中，材料192可以包括硅（例如，高电阻率硅）、氮化铝或任何其它适合的材料（例如，具有高电介质常数和低损耗正切（tangent）的材料）。尽管在图37
‑
39中描绘了贴片发射器180，但是这仅仅是说明性的，并且任何适合的发射器结构可以包括在发射/滤波器结构110中（例如，一个或多个天线、像喇叭的发射器、像vivaldi的发射器、基于偶极子的发射器或基于缝隙的发射器）。
83.如上面注意到的，微电子支撑件104中的传输线120可以包括一个或多个水平部分124、一个或多个竖直部分126以及在水平部分124和竖直部分126之间的一个或多个过渡122。微电子支撑件104中的传输线120可以被在适当时由金属平面、通孔和迹线形成的并且主要包围传输线120的屏蔽结构194屏蔽。图40
‑
42示出了微电子封装102中的传输线120的示例布置。在这些图中，传输线120通信地耦合在微电子支撑件104的相反面处的两个微电子元件196之间；微电子元件196可以例如包括本文公开的微电子部件106中的任何微电子部件，或本文公开的封装连接器112中的任何封装连接器。为了易于说明，发射/滤波器结构110在图40
‑
42中未描绘，但是可以存在。
84.在图40的实施例中，单个过渡122耦合表面水平部分124和竖直部分126。在一些实施例中，图40的水平部分124可以是微带，包括通过电介质材料与下面的接地平面间隔开的迹线，并且图40的竖直部分126可以包括一个或多个通孔和其间的通孔焊盘；尽管图40和附图中的其它附图将竖直部分120描绘为完美地直上直下，但这仅仅是说明性的，并且竖直部分126可以包括交错的通孔堆叠或任何其它适合的结构。在图41的实施例中，单个水平部分124耦合在两个竖直部分126之间，并且因此传输线120包括两个过渡122。在一些实施例中，图41的水平部分124可以是带状线，包括竖直地设置在两个接地平面之间并通过电介质材料与接地平面间隔开的迹线，或者是共面波导，包括水平地设置在两个接地平面（或接地迹线）之间并通过电介质材料与接地平面（或接地迹线）间隔开的迹线。在图42的实施例中，传输线120包括两个水平部分124、两个竖直部分126和三个过渡122。
85.传输线中的过渡具有连累沿传输线的通信的信号完整性的潜在性。例如，常规水平部分和常规竖直部分之间的常规过渡可能导致可能引起信号波形反射的寄生电容（例如，共面接地/金属电容）和电感，所述信号波形反射可能限制操作带宽和对应的可实现数据速率。本文公开的以及下面参考图40
‑
65讨论的是具有各种特征的传输线120，所述特征可以在过渡122周围的竖直部分126和/或水平部分124中实现，以在这些过渡122处实现期望的阻抗匹配，从而改进通过过渡122的信号传播的完整性，并且因此改进操作带宽。
86.在一些实施例中，传输线120可以包括导电材料（例如，金属）的一个或多个短截线206，其可以将传输线120短路到接地屏蔽结构194。当采用基带信号传递技术进行通信时，将传输线120短路到接地屏蔽结构194可以消除在该传输线120上传送数据的能力。然而，在
采用带通信号传递技术的毫米波频率，提供此类短路的短截线206可以表现为电抗性阻抗，并且因此可以改变传输线120的阻抗而不阻止通信。因此，可以选择性地利用短截线206以为传输线120的在过渡122周围的不同部分实现期望阻抗，从而改进所述不同部分之间的阻抗匹配。短截线206可以包括在传输线120的任何期望的金属层中，并且可以选择传输线120的尺寸（包括短截线206的尺寸和关联的特征）以在感兴趣操作频率范围中实现高信号完整性和宽传输带宽。
87.图43和44示出了示例微电子衬底104，其包括具有多个短截线206的传输线120。特别地，图43是微电子支撑件104的截面图，具有标记的金属层k、k+1、k+2、k+3和k+4，并且图44a
‑
44e是微电子支撑件104中金属层的顶视图。图43和44的传输线120包括耦合在两个水平部分124之间的单个竖直部分126（并且因此包括两个过渡122）。水平部分124包括迹线202，并且竖直部分126包括通孔198和通孔焊盘200。屏蔽结构194包围传输线120，并且在操作期间接地。屏蔽结构194包括金属平面204和通孔198。
88.如图43和图44e中示出的，金属层k可以包括迹线202、通孔焊盘200以及与通孔焊盘200和屏蔽结构194的金属平面204接触的短截线206。尽管在附图的各种附图中针对传输线120和屏蔽结构194使用不同的阴影，但是这仅仅是为了改进对附图的理解，并且传输线120和屏蔽结构194的材料可以相同，其中包括在单个金属层中的传输线120和屏蔽结构194的部件被一起制造。金属层k的迹线202和通孔焊盘200（图44e）可以通过中间电介质材料182与金属平面204间隔开。迹线202和金属平面204的最近部分之间的电介质材料182的面积可以称为反迹线（antitrace）226，而通孔焊盘200和金属平面204的最近部分之间的电介质材料182的面积可以称为反焊盘（antipad）224。反焊盘224可以具有基本上圆形的覆盖区（footprint）（或者可以具有基本上具有另一形状（例如多边形形状）的覆盖区），但是可以包括短截线206延伸到其中的反焊盘延伸208。可以选择迹线202、反迹线226、通孔焊盘200、反焊盘224、短截线206和反焊盘延伸208的尺寸，以为传输线120的不同部分实现期望的阻抗。在一些实施例中，反焊盘224可以包括反焊盘延伸208，而不包括在其中延伸的短截线206。
89.如图43和图44d中示出的，金属层k+1可以包括通过反焊盘224中的电介质材料182与金属平面204间隔开的通孔焊盘200。通孔198可以将金属层k+1中的通孔焊盘200耦合到金属层k（图44e）中的通孔焊盘200。
90.如图43和图44c中示出的，金属层k+2可以包括通孔焊盘200和与通孔焊盘200和屏蔽结构194的金属平面204接触的短截线206。像图44e一样，金属层k+2的通孔焊盘200可以通过在具有基本上圆形覆盖区的反焊盘224中的中间电介质材料182与金属平面204间隔开。反焊盘224可以包括短截线206延伸到其中的反焊盘延伸208。通孔198可以将金属层k+2中的通孔焊盘200耦合到金属层k+1（图44d）中的通孔焊盘200。
91.如图43和图44b中示出的，金属层k+3可以包括通孔焊盘200和与通孔焊盘200和屏蔽结构194的金属平面204接触的短截线206。像图44e和44c一样，金属层k+2的通孔焊盘200可以通过在具有基本上圆形覆盖区的反焊盘224中的中间电介质材料182与金属平面204间隔开。反焊盘224可以包括短截线206延伸到其中的反焊盘延伸208。金属层k+3的短截线206可以相对于金属层k+2及k中的短截线206在相反方向上延伸。通孔198可以将金属层k+3中的通孔焊盘200耦合到金属层k+2（图44c）中的通孔焊盘200。
92.如图43和图44a中示出的，金属层k+4可以包括迹线202和通孔焊盘200，以及屏蔽结构194的金属平面204。金属层k+4的迹线202和通孔焊盘200可以分别通过反迹线226和反焊盘224中的中间电介质材料182与金属平面204间隔开。通孔198可以将金属层k+4中的通孔焊盘200耦合到金属层k+3（图44b）中的通孔焊盘200。
93.图45和46示出了示例微电子衬底104，其包括具有多个短截线206的传输线120。特别地，图45是微电子支撑件104的截面图，具有标记的金属层k、k+1、k+2、k+3和k+4，并且图46a
‑
46e是微电子支撑件104中金属层的顶视图。图45和46的传输线120包括耦合在两个水平部分124之间的单个竖直部分126（并且因此包括两个过渡122）。水平部分124包括迹线202，并且竖直部分126包括通孔198和通孔焊盘200。屏蔽结构194包围传输线120，并且在操作期间接地。屏蔽结构194包括金属平面204和通孔198。
94.如图45和图46e中示出的，金属层k可以具有与图43和44e的实施例的金属层k相同的结构。如图45和图46d中示出的，金属层k+1可以具有与图43和44d的实施例的金属层k+1相同的结构。通孔198可以将金属层k+1中的通孔焊盘200耦合到金属层k（图46e）中的通孔焊盘200。
95.如图45和图46c中示出的，金属层k+2可以具有与图43和44c的实施例的金属层k+2的结构类似的结构，但是可以包括附加的反焊盘延伸208和伴随的附加短截线206。尽管图45和46c的短截线206和反焊盘延伸208示出为相对于中间通孔焊盘200和反焊盘224彼此相反地设置，但是在通孔焊盘200上的两个或更多个短截线206可以相对于彼此（如可能是关联的反焊盘延伸208）以任何期望的方式布置。通孔198可以将金属层k+2中的通孔焊盘200耦合到金属层k+1（图46d）中的通孔焊盘200。
96.如图45和46b中示出的，金属层k+3可以具有与图43和44d的金属层k+1相同的结构。通孔198可以将金属层k+3中的通孔焊盘200耦合到金属层k+2（图46c）中的通孔焊盘200。如图45和图46a中示出的，金属层k+4可以具有与图43和44a的金属层k+4相同的结构。通孔198可以将金属层k+4中的通孔焊盘200耦合到金属层k+3（图46b）中的通孔焊盘200。
97.图47和48示出了示例微电子衬底104，其包括具有多个短截线206的传输线120。特别地，图47是微电子支撑件104的截面图，具有标记的金属层k、k+1、k+2和k+3，并且图48a
‑
48d是微电子支撑件104中金属层的顶视图。图47和48的传输线120包括耦合在两个水平部分124之间的单个竖直部分126（并且因此包括两个过渡122）。水平部分124包括迹线202，并且竖直部分126包括通孔198和通孔焊盘200。屏蔽结构194包围传输线120，并且在操作期间接地。屏蔽结构194包括金属平面204和通孔198。
98.如图47和图48d中示出的，金属层k可以具有与图43和44e的实施例的金属层k相同的结构。如图47和图48c中示出的，金属层k+1可以具有与图43和44d的实施例的金属层k+1相同的结构。通孔198可以将金属层k+1中的通孔焊盘200耦合到金属层k（图48d）中的通孔焊盘200。如图47和图48b中示出的，金属层k+2可以具有与图43和44b的实施例的金属层k+3相同的结构。通孔198可以将金属层k+2中的通孔焊盘200耦合到金属层k+1（图48c）中的通孔焊盘200。如图47和图48a中示出的，金属层k+3可以具有与图43和44a的金属层k+4相同的结构。通孔198可以将金属层k+3中的通孔焊盘200耦合到金属层k+2（图48b）中的通孔焊盘200。
99.图49示出了在微电子支撑件104的金属层中的短截线206的特定示例，具有标记的
各种尺寸。参考图49讨论的尺寸中的任何尺寸可以应用于本文公开的实施例中的任何实施例。在一些实施例中，迹线202的宽度210可以在5微米和400微米之间。在一些实施例中，迹线202与金属平面204的相邻部分之间的间隔212可以在5微米与400微米之间。在一些实施例中，短截线206的宽度214可以在5微米与400微米之间。在一些实施例中，可以基于操作的波长或频率范围来选择短截线206的尺寸。短截线206可以在多个频率处谐振，并且短截线206可以在这些谐振频率周围表现为或感性元件或容性元件。增加短截线206的长度可以对应于减小谐振频率。在一些实施例中，短截线206的长度可以在150微米与12000微米之间（例如，在150微米与300微米之间、在300微米与1000微米之间或在1000微米与12000微米之间）。在一些实施例中，通孔焊盘200的直径216可以在50微米和300微米之间。在一些实施例中，反焊盘224的直径218可以在100微米和600微米之间。本文所公开的元件的任何其它适合的尺寸可以作为设计参数而变化。
100.在一些实施例中，没有反焊盘延伸208可以与金属层中的短截线206关联，并且而是，从通孔焊盘200延伸的短截线206可以在反焊盘224的边缘处接触屏蔽结构194的金属平面204。图50中示出了包括两个短截线206的此类实施例的示例。如上面注意到的，可以选择迹线202、反迹线226、通孔焊盘200、反焊盘224、短截线206和反焊盘延伸208的尺寸，以为传输线120的不同部分实现期望的阻抗。图51示出了其中短截线206具有宽度220并且与金属平面204横向地间隔开距离222的示例金属层。在一些实施例中，宽度220可以在5微米和400微米之间，并且距离222可以在5微米和400微米之间。
101.尽管前面附图中的各种附图示出了具有基本上矩形形状的短截线206以及具有基本上圆形形状的反焊盘224，但是迹线202、反迹线226、通孔焊盘200、反焊盘224、短截线206和反焊盘延伸208可以具有任何期望形状（例如，如可以通过使用光刻通孔技术（lithographic via technique）使能的）。例如，图52示出了具有分支短截线206的金属层，而图53示出了具有基本上正方形反焊盘224的金属层。
102.图54
‑
56示出了传输线120的附加示例，包括短截线206以将传输线120短路到接地屏蔽结构194。在图54和55的实施例中，传输线120耦合在微电子部件106和贴片发射器180之间。在图56的实施例中，传输线120耦合在微电子支撑件104的相反面处的微电子部件106之间。
103.虽然前面的附图将传输线120示出为短路到屏蔽结构194，但是在其它实施例中，传输线120可以包括短截线206和/或反焊盘延伸208，而没有将传输线120短路到屏蔽结构194的短截线206。在此类实施例中，短截线206可以电耦合到屏蔽结构194，以便改变传输线120的阻抗，但是可以与屏蔽结构194间隔开。图57中示出了此类实施例的示例。在其中短截线206不将传输线120短路到屏蔽结构194的实施例中，将短截线206与屏蔽结构194分离的间隙的大小和形状可以是可以被调整以实现期望的阻抗的另一参数。
104.如上面注意到的，迹线202（和/或反迹线226）的大小或形状可以被调节以在过渡122周围实现期望的阻抗。例如，图58a和58b示出了金属层，其可以是微电子支撑件104的一部分，并且包括具有窄部分202a和宽部分202b的迹线202。在图58a的实施例中，接近迹线202的反迹线226的宽度是恒定的，而在图58b的实施例中，反迹线226包括窄部分226a和宽部分226b。迹线202的窄部分202a和宽部分202b的宽度、一个或多个窄部分202a和一个或多个宽部分202b的布置以及反迹线226的窄部分226a和宽部分226b的宽度可以被调整以实现
期望的阻抗。
105.图59
‑
62和64
‑
65是根据各种实施例的可以包括传输线120的示例微电子封装102的截面图，所述传输线包括具有不同迹线宽度的部分202a和202b。在图59的实施例中，包括在水平部分124中的迹线202包括在窄部分202a和过渡122之间的宽部分202b。在图60的实施例中，（在微电子部件106和贴片发射器180之间的）传输线120的三个迹线202可以包括窄部分202a和宽部分202b。在图61和62的实施例中，（在微电子部件106和贴片发射器180之间的）传输线120的两个迹线202包括窄部分202a和宽部分202b。在图61的实施例中，迹线202中的一个包括在宽部分202b和过渡122之间的窄部分202a。在图61和62的实施例中，迹线202中的一个包括在两个窄部分202a之间的宽部分202b。图62的实施例还示出了包括在两个宽部分202b之间的窄部分202a的迹线202；此类实施例也在图63（其还描绘了宽的反迹线部分226b和在其间的窄的反迹线部分226a）中示出。
106.在图64和65的实施例中，（在微电子支撑件104的相反面处的两个微电子部件106之间的）传输线120的两个迹线202包括窄部分202a和宽部分202b。在图64中，迹线202中的一个具有在宽部分202b和过渡122之间的窄部分202a，而在图65中，迹线202中的一个具有在窄部分202a和过渡122之间的宽部分202b。在本文所公开的微电子支撑件104的一些实施例中，迹线202的宽部分202b可以设置在竖直部分126的任一末端处（例如，接近通孔堆叠的末端）的迹线处。在一些实施例中，接近迹线202的宽部分202b的通孔焊盘200可以具有反焊盘224，所述反焊盘224具有没有短截线206延伸到其中的反焊盘延伸208。传输线120的实施例可以包括以下的任何期望的组合：窄部分202a、宽部分202b、短截线206和/或本文公开的其它特征中的任何特征。
107.本文公开的通信系统100、微电子封装102、波导线缆118和/或其部件可以包括在任何适合的电子部件中。图66
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70示出了设备的各种示例，所述设备可以包括本文公开的通信系统100、微电子封装102、波导线缆118和/或其部件中的任何项，或者在适当时可以被包括在本文公开的通信系统100、微电子封装102、波导线缆118和/或其部件中的任何项中。
108.图66是根据本文公开的实施例中的任何实施例的可以包括在微电子封装102中（例如，在微电子部件106或微电子元件196中）的晶片1500和管芯1502的顶视图。晶片1500可以由半导体材料构成，并且可以包括具有形成在晶片1500的表面上的ic结构的一个或多个管芯1502。管芯1502中的每个可以是包括任何适合ic的半导体产品的重复单元。在半导体产品的制造完成之后，晶片1500可以经历管芯1502彼此分离以提供半导体产品的分立“芯片”的切割工艺。管芯1502可以包括一个或多个晶体管（例如，下面讨论的图67的晶体管1640中的一些）和/或用于将电信号路由到晶体管的支持电路以及任何其它ic部件。在一些实施例中，晶片1500或管芯1502可以包括存储器装置（例如，随机存取存储器（ram）装置，比如静态ram（sram）装置、磁ram（mram）装置、阻性ram（rram）装置、导电桥接ram（cbram）装置等）、逻辑装置（例如，与、或、与非或或非门）或任何其它适合的电路元件。这些装置中的多个装置可以被组合在单个管芯1502上。例如，由多个存储器装置形成的存储器阵列可以形成在与处理装置（例如，图70的处理装置1802）或配置成将信息存储在存储器装置中或执行存储在存储器阵列中的指令的其它逻辑相同的管芯1502上。
109.图67是根据本文公开的实施例中的任何实施例的可以包括在微电子封装102中（例如，在微电子部件106或微电子元件196中）的微电子装置1600的侧视截面图。微电子装
置1600中的一个或多个可以包括在一个或多个管芯1502（图66）或其它电子部件中。微电子装置1600可以形成在衬底1602（例如，图66的晶片1500）上，并且可以包括在管芯（例如，图66的管芯1502）中。衬底1602可以是由半导体材料系统构成的半导体衬底，所述半导体材料系统包括例如n型或p型材料系统（或二者的组合）。衬底1602可以包括例如使用体硅（bulk silicon）或绝缘体上硅（soi）子结构形成的晶体衬底。在一些实施例中，衬底1602可以使用可以或可以不与硅组合的备选材料形成，所述备选材料包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、氮化镓、砷化镓或锑化镓。分类为ii
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vi族、iii
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v族或iv族的进一步材料也可以用于形成衬底1602。尽管这里描述了材料（可以由所述材料形成衬底1602）的几个示例，但是可以使用可以用作微电子装置1600的基础的任何材料。衬底1602可以是切割的管芯（例如，图66的管芯1502）或晶片（例如，图66的晶片1500）的一部分。
110.微电子装置1600可以包括设置在衬底1602上的一个或多个装置层1604。装置层1604可以包括形成在衬底1602上的一个或多个晶体管1640（例如，金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet））的特征。装置层1604可以包括例如一个或多个源极和/或漏极（s/d）区1620、用于控制s/d区1620之间的晶体管1640中的电流流动的栅极1622、以及用于向/从s/d区1620路由电信号的一个或多个s/d触点1624。晶体管1640可以包括为了清楚性而未描绘的附加特征，比如装置隔离区、栅极触点等等。晶体管1640不限于图67中所描绘的类型和配置，并且可以包括各种各样的其它类型和配置，比如例如平面晶体管、非平面晶体管或者两者的组合。平面晶体管可以包括双极结型晶体管（bjt）、异质结双极晶体管（hbt）或高电子迁移率晶体管（hemt）。非平面晶体管可以包括finfet晶体管，例如双栅极晶体管或三栅极晶体管，以及环绕或全围绕栅极晶体管，例如纳米带和纳米线晶体管。
111.每个晶体管1640可以包括由至少两个层形成的栅极1622、栅极电介质和栅极电极。栅极电介质可以包括一个层或层的堆叠。一个或多个层可以包括氧化硅、二氧化硅、碳化硅和/或高k电介质材料。高k电介质材料可以包括诸如铪、硅、氧、钛、钽、镧、铝、锆、钡、锶、钇、铅、钪、铌和锌之类的元素。可以在栅极电介质中使用的高k材料的示例包括但不限于氧化铪、铪硅氧化物、氧化镧、镧铝氧化物、氧化锆、锆硅氧化物、氧化钽、氧化钛、钡锶钛氧化物、钡钛氧化物、锶钛氧化物、氧化钇、氧化铝、铅钪钽氧化物和铌锌酸铅。在一些实施例中，当使用高k材料时，可以对栅极电介质执行退火工艺以改进其质量。
112.栅极电极可以形成在栅极电介质上，并且取决于晶体管1640要是p型金属氧化物半导体（pmos）晶体管还是n型金属氧化物半导体（nmos）晶体管，可以包括至少一个p型功函数金属或n型功函数金属。在一些实现中，栅极电极可以由两个或更多个金属层的堆叠组成，其中一个或多个金属层是功函数金属层并且至少一个金属层是填充金属层。为了其它目的，可以包括进一步的金属层，例如阻挡层。对于pmos晶体管，可以用于栅极电极的金属包括但不限于钌、钯、铂、钴、镍、导电金属氧化物（例如，氧化钌）以及下面参考nmos晶体管讨论的任何金属（例如，用于功函数调整）。对于nmos晶体管，可以用于栅极电极的金属包括但不限于铪、锆、钛、钽、铝、这些金属的合金、这些金属的碳化物（例如，碳化铪、碳化锆、碳化钛、碳化钽和碳化铝）以及上面参考pmos晶体管讨论的任何金属（例如，用于功函数调整）。
113.在一些实施例中，当作为沿源极
‑
沟道
‑
漏极方向的晶体管1640的截面观察时，栅极电极可以由u形结构组成，所述u形结构包括基本上平行于衬底的表面的底部部分和基本
上垂直于衬底的顶表面的两个侧壁部分。在其它实施例中，形成栅极电极的金属层中的至少一个可以仅仅是基本上平行于衬底的顶表面的平面层，并且不包括基本上垂直于衬底的顶表面的侧壁部分。在其它实施例中，栅极电极可以由u形结构和平面非u形结构的组合组成。例如，栅极电极可以由形成在一个或多个平面非u形层顶上的一个或多个u形金属层组成。
114.在一些实施例中，侧壁间隔件对可以形成在栅极堆叠的相对侧上以支撑（bracket）栅极堆叠。侧壁间隔件可以由诸如氮化硅、氧化硅、碳化硅、掺杂碳的氮化硅和氮氧化硅之类的材料形成。用于形成侧壁间隔件的工艺在本领域中是众所周知的，并且一般包括沉积和蚀刻工艺步骤。在一些实施例中，可以使用多个间隔件对；例如，两对、三对或四对侧壁间隔件可以形成在栅极堆叠的相对侧上。
115.s/d区1620可以形成在邻近每个晶体管1640的栅极1622的衬底1602内。s/d区1620可以使用例如注入/扩散工艺或蚀刻/沉积工艺形成。在前一工艺中，可以将诸如硼、铝、锑、磷或砷之类的掺杂剂离子注入到衬底1602中以形成s/d区1620。激活掺杂剂并使它们进一步扩散到衬底1602中的退火工艺可以跟在离子注入工艺之后。在后一工艺中，可以首先蚀刻衬底1602以在s/d区1620的位置处形成凹陷。然后，可以执行外延沉积工艺，以利用用于制造s/d区1620的材料填充凹陷。在一些实现中，s/d区1620可以使用诸如硅锗或碳化硅之类的硅合金来制造。在一些实施例中，外延沉积的硅合金可以利用诸如硼、砷或磷之类的掺杂剂原位掺杂。在一些实施例中，s/d区1620可以使用一个或多个备选半导体材料（例如锗或iii
‑
v族材料或合金）形成。在进一步的实施例中，可以使用一层或多层金属和/或金属合金来形成s/d区1620。
116.诸如功率和/或输入/输出（i/o）信号之类的电信号可以通过设置在装置层1604上的一个或多个互连层（在图67中示出为互连层1606
‑
1610）路由到装置层1604的装置（例如，晶体管1640）和/或从其路由。例如，装置层1604的导电特征（例如，栅极1622和s/d触点1624）可以与互连层1606
‑
1610的互连结构1628电耦合。一个或多个互连层1606
‑
1610可以形成微电子装置1600的金属化堆叠（也称为“ild堆叠”）1619。
117.互连结构1628可以布置在互连层1606
‑
1610内以根据各种各样的设计来路由电信号（特别地，布置不限于图67中描绘的互连结构1628的特定配置）。尽管图67中描绘了特定数量的互连层1606
‑
1610，本公开的实施例包括具有比所描绘的更多或更少的互连层的微电子装置。
118.在一些实施例中，互连结构1628可以包括用诸如金属之类的导电材料填充的线1628a和/或通孔1628b。线1628a可以布置成在与衬底1602的表面（在其上形成装置层1604）基本上平行的平面的方向上路由电信号。例如，线1628a可以在从图67的角度看进入和离开纸面的方向上路由电信号。通孔1628b可以布置成在基本上垂直于衬底1602的表面（在其上形成装置层1604）的平面的方向上路由电信号。在一些实施例中，通孔1628b可以将不同互连层1606
‑
1610的线1628a电耦合在一起。
119.互连层1606
‑
1610可以包括设置在互连结构1628之间的电介质材料1626，如图67中示出的。在一些实施例中，设置在互连层1606
‑
1610中的不同互连层中的互连结构1628之间的电介质材料1626可以具有不同的成分；在其它实施例中，不同互连层1606
‑
1610之间的电介质材料1626的成分可以相同。
120.第一互连层1606可以形成在装置层1604上方。在一些实施例中，第一互连层1606可以包括线1628a和/或通孔1628b，如示出的。第一互连层1606的线1628a可以与装置层1604的触点（例如，s/d触点1624）耦合。
121.第二互连层1608可以形成在第一互连层1606上方。在一些实施例中，第二互连层1608可以包括用于将第二互连层1608的线1628a与第一互连层1606的线1628a耦合的通孔1628b。尽管为了清楚性，线1628a和通孔1628b在结构上用每个互连层内（例如，第二互连层1608内）的线来描画，但是在一些实施例中，线1628a和通孔1628b可以在结构上和/或在材料上邻接（例如，在双镶嵌工艺期间同时填充）。
122.根据结合第二互连层1608或第一互连层1606描述的类似技术和配置，可以在第二互连层1608上接连形成第三互连层1610（以及附加互连层，如期望的）。在一些实施例中，微电子装置1600中的金属化堆叠1619中“更高”（即，更远离装置层1604）的互连层可以更厚。
123.微电子装置1600可以包括阻焊剂材料1634（例如聚酰亚胺或类似材料）和形成在互连层1606
‑
1610上的一个或多个导电触点1636。在图67中，导电触点1636被示出为采用接合焊盘的形式。导电触点1636可以与互连结构1628电耦合并且配置成将（一个或多个）晶体管1640的电信号路由到其它外部装置。例如，焊剂接合可以形成在一个或多个导电触点1636上，以将包括微电子装置1600的芯片与另一部件（例如，电路板）机械地和/或电耦合。微电子装置1600可以包括用于路由来自互连层1606
‑
1610的电信号的附加或备选结构；例如，导电触点1636可以包括将电信号路由到外部部件的其它类似特征（例如，柱）。
124.图68是可以用作微电子封装102的示例微电子封装1650的侧视截面图。在一些实施例中，微电子封装1650可以是系统级封装（sip：system
‑
in
‑
package）。
125.封装衬底1652可以由电介质材料（例如，陶瓷、积聚膜、其中具有填充料颗粒的环氧树脂膜、玻璃、有机材料、无机材料、有机和无机材料的组合、由不同材料形成的嵌入部分等）形成，并且可以具有导电路径，所述导电路径延伸通过在面1672与面1674之间或在面1672上的不同位置之间和/或在面1674上的不同位置之间的电介质材料。这些导电路径可以采取上面参考图67讨论的互连1628中的任何互连的形式。在一些实施例中，根据本文中公开的实施例中的任何实施例，封装衬底1652可以是微电子支撑件104，或可以包括在微电子支撑件104中。
126.封装衬底1652可以包括通过封装衬底1652耦合到导电路径（未示出）的导电触点1663，从而允许管芯1656和/或中介层1657内的电路电耦合到导电触点1664中的各种导电触点（或者电耦合到包括在封装衬底1652中的其它装置，未示出）。
127.微电子封装1650可以包括中介层1657，所述中介层经由中介层1657的导电触点1661、第一级互连1665和封装衬底1652的导电触点1663耦合到封装衬底1652。图68中示出的第一级互连1665是焊剂凸块（bump），但可以使用任何适合的第一级互连1665。在一些实施例中，微电子封装1650中可以不包括中介层1657；而是，管芯1656可以通过第一级互连1665直接耦合到面1672处的导电触点1663。更一般地，一个或多个管芯1656可以经由任何适合的结构（例如，硅桥、有机桥、一个或多个波导、一个或多个中介层、引线接合等）耦合到封装衬底1652。在一些实施例中，根据本文公开的实施例中的任何实施例，中介层1657可以是微电子支撑件104，或者可以包括在微电子支撑件104中。
128.微电子封装1650可以包括一个或多个管芯1656，所述管芯经由管芯1656的导电触
点1654、第一级互连1658以及中介层1657的导电触点1660耦合到中介层1657。导电触点1660可以通过中介层1657耦合到导电路径（未示出），从而允许管芯1656内的电路电耦合到导电触点1661中的各种导电触点（或电耦合到包括在中介层1657中的其它装置，未示出）。图68中示出的第一级互连1658是焊剂凸块，但是可以使用任何适合的第一级互连1658。如本文使用的，“导电触点”可以指用作不同部件之间的接口的导电材料（例如，金属）的一部分；导电触点可以被凹进到部件的表面、与部件的表面齐平或者延伸远离部件的表面，并且可以采取任何适合的形式（例如，导电焊盘或插口）。管芯1656可以采取本文公开的微电子部件106中的任何微电子部件的形式（例如，可以包括一个或多个毫米波通信收发器）。
129.在一些实施例中，底部填充材料1666可以设置在封装衬底1652与中介层1657之间在第一级互连1665周围，并且模制化合物1668可以设置在管芯1656及中介层1657周围并且与封装衬底1652接触。在一些实施例中，底部填充材料1666可以与模制化合物1668相同。可以用于底部填充材料1666和模制化合物1668的示例材料在适合时是环氧树脂模制材料。第二级互连1670可以耦合到导电触点1664。图68中示出的第二级互连1670是焊剂球（例如，针对球栅阵列布置），但是可以使用任何适合的第二级互连1670（例如，引脚栅阵列布置中的引脚或接点（land）栅阵列布置中的接点）。第二级互连1670可以用于将微电子封装1650耦合到另一部件，比如电路板（例如，主板）、中介层或另一微电子封装，如本领域已知的以及如下面参考图69所讨论的。
130.管芯1656可以采取本文讨论的管芯1502的实施例中的任何实施例的形式（例如，可以包括微电子装置1600的实施例中的任何实施例）。在其中微电子封装1650包括多个管芯1656的实施例中，微电子封装1650可以被称为多芯片封装（mcp）。管芯1656可以包括用于执行任何期望的功能性的电路。例如，管芯1656中的一个或多个可以是逻辑管芯（例如，基于硅的管芯），并且管芯1656中的一个或多个可以是存储器管芯（例如，高带宽存储器）。
131.尽管图68中示出的微电子封装1650是倒装芯片封装（flip chip package），但是可以使用其它封装架构。例如，微电子封装1650可以是球栅阵列（bga）封装，例如嵌入式晶片级球栅阵列（ewlb）封装。在另一示例中，微电子封装1650可以是晶片级芯片规模封装（wlcsp）或面板扇出（fo）封装。尽管在图68的微电子封装1650中示出了两个管芯1656，但是微电子封装1650可以包括任何期望数量的管芯1656。微电子封装1650可以包括附加的无源部件，例如设置在封装衬底1652的第一面1672或第二面1674上或者设置在中介层1657的任一面上的表面安装电阻器、电容器和电感器。例如，微电子封装1650可以包括本文公开的封装连接器112中的任何封装连接器。更一般地，微电子封装1650可以包括本领域已知的任何其它有源或无源部件。
132.图69是根据本文公开的实施例中的任何实施例的可以包括一个或多个微电子封装102的微电子组装件1700的侧视截面图。进一步地，尽管图69中未示出，但是微电子组装件1700可以包括一个或多个波导线缆118，以通信地耦合微电子组装件1700的不同元件和/或将微电子组装件1700的元件与外部元件通信地耦合。微电子组装件1700包括设置在电路板1702（其可以是例如主板）上的许多部件。微电子组装件1700包括设置在电路板1702的第一面1740及电路板1702的相对第二面1742上的部件；一般地，部件可以设置在一个或两个面1740和1742上。下面参考微电子组装件1700讨论的微电子封装中的任何微电子封装可以采取上面参考图68讨论的微电子封装1650的实施例中的任何实施例的形式。
133.在一些实施例中，电路板1702可以是包括多个金属层的pcb，所述多个金属层通过电介质材料层彼此分离并通过电导通孔互连。金属层中的任何一个或多个可以以期望的电路模式形成，以（可选地与其它金属层结合）在耦合到电路板1702的部件之间路由电信号。在其它实施例中，电路板1702可以是非pcb衬底。
134.图69中示出的微电子组装件1700包括通过耦合部件1716耦合到电路板1702的第一面1740的中介层上封装结构1736。耦合部件1716可以将中介层上封装结构1736电耦合和机械耦合到电路板1702，并且可以包括焊剂球（如图69中示出的）、插口的插头和插孔部分、粘合剂、底部填充材料和/或任何其它适合的电耦合和/或机械耦合结构。
135.中介层上封装结构1736可以包括通过耦合部件1718耦合到封装中介层1704的微电子封装1720。耦合部件1718可以采取用于该应用的任何适合的形式，比如上面参考耦合部件1716讨论的形式。尽管图69中示出了单个微电子封装1720，但是多个微电子封装可以耦合到封装中介层1704；实际上，附加的中介层可以耦合到封装中介层1704。封装中介层1704可以提供用于桥接电路板1702和微电子封装1720的中间衬底。微电子封装1720可以是或者包括例如管芯（图66的管芯1502）、微电子装置（例如图67的微电子装置1600）或者任何其它适合的部件。一般地，封装中介层1704可以将连接扩展到更宽的间距（pitch）或将连接重新路由到不同的连接。例如，封装中介层1704可以将微电子封装1720（例如管芯）耦合到耦合部件1716的一组bga导电触点，以耦合到电路板1702。在图69中示出的实施例中，微电子封装1720和电路板1702附着到封装中介层1704的相对侧；在其它实施例中，微电子封装1720和电路板1702可以附着到封装中介层1704的同一侧。在一些实施例中，三个或更多个部件可以通过封装中介层1704互连。
136.在一些实施例中，封装中介层1704可以形成为pcb，其包括通过电介质材料层彼此分离并通过电导通孔互连的多个金属层。在一些实施例中，封装中介层1704可以由环氧树脂、玻璃纤维增强环氧树脂、具有无机填充料的环氧树脂、陶瓷材料或诸如聚酰亚胺的聚合物材料形成。在一些实施例中，封装中介层1704可以由备选的刚性或柔性材料形成，所述材料可以包括上面描述的供半导体衬底中使用的相同材料，例如硅、锗、以及其它iii
‑
v族和iv族材料。封装中介层1704可以包括金属线1710和通孔1708，包括但不限于穿硅通孔（tsv）1706。封装中介层1704可以进一步包括嵌入式装置1714，包括无源装置和有源装置两者。此类装置可以包括但不限于电容器、去耦电容器、电阻器、电感器、熔丝、二极管、变压器、传感器、静电放电（esd）装置和存储器装置。诸如rf装置、功率放大器、功率管理装置、天线、阵列、传感器和微机电系统（mems）装置之类的更复杂装置也可以形成在封装中介层1704上。中介层上封装结构1736可以采取本领域已知的中介层上封装结构中的任何中介层上封装结构的形式。在一些实施例中，封装中介层1704可以是微电子支撑件104。
137.微电子组装件1700可以包括通过耦合部件1722耦合到电路板1702的第一面1740的微电子封装1724。耦合部件1722可以采取上面参考耦合部件1716讨论的实施例中的任何实施例的形式，并且微电子封装1724可以采取上面参考微电子封装1720讨论的实施例中的任何实施例的形式。
138.图69中示出的微电子组装件1700包括通过耦合部件1728耦合到电路板1702的第二面1742的封装上封装结构1734。封装上封装结构1734可以包括微电子封装1726和微电子封装1732，所述微电子封装1726和所述微电子封装1732通过耦合部件1730耦合在一起，使
得微电子封装1726设置在电路板1702和微电子封装1732之间。耦合部件1728和1730可以采取上面讨论的耦合部件1716的实施例中的任何实施例的形式，并且微电子封装1726和1732可以采取上面讨论的微电子封装1720的实施例中的任何实施例的形式。封装上封装结构1734可以根据本领域已知的封装上封装结构中的任何封装上封装结构来配置。
139.图70是根据本文公开的实施例中的任何实施例的可以包括一个或多个通信系统100、微电子封装102、波导线缆118和/或其部件的示例计算装置1800的框图。例如计算装置1800的部件中的任何适合部件可以包括本文公开的微电子装置组装件1700、微电子封装1650、微电子装置1600或管芯1502中的一个或多个。许多部件在图70中示出为包括在计算装置1800中，但是这些部件中的任何一个或多个在适用于应用时可以被省略或复制。在一些实施例中，包括在计算装置1800中的部件中的一些或全部可以附着到一个或多个主板。在一些实施例中，这些部件中的一些或全部被制造到单个片上系统（soc）管芯上。
140.附加地，在各种实施例中，计算装置1800可以不包括图70中示出的部件中的一个或多个，但是计算装置1800可以包括用于耦合到一个或多个部件的接口电路。例如，计算装置1800可以不包括显示装置1806，但可以包括可以与显示装置1806耦合的显示装置接口电路（例如，连接器和驱动器电路）。在另一组示例中，计算装置1800可以不包括音频输入装置1824或音频输出装置1808，但是可以包括可以与音频输入装置1824或音频输出装置1808耦合的音频输入或输出装置接口电路（例如，连接器和支持电路）。
141.计算装置1800可以包括处理装置1802（例如，一个或多个处理装置）。如本文所使用的，术语“处理装置”或“处理器”可以指处理来自寄存器和/或存储器的电子数据以将该电子数据变换成可以存储在寄存器和/或存储器中的其它电子数据的任何装置或装置的一部分。处理装置1802可以包括一个或多个数字信号处理器（dsp）、专用集成电路（asic）、中央处理单元（cpu）、图形处理单元（gpu）、密码处理器（在硬件内执行密码算法的专用处理器）、服务器处理器或任何其它适合的处理装置。计算装置1800可以包括存储器1804，其本身可以包括一个或多个存储器装置，比如易失性存储器（例如，动态随机存取存储器（dram））、非易失性存储器（例如，只读存储器（rom））、闪速存储器、固态存储器和/或硬盘驱动。在一些实施例中，存储器1804可以包括与处理装置1802共享管芯的存储器。此存储器可以用作高速缓存存储器且可以包括嵌入式动态随机存取存储器（edram）或自旋转移力矩磁随机存取存储器（stt
‑
mram）。
142.在一些实施例中，计算装置1800可以包括通信芯片1812（例如，一个或多个通信芯片）。例如，通信芯片1812可以配置用于管理用于向和从计算装置1800传输数据的无线通信。术语“无线”及其派生词可以用于描述可以通过使用调制的电磁辐射通过非固体介质来传递数据的电路、装置、系统、方法、技术、通信信道等。所述术语不暗示，关联的装置不包含任何导线，尽管在一些实施例中它们可能不（包含任何导线）。
143.通信芯片1812可以实现许多包括但不限于以下的无线标准或协议中的任何无线标准或协议：电气和电子工程师协会（ieee）标准，包括wi
‑
fi（ieee 802.11系列）、ieee 802.16标准（例如，ieee 802.16
‑
2005修订）；长期演进（lte）项目连同任何修订、更新和/或修正（例如，高级lte项目、超移动宽带（umb）项目（也称为“3gpp2”）等）。兼容ieee 802.16的宽带无线接入（bwa）网络一般被称为wimax网络，（wimax是）代表全球微波接入互操作性的首字母缩写词，其是通过ieee 802.16标准的一致性和互操作性测试的产品的认证标志。通
信芯片1812可以根据全球移动通信系统（gsm）、通用分组无线电业务（gprs）、通用移动电信系统（umts）、高速分组接入（hspa）、演进hspa（e
‑
hspa）或lte网络来操作。通信芯片1812可以根据增强数据gsm演进（edge）、gsm edge无线电接入网（geran）、通用陆地无线电接入网（utran）或演进utran（e
‑
utran）来操作。通信芯片1812可以根据码分多址（cdma）、时分多址（tdma）、数字增强无绳电信（dect）、演进数据优化（ev
‑
do）及其派生形式以及被指定为3g、4g、5g及以上的任何其它无线协议来操作。在其它实施例中，通信芯片1812可以根据其它无线协议来操作。计算装置1800可以包括天线1822以促进无线通信和/或接收其它无线通信（例如am或fm无线电广播（radio）传输）。通信芯片1812可以包括例如毫米波通信收发器（例如，作为微电子部件106）以支持毫米波通信（例如，沿通过微电子支撑件104的传输线120或波导线缆118）。
144.在一些实施例中，通信芯片1812可以管理有线通信，诸如电、光或任何其它适合的通信协议（例如，以太网）。如上面注意到的，通信芯片1812可以包括多个通信芯片。例如，第一通信芯片1812可以专用于诸如wi
‑
fi或蓝牙之类的更短距离的无线通信，并且第二通信芯片1812可以专用于诸如全球定位系统（gps）、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev
‑
do或其它之类的更长距离的无线通信。在一些实施例中，第一通信芯片1812可以专用于无线通信，并且第二通信芯片1812可以专用于有线通信。
145.计算装置1800可以包括电池/功率电路1814。电池/功率电路1814可以包括一个或多个能量存储装置（例如，电池或电容器）和/或用于将计算装置1800的部件耦合到与计算装置1800分离的能量源（例如，ac线路功率）的电路。
146.计算装置1800可以包括显示装置1806（或对应的接口电路，如上面讨论的）。显示装置1806可以包括任何视觉指示器，例如平视显示器、计算机监视器、投影仪、触摸屏显示器、液晶显示器（lcd）、发光二极管显示器或平板显示器。
147.计算装置1800可以包括音频输出装置1808（或对应的接口电路，如上面讨论的）。音频输出装置1808可以包括生成可听指示符的任何装置，诸如扬声器、耳机或耳塞。
148.计算装置1800可以包括音频输入装置1824（或对应的接口电路，如上面讨论的）。音频输入装置1824可以包括生成表示声音的信号的任何装置，例如麦克风、麦克风阵列或数字仪器（例如，具有乐器数字接口（midi）输出的仪器）。
149.计算装置1800可以包括gps装置1818（或对应接口电路，如上面讨论的）。gps装置1818可以与基于卫星的系统通信，并且可以接收计算装置1800的位置，如本领域已知的。
150.计算装置1800可以包括另一输出装置1810（或对应的接口电路，如上面讨论的）。其它输出装置1810的示例可以包括音频编解码器、视频编解码器、打印机、用于向其它装置提供信息的有线或无线传送器、或附加的存储装置。
151.计算装置1800可以包括另一输入装置1820（或对应的接口电路，如上面讨论的）。其它输入装置1820的示例可以包括加速计、陀螺仪、罗盘、图像捕捉装置、键盘、光标控制装置（比如鼠标、手写笔、触摸板）、条形码读取器、快速响应（qr）码读取器、任何传感器、或射频标识（rfid）读取器。
152.计算装置1800可以具有任何期望的形状因子，比如手持或移动的计算装置（例如，蜂窝电话、智能电话、移动互联网装置、音乐播放器、平板计算机、膝上型计算机、上网本计算机、超级本计算机、个人数字助理（pda）、超移动个人计算机等）、桌上型计算装置、服务器
装置或其它联网的计算部件、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、车辆控制单元、数字相机、数字视频记录仪或可穿戴计算装置。在一些实施例中，计算装置1800可以是处理数据的任何其它电子装置。
153.以下段落提供了本文所公开的实施例的各种示例。
154.示例a1是毫米波电介质波导，包括：第一材料，其中第一材料中的开口沿所述毫米波电介质波导纵向延伸，所述开口在沿所述毫米波电介质波导的纵向方向的第一位置处具有第一截面，所述开口在沿所述毫米波电介质波导的纵向方向的第二位置处具有第二截面，所述第一截面不同于所述第二截面，并且所述第一位置不同于所述第二位置；以及第二材料，其中所述第一材料在第二材料和开口之间，并且第二材料具有小于第一材料的电介质常数的电介质常数。
155.示例a2包括示例a1的主题，并且进一步指定开口在第一位置处具有圆形截面，并且开口在第二位置处具有圆形截面。
156.示例a3包括示例a1的主题，并且进一步指定开口在第一位置处具有非圆形截面，并且开口在第二位置处具有非圆形截面。
157.示例a4包括示例a1
‑
3中任一项的主题，并且进一步指定所述开口在沿所述毫米波电介质波导的纵向方向的第三位置处具有第三截面，所述第三截面不同于所述第一截面，所述第三截面不同于所述第二截面，所述第三位置不同于所述第一位置，并且所述第三位置不同于所述第二位置。
158.示例a5包括示例a4的主题，并且进一步指定第三位置在第一位置和第二位置之间，并且第三截面的面积在第一截面的面积和第二截面的面积之间。
159.示例a6包括示例a1
‑
5中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括具有有第一截面的开口的第一区段、具有有第二截面的开口的第二区段、以及第一区段和第二区段之间的过渡区段。
160.示例a7包括示例a6的主题，并且进一步指定过渡区段包括开口从具有第一截面到具有第二截面的阶梯式改变。
161.示例a8包括示例a6的主题，并且进一步指定过渡区段包括第一区段和第二区段之间的间隙。
162.示例a9包括示例a8的主题，并且进一步指定间隙具有小于1毫米的宽度。
163.示例a10包括示例a6的主题，并且进一步指定过渡区段包括开口从具有第一截面到具有第二截面的平滑变化的改变。
164.示例a11包括示例a1
‑
5中任一项的主题，并且进一步指定开口具有沿毫米波电介质波导的纵向方向平滑变化的截面。
165.示例a12包括示例a1
‑
11中任一项的主题，并且进一步指定开口是第一开口，并且毫米波电介质波导进一步包括第一材料中的第二开口，所述第二开口沿毫米波电介质波导纵向延伸。
166.示例a13包括示例a12的主题，并且进一步指定第二开口在沿毫米波电介质波导的纵向方向的第一位置处具有第三截面，第二开口在沿毫米波电介质波导的纵向方向的第二位置处具有第四截面，第三截面不同于第四截面，并且第一位置不同于第二位置。
167.示例a14包括示例a1
‑
13中任一项的主题，并且进一步包括：在所述开口中的空气。
168.示例a15包括示例a1
‑
14中任一项的主题，并且进一步包括：在所述开口中的第三材料，其中所述第三材料具有小于所述第一材料的电介质常数的电介质常数。
169.示例a16包括示例a1
‑
15中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
170.示例a17包括示例a1
‑
16中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括塑料。
171.示例a18包括示例a17的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
172.示例a19包括示例a1
‑
18中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括陶瓷。
173.示例a20包括示例a19的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
174.示例a21包括示例a1
‑
20中任一项的主题，并且进一步指定第二材料包括泡沫。
175.示例a22包括示例a1
‑
21中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有小于2的电介质常数。
176.示例a23包括示例a1
‑
22中任一项的主题，并且进一步指定所述第一材料具有小于或等于2毫米的外径。
177.示例a24包括示例a1
‑
23中任一项的主题，并且进一步指定开口是第一材料中的开口阵列中的一个开口。
178.示例a25包括示例a1
‑
24中任一项的主题，并且进一步指定所述第一材料在所述第一位置处具有圆形截面，并且所述第一材料在所述第二位置处具有圆形截面。
179.示例a26包括示例a1
‑
24中任一项的主题，并且进一步指定所述第一材料在所述第一位置处具有非圆形截面，并且所述第一材料在所述第二位置处具有非圆形截面。
180.示例a27包括示例a1
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定所述第二材料在所述第一位置处具有圆形截面，并且所述第二材料在所述第二位置处具有圆形截面。
181.示例a28包括示例a1
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定所述第二材料在所述第一位置处具有非圆形截面，并且所述第二材料在所述第二位置处具有非圆形截面。
182.示例a29包括示例a1
‑
28中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导是线缆中的多个毫米波电介质波导中的一个。
183.示例a30包括示例a29的主题，并且进一步指定线缆包括围绕多个毫米波电介质波导的包裹材料（wrap material）。
184.示例a31包括示例a29
‑
30中任一项的主题，并且进一步包括：在所述毫米波电介质波导的末端处的连接器。
185.示例a32包括示例a1
‑
28中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括在封装衬底或中介层中。
186.示例a33包括示例a1
‑
32中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导具有小于5米的长度。
187.示例a34包括示例a1
‑
33中任一项的主题，并且进一步包括：金属层，其中所述第一材料在所述开口与所述金属层之间。
188.示例a35包括示例a34的主题，并且进一步指定所述金属层是第一金属层，所述毫米波电介质波导进一步包括第二金属层，并且所述第一材料在所述第一金属层与所述第二金属层之间。
189.示例a36是毫米波电介质波导，包括：第一材料，其中所述第一材料中的开口在截
面上沿所述毫米波电介质波导的纵向方向变化；以及第二材料，其中第一材料在第二材料和开口之间，并且第二材料具有小于第一材料的电介质常数的电介质常数。
190.示例a37包括示例a36的主题，并且进一步指定开口在沿毫米波电介质波导的纵向方向的第一位置处具有圆形截面，并且开口在沿毫米波电介质波导的纵向方向的第二位置处具有圆形截面。
191.示例a38包括示例a36的主题，并且进一步指定开口在沿毫米波电介质波导的纵向方向的第一位置处具有非圆形截面，并且开口在沿毫米波电介质波导的纵向方向的第二位置处具有非圆形截面。
192.示例a39包括示例a36
‑
38中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导的外部直径沿毫米波电介质波导的纵向方向是恒定的。
193.示例a40包括示例a36
‑
38中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导的外部直径沿毫米波电介质波导的纵向方向不是恒定的。
194.示例a41包括示例a36
‑
40中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括具有有第一面积的开口的第一区段、具有有第二面积的开口的第二区段、以及第一区段和第二区段之间的过渡区段。
195.示例a42包括示例a41的主题，并且进一步指定过渡区段包括开口从具有第一面积到具有第二面积的阶梯式改变。
196.示例a43包括示例a41的主题，并且进一步指定过渡区段包括第一区段和第二区段之间的间隙。
197.示例a44包括示例a43的主题，并且进一步指定间隙具有小于1毫米的宽度。
198.示例a45包括示例a41的主题，并且进一步指定过渡区段包括开口从具有第一面积到具有第二面积的平滑变化的改变。
199.示例a46包括示例a36
‑
40中任一项的主题，并且进一步指定开口具有沿毫米波电介质波导的纵向方向平滑变化的面积。
200.示例a47包括示例a36
‑
46中任一项的主题，并且进一步指定开口是第一开口，并且毫米波电介质波导进一步包括第一材料中的第二开口，所述第二开口沿毫米波电介质波导纵向延伸。
201.示例a48包括示例a47的主题，并且进一步指定第二开口在截面上沿毫米波电介质波导的纵向方向变化。
202.示例a49包括示例a36
‑
48中任一项的主题，并且进一步包括：在所述开口中的空气。
203.示例a50包括示例a36
‑
49中任一项的主题，并且进一步包括：在所述开口中的第三材料，其中所述第三材料具有小于所述第一材料的电介质常数的电介质常数。
204.示例a51包括示例a36
‑
50中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
205.示例a52包括示例a36
‑
51中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括塑料。
206.示例a53包括示例a52的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
207.示例a54包括示例a36
‑
53中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括陶瓷。
208.示例a55包括示例a54的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
209.示例a56包括示例a36
‑
55中任一项的主题，并且进一步指定第二材料包括泡沫。
210.示例a57包括示例a36
‑
56中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有小于2的电介质常数。
211.示例a58包括示例a36
‑
57中任一项的主题，并且进一步指定第一材料具有小于或等于2毫米的外径。
212.示例a59包括示例a36
‑
58中任一项的主题，并且进一步指定开口是第一材料中的开口阵列中的一个开口。
213.示例a60包括示例a36
‑
59中任一项的主题，并且进一步指定所述第一材料在所述第一位置处具有圆形截面，并且所述第一材料在所述第二位置处具有圆形截面。
214.示例a61包括示例a36
‑
59中任一项的主题，并且进一步指定所述第一材料在所述第一位置处具有非圆形截面，并且所述第一材料在所述第二位置处具有非圆形截面。
215.示例a62包括示例a36
‑
61中任一项的主题，并且进一步指定所述第二材料在所述第一位置处具有圆形截面，并且所述第二材料在所述第二位置处具有圆形截面。
216.示例a63包括示例a36
‑
61中任一项的主题，并且进一步指定所述第二材料在所述第一位置处具有非圆形截面，并且所述第二材料在所述第二位置处具有非圆形截面。
217.示例a64包括示例a36
‑
63中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导是线缆中的多个毫米波电介质波导中的一个。
218.示例a65包括示例a64的主题，并且进一步指定线缆包括围绕多个毫米波电介质波导的包裹材料。
219.示例a66包括示例a64
‑
65中任一项的主题，并且进一步包括：在所述毫米波电介质波导的末端处的连接器。
220.示例a67包括示例a36
‑
63中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括在封装衬底或中介层中。
221.示例a68包括示例a36
‑
67中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导具有小于5米的长度。
222.示例a69包括示例a36
‑
68中任一项的主题，并且进一步包括：金属层，其中所述第一材料在所述开口与所述金属层之间。
223.示例a70包括示例a69的主题，并且进一步指定所述金属层是第一金属层，所述毫米波电介质波导进一步包括第二金属层，并且所述第一材料在所述第一金属层与所述第二金属层之间。
224.示例a71是毫米波通信系统，包括：第一微电子部件；第二微电子部件；以及毫米波电介质波导，其通信地耦合在第一微电子部件与第二微电子部件之间，其中毫米波电介质波导包括：第一材料，其中所述第一材料中的开口沿所述毫米波电介质波导纵向延伸，所述开口在沿所述毫米波电介质波导的纵向方向的第一位置处具有第一面积，所述开口在沿所述毫米波电介质波导的纵向方向的第二位置处具有第二面积，所述第一面积不同于所述第二面积，并且所述第一位置不同于所述第二位置；以及第二材料，其中所述第一材料在所述第二材料与所述开口之间，并且所述第二材料具有小于所述第一材料的电介质常数的电介质常数。
225.示例a72包括示例a71的主题，并且进一步指定开口在第一位置处具有圆形截面，
并且开口在第二位置处具有圆形截面。
226.示例a73包括示例a71的主题，并且进一步指定开口在第一位置处具有非圆形截面，并且开口在第二位置处具有非圆形截面。
227.示例a74包括示例a71
‑
73中任一项的主题，并且进一步指定所述开口在沿所述毫米波电介质波导的纵向方向的第三位置处具有第三面积，所述第三面积不同于所述第一面积，所述第三面积不同于所述第二面积，所述第三位置不同于所述第一位置，并且所述第三位置不同于所述第二位置。
228.示例a75包括示例a74的主题，并且进一步指定第三位置在第一位置与第二位置之间，并且第三面积在第一面积与第二面积之间。
229.示例a76包括示例a71
‑
75中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括具有有第一面积的开口的第一区段、具有有第二面积的开口的第二区段、以及第一区段和第二区段之间的过渡区段。
230.示例a77包括示例a76的主题，并且进一步指定过渡区段包括开口从具有第一面积到具有第二面积的阶梯式改变。
231.示例a78包括示例a76的主题，并且进一步指定过渡区段包括第一区段和第二区段之间的间隙。
232.示例a79包括示例a78的主题，并且进一步指定间隙具有小于1毫米的宽度。
233.示例a80包括示例a76的主题，并且进一步指定过渡区段包括开口从具有第一面积到具有第二面积的平滑变化的改变。
234.示例a81包括示例a71
‑
75中任一项的主题，并且进一步指定开口具有沿毫米波电介质波导的纵向方向平滑变化的面积。
235.示例a82包括示例a71
‑
81中任一项的主题，并且进一步指定开口是第一开口，并且毫米波电介质波导进一步包括第一材料中的第二开口，所述第二开口沿毫米波电介质波导纵向延伸。
236.示例a83包括示例a82的主题，并且进一步指定第二开口在沿毫米波电介质波导的纵向方向的第一位置处具有第三面积，第二开口在沿毫米波电介质波导的纵向方向的第二位置处具有第四面积，第三面积不同于第四面积，并且第一位置不同于第二位置。
237.示例a84包括示例a71
‑
83中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括：在所述开口中的空气。
238.示例a85包括示例a71
‑
84中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括：在所述开口中的第三材料，其中所述第三材料具有小于所述第一材料的电介质常数的电介质常数。
239.示例a86包括示例a71
‑
75中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
240.示例a87包括示例a71
‑
86中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括塑料。
241.示例a88包括示例a87的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
242.示例a89包括示例a71
‑
88中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括陶瓷。
243.示例a90包括示例a89的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
244.示例a91包括示例a71
‑
90中任一项的主题，并且进一步指定第二材料包括泡沫。
245.示例a92包括示例a71
‑
91中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有小于2的电介质常数。
246.示例a93包括示例a71
‑
92中任一项的主题，并且进一步指定所述第一材料具有小于或等于2毫米的外径。
247.示例a94包括示例a71
‑
93中任一项的主题，并且进一步指定开口是第一材料中的开口阵列中的一个开口。
248.示例a95包括示例a71
‑
94中任一项的主题，并且进一步指定所述第一材料在所述第一位置处具有圆形截面，并且所述第一材料在所述第二位置处具有圆形截面。
249.示例a96包括示例a71
‑
94中任一项的主题，并且进一步指定所述第一材料在所述第一位置处具有非圆形截面，并且所述第一材料在所述第二位置处具有非圆形截面。
250.示例a97包括示例a71
‑
96中任一项的主题，并且进一步指定所述第二材料在所述第一位置处具有圆形截面，并且所述第二材料在所述第二位置处具有圆形截面。
251.示例a98包括示例a71
‑
96中任一项的主题，并且进一步指定所述第二材料在所述第一位置处具有非圆形截面，并且所述第二材料在所述第二位置处具有非圆形截面。
252.示例a99包括示例a71
‑
98中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导是线缆中的多个毫米波电介质波导中的一个。
253.示例a100包括示例a99的主题，并且进一步指定线缆包括围绕多个毫米波电介质波导的包裹材料。
254.示例a101包括示例a99
‑
100中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括：在所述毫米波电介质波导的末端处的连接器。
255.示例a102包括示例a71
‑
98中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括在封装衬底或中介层中。
256.示例a103包括示例a71
‑
102中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导具有小于5米的长度。
257.示例a104包括示例a71
‑
103中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括：金属层，其中所述第一材料在所述开口与所述金属层之间。
258.示例a105包括示例a104的主题，并且进一步指定，金属层是第一金属层，毫米波电介质波导进一步包括第二金属层，并且第一材料在第一金属层与第二金属层之间。
259.示例a106包括示例a71
‑
105中任一项的主题，并且进一步指定第一微电子部件包括毫米波通信收发器。
260.示例a107包括示例a71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信系统是服务器系统。
261.示例a108包括示例a71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信系统是手持系统。
262.示例a109包括示例a71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信系统是可穿戴系统。
263.示例a110包括示例a71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信系统是车辆系统。
264.示例a111是制造毫米波电介质波导的方法，包括本文公开的方法中的任何一个。
265.示例b1是毫米波电介质波导，包括：第一区段，所述第一区段包括第一材料和第一覆层；以及第二区段，所述第二区段包括第二材料和第二覆层；其中第一材料是固体材料，并且第二材料具有在其中的纵向开口。
266.示例b2包括示例b1的主题，并且进一步指定第一材料和第二材料具有相同的材料成分。
267.示例b3包括示例b1
‑
2中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层和第二覆层具有相同的材料成分。
268.示例b4包括示例b1
‑
3中任一项的主题，并且进一步指定所述开口具有圆形截面。
269.示例b5包括示例b1
‑
3中任一项的主题，并且进一步指定开口具有非圆形截面。
270.示例b6包括示例b1
‑
5中任一项的主题，并且进一步包括：在所述第一区段与所述第二区段之间的第三区段，其中所述第三区段包括第三材料和第三覆层，所述第三材料具有在其中的纵向开口，并且所述纵向开口的更靠近所述第二区段的直径增加。
271.示例b7包括示例b6的主题，并且进一步指定第三材料的更靠近所述第二区段的直径增加。
272.示例b8包括示例b6
‑
7中任一项的主题，并且进一步指定所述第三材料的外径在接近所述第一材料的所述第三材料的末端处等于所述第一材料的外径。
273.示例b9包括示例b6
‑
8中任一项的主题，并且进一步指定所述第三材料的外径在接近所述第二材料的所述第三材料的末端处等于所述第二材料的外径。
274.示例b10包括示例b6
‑
9中任一项的主题，并且进一步指定第三区段的长度在1毫米和50毫米之间。
275.示例b11包括示例b1
‑
10中任一项的主题，并且进一步指定所述第一区段进一步包括涂层，所述第一覆层在所述涂层与所述第一材料之间，并且所述涂层具有大于所述第一覆层的损耗正切的损耗正切。
276.示例b12包括示例b11的主题，并且进一步指定涂层不延伸到第二区段。
277.示例b13包括示例b11
‑
12中任一项的主题，并且进一步指定所述涂层包括导电颗粒或纤维，或者所述涂层包括铁氧体材料。
278.示例b14包括示例b1
‑
13中任一项的主题，并且进一步包括：在所述开口中的空气。
279.示例b15包括示例b1
‑
14中任一项的主题，并且进一步包括：在所述开口中的第三材料，其中所述第三材料具有小于所述第一材料的电介质常数的电介质常数。
280.示例b16包括示例b1
‑
15中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
281.示例b17包括示例b1
‑
16中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括塑料。
282.示例b18包括示例b17的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
283.示例b19包括示例b1
‑
18中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括陶瓷。
284.示例b20包括示例b19的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
285.示例b21包括示例b1
‑
20中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层包括泡沫。
286.示例b22包括示例b1
‑
21中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层具有小于2的电介质常数。
287.示例b23包括示例b1
‑
22中任一项的主题，并且进一步指定所述第一材料具有小于
或等于2毫米的外径。
288.示例b24包括示例b1
‑
23中任一项的主题，并且进一步指定开口是第二材料中的开口阵列中的一个开口。
289.示例b25包括示例b1
‑
24中任一项的主题，并且进一步指定所述毫米波电介质波导的外部直径沿所述毫米波电介质波导的纵向方向是恒定的。
290.示例b26包括示例b1
‑
24中任一项的主题，并且进一步指定所述毫米波电介质波导的外部直径沿所述毫米波电介质波导的纵向方向不是恒定的。
291.示例b27包括示例b1
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层具有圆形截面。
292.示例b28包括示例b1
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层具有非圆形截面。
293.示例b29包括示例b1
‑
28中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导是线缆中的多个毫米波电介质波导中的一个。
294.示例b30包括示例b29的主题，并且进一步指定线缆包括围绕多个毫米波电介质波导的包裹材料。
295.示例b31包括示例b29
‑
30中任一项的主题，并且进一步包括：在所述毫米波电介质波导的末端处的连接器。
296.示例b32包括示例b1
‑
28中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括在封装衬底或中介层中。
297.示例b33包括示例b1
‑
32中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导具有小于5米的长度。
298.示例b34包括示例b1
‑
33中任一项的主题，并且进一步包括：金属层，其中所述第二材料在所述开口与所述金属层之间。
299.示例b35包括示例b34的主题，并且进一步指定所述金属层是第一金属层，所述毫米波电介质波导进一步包括第二金属层，并且所述第一材料在所述第一金属层与所述第二金属层之间。
300.示例b36是毫米波电介质波导，包括：包括第一材料和第一覆层的第一区段；以及包括第二材料和第二覆层的第二区段；其中所述第一区段包括在所述第一覆层外部的涂层，所述涂层不延伸到所述第二区段上，并且所述第二材料具有在其中的纵向开口。
301.示例b37包括示例b36的主题，并且进一步指定第一材料和第二材料具有相同的材料成分。
302.示例b38包括示例b36
‑
37中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层和第二覆层具有相同的材料成分。
303.示例b39包括示例b36
‑
38中任一项的主题，并且进一步指定开口具有圆形截面。
304.示例b40包括示例b36
‑
38中任一项的主题，并且进一步指定开口具有非圆形截面。
305.示例b41包括示例b36
‑
40中任一项的主题，并且进一步包括：在所述第一区段与所述第二区段之间的第三区段，其中所述第三区段包括第三材料和第三覆层，所述第三材料具有在其中的纵向开口，并且所述纵向开口的更靠近第二区段的直径增加。
306.示例b42包括示例b41的主题，并且进一步指定第三材料的更靠近第二区段的直径
增加。
307.示例b43包括示例b41
‑
42中任一项的主题，并且进一步指定所述第三材料的外径在接近所述第一材料的所述第三材料的末端处等于所述第一材料的外径。
308.示例b44包括示例b41
‑
43中任一项的主题，并且进一步指定所述第三材料的外径在接近所述第二材料的所述第三材料的末端处等于所述第二材料的外径。
309.示例b45包括示例b41
‑
44中任一项的主题，并且进一步指定第三区段的长度在1毫米和50毫米之间。
310.示例b46包括示例b36
‑
45中任一项的主题，并且进一步指定所述涂层具有大于所述第一覆层的损耗正切的损耗正切。
311.示例b47包括示例b36
‑
46中任一项的主题，并且进一步指定所述涂层包括导电颗粒或纤维。
312.示例b48包括示例b36
‑
47中任一项的主题，并且进一步指定所述涂层包括导电颗粒或纤维，或者所述涂层包括铁氧体材料。
313.示例b49包括示例b36
‑
48中任一项的主题，并且进一步包括：在所述开口中的空气。
314.示例b50包括示例b36
‑
49中任一项的主题，并且进一步包括：在所述开口中的第三材料，其中所述第三材料具有小于所述第一材料的电介质常数的电介质常数。
315.示例b51包括示例b36
‑
50中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
316.示例b52包括示例b36
‑
51中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括塑料。
317.示例b53包括示例b52的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
318.示例b54包括示例b36
‑
53中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括陶瓷。
319.示例b55包括示例b54的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
320.示例b56包括示例b36
‑
55中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层包括泡沫。
321.示例b57包括示例b36
‑
56中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层具有小于2的电介质常数。
322.示例b58包括示例b36
‑
57中任一项的主题，并且进一步指定第一材料具有小于或等于2毫米的外径。
323.示例b59包括示例b36
‑
58中任一项的主题，并且进一步指定开口是第二材料中的开口阵列中的一个开口。
324.示例b60包括示例b36
‑
59中任一项的主题，并且进一步指定所述第一材料具有在其中的纵向开口，并且所述第一材料中的开口的直径小于所述第二材料中的开口的直径。
325.示例b61包括示例b36
‑
59中任一项的主题，并且进一步指定第一材料不具有在其中的纵向开口。
326.示例b62包括示例b36
‑
61中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层具有圆形截面。
327.示例b63包括示例b36
‑
61中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层具有非圆形截面。
328.示例b64包括示例b36
‑
63中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导是
线缆中的多个毫米波电介质波导中的一个。
329.示例b65包括示例b64的主题，并且进一步指定线缆包括围绕多个毫米波电介质波导的包裹材料。
330.示例b66包括示例b64
‑
65中任一项的主题，并且进一步包括：在所述毫米波电介质波导的末端处的连接器。
331.示例b67包括示例b36
‑
63中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括在封装衬底或中介层中。
332.示例b68包括示例b36
‑
67中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导具有小于5米的长度。
333.示例b69包括示例b36
‑
68中任一项的主题，并且进一步包括：金属层，其中所述第二材料在所述开口与所述金属层之间。
334.示例b70包括示例b69的主题，并且进一步指定所述金属层是第一金属层，所述毫米波电介质波导进一步包括第二金属层，并且所述第一材料在所述第一金属层与所述第二金属层之间。
335.示例b71是毫米波通信系统，包括：第一微电子部件；第二微电子部件；以及通信地耦合在第一微电子部件与第二微电子部件之间的毫米波电介质波导，其中毫米波电介质波导包括：包括第一材料和第一覆层的第一区段，以及包括第二材料和第二覆层的第二区段，其中所述第一区段包括吸收涂层，并且所述第二区段不包括吸收涂层。
336.示例b72包括示例b71的主题，并且进一步指定第一材料和第二材料具有相同的材料成分。
337.示例b73包括示例b71
‑
72中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层和第二覆层具有相同的材料成分。
338.示例b74包括示例b71
‑
73中任一项的主题，并且进一步指定所述第二材料具有在其中的纵向开口，并且所述开口具有圆形截面。
339.示例b75包括示例b71
‑
73中任一项的主题，并且进一步指定所述第二材料具有在其中的纵向开口，并且所述开口具有非圆形截面。
340.示例b76包括示例b71
‑
75中任一项的主题，并且进一步包括：在所述第一区段与所述第二区段之间的第三区段，其中所述第三区段包括第三材料和第三覆层，所述第三材料具有在其中的纵向开口，并且所述纵向开口的更靠近所述第二区段的直径增加。
341.示例b77包括示例b76的主题，并且进一步指定第三材料的更靠近所述第二区段的直径增加。
342.示例b78包括示例b76
‑
77中任一项的主题，并且进一步指定所述第三材料的外径在接近所述第一材料的所述第三材料的末端处等于所述第一材料的外径。
343.示例b79包括示例b76
‑
78中任一项的主题，并且进一步指定所述第三材料的外径在接近所述第二材料的所述第三材料的末端处等于所述第二材料的外径。
344.示例b80包括示例b76
‑
79中任一项的主题，并且进一步指定第三区段的长度在1毫米和50毫米之间。
345.示例b81包括示例b71
‑
80中任一项的主题，并且进一步指定所述吸收涂层具有大于所述第一覆层的损耗正切的损耗正切。
346.示例b82包括示例b81的主题，并且进一步指定吸收涂层具有大于第二覆层的损耗正切的损耗正切。
347.示例b83包括示例b81
‑
82中任一项的主题，并且进一步指定所述吸收涂层包括导电颗粒或纤维，或者所述吸收涂层包括铁氧体材料。
348.示例b84包括示例b71
‑
83中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括：在所述开口中的空气。
349.示例b85包括示例b71
‑
84中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括：在所述开口中的第三材料，其中所述第三材料具有小于所述第一材料的电介质常数的电介质常数。
350.示例b86包括示例b71
‑
75中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
351.示例b87包括示例b71
‑
86中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括塑料。
352.示例b88包括示例b87的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
353.示例b89包括示例b71
‑
88中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括陶瓷。
354.示例b90包括示例b89的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
355.示例b91包括示例b71
‑
90中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层包括泡沫。
356.示例b92包括示例b71
‑
91中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层具有小于2的电介质常数。
357.示例b93包括示例b71
‑
92中任一项的主题，并且进一步指定所述第一材料具有小于或等于2毫米的直径。
358.示例b94包括示例b71
‑
93中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有在其中的纵向开口，并且所述开口是第二材料中的开口阵列中的一个开口。
359.示例b95包括示例b71
‑
94中任一项的主题，并且进一步指定所述毫米波电介质波导的外部直径沿所述毫米波电介质波导的纵向方向是恒定的。
360.示例b96包括示例b71
‑
94中任一项的主题，并且进一步指定所述毫米波电介质波导的外部直径沿所述毫米波电介质波导的纵向方向不是恒定的。
361.示例b97包括示例b71
‑
96中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层具有圆形截面。
362.示例b98包括示例b71
‑
96中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层具有非圆形截面。
363.示例b99包括示例b71
‑
98中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导是线缆中的多个毫米波电介质波导中的一个。
364.示例b100包括示例b99的主题，并且进一步指定线缆包括围绕多个毫米波电介质波导的包裹材料。
365.示例b101包括示例b99
‑
100中任一项的主题，并且进一步指定所述毫米波电介质波导包括：在所述毫米波电介质波导的末端处的连接器。
366.示例b102包括示例b71
‑
98中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括在封装衬底或中介层中。
367.示例b103包括示例b71
‑
102中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导
具有小于5米的长度。
368.示例b104包括示例b71
‑
103中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导包括：金属层，其中所述第一材料在第一覆层和金属层之间。
369.示例b105包括示例b104的主题，并且进一步指定金属层是第一金属层，所述毫米波电介质波导进一步包括第二金属层，并且所述第一材料在所述第一金属层和所述第二金属层之间。
370.示例b106包括示例b71
‑
105中任一项的主题，并且进一步指定第一微电子部件包括毫米波通信收发器。
371.示例b107包括示例b71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定所述毫米波通信系统是服务器系统。
372.示例b108包括示例b71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定所述毫米波通信系统是手持系统。
373.示例b109包括示例b71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定所述毫米波通信系统是可穿戴系统。
374.示例b110包括示例b71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定所述毫米波通信系统是车辆系统。
375.示例c1是毫米波电介质波导束，包括：第一电介质波导，所述第一电介质波导包括第一芯材料和第一覆层材料；以及与第一电介质波导相邻的第二电介质波导，所述第二电介质波导包括第二芯材料和第二覆层材料，其中在沿毫米波电介质波导束的纵向长度的位置处，（1）第一芯材料具有与第二芯材料不同的材料成分，或者（2）第一覆层材料具有与第二覆层材料不同的材料成分。
376.示例c2包括示例c1的主题，并且进一步指定第一芯材料具有与第二芯材料不同的材料成分。
377.示例c3包括示例c1
‑
2中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层材料具有与第二覆层材料不同的材料成分。
378.示例c4包括示例c1
‑
3中任一项的主题，并且进一步指定所述第一电介质波导包括在所述第一芯材料中的第一纵向开口，并且所述第二电介质波导包括在所述第二芯材料中的第二纵向开口。
379.示例c5包括示例c4的主题，并且进一步指定所述位置处的所述第一纵向开口的面积不同于所述位置处的所述第二纵向开口的面积。
380.示例c6包括示例c4
‑
5中任一项的主题，并且进一步指定第一纵向开口中的材料不同于第二纵向开口中的材料。
381.示例c7包括示例c6的主题，并且进一步指定第一纵向开口中的材料包括空气。
382.示例c8包括示例c1
‑
7中任一项的主题，并且进一步指定所述第一芯材料和所述第二芯材料在所述位置处具有不同的外径。
383.示例c9包括示例c1
‑
7中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料和所述第二覆层材料在所述位置处具有不同的外径。
384.示例c10包括示例c1
‑
9中任一项的主题，并且进一步指定所述第一芯材料和所述第二芯材料在所述位置处具有不同的外形（outer shape）。
385.示例c11包括示例c1
‑
9中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料和所述第二覆层材料在所述位置处具有不同的外形。
386.示例c12包括示例c1
‑
11中任一项的主题，并且进一步包括：第三电介质波导，其中所述第二电介质波导在所述第一电介质波导和所述第二电介质波导之间，并且所述第三电介质波导具有与所述第一电介质波导相同的结构。
387.示例c13包括示例c1
‑
12中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
388.示例c14包括示例c1
‑
13中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括塑料。
389.示例c15包括示例c14的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
390.示例c16包括示例c1
‑
15中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括陶瓷。
391.示例c17包括示例c16的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
392.示例c18包括示例c1
‑
17中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层材料包括泡沫。
393.示例c19包括示例c1
‑
18中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料具有小于2的电介质常数。
394.示例c20包括示例c1
‑
18中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料具有小于所述第一芯材料的电介质常数的电介质常数，并且所述第二覆层材料具有小于所述第二芯材料的电介质常数的电介质常数。
395.示例c21包括示例c1
‑
20中任一项的主题，并且进一步指定所述第一芯材料具有小于或等于2毫米的外径。
396.示例c22包括示例c1
‑
21中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括多个开口。
397.示例c23包括示例c1
‑
22中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包括一维阵列的电介质波导。
398.示例c24包括示例c1
‑
22中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包括二维阵列的电介质波导。
399.示例c25包括示例c1
‑
24中任一项的主题，并且进一步指定第一电介质波导的外部直径沿毫米波电介质波导束的纵向方向是恒定的。
400.示例c26包括示例c1
‑
24中任一项的主题，并且进一步指定第一电介质波导的外部直径沿毫米波电介质波导束的纵向方向不是恒定的。
401.示例c27包括示例c1
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层材料具有圆形截面。
402.示例c28包括示例c1
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料具有非圆形截面。
403.示例c29包括示例c1
‑
28中任一项的主题，并且进一步包括：包围所述第一电介质波导和所述第二电介质波导的包裹物（wrap）。
404.示例c30包括示例c1
‑
29中任一项的主题，并且进一步包括：在所述毫米波电介质波导束的末端处的连接器。
405.示例c31包括示例c1
‑
30中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包
括四个或更多个电介质波导。
406.示例c32包括示例c1
‑
28中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包括在封装衬底或中介层中。
407.示例c33包括示例c1
‑
32中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束具有小于5米的长度。
408.示例c34包括示例c1
‑
33中任一项的主题，并且进一步包括：金属层，其中所述第一电介质波导和所述第二电介质波导在所述金属层的相同面处。
409.示例c35包括示例c34的主题，并且进一步指定所述金属层是第一金属层，所述毫米波电介质波导束进一步包括第二金属层，并且所述第一电介质波导在所述第一金属层与所述第二金属层之间。
410.示例c36是毫米波电介质波导束，包括：第一电介质波导，所述第一电介质波导包括第一芯材料和第一覆层材料；以及与第一电介质波导相邻的第二电介质波导，所述第二电介质波导包括第二芯材料和第二覆层材料，其中在沿毫米波电介质波导束的纵向长度的位置处，（1）第一芯材料与第二芯材料相比具有一个或多个不同的尺寸，或者（2）第一覆层材料与第二覆层材料相比具有一个或多个不同的尺寸。
411.示例c37包括示例c36的主题，并且进一步指定第一芯材料具有与第二芯材料不同的材料成分。
412.示例c38包括示例c36
‑
37中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层材料具有与第二覆层材料不同的材料成分。
413.示例c39包括示例c36
‑
38中任一项的主题，并且进一步指定所述第一电介质波导包括所述第一芯材料中的第一纵向开口，并且所述第二电介质波导包括所述第二芯材料中的第二纵向开口。
414.示例c40包括示例c39的主题，并且进一步指定在所述位置处的所述第一纵向开口的面积不同于在所述位置处的所述第二纵向开口的面积。
415.示例c41包括示例c39
‑
40中任一项的主题，并且进一步指定第一纵向开口中的材料不同于第二纵向开口中的材料。
416.示例c42包括示例c41的主题，并且进一步指定第一纵向开口中的材料包括空气。
417.示例c43包括示例c36
‑
42中任一项的主题，并且进一步指定所述第一芯材料和所述第二芯材料在所述位置处具有不同的外径。
418.示例c44包括示例c36
‑
42中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料和所述第二覆层材料在所述位置处具有不同的外径。
419.示例c45包括示例c36
‑
44中任一项的主题，并且进一步指定所述第一芯材料和所述第二芯材料在所述位置处具有不同的外形。
420.示例c46包括示例c36
‑
44中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料和所述第二覆层材料在所述位置处具有不同的外形。
421.示例c47包括示例c36
‑
46中任一项的主题，并且进一步包括：第三电介质波导，其中所述第二电介质波导在所述第一电介质波导和所述第二电介质波导之间，并且所述第三电介质波导具有与所述第一电介质波导相同的结构。
422.示例c48包括示例c36
‑
47中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括聚四
氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
423.示例c49包括示例c36
‑
48中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括塑料。
424.示例c50包括示例c49的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
425.示例c51包括示例c36
‑
50中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括陶瓷。
426.示例c52包括示例c51的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
427.示例c53包括示例c36
‑
52中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层材料包括泡沫。
428.示例c54包括示例c36
‑
53中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料具有小于2的电介质常数。
429.示例c55包括示例c36
‑
53中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料具有小于所述第一芯材料的电介质常数的电介质常数，并且所述第二覆层材料具有小于所述第二芯材料的电介质常数的电介质常数。
430.示例c56包括示例c36
‑
55中任一项的主题，并且进一步指定所述第一芯材料具有小于或等于2毫米的外径。
431.示例c57包括示例c36
‑
56中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括多个开口。
432.示例c58包括示例c36
‑
57中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包括一维阵列的电介质波导。
433.示例c59包括示例c36
‑
57中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包括二维阵列的电介质波导。
434.示例c60包括示例c36
‑
59中任一项的主题，并且进一步指定第一电介质波导的外部直径沿毫米波电介质波导束的纵向方向是恒定的。
435.示例c61包括示例c36
‑
59中任一项的主题，并且进一步指定第一电介质波导的外部直径沿毫米波电介质波导束的纵向方向不是恒定的。
436.示例c62包括示例c36
‑
61中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层材料具有圆形截面。
437.示例c63包括示例c36
‑
61中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料具有非圆形截面。
438.示例c64包括示例c36
‑
63中任一项的主题，并且进一步包括：包围所述第一电介质波导和所述第二电介质波导的包裹物。
439.示例c65包括示例c36
‑
64中任一项的主题，并且进一步包括：在所述毫米波电介质波导束的末端处的连接器。
440.示例c66包括示例c36
‑
65中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包括四个或更多个电介质波导。
441.示例c67包括示例c36
‑
63中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包括在封装衬底或中介层中。
442.示例c68包括示例c36
‑
67中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束具有小于5米的长度。
443.示例c69包括示例c36
‑
68中任一项的主题，并且进一步包括：金属层，其中所述第
一电介质波导和所述第二电介质波导在所述金属层的相同面处。
444.示例c70包括示例c69的主题，并且进一步指定所述金属层是第一金属层，所述毫米波电介质波导束进一步包括第二金属层，并且所述第一电介质波导在所述第一金属层与所述第二金属层之间。
445.示例c71是毫米波通信系统，包括：第一微电子部件；第二微电子部件；以及通信地耦合在第一微电子部件与第二微电子部件之间的毫米波电介质波导束，其中毫米波电介质波导束包括：第一电介质波导，所述第一电介质波导包括第一芯材料和第一覆层材料；以及与第一电介质波导相邻的第二电介质波导，所述第二电介质波导包括第二芯材料和第二覆层材料，其中在沿毫米波电介质波导束的纵向长度的位置处，第一电介质波导具有与第二电介质波导不同的材料布置。
446.示例c72包括示例c71的主题，并且进一步指定第一芯材料具有与第二芯材料不同的材料成分。
447.示例c73包括示例c71
‑
72中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层材料具有与第二覆层材料不同的材料成分。
448.示例c74包括示例c71
‑
73中任一项的主题，并且进一步指定所述第一电介质波导包括所述第一芯材料中的第一纵向开口，并且所述第二电介质波导包括所述第二芯材料中的第二纵向开口。
449.示例c75包括示例c74的主题，并且进一步指定在所述位置处的所述第一纵向开口的面积不同于在所述位置处的所述第二纵向开口的面积。
450.示例c76包括示例c74
‑
75中任一项的主题，并且进一步指定第一纵向开口中的材料不同于第二纵向开口中的材料。
451.示例c77包括示例c76的主题，并且进一步指定第一纵向开口中的材料包括空气。
452.示例c78包括示例c71
‑
77中任一项的主题，并且进一步指定所述第一芯材料和所述第二芯材料在所述位置处具有不同的外径。
453.示例c79包括示例c71
‑
77中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料和所述第二覆层材料在所述位置处具有不同的外径。
454.示例c80包括示例c71
‑
79中任一项的主题，并且进一步指定所述第一芯材料和所述第二芯材料在所述位置处具有不同的外形。
455.示例c81包括示例c71
‑
79中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料和所述第二覆层材料在所述位置处具有不同的外形。
456.示例c82包括示例c71
‑
81中任一项的主题，并且进一步包括：第三电介质波导，其中所述第二电介质波导在所述第一电介质波导和所述第二电介质波导之间，并且所述第三电介质波导具有与所述第一电介质波导相同的结构。
457.示例c83包括示例c71
‑
82中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
458.示例c84包括示例c71
‑
83中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括塑料。
459.示例c85包括示例c84的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
460.示例c86包括示例c71
‑
85中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括陶瓷。
461.示例c87包括示例c86的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
462.示例c88包括示例c71
‑
87中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层材料包括泡沫。
463.示例c89包括示例c71
‑
88中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料具有小于2的电介质常数。
464.示例c90包括示例c71
‑
88中任一项的主题，并且进一步指定所述第一覆层材料具有小于所述第一芯材料的电介质常数的电介质常数，并且所述第二覆层材料具有小于所述第二芯材料的电介质常数的电介质常数。
465.示例c91包括示例c71
‑
90中任一项的主题，并且进一步指定所述第一芯材料具有小于或等于2毫米的外径。
466.示例c92包括示例c71
‑
91中任一项的主题，并且进一步指定第一芯材料包括多个开口。
467.示例c93包括示例c71
‑
92中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包括一维阵列的电介质波导。
468.示例c94包括示例c71
‑
92中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包括二维阵列的电介质波导。
469.示例c95包括示例c71
‑
94中任一项的主题，并且进一步指定第一电介质波导的外部直径沿毫米波电介质波导束的纵向方向是恒定的。
470.示例c96包括示例c71
‑
94中任一项的主题，并且进一步指定第一电介质波导的外部直径沿毫米波电介质波导束的纵向方向不是恒定的。
471.示例c97包括示例c71
‑
96中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层材料具有圆形截面。
472.示例c98包括示例c71
‑
96中任一项的主题，并且进一步指定第一覆层材料具有非圆形截面。
473.示例c99包括示例c71
‑
98中任一项的主题，并且进一步包括：包围所述第一电介质波导和所述第二电介质波导的包裹物。
474.示例c100包括示例c71
‑
99中任一项的主题，并且进一步包括：在所述毫米波电介质波导束的末端处的连接器。
475.示例c101包括示例c71
‑
100中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包括四个或更多个电介质波导。
476.示例c102包括示例c71
‑
98中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束包括在封装衬底或中介层中。
477.示例c103包括示例c71
‑
102中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导束具有小于5米的长度。
478.示例c104包括示例c71
‑
103中任一项的主题，并且进一步包括：金属层，其中所述第一电介质波导和所述第二电介质波导在所述金属层的相同面处。
479.示例c105包括示例c104的主题，并且进一步指定所述金属层是第一金属层，毫米波电介质波导束进一步包括第二金属层，并且第一电介质波导在第一金属层与第二金属层之间。
480.示例c106包括示例c71
‑
105中任一项的主题，并且进一步指定第一微电子部件包
括毫米波通信收发器。
481.示例c107包括示例c71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信系统是服务器系统。
482.示例c108包括示例c71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信系统是手持系统。
483.示例c109包括示例c71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信系统是可穿戴系统。
484.示例c110包括示例c71
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信系统是车辆系统。
485.示例c111是制造毫米波电介质波导束的方法，包括本文公开的方法中的任何一个。
486.示例d1是毫米波电介质波导连接器，包括：第一材料；至少部分地围绕所述第一材料的第二材料，其中所述第二材料具有小于所述第一材料的电介质常数的电介质常数；至少部分地围绕所述第二材料的第三材料，其中所述第三材料具有大于所述第二材料的损耗正切的损耗正切；第一连接器接口，其中所述第一材料的第一末端在所述第一连接器接口处暴露；以及第二连接器接口，其中所述第一材料的第二末端在所述第二连接器接口处暴露。
487.示例d2包括示例d1的主题，并且进一步指定第一连接器接口平行于第二连接器接口。
488.示例d3包括示例d1的主题，并且进一步指定第一连接器接口不平行于第二连接器接口。
489.示例d4包括示例d1的主题，并且进一步指定第一连接器接口垂直于第二连接器接口。
490.示例d5包括示例d1的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导连接器是弯曲的。
491.示例d6包括示例d1
‑
5中任一项的主题，并且进一步包括：围绕所述第一材料、第二材料和第三材料的外壳（housing）。
492.示例d7包括示例d6的主题，并且进一步指定第一连接器接口相对于外壳凹进。
493.示例d8包括示例d6的主题，并且进一步指定外壳相对于第一连接器接口凹进。
494.示例d9包括示例d1
‑
8中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的第一末端的面平行于在第一连接器接口处的第二材料的末端的面。
495.示例d10包括示例d1
‑
8中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的第一末端的面不平行于在第一连接器接口处的第二材料的末端的面。
496.示例d11包括示例d1
‑
10中任一项的主题，并且进一步指定第二材料在第一连接器接口处暴露。
497.示例d12包括示例d1
‑
11中任一项的主题，并且进一步指定第二材料在第二连接器接口处暴露。
498.示例d13包括示例d1
‑
12中任一项的主题，并且进一步指定第三材料不在第一连接器接口处暴露。
499.示例d14包括示例d1
‑
13中任一项的主题，并且进一步指定第三材料不在第二连接
器接口处暴露。
500.示例d15包括示例d1
‑
14中任一项的主题，并且进一步指定第二材料包裹第一材料。
501.示例d16包括示例d1
‑
15中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
502.示例d17包括示例d1
‑
16中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括塑料。
503.示例d18包括示例d17的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
504.示例d19包括示例d1
‑
18中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括陶瓷。
505.示例d20包括示例d19的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
506.示例d21包括示例d1
‑
20中任一项的主题，并且进一步指定第二材料包括泡沫。
507.示例d22包括示例d1
‑
21中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有小于2的电介质常数。
508.示例d23包括示例d1
‑
22中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有1毫米和5毫米之间的外径。
509.示例d24包括示例d1
‑
23中任一项的主题，并且进一步指定第三材料包括导电颗粒或纤维。
510.示例d25包括示例d1
‑
24中任一项的主题，并且进一步指定第三材料包括铁氧体材料。
511.示例d26包括示例d1
‑
25中任一项的主题，并且进一步指定第三材料具有0.1毫米和2毫米之间的厚度。
512.示例d27包括示例d1
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的直径从第一连接器接口变窄。
513.示例d28包括示例d1
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的直径在毫米波电介质波导连接器中是恒定的。
514.示例d29包括示例d1
‑
28中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的长度在5毫米和50毫米之间。
515.示例d30包括示例d1
‑
29中任一项的主题，并且进一步指定第二连接器接口耦合到微电子支撑件。
516.示例d31包括示例d30的主题，并且进一步指定微电子支撑件包括封装衬底或中介层。
517.示例d32包括示例d1
‑
29中任一项的主题，并且进一步指定第二连接器接口耦合到电介质波导线缆。
518.示例d33包括示例d1
‑
32中任一项的主题，并且进一步指定第一材料具有圆形外径。
519.示例d34包括示例d1
‑
32中任一项的主题，并且进一步指定第一材料具有非圆形外径。
520.示例d35包括示例d1
‑
34中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有圆形外径。
521.示例d36包括示例d1
‑
34中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有非圆形外
径。
522.示例d37包括示例d1
‑
36中任一项的主题，并且进一步指定第一材料、第二材料和第三材料是波导的一部分，并且毫米波电介质波导连接器包括多个波导。
523.示例d38包括示例d1
‑
37中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的第一末端在第一连接器接口处相对于第二材料的末端凹进。
524.示例d39包括示例d1
‑
37中任一项的主题，并且进一步指定第二材料的末端在第一连接器接口处相对于第一材料的第一末端凹进。
525.示例d40包括示例d1
‑
37中任一项的主题，并且进一步指定第二材料的末端在第一连接器接口处与第一材料的第一末端共面。
526.示例d41是毫米波电介质波导连接器复合体，包括：第一连接器，所述第一连接器包括：第一材料和至少部分地围绕所述第一材料的第二材料，其中所述第二材料具有小于所述第一材料的电介质常数的电介质常数，第一连接器接口和与所述第一连接器接口相反的第二连接器接口；以及与第一连接器配合的第二连接器，其中第二连接器包括：第一材料和至少部分地围绕所述第一材料的第二材料，其中所述第二材料具有小于所述第一材料的电介质常数的电介质常数；其中所述第一连接器和所述第二连接器在所述第一连接器的第一连接器接口处相遇，所述第一连接器或所述第二连接器包括第三材料，使得当所述第一连接器和所述第二连接器配合时，所述第三材料至少部分地围绕所述第一连接器的所述第二材料或所述第二连接器的所述第二材料，并且其中第三材料具有大于第二材料的损耗正切的损耗正切。
527.示例d42包括示例d41的主题，并且进一步指定第一连接器接口平行于第二连接器接口。
528.示例d43包括示例d41的主题，并且进一步指定第一连接器接口不平行于第二连接器接口。
529.示例d44包括示例d41的主题，并且进一步指定第一连接器接口垂直于第二连接器接口。
530.示例d45包括示例d41的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导连接器是弯曲的。
531.示例d46包括示例d41
‑
45中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器进一步包括：围绕所述第一材料和所述第二材料的外壳。
532.示例d47包括示例d46的主题，并且进一步指定第一连接器接口相对于外壳凹进。
533.示例d48包括示例d46的主题，并且进一步指定外壳相对于第一连接器接口凹进。
534.示例d49包括示例d41
‑
48中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第一材料的面平行于第一连接器接口处的第一连接器的第二材料的末端的面。
535.示例d50包括示例d41
‑
48中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第一材料的面不平行于第一连接器接口处的第一连接器的第二材料的末端的面。
536.示例d51包括示例d41
‑
50中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第二材料在第一连接器接口处暴露。
537.示例d52包括示例d41
‑
51中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第二材料在第二连接器接口处暴露。
538.示例d53包括示例d41
‑
52中任一项的主题，并且进一步指定第三材料包括在第一连接器中，并且不在第一连接器接口处暴露。
539.示例d54包括示例d41
‑
53中任一项的主题，并且进一步指定第三材料包括在第一连接器中，并且不在第二连接器接口处暴露。
540.示例d55包括示例d41
‑
54中任一项的主题，并且进一步指定第二材料包裹第二连接器中的第一材料。
541.示例d56包括示例d41
‑
55中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第一材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
542.示例d57包括示例d41
‑
56中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第一材料包括塑料。
543.示例d58包括示例d57的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
544.示例d59包括示例d41
‑
58中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第一材料包括陶瓷。
545.示例d60包括示例d59的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
546.示例d61包括示例d41
‑
60中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第二材料包括泡沫。
547.示例d62包括示例d41
‑
61中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第二材料具有小于2的电介质常数。
548.示例d63包括示例d41
‑
62中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第二材料具有1毫米和5毫米之间的外径。
549.示例d64包括示例d41
‑
63中任一项的主题，并且进一步指定第三材料包括导电颗粒或纤维。
550.示例d65包括示例d41
‑
64中任一项的主题，并且进一步指定第三材料包括铁氧体材料。
551.示例d66包括示例d41
‑
65中任一项的主题，并且进一步指定第三材料具有0.1毫米和2毫米之间的厚度。
552.示例d67包括示例d41
‑
66中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器或第二连接器包括第一材料的锥形部分。
553.示例d68包括示例d41
‑
66中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的直径在第二连接器中是恒定的。
554.示例d69包括示例d41
‑
68中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器中的第一材料的长度在5毫米和50毫米之间。
555.示例d70包括示例d41
‑
69中任一项的主题，并且进一步指定第二连接器接口耦合到微电子支撑件。
556.示例d71包括示例d70的主题，并且进一步指定微电子支撑件包括封装衬底或中介层。
557.示例d72包括示例d41
‑
69中任一项的主题，并且进一步指定第二连接器接口耦合到电介质波导线缆。
558.示例d73包括示例d41
‑
72中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第一材
料具有圆形外径。
559.示例d74包括示例d41
‑
72中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第一材料具有非圆形外径。
560.示例d75包括示例d41
‑
74中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第二材料具有圆形外径。
561.示例d76包括示例d41
‑
74中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第二材料具有非圆形外径。
562.示例d77包括示例d41
‑
76中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第一材料和第二材料是波导的一部分，并且第一连接器包括多个波导。
563.示例d78包括示例d41
‑
77中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第一材料的末端在第一连接器接口处相对于第一连接器的第二材料的末端凹进。
564.示例d79包括示例d41
‑
77中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第二材料的末端在第一连接器接口处相对于第一连接器的第一材料的末端凹进。
565.示例d80包括示例d41
‑
77中任一项的主题，并且进一步指定第一连接器的第二材料的末端在第一连接器接口处与第一连接器的第一材料的末端共面。
566.示例d81是毫米波通信部件，包括：微电子部件；以及通信地耦合到微电子部件的毫米波电介质波导连接器，其中毫米波电介质波导连接器包括：第一材料、至少部分地围绕第一材料的第二材料（其中第二材料具有小于第一材料的电介质常数的电介质常数）、至少部分地围绕第二材料的第三材料（其中第三材料具有大于第二材料的损耗正切的损耗正切）、第一连接器接口（其中第一材料的第一末端在第一连接器接口处暴露）以及耦合到微电子部件的第二连接器接口（其中第一材料的第二末端在第二连接器接口处暴露）。
567.示例d82包括示例d81的主题，并且进一步指定第一连接器接口平行于第二连接器接口。
568.示例d83包括示例d81的主题，并且进一步指定第一连接器接口不平行于第二连接器接口。
569.示例d84包括示例d81的主题，并且进一步指定第一连接器接口垂直于第二连接器接口。
570.示例d85包括示例d81的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导连接器是弯曲的。
571.示例d86包括示例d81
‑
85中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导连接器包括围绕第一材料、第二材料和第三材料的外壳。
572.示例d87包括示例d86的主题，并且进一步指定第一连接器接口相对于外壳凹进。
573.示例d88包括示例d86的主题，并且进一步指定外壳相对于第一连接器接口凹进。
574.示例d89包括示例d81
‑
88中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的第一末端的面平行于在第一连接器接口处的第二材料的末端的面。
575.示例d90包括示例d81
‑
88中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的第一末端的面不平行于在第一连接器接口处的第二材料的末端的面。
576.示例d91包括示例d81
‑
90中任一项的主题，并且进一步指定第二材料在第一连接器接口处暴露。
577.示例d92包括示例d81
‑
91中任一项的主题，并且进一步指定第二材料在第二连接器接口处暴露。
578.示例d93包括示例d81
‑
92中任一项的主题，并且进一步指定第三材料不在第一连接器接口处暴露。
579.示例d94包括示例d81
‑
93中任一项的主题，并且进一步指定第三材料不在第二连接器接口处暴露。
580.示例d95包括示例d81
‑
94中任一项的主题，并且进一步指定第二材料包裹第一材料。
581.示例d96包括示例d81
‑
95中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
582.示例d97包括示例d81
‑
96中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括塑料。
583.示例d98包括示例d97的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
584.示例d99包括示例d81
‑
98中任一项的主题，并且进一步指定第一材料包括陶瓷。
585.示例d100包括示例d99的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
586.示例d101包括示例d81
‑
100中任一项的主题，并且进一步指定第二材料包括泡沫。
587.示例d102包括示例d81
‑
101中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有小于2的电介质常数。
588.示例d103包括示例d81
‑
102中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有在1毫米和5毫米之间的外径。
589.示例d104包括示例d81
‑
103中任一项的主题，并且进一步指定第三材料包括导电颗粒或纤维。
590.示例d105包括示例d81
‑
104中任一项的主题，并且进一步指定第三材料包括铁氧体材料。
591.示例d106包括示例d81
‑
105中任一项的主题，并且进一步指定第三材料具有在0.1毫米和2毫米之间的厚度。
592.示例d107包括示例d81
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的直径从第一连接器接口变窄。
593.示例d108包括示例d81
‑
106中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的直径在毫米波电介质波导连接器中是恒定的。
594.示例d109包括示例d81
‑
108中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的长度在5毫米和50毫米之间。
595.示例d110包括示例d81
‑
109中任一项的主题，并且进一步指定第二连接器接口耦合到微电子部件的微电子支撑件。
596.示例d111包括示例d110的主题，并且进一步指定微电子支撑件包括封装衬底或中介层。
597.示例d112包括示例d81
‑
109中任一项的主题，并且进一步指定第二连接器接口耦合到微电子部件的电介质波导线缆。
598.示例d113包括示例d81
‑
112中任一项的主题，并且进一步指定第一材料具有圆形外径。
599.示例d114包括示例d81
‑
112中任一项的主题，并且进一步指定第一材料具有非圆形外径。
600.示例d115包括示例d81
‑
114中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有圆形外径。
601.示例d116包括示例d81
‑
114中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有非圆形外径。
602.示例d117包括示例d81
‑
116中任一项的主题，并且进一步指定第一材料、第二材料和第三材料是波导的一部分，并且毫米波电介质波导连接器包括多个波导。
603.示例d118包括示例d81
‑
117中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的第一末端在第一连接器接口处相对于第二材料的末端凹进。
604.示例d119包括示例d81
‑
117中任一项的主题，并且进一步指定第二材料的末端在第一连接器接口处相对于第一材料的第一末端凹进。
605.示例d120包括示例d81
‑
117中任一项的主题，并且进一步指定第二材料的末端在第一连接器接口处与第一材料的第一末端共面。
606.示例d121包括示例d81
‑
120中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信部件是服务器系统的一部分。
607.示例d122包括示例d81
‑
120中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信部件是手持系统的一部分。
608.示例d123包括示例d81
‑
120中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信部件是可穿戴系统的一部分。
609.示例d124包括示例d81
‑
120中任一项的主题，并且进一步指定毫米波通信部件是车辆系统的一部分。
610.示例d125是制造毫米波电介质波导连接器的方法，包括本文公开的方法中的任何一个。
611.示例e1是毫米波电介质波导连接器，包括：第一连接器接口；第二连接器接口；在所述第一连接器接口处和在所述第二连接器接口处暴露的电介质材料；以及围绕所述电介质材料的金属结构，其中所述金属结构包括在所述第一连接器接口处的扩口部分。
612.示例e2包括示例e1的主题，并且进一步指定在第一连接器接口处的电介质材料的末端平行于在第二连接器接口处的电介质材料的末端。
613.示例e3包括示例e1的主题，并且进一步指定在第一连接器接口处的电介质材料的末端不平行于在第二连接器接口处的电介质材料的末端。
614.示例e4包括示例e1
‑
3中任一项的主题，并且进一步指定在所述第一连接器接口处的所述电介质材料的末端从所述扩口部分凹进。
615.示例e5包括示例e1
‑
3中任一项的主题，并且进一步指定在第一连接器接口处的电介质材料的末端延伸到扩口部分中。
616.示例e6包括示例e1的主题，并且进一步指定第一连接器接口平行于第二连接器接口。
617.示例e7包括示例e1的主题，并且进一步指定第一连接器接口不平行于第二连接器接口。
618.示例e8包括示例e1的主题，并且进一步指定第一连接器接口垂直于第二连接器接口。
619.示例e9包括示例e1的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导连接器是弯曲的。
620.示例e10包括示例e1
‑
9中任一项的主题，并且进一步包括：围绕所述电介质材料和所述金属结构的外壳。
621.示例e11包括示例e10的主题，并且进一步指定外壳包括塑料。
622.示例e12包括示例e1
‑
11中任一项的主题，并且进一步指定电介质材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
623.示例e13包括示例e1
‑
12中任一项的主题，并且进一步指定电介质材料包括塑料。
624.示例e14包括示例e13的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
625.示例e15包括示例e1
‑
14中任一项的主题，并且进一步指定所述电介质材料包括陶瓷。
626.示例e16包括示例e15的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
627.示例e17包括示例e1
‑
16中任一项的主题，并且进一步指定电介质材料的长度在5毫米和50毫米之间。
628.示例e18包括示例e1
‑
17中任一项的主题，并且进一步指定第二连接器接口耦合到微电子支撑件。
629.示例e19包括示例e18的主题，并且进一步指定微电子支撑件包括封装衬底或中介层。
630.示例e20包括示例e1
‑
17中任一项的主题，并且进一步指定第二连接器接口耦合到电介质波导线缆。
631.示例e21包括示例e1
‑
20中任一项的主题，并且进一步指定所述电介质材料具有圆形外径。
632.示例e22包括示例e1
‑
20中任一项的主题，并且进一步指定所述电介质材料具有非圆形外径。
633.示例e23包括示例e1
‑
22中任一项的主题，并且进一步指定电介质材料和金属结构是波导的一部分，并且毫米波电介质波导连接器包括多个波导。
634.示例e24是毫米波电介质波导连接器复合体，包括：第一连接器，所述第一连接器包括：第一连接器接口、与所述第一连接器接口相反的第二连接器接口、电介质材料和金属结构，其中所述金属结构包括在第一连接器接口处的喇叭部分；以及与第一连接器配合的第二连接器，其中第二连接器包括：第一材料和至少部分地围绕所述第一材料的第二材料，其中所述第二材料具有小于所述第一材料的电介质常数的电介质常数；其中所述第一连接器和所述第二连接器要在所述第一连接器的第一连接器接口处配合。
635.示例e25包括示例e24的主题，并且进一步指定在第一连接器接口处的电介质材料的末端平行于在第二连接器接口处的电介质材料的末端。
636.示例e26包括示例e24的主题，并且进一步指定在第一连接器接口处的电介质材料的末端不平行于在第二连接器接口处的电介质材料的末端。
637.示例e27包括示例e24
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定在所述第一连接器接口处的所述电介质材料的末端从所述喇叭部分凹进。
638.示例e28包括示例e24
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定在第一连接器接口处的电介质材料的末端延伸到喇叭部分中。
639.示例e29包括示例e24的主题，并且进一步指定第一连接器接口平行于第二连接器接口。
640.示例e30包括示例e24的主题，并且进一步指定第一连接器接口不平行于第二连接器接口。
641.示例e31包括示例e24的主题，并且进一步指定第一连接器接口垂直于第二连接器接口。
642.示例e32包括示例e24的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导连接器是弯曲的。
643.示例e33包括示例e24
‑
32中任一项的主题，并且进一步包括：围绕所述电介质材料和所述金属结构的外壳。
644.示例e34包括示例e33的主题，并且进一步指定外壳包括塑料。
645.示例e35包括示例e24
‑
34中任一项的主题，并且进一步指定电介质材料包括聚四氟乙烯、含氟聚合物、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯。
646.示例e36包括示例e24
‑
35中任一项的主题，并且进一步指定电介质材料包括塑料。
647.示例e37包括示例e36的主题，并且进一步指定塑料具有小于4的电介质常数。
648.示例e38包括示例e24
‑
37中任一项的主题，并且进一步指定所述电介质材料包括陶瓷。
649.示例e39包括示例e38的主题，并且进一步指定陶瓷具有小于10的电介质常数。
650.示例e40包括示例e24
‑
39中任一项的主题，并且进一步指定电介质材料的长度在5毫米和50毫米之间。
651.示例e41包括示例e24
‑
40中任一项的主题，并且进一步指定第二连接器接口耦合到微电子支撑件。
652.示例e42包括示例e41的主题，并且进一步指定微电子支撑件包括封装衬底或中介层。
653.示例e43包括示例e24
‑
40中任一项的主题，并且进一步指定第二连接器接口耦合到电介质波导线缆。
654.示例e44包括示例e24
‑
43中任一项的主题，并且进一步指定所述电介质材料具有圆形外径。
655.示例e45包括示例e24
‑
43中任一项的主题，并且进一步指定所述电介质材料具有非圆形外径。
656.示例e46包括示例e24
‑
45中任一项的主题，并且进一步指定电介质材料和金属结构是波导的一部分，并且毫米波电介质波导连接器包括多个波导。
657.示例e47包括示例e24
‑
46中任一项的主题，并且进一步指定电介质材料和第一材料具有相同的材料成分。
658.示例e48包括示例e24
‑
47中任一项的主题，并且进一步指定第二材料包括泡沫。
659.示例e49包括示例e24
‑
48中任一项的主题，并且进一步指定第二材料具有小于2的电介质常数。
660.示例e50包括示例e24
‑
49中任一项的主题，并且进一步指定第一材料的末端渐缩（taper）至较小直径。
661.示例e51包括示例e24
‑
49中任一项的主题，并且进一步指定第一材料具有恒定直径。
662.实例e52是微电子支撑件，包括：衬底集成波导；毫米波电介质波导连接器；以及耦合在所述衬底集成波导与所述毫米波电介质波导连接器之间的发射器。
663.示例e53包括示例e52的主题，并且进一步指定衬底集成波导包括接近发射器的缝隙。
664.示例e54包括示例e52
‑
53中任一项的主题，并且进一步指定所述微电子支撑件包括多个衬底集成波导。
665.示例e55包括示例e54的主题，并且进一步包括：耦合在所述发射器与所述多个衬底集成波导之间的多路复用器。
666.示例e56包括示例e55的主题，并且进一步指定所述多路复用器是n路复用器，并且所述微电子支撑件包括n个衬底集成波导。
667.示例e57包括示例e52
‑
56中任一项的主题，并且进一步指定所述微电子支撑件包括耦合到中介层的封装衬底，并且所述衬底集成波导在所述中介层中。
668.示例e58包括示例e57的主题，并且进一步指定中介层包括硅或氮化铝。
669.示例e59包括示例e57
‑
58中任一项的主题，并且进一步指定毫米波电介质波导连接器耦合到中介层。
670.示例e60包括示例e57
‑
59中的任一项的主题，并且进一步指定微电子部件耦合到封装衬底，并且封装衬底包括在中介层与微电子部件之间的传输线。
671.示例e61包括示例e57
‑
60中任一项的主题，并且进一步指定所述封装衬底包括有机电介质材料。
672.示例e62包括示例e52
‑
61中任一项的主题，并且进一步指定所述发射器包括贴片发射器、喇叭发射器、像vivaldi的发射器、基于偶极子的发射器或基于缝隙的发射器。
673.示例f1是用于毫米波通信的微电子支撑件，包括：毫米波通信传输线，其中所述传输线包括金属层中的迹线，其中所述迹线通过所述金属层中的通孔焊盘电耦合到通孔；以及在金属层中的接地平面，其中一个或多个金属部分接触通孔焊盘和接地平面。
674.示例f2包括示例f1的主题，并且进一步指定迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
675.示例f3包括示例f1
‑
2中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括所述通孔焊盘与所述接地平面之间的辐条（spoke）。
676.示例f4包括示例f1
‑
3中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括在所述通孔焊盘与所述接地平面之间的多个辐条。
677.示例f5包括示例f1
‑
4中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括在所述通孔焊盘与所述接地平面之间的分支辐条。
678.示例f6包括示例f1
‑
5中任一项的主题，并且进一步指定所述通孔焊盘通过反焊盘与所述接地平面间隔开，并且所述反焊盘是非圆形的。
679.示例f7包括示例f6的主题，并且进一步指定反焊盘包括金属部分延伸到其中的延
伸。
680.示例f8包括示例f6
‑
7中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘包括多个延伸。
681.示例f9包括示例f7
‑
8中任一项的主题，并且进一步指定所述延伸具有150微米和12000微米之间的长度。
682.示例f10包括示例f6
‑
9中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘具有100微米和600微米之间的直径。
683.示例f11包括示例f1
‑
10中任一项的主题，并且进一步指定所述通孔焊盘是第一通孔焊盘，所述金属层是第一金属层，所述一个或多个金属部分是一个或多个第一金属部分，所述传输线包括第二金属层中的第二通孔焊盘，并且一个或多个第二金属部分接触所述第二金属层中的第二接地平面和所述第二通孔焊盘。
684.示例f12包括示例f11的主题，并且进一步指定所述一个或多个第二金属部分包括在所述第二通孔焊盘与所述第二接地平面之间的辐条。
685.示例f13包括示例f11
‑
12中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个第二金属部分包括在所述第二通孔焊盘与所述第二接地平面之间的多个辐条。
686.示例f14包括示例f11
‑
13中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个第二金属部分包括在所述第二通孔焊盘与所述第二接地平面之间的分支辐条。
687.示例f15包括示例f11
‑
14中任一项的主题，并且进一步指定第二通孔焊盘通过第二反焊盘与第二接地平面间隔开，并且第二反焊盘是非圆形的。
688.示例f16包括示例f15的主题，并且进一步指定第二反焊盘包括第二金属部分延伸到其中的延伸。
689.示例f17包括示例f15
‑
16中任一项的主题，并且进一步指定第二反焊盘包括多个延伸。
690.示例f18包括示例f11
‑
17中任一项的主题，并且进一步指定第一通孔焊盘和第二通孔焊盘具有在其间的至少一个通孔。
691.示例f19包括示例f11
‑
17中任一项的主题，并且进一步指定第一通孔焊盘和第二通孔焊盘具有在其间的至少一个通孔。
692.示例f20包括示例f1
‑
19中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线是第一迹线，所述传输线进一步包括第二迹线，并且所述通孔在所述第一迹线与所述第二迹线之间。
693.示例f21包括示例f20的主题，并且进一步指定第二迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
694.示例f22包括示例f1
‑
21中任一项的主题，并且进一步包括：在所述传输线的末端处的发射器结构。
695.示例f23包括示例f1
‑
22中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线的宽度在5微米与400微米之间。
696.示例f24包括示例f1
‑
23中任一项的主题，并且进一步指定通孔焊盘的直径在50微米和300微米之间。
697.示例f25包括示例f1
‑
24中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括具有在150微米与12000微米之间的长度的金属部分。
698.示例f26包括示例f1
‑
25中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部
分包括具有在5微米和400微米之间的宽度的金属部分。
699.示例f27包括示例f1
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定迹线与接地平面间隔开5微米和400微米之间的距离。
700.示例f28是微电子封装，包括：微电子支撑件，所述微电子支撑件包括：毫米波通信传输线，其中所述传输线包括金属层中的迹线，其中所述迹线通过所述金属层中的通孔焊盘和所述金属层中的接地平面电耦合到通孔，其中一个或多个金属部分接触所述通孔焊盘和所述接地平面；以及耦合到微电子支撑件的微电子部件，其中微电子部件通信地耦合到传输线。
701.示例f29包括示例f28的主题，并且进一步指定迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
702.示例f30包括示例f28
‑
29中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括所述通孔焊盘与所述接地平面之间的辐条。
703.示例f31包括示例f28
‑
30中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括在所述通孔焊盘与所述接地平面之间的多个辐条。
704.示例f32包括示例f28
‑
31中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括在所述通孔焊盘与所述接地平面之间的分支辐条。
705.示例f33包括示例f28
‑
32中任一项的主题，并且进一步指定所述通孔焊盘通过反焊盘与所述接地平面间隔开，并且所述反焊盘是非圆形的。
706.示例f34包括示例f33的主题，并且进一步指定反焊盘包括金属部分延伸到其中的延伸。
707.示例f35包括示例f33
‑
34中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘包括多个延伸。
708.示例f36包括示例f34
‑
35中任一项的主题，并且进一步指定所述延伸具有150微米和12000微米之间的长度。
709.示例f37包括示例f34
‑
36中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘具有100微米和600微米之间的直径。
710.示例f38包括示例f28
‑
37中任一项的主题，并且进一步指定所述通孔焊盘是第一通孔焊盘，所述金属层是第一金属层，所述一个或多个金属部分是一个或多个第一金属部分，所述传输线包括第二金属层中的第二通孔焊盘，并且一个或多个第二金属部分接触所述第二金属层中的第二接地平面以及所述第二通孔焊盘。
711.示例f39包括示例f38的主题，并且进一步指定所述一个或多个第二金属部分包括所述第二通孔焊盘与所述第二接地平面之间的辐条。
712.示例f40包括示例f38
‑
39中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个第二金属部分包括所述第二通孔焊盘与所述第二接地平面之间的多个辐条。
713.示例f41包括示例f38
‑
40中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个第二金属部分包括所述第二通孔焊盘与所述第二接地平面之间的分支辐条。
714.示例f42包括示例f38
‑
41中任一项的主题，并且进一步指定第二通孔焊盘通过第二反焊盘与第二接地平面间隔开，并且第二反焊盘是非圆形的。
715.示例f43包括示例f42的主题，并且进一步指定第二反焊盘包括第二金属部分延伸到其中的延伸。
716.示例f44包括示例f42
‑
43中任一项的主题，并且进一步指定第二反焊盘包括多个延伸。
717.示例f45包括示例f38
‑
44中任一项的主题，并且进一步指定第一通孔焊盘和第二通孔焊盘具有在其间的至少一个通孔。
718.示例f46包括示例f38
‑
44中任一项的主题，并且进一步指定第一通孔焊盘和第二通孔焊盘具有在其间的至少一个通孔。
719.示例f47包括示例f28
‑
46中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线是第一迹线，所述传输线进一步包括第二迹线，并且所述通孔在所述第一迹线与所述第二迹线之间。
720.示例f48包括示例f47的主题，并且进一步指定第二迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
721.示例f49包括示例f28
‑
48中任一项的主题，并且进一步指定微电子支撑件进一步包括在传输线的末端处的发射器结构。
722.示例f50包括示例f28
‑
49中任一项的主题，并且进一步指定微电子部件包括毫米波电介质波导连接器。
723.示例f51包括示例f28
‑
50中任一项的主题，并且进一步指定微电子部件包括毫米波通信收发器。
724.示例f52包括示例f28
‑
51中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线的宽度在5微米与400微米之间。
725.示例f53包括示例f28
‑
52中任一项的主题，并且进一步指定通孔焊盘的直径在50微米和300微米之间。
726.示例f54包括示例f28
‑
53中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括具有在150微米与12000微米之间的长度的金属部分。
727.示例f55包括示例f28
‑
54中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括具有在5微米和400微米之间的宽度的金属部分。
728.示例f56包括示例f28
‑
55中任一项的主题，并且进一步指定迹线与接地平面间隔开5微米和400微米之间的距离。
729.示例f57是微电子封装，包括：微电子支撑件，所述微电子支撑件包括：毫米波通信传输线，其中所述传输线包括金属层中的迹线，其中所述迹线通过所述金属层中的通孔焊盘和所述金属层中的接地平面导电地耦合到通孔，其中一个或多个金属部分将所述通孔焊盘电耦合到所述接地平面；以及耦合到微电子支撑件的微电子部件，其中微电子部件通信地耦合到传输线。
730.示例f58包括示例f57的主题，并且进一步指定迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
731.示例f59包括示例f57
‑
58中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括在所述通孔焊盘与所述接地平面之间的辐条。
732.示例f60包括示例f57
‑
59中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括在所述通孔焊盘与所述接地平面之间的多个辐条。
733.示例f61包括示例f57
‑
60中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括在所述通孔焊盘与所述接地平面之间的分支辐条。
734.示例f62包括示例f57
‑
61中任一项的主题，并且进一步指定所述通孔焊盘通过反焊盘与所述接地平面间隔开，并且所述反焊盘是非圆形的。
735.示例f63包括示例f62的主题，并且进一步指定反焊盘包括金属部分延伸到其中的延伸。
736.示例f64包括示例f62
‑
63中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘包括多个延伸。
737.示例f65包括示例f63
‑
64中任一项的主题，并且进一步指定所述延伸具有150微米和12000微米之间的长度。
738.示例f66包括示例f62
‑
65中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘具有100微米和600微米之间的直径。
739.示例f67包括示例f57
‑
66中任一项的主题，并且进一步指定所述通孔焊盘是第一通孔焊盘，所述金属层是第一金属层，所述一个或多个金属部分是一个或多个第一金属部分，所述传输线包括第二金属层中的第二通孔焊盘，并且一个或多个第二金属部分将所述第二通孔焊盘电耦合到所述第二金属层中的第二接地平面。
740.示例f68包括示例f67的主题，并且进一步指定所述一个或多个第二金属部分包括所述第二通孔焊盘与所述第二接地平面之间的辐条。
741.示例f69包括示例f67
‑
68中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个第二金属部分包括所述第二通孔焊盘与所述第二接地平面之间的多个辐条。
742.示例f70包括示例f67
‑
69中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个第二金属部分包括所述第二通孔焊盘与所述第二接地平面之间的分支辐条。
743.示例f71包括示例f67
‑
70中任一项的主题，并且进一步指定第二通孔焊盘通过第二反焊盘与第二接地平面间隔开，并且第二反焊盘是非圆形的。
744.示例f72包括示例f71的主题，并且进一步指定第二反焊盘包括第二金属部分延伸到其中的延伸。
745.示例f73包括示例f71
‑
72中任一项的主题，并且进一步指定第二反焊盘包括多个延伸。
746.示例f74包括示例f67
‑
73中任一项的主题，并且进一步指定第一通孔焊盘和第二通孔焊盘具有在其间的至少一个通孔。
747.示例f75包括示例f67
‑
73中任一项的主题，并且进一步指定第一通孔焊盘和第二通孔焊盘具有在其间的至少一个通孔。
748.示例f76包括示例f57
‑
75中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线是第一迹线，所述传输线进一步包括第二迹线，并且所述通孔在所述第一迹线与所述第二迹线之间。
749.示例f77包括示例f76的主题，并且进一步指定第二迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
750.示例f78包括示例f57
‑
77中任一项的主题，并且进一步指定微电子支撑件进一步包括在传输线的末端处的发射器结构。
751.示例f79包括示例f57
‑
78中任一项的主题，并且进一步指定微电子部件包括毫米波电介质波导连接器。
752.示例f80包括示例f57
‑
79中任一项的主题，并且进一步指定微电子部件包括毫米波通信收发器。
753.示例f81包括示例f57
‑
80中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线的宽度在5微米与400微米之间。
754.示例f82包括示例f57
‑
80中任一项的主题，并且进一步指定通孔焊盘的直径在50微米和300微米之间。
755.示例f83包括示例f57
‑
82中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括具有在150微米与12000微米之间的长度的金属部分。
756.示例f84包括示例f57
‑
83中任一项的主题，并且进一步指定所述一个或多个金属部分包括具有在5微米和400微米之间的宽度的金属部分。
757.示例f85包括示例f57
‑
84中任一项的主题，并且进一步指定迹线与接地平面间隔开5微米和400微米之间的距离。
758.示例g1是用于毫米波通信的微电子支撑件，包括：毫米波通信传输线，其中所述传输线包括金属层中的迹线，其中所述迹线通过所述金属层中的通孔焊盘电耦合到通孔，所述迹线包括具有第一宽度的第一部分和具有与所述第一宽度不同的第二宽度的第二部分；以及在所述金属层中的与所述迹线间隔开的接地平面。
759.示例g2包括示例g1的主题，并且进一步指定迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
760.示例g3包括示例g1
‑
2中任一项的主题，并且进一步指定第二部分在第一部分和通孔焊盘之间，并且第二宽度大于第一宽度。
761.示例g4包括示例g1
‑
3中任一项的主题，并且进一步指定第二部分在第一部分和通孔焊盘之间，并且第二宽度小于第一宽度。
762.示例g5包括示例g1
‑
4中任一项的主题，并且进一步指定通孔焊盘通过反焊盘与接地平面间隔开。
763.示例g6包括示例g1
‑
5中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线通过反迹线与所述接地平面间隔开，所述反迹线包括具有第三宽度的第三部分和具有与所述第三宽度不同的第四宽度的第四部分，并且所述通孔焊盘通过反焊盘与所述接地平面间隔开。
764.示例g7包括示例g6的主题，并且进一步指定第四部分在第三部分和反焊盘之间，或者反焊盘在第三部分和第四部分之间。
765.示例g8包括示例g6
‑
7中任一项的主题，并且进一步指定第四宽度大于第三宽度。
766.示例g9包括示例g6
‑
8中任一项的主题，并且进一步指定第四宽度小于第三宽度。
767.示例g10包括示例g6
‑
9中任一项的主题，并且进一步指定迹线的第一部分在反迹线的第三部分中。
768.示例g11包括示例g6
‑
10中任一项的主题，并且进一步指定迹线的第二部分在反迹线的第四部分中。
769.示例g12包括示例g5
‑
11中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘包括到接地平面中的延伸。
770.示例g13包括示例g12的主题，并且进一步指定延伸具有150微米和12000微米之间的长度。
771.示例g14包括示例g5
‑
13中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘具有100微米和600微米之间的直径。
772.示例g15包括示例g1
‑
14中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线是第一迹线，所述传输线进一步包括第二迹线，并且所述通孔在所述第一迹线与所述第二迹线之间。
773.示例g16包括示例g15的主题，并且进一步指定第二迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
774.示例g17包括示例g15
‑
16中任一项的主题，并且进一步指定第二迹线包括具有第一宽度的第一部分和具有与第一宽度不同的第二宽度的第二部分。
775.示例g18包括示例g1
‑
17中任一项的主题，并且进一步包括：在所述传输线的末端处的发射器结构。
776.示例g19包括示例g1
‑
18中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线的宽度在5微米和400微米之间。
777.示例g20包括示例g1
‑
19中任一项的主题，并且进一步指定通孔焊盘的直径在50微米和300微米之间。
778.示例g21包括示例g1
‑
20中任一项的主题，并且进一步指定迹线与接地平面间隔开5微米和400微米之间的距离。
779.示例g22是微电子封装，包括：微电子支撑件，所述微电子支撑件包括：毫米波通信传输线，其中所述传输线包括金属层中的迹线，其中所述迹线通过所述金属层中的通孔焊盘电耦合到通孔，所述迹线包括具有第一宽度的第一部分和具有与所述第一宽度不同的第二宽度的第二部分，以及在所述金属层中的与所述迹线间隔开的接地平面；以及耦合到微电子支撑件的微电子部件，其中微电子部件通信地耦合到传输线。
780.示例g23包括示例g22的主题，并且进一步指定迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
781.示例g24包括示例g22
‑
23中任一项的主题，并且进一步指定第二部分在第一部分和通孔焊盘之间，并且第二宽度大于第一宽度。
782.示例g25包括示例g22
‑
24中任一项的主题，并且进一步指定第二部分在第一部分和通孔焊盘之间，并且第二宽度小于第一宽度。
783.示例g26包括示例g22
‑
25中任一项的主题，并且进一步指定通孔焊盘通过反焊盘与接地平面间隔开。
784.示例g27包括示例g22
‑
26中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线通过反迹线与所述接地平面间隔开，所述反迹线包括具有第三宽度的第三部分和具有与所述第三宽度不同的第四宽度的第四部分，并且所述通孔焊盘通过反焊盘与所述接地平面间隔开。
785.示例g28包括示例g27的主题，并且进一步指定第四部分在第三部分和反焊盘之间，或者反焊盘在第三部分和第四部分之间。
786.示例g29包括示例g27
‑
28中任一项的主题，并且进一步指定第四宽度大于第三宽度。
787.示例g30包括示例g27
‑
29中任一项的主题，并且进一步指定第四宽度小于第三宽度。
788.示例g31包括示例g27
‑
30中任一项的主题，并且进一步指定迹线的第一部分在所述反迹线的第三部分中。
789.示例g32包括示例g27
‑
31中任一项的主题，并且进一步指定迹线的第二部分在所
述反迹线的第四部分中。
790.示例g33包括示例g26
‑
32中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘包括到接地平面中的延伸。
791.示例g34包括示例g33的主题，并且进一步指定延伸具有150微米和12000微米之间的长度。
792.示例g35包括示例g26
‑
34中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘具有100微米和600微米之间的直径。
793.示例g36包括示例g22
‑
35中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线是第一迹线，所述传输线进一步包括第二迹线，并且所述通孔在所述第一迹线与所述第二迹线之间。
794.示例g37包括示例g36的主题，并且进一步指定第二迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
795.示例g38包括示例g36
‑
37中任一项的主题，并且进一步指定第二迹线包括具有第一宽度的第一部分和具有与第一宽度不同的第二宽度的第二部分。
796.示例g39包括示例g22
‑
38中任一项的主题，并且进一步包括：在所述传输线的末端处的发射器结构。
797.示例g40包括示例g22
‑
39中任一项的主题，并且进一步指定迹线的宽度在5微米和400微米之间。
798.示例g41包括示例g22
‑
40中任一项的主题，并且进一步指定通孔焊盘的直径在50微米和300微米之间。
799.示例g42包括示例g22
‑
41中任一项的主题，并且进一步指定迹线与接地平面间隔开5微米和400微米之间的距离。
800.示例g43包括示例g22
‑
42中任一项的主题，并且进一步指定微电子部件包括毫米波电介质波导连接器。
801.示例g44包括示例g22
‑
43中任一项的主题，并且进一步指定微电子部件包括毫米波通信收发器。
802.示例g45是微电子封装，包括：微电子支撑件，所述微电子支撑件包括：毫米波通信传输线，其中所述传输线包括金属层中的迹线，其中所述迹线通过金属层中的通孔焊盘和金属层中的接地平面电耦合到通孔，所述接地平面通过反迹线与迹线间隔开并且通过反焊盘与通孔焊盘间隔开，其中所述反迹线包括具有第一宽度的第一部分和具有与第一宽度不同的第二宽度的第二部分；以及耦合到微电子支撑件的微电子部件，其中微电子部件通信地耦合到传输线。
803.示例g46包括示例g45的主题，并且进一步指定迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
804.示例g47包括示例g45
‑
46中任一项的主题，并且进一步指定第二部分在第一部分和反焊盘之间，并且第二宽度大于第一宽度。
805.示例g48包括示例g45
‑
47中任一项的主题，并且进一步指定第二部分在第一部分和反焊盘之间，并且第二宽度小于第一宽度。
806.示例g49包括示例g45
‑
48中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线包括具有第三宽度的第三部分和具有与所述第三宽度不同的第四宽度的第四部分。
807.示例g50包括示例g49的主题，并且进一步指定第四部分在第三部分和通孔焊盘之间。
808.示例g51包括示例g49
‑
50中任一项的主题，并且进一步指定第四宽度大于第三宽度。
809.示例g52包括示例g49
‑
51中任一项的主题，并且进一步指定第四宽度小于第三宽度。
810.示例g53包括示例g49
‑
52中任一项的主题，并且进一步指定迹线的第三部分在所述反迹线的第一部分中。
811.示例g54包括示例g49
‑
53中任一项的主题，并且进一步指定迹线的第四部分在所述反迹线的第二部分中。
812.示例g55包括示例g45
‑
54中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘包括到接地平面中的延伸。
813.示例g56包括示例g55的主题，并且进一步指定延伸具有150微米和12000微米之间的长度。
814.示例g57包括示例g45
‑
56中任一项的主题，并且进一步指定反焊盘具有100微米和600微米之间的直径。
815.示例g58包括示例g45
‑
57中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线是第一迹线，所述传输线进一步包括第二迹线，并且所述通孔在所述第一迹线与所述第二迹线之间。
816.示例g59包括示例g58的主题，并且进一步指定第二迹线是微带、带状线或共面波导的一部分。
817.示例g60包括示例g58
‑
59中任一项的主题，并且进一步指定所述第二迹线在接地平面的第二反迹线中，并且所述第二反迹线包括具有第一宽度的第一部分和具有与所述第一宽度不同的第二宽度的第二部分。
818.示例g61包括示例g45
‑
60中任一项的主题，并且进一步包括：在所述传输线的末端处的发射器结构。
819.示例g62包括示例g45
‑
61中任一项的主题，并且进一步指定所述迹线的宽度在5微米和400微米之间。
820.示例g63包括示例g45
‑
62中任一项的主题，并且进一步指定通孔焊盘的直径在50微米和300微米之间。
821.示例g64包括示例g45
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63中任一项的主题，并且进一步指定迹线与接地平面间隔开5微米和400微米之间的距离。
822.示例g65包括示例g45
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64中任一项的主题，并且进一步指定微电子部件包括毫米波电介质波导连接器。
823.示例g66包括示例g45
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65中任一项的主题，并且进一步指定微电子部件包括毫米波通信收发器。