显示装置及其制造方法与流程

1.本公开涉及一种显示装置及其制造方法。


背景技术：

2.构成有机发光二极管显示器的有机发光元件(以下，称为发光元件)是自发光的并且不需要单独的光源，以使得显示装置的厚度和重量减小。另外，有机发光二极管显示器具有诸如低功耗、高亮度和高响应速率的高质量特性。
3.通常，发光元件具有下列层叠的结构：阳极、围绕阳极的边缘区域的堤、在堤的内侧处形成在阳极上的发光层以及覆盖发光层和堤的阴极。流向发光元件的电流量由驱动晶体管控制，以使得发光元件以所需亮度发射光。
4.以上内容仅旨在帮助理解本公开的背景，而非旨在意指本公开落在本领域技术人员已知的现有技术的范围内。


技术实现要素：

5.实施方式涉及提供一种具有无堤结构的显示装置，其中省略有机发光元件的堤以减少工艺步骤和制造成本。
6.实施方式涉及提供一种具有无堤结构的显示装置，其中，通过去除白色像素的发光区域中的覆盖层来形成阴极的弯曲，并且因此通过白色像素阻挡从附近像素的发光元件发射到非发光区域的光。
7.实施方式涉及提供一种具有无堤结构的显示装置，其中，发光元件的有源层和阳极构成存储电容器。
8.实施方式涉及提供一种具有无堤结构的显示装置，该显示装置防止非发光区域中的发光元件发射光，并且防止发光元件的阳极与阴极之间短路。
9.实施方式涉及提供一种具有无堤结构的显示装置，该显示装置包括修复图案以修复像素而不会损坏发光元件。
10.根据实施方式，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板，其上设置有显示第一颜色的第一像素和显示第二颜色的第二像素，第二像素被设置在第一像素附近；形成在基板上并设置有电路元件的电路元件层；设置在电路元件层上的钝化层；形成在钝化层上的覆盖层；光吸收层，其形成在非发光区域中的钝化层和覆盖层之间，并且包含着色剂；形成在第一像素的发光区域和第二像素的发光区域中的发光元件的阳极；覆盖阳极的发光元件的发光层；以及形成在发光层上的发光元件的阴极，其中，覆盖层形成在除了第一像素的发光区域之外的区域中，并且第一颜色是白色。
11.显示装置还可包括：形成在第二像素的发光区域中的钝化层上的滤色器。
12.覆盖层在第一像素的发光区域的边缘处可具有水平差。
13.发光层和阴极可沿着覆盖层的水平差具有弯曲形状。
14.阴极可使用所述弯曲形状来控制从第二像素的发光元件发射的光的路径。
15.电路元件层可包括：第一导电层，其形成在基板上，并且包括设置在非发光区域中的数据线，其中，可通过非发光区域中的第一导电层来阻挡从阴极反射的光被发射到显示装置外部。
16.第一像素和第二像素中的每一个可包括：发光元件；开关晶体管，其响应于选通信号而将数据电压施加到第一节点；存储电容器，其连接到第一节点，并且存储施加到第一节点的数据电压；以及驱动晶体管，其响应于存储在存储电容器中的电压来控制施加到发光元件的电流量。
17.电路元件层可包括：有源层，其形成在基板上，并且包括存储电容器的下电极；第二导电层，其形成在有源层上，并且包括驱动晶体管和开关晶体管的电极；以及栅极绝缘层，其被插置在有源层和第二导电层之间，其中，第一像素的阳极包括与存储电容器的下电极交叠并构成存储电容器的上电极的延伸部分。
18.存储电容器的上电极可构成第一像素的发光区域。
19.钝化层可被插置在上电极和下电极之间。
20.根据实施方式，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板，其上设置有像素，并且包括发光区域和非发光区域；电路元件层，其被设置在基板上并且设置有一个或更多个电路元件；钝化层，其被设置在电路元件层上；光吸收层，其被设置在非发光区域中的钝化层上，并且包含着色剂；覆盖层，其覆盖光吸收层；阳极，其被设置在覆盖层上；发光层，其覆盖阳极；以及阴极，其被设置在发光层上。
21.电路元件层可包括：第一导电层，其被设置在基板上，并且包括遮光层和存储电容器的下电极；缓冲层，其覆盖第一导电层；有源层，其被设置在缓冲层上；栅极绝缘层，其覆盖有源层；以及第二导电层，其被设置在栅极绝缘层上，并且包括至少一个晶体管的电极。
22.存储电容器还可包括设置在第二导电层处并具有覆盖下电极的至少一个区域的上电极。
23.阳极可通过第一通孔连接到存储电容器的上电极。
24.光吸收层可被构造成在围绕第一通孔的区域中包含蓝色着色剂的单个吸收层。
25.显示装置还可包括滤色器，其被设置在发光区域中的钝化层上，并且由与光吸收层相同的材料制成。
26.第一通孔可包括穿透钝化层的钝化孔、形成在光吸收层中的开口以及形成在覆盖层中的开口。
27.穿透光吸收层的开口的侧面和形成在覆盖层中的开口的侧面可具有正锥形状。
28.形成在光吸收层中的开口周围的区域可不被覆盖层覆盖。
29.钝化孔周围的区域可不被光吸收层和覆盖层覆盖。
30.根据实施方式，提供了一种制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：在包括发光区域和非发光区域的基板上形成电路元件层；在电路元件层上形成钝化层；在所述钝化层上形成在所述发光区域中包含着色剂的滤色器和在所述非发光区域中的光吸收层；在光吸收层上形成覆盖层；在非发光区域中形成穿透覆盖层、光吸收层和钝化层的第一通孔；在第一通孔上形成阳极；在覆盖层和阳极上形成覆盖阳极的发光层；以及在发光层上形成阴极。
31.形成第一通孔的步骤包括：形成穿透钝化层的钝化孔；以及通过蚀刻覆盖层和光
吸收层来去除钝化孔周围的覆盖层和光吸收层。
32.当覆盖层和光吸收层被蚀刻时，钝化孔可暴露于外。
33.蚀刻的覆盖层的侧面和蚀刻的光吸收层的侧面可具有正锥形状。
34.实施方式可被实现为无堤结构，而没有由发光元件的非发光区域中的发光元件的光发射导致的漏光现象。
35.根据实施方式，可通过扩大白色像素的发光区域来改进发光效率。
36.另外，根据实施方式，通过围绕通孔形成包含蓝色颜料的单个吸收层，可防止发光元件的阳极与阴极之间的短路问题。
37.附记1.一种显示装置，该显示装置包括：
38.基板，显示第一颜色的第一像素和显示第二颜色的第二像素被设置在该基板上，所述第二像素被设置在所述第一像素附近；
39.电路元件层，该电路元件层形成在所述基板上并且在所述电路元件层中设置有电路元件；
40.钝化层，该钝化层设置在所述电路元件层上；
41.覆盖层，该覆盖层形成在所述钝化层上；
42.光吸收层，该光吸收层形成在非发光区域中的所述钝化层和所述覆盖层之间，并且包含着色剂；
43.发光元件的阳极，该发光元件的阳极形成在所述第一像素的发光区域和所述第二像素的发光区域中；
44.所述发光元件的发光层，所述发光元件的发光层覆盖所述阳极；以及
45.所述发光元件的阴极，所述发光元件的阴极形成在所述发光层上，
46.其中，所述覆盖层形成在除了所述第一像素的所述发光区域之外的区域中，并且
47.所述第一颜色是白色。
48.附记2.根据附记1所述的显示装置，该显示装置还包括：
49.滤色器，所述滤色器形成在所述第二像素的所述发光区域中的所述钝化层上。
50.附记3.根据附记2所述的显示装置，其中，所述覆盖层在所述第一像素的所述发光区域的边缘处具有水平差。
51.附记4.根据附记3所述的显示装置，其中，所述发光层和所述阴极沿着所述覆盖层的所述水平差具有弯曲形状。
52.附记5.根据附记4所述的显示装置，其中，所述阴极使用所述弯曲形状来控制从所述第二像素的所述发光元件发射的光的路径。
53.附记6.根据附记5所述的显示装置，其中，所述电路元件层包括：
54.第一导电层，该第一导电层形成在所述基板上，并且包括设置在所述非发光区域中的数据线，
55.其中，通过所述非发光区域中的所述第一导电层来阻挡从所述阴极反射的光被发射到所述显示装置外部。
56.附记7.根据附记2所述的显示装置，其中，所述第一像素和所述第二像素中的每一个包括：
57.所述发光元件；
58.开关晶体管，该开关晶体管响应于选通信号而将数据电压施加到第一节点；
59.存储电容器，该存储电容器连接到所述第一节点，并且存储施加到所述第一节点的所述数据电压；以及
60.驱动晶体管，该驱动晶体管响应于存储在所述存储电容器中的电压来控制施加到所述发光元件的电流量。
61.附记8.根据附记7所述的显示装置，其中，所述电路元件层包括：
62.有源层，该有源层形成在所述基板上，并且包括所述存储电容器的下电极；
63.第二导电层，该第二导电层形成在所述有源层上，并且包括所述驱动晶体管和所述开关晶体管的电极；以及
64.栅极绝缘层，该栅极绝缘层被插置在所述有源层和所述第二导电层之间，
65.其中，所述第一像素的所述阳极包括与所述存储电容器的所述下电极交叠并构成所述存储电容器的上电极的延伸部分。
66.附记9.根据附记8所述的显示装置，其中，所述存储电容器的所述上电极构成所述第一像素的所述发光区域。
67.附记10.根据附记8所述的显示装置，其中，所述钝化层被插置在所述上电极和所述下电极之间。
68.附记11.一种显示装置，该显示装置包括：
69.基板，该基板上设置有像素，并且所述基板包括发光区域和非发光区域；
70.电路元件层，该电路元件层被设置在所述基板上并且在所述电路元件层中设置有一个或更多个电路元件；
71.钝化层，该钝化层被设置在所述电路元件层上；
72.光吸收层，该光吸收层被设置在所述非发光区域中的所述钝化层上，并且包含着色剂；
73.覆盖层，该覆盖层覆盖所述光吸收层；
74.阳极，该阳极被设置在所述覆盖层上；
75.发光层，该发光层覆盖所述阳极；以及
76.阴极，该阴极被设置在所述发光层上。
77.附记12.根据附记11所述的显示装置，其中，所述电路元件层包括：
78.第一导电层，该第一导电层被设置在所述基板上，并且包括遮光层和存储电容器的下电极；
79.缓冲层，该缓冲层覆盖所述第一导电层；
80.有源层，该有源层被设置在所述缓冲层上；
81.栅极绝缘层，该栅极绝缘层覆盖所述有源层；以及
82.第二导电层，该第二导电层被设置在所述栅极绝缘层上，并且包括至少一个晶体管的电极。
83.附记13.根据附记12所述的显示装置，其中，所述存储电容器还包括上电极，该上电极设置在所述第二导电层处并至少具有覆盖所述下电极的区域。
84.附记14.根据附记13所述的显示装置，其中，所述阳极通过第一通孔连接到所述存储电容器的所述上电极。
85.附记15.根据附记14所述的显示装置，其中，所述光吸收层被构造成在围绕所述第一通孔的区域中包含蓝色着色剂的单个吸收层。
86.附记16.根据附记15所述的显示装置，该显示装置还包括：
87.滤色器，该滤色器被设置在所述发光区域中的所述钝化层上，并且由与所述光吸收层相同的材料制成。
88.附记17.根据附记15所述的显示装置，其中，所述第一通孔包括穿透所述钝化层的钝化孔、形成在所述光吸收层中的开口以及形成在所述覆盖层中的开口。
89.附记18.根据附记17所述的显示装置，其中，穿透所述光吸收层的开口的侧面和形成在所述覆盖层中的开口的侧面具有正锥形状。
90.附记19.根据附记17所述的显示装置，其中，形成在所述光吸收层中的开口周围的区域未被所述覆盖层覆盖。
91.附记20.根据附记17所述的显示装置，其中，所述钝化孔周围的区域未被所述光吸收层和所述覆盖层覆盖。
92.附记21.一种制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：
93.在包括发光区域和非发光区域的基板上形成电路元件层；
94.在所述电路元件层上形成钝化层；
95.在所述钝化层上形成在所述发光区域中包含着色剂的滤色器和在所述非发光区域中的光吸收层；
96.在所述光吸收层上形成覆盖层；
97.在所述非发光区域中形成穿透所述覆盖层、所述光吸收层和所述钝化层的第一通孔；
98.在所述第一通孔上形成阳极；
99.在所述覆盖层和所述阳极上形成覆盖所述阳极的发光层；以及
100.在所述发光层上形成阴极。
101.附记22.根据附记21所述的方法，其中，形成所述第一通孔的步骤包括：
102.形成穿透所述钝化层的钝化孔；以及
103.通过蚀刻所述覆盖层和所述光吸收层来去除所述钝化孔周围的所述覆盖层和所述光吸收层。
104.附记23.根据附记22所述的方法，其中，当所述覆盖层和所述光吸收层被蚀刻时，所述钝化孔暴露于外。
105.附记24.根据附记23所述的方法，其中，蚀刻的覆盖层的侧面和蚀刻的光吸收层的侧面具有正锥形状。
附图说明
106.本公开的以上和其它目的、特征和其它优点将从以下结合附图进行的详细描述更清楚地理解，附图中：
107.图1是示出根据实施方式的显示装置的配置的框图；
108.图2是示出图1所示的像素的实施方式的电路图；
109.图3a和图3b是示出像素根据实施方式的平面布局的图；
110.图4是根据实施方式的像素的横截面图；
111.图5是根据另一实施方式的存储电容器的横截面图；
112.图6的(a)至(d)是示出在具有无堤结构的显示装置中可能发生的发光元件中的短路问题的图；
113.图7a至图7e是示出根据实施方式的形成第一通孔的方法的图；
114.图8和图9是示出根据实施方式的修复显示装置的方法的图；
115.图10和图11是示出修复工艺中可能发生的发光元件中的短路问题的图；
116.图12是示出修复图4和图5所示的像素的方法的图；
117.图13是示出根据另一实施方式的修复显示装置的方法的图；
118.图14是示出修复图4和图5所示的像素的方法的图；
119.图15是沿着图3a的线ii
‑
ii'截取的横截面图；
120.图16是示出根据另一实施方式的白色像素的平面布局的图；
121.图17是沿着图16的线iii
‑
iii'截取的横截面图；
122.图18是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的流程图。
具体实施方式
123.以下，将参照附图描述实施方式。在说明书中，当元件(区域、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“联接到”另一元件或与另一元件“组合”时，其可直接在另一元件上/联接到另一元件/与另一元件组合，或者中间元件可存在于它们之间。
124.相同的标号是指相同的元件。在附图中，为了技术细节的有效描述，元件的厚度、比例和尺寸被夸大。术语“和/或”包括关联元件可定义的一个或更多个组合。
125.术语“第一”、“第二”等可用于描述各种元件，但是元件不应被解释为限于这些术语。术语仅用于将一个元件与其它元件相区分。例如，在不脱离实施方式的范围的情况下，“第一”元件可被称为“第二”元件，“第二”元件也可类似地称为“第一”元件。如本文中所使用的，除非上下文清楚地另外指示，否则单数形式旨在也包括复数形式。
126.本文中使用术语“在
…
下方”、“在
…
下面”、“在
…
上”、“在
…
上方”等来描述附图中所示的一个或更多个元件之间的关系。这些术语是相对概念，并且基于附图中的方向来描述。
127.将理解，诸如“包括”、“具有”等的术语旨在指示存在说明书中所公开的特征、数字、步骤、动作、元件、组件或其组合，而非旨在排除可存在或可添加一个或更多个其它特征、数字、步骤、动作、元件、组件或其组合的可能性。
128.图1是示出根据实施方式的显示装置的配置的框图。
129.参照图1，显示装置1包括定时控制器10、选通驱动器20、数据驱动器30、电源40和显示面板50。
130.定时控制器10可从外部接收图像信号rgb和控制信号cs。图像信号rgb可包括灰度数据。例如，控制信号cs可包括水平同步信号、垂直同步信号和主时钟信号。
131.定时控制器10可处理图像信号rgb和控制信号cs以使信号适合于显示面板50的操作条件，以使得定时控制器10可生成并输出图像数据data、选通驱动控制信号cont1、数据驱动控制信号cont2和电源控制信号cont3。
132.选通驱动器20可通过多条第一选通线gl11至gl1n连接到显示面板50的像素(或子像素)px。选通驱动器20可基于从定时控制器10输出的选通驱动控制信号cont1来生成选通信号。选通驱动器20可通过多条第一选通线gl11至gl1n将所生成的选通信号提供给像素px。
133.在各种实施方式中，选通驱动器20还可通过多条第二选通线gl21至gl2n连接到显示面板50的像素px。选通驱动器20可通过多条第二选通线gl21至gl2n将感测信号提供给像素px。可供应感测信号以测量设置在像素px内部的驱动晶体管和/或发光元件的特性。
134.数据驱动器30可通过多条数据线dl1至dlm连接到显示面板50的像素px。数据驱动器30可基于从定时控制器10输出的图像数据data和数据驱动控制信号cont2来生成数据信号。数据驱动器30可通过多条数据线dl1至dlm将所生成的数据信号提供给像素px。
135.在各种实施方式中，数据驱动器30还可通过多条感测线(或参考线)sl1至slm连接到显示面板50的像素px。数据驱动器30可通过多条感测线sl1至slm将参考电压(感测电压或初始化电压)提供给像素px，或者可基于从像素px反馈的电信号来感测像素px的状态。
136.电源40可通过多条电源线pl1和pl2连接到显示面板50的像素px。电源40可基于电源控制信号cont3来生成要提供给显示面板50的驱动电压。例如，驱动电压可包括高电位驱动电压elvdd和低电位驱动电压elvss。电源40可通过对应电源线pl1和pl2将所生成的驱动电压elvdd和elvss提供给像素px。
137.在显示面板50中，布置有多个像素px(或称为子像素)。例如，像素px可按矩阵形式布置在显示面板50上。
138.各个像素px可电连接到对应选通线和对应数据线。这些像素px可分别以与通过第一选通线gl11至gl1n和数据线dl1至dlm供应的选通信号和数据信号对应的亮度发射光。
139.各个像素px可显示第一至第三颜色当中的任一种。在实施方式中，各个像素px可显示红色、绿色和蓝色当中的任一种。在另一实施方式中，各个像素px可显示青色、品红色和黄色当中的任一种。在各种实施方式中，像素px可被配置为显示四种或更多种颜色当中的任一种。例如，各个像素px可显示红色、绿色、蓝色和白色当中的任一种。
140.定时控制器10、选通驱动器20、数据驱动器30和电源40可被构造成单独的集成电路(ic)或者集成了其中至少一些的ic。例如，数据驱动器30和电源40当中的至少一个可被构造成与定时控制器10集成的集成电路。
141.另外，在图1中，选通驱动器20和数据驱动器30被示出为与显示面板50分离的元件，但是选通驱动器20和数据驱动器30当中的至少一个可按照与显示面板50集成形成的面板内方式构造。例如，选通驱动器20可根据面板内栅极(gip)方式与显示面板50集成形成。
142.图2是示出图1所示的像素的实施方式的电路图。作为示例，图2示出连接到第i第一选通线gl1i和第j数据线dlj的像素pxij。
143.参照图2，像素px包括开关晶体管st、驱动晶体管dt、感测晶体管sst、存储电容器cst和发光元件ld。
144.开关晶体管st的第一电极(例如，源极)电连接到第j数据线dlj，并且开关晶体管st的第二电极(例如，漏极)电连接到第一节点n1。开关晶体管st的栅极电连接到第i第一选通线gl1i。当通过第i第一选通线gl1i施加栅极导通电平的选通信号时，开关晶体管st导通，并且将通过第j数据线dlj施加的数据信号发送到第一节点n1。
145.存储电容器cst的第一电极电连接到第一节点n1，并且存储电容器cst的第二电极接收高电位驱动电压elvdd。可利用与施加到第一节点n1的电压与高电位驱动电压elvdd之间的差对应的电压对存储电容器cst进行充电。
146.驱动晶体管dt的第一电极(例如，源极)接收高电位驱动电压elvdd，并且驱动晶体管dt的第二电极(例如，漏极)电连接到发光元件ld的第一电极(例如，阳极)。驱动晶体管dt的栅极电连接到第一节点n1。当通过第一节点n1施加栅极导通电平的电压时，驱动晶体管dt导通，并且可根据提供给栅极的电压(即，存储在存储电容器cst中的电压)来控制流向发光元件ld的驱动电流量。
147.感测晶体管sst的第一电极(例如，源极)电连接到第j感测线slj，并且感测晶体管sst的第二电极(例如，漏极)电连接到发光元件ld的第一电极(例如，阳极)。感测晶体管sst的栅极电连接到第i第二选通线gl2i。当通过第i第二选通线gl2i施加栅极导通电平的感测信号时，感测晶体管sst导通，并且将通过第j感测线slj施加的参考电压发送到发光元件ld的阳极。
148.发光元件ld输出与驱动电流对应的光。发光元件ld可输出与红色、绿色和蓝色当中的任一种对应的光。发光元件ld可以是有机发光二极管(oled)或者具有微米至纳米级范围内的尺寸的超小型无机发光二极管，但是本公开不限于此。以下，将描述发光元件ld是有机发光二极管的实施方式。
149.在本公开中，像素px的结构不限于图2所示。根据实施方式，像素px还可包括用于补偿驱动晶体管dt的阈值电压或者初始化驱动晶体管dt的栅极的电压和/或发光元件ld的阳极的电压的至少一个元件。
150.图2示出开关晶体管st、驱动晶体管和感测晶体管sst是nmos晶体管的示例，但是本公开不限于此。例如，构成各个像素px的至少一些或所有晶体管可以是pmos晶体管。在各种实施方式中，开关晶体管st、驱动晶体管dt和感测晶体管sst中的每一个可被实现为低温多晶硅(ltps)薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管或低温多晶氧化物(ltpo)薄膜晶体管。
151.图3a和图3b是示出根据实施方式的像素的平面布局的图。
152.一起参照图2、图3a和图3b，显示面板50包括像素区域pxa，其限定在第一方向(例如，像素列方向(dr1))上延伸的数据线dl与第二方向(例如，像素行方向(dr2))上延伸的第一选通线gl1和第二选通线gl2的交叉区域处。像素px布置在各个像素区域pxa中。
153.各个像素区域pxa可包括发光区域ea和非发光区域nea。在发光区域ea中，设置有像素px的发光元件ld。在非发光区域nea中，设置有用于驱动发光元件ld的电路元件(例如，开关晶体管st、驱动晶体管dt、感测晶体管sst和存储电容器cst)。发光元件ld由设置在非发光区域nea中的电路元件驱动并以特定颜色发射光。
154.线路区域wa可限定在像素列之间。在各个线路区域wa中，设置有在第一方向dr1上延伸的数据线dl和感测线sl。数据线dl可从数据驱动器30接收数据信号。感测线sl可从数据驱动器30接收参考电压，或者可将从对应像素px输出的电信号发送到数据驱动器30。
155.在实施方式中，在一些线路区域wa中，还可形成用于将高电位驱动电压elvdd施加到像素px的第一电源线pl1。第一电源线pl1可与数据线dl和感测线sl基本上平行，在第一方向dr1上延伸。
156.第一选通线gl1和第二选通线gl2横跨非发光区域nea在第二方向dr2上延伸。本文
中，第一选通线gl1和第二选通线gl2可沿着第一方向dr1以规则的间隔布置。
157.数据线dl、感测线sl、第一电源线pl1、第一选通线gl1和第二选通线gl2通过接触孔电连接到电路元件。具体地，数据线dl可电连接到开关晶体管st的电极(例如，源极)，并且感测线sl可电连接到感测晶体管sst的电极(例如，源极)。第一选通线gl1电连接到开关晶体管st的栅极，并且第二选通线gl2电连接到感测晶体管sst的栅极。
158.如上面参照图2描述的，像素px可包括开关晶体管st、驱动晶体管dt、感测晶体管sst、存储电容器cst和发光元件ld。
159.开关晶体管st可包括第一栅极ge1、第一源极se1和第一漏极de1。
160.第一栅极ge1可被设置为与形成在有源层act中的第一沟道ch1交叠。第一沟道ch1可以是有源层act内未掺杂杂质的半导体图案。第一栅极ge1可电连接到第一选通线gl1。例如，第一栅极ge1可以是在第一选通线gl1上与第一沟道ch1交叠的区域。
161.第一源极se1可连接到在有源层act中形成在第一沟道ch1的第一侧的第一源极区域sa1。第一源极se1还可通过第一接触孔ct1连接到数据线dl。
162.第一漏极de1可连接到在有源层act中形成在第一沟道ch1的第二侧的第一漏极区域da1。第一漏极de1可通过第二接触孔ct2电连接到存储电容器cst的下电极be。
163.驱动晶体管dt可包括第二栅极ge2、第二源极se2和第二漏极de2。
164.第二栅极ge2可被设置为与形成在有源层act中的第二沟道ch2交叠。第二栅极ge2可通过第三接触孔ct3电连接到存储电容器cst的下电极be。
165.第二源极se2可连接到在有源层act中形成在第二沟道ch2的第一侧的第二源极区域sa2。第二源极se2可通过第四接触孔ct4电连接到施加高电位驱动电压elvdd的第一电源线pl1。在此实施方式中，第二源极se2可基本上构造成设置在线路区域wa中的导电图案。
166.第二漏极de2可连接到在有源层act中形成在第二沟道ch2的第二侧的第二漏极区域da2。第二漏极de2可电连接到存储电容器cst的上电极ue。例如，第二漏极de2可与存储电容器cst的上电极ue集成形成，因此可形成一个图案。如稍后描述的，存储电容器cst的上电极ue通过第一通孔via1连接到发光元件ld的阳极ae。因此，穿过存储电容器cst的上电极ue，驱动晶体管dt的第二漏极de2电连接到发光元件ld的阳极ae。
167.另外，第二漏极de2可通过第五接触孔ct5连接到遮光层ls。因此，当使用修复图案rp(将稍后描述)来修复像素px中的缺陷时，修复图案rp和遮光层ls通过激光焊接连接，因此附近像素px(i+1)j的阳极ae和驱动晶体管dt的第二漏极de2电连接。
168.感测晶体管sst可包括第三栅极ge3、第三源极se3和第三漏极de3。
169.第三栅极ge3可被设置为与形成在有源层act中的第三沟道ch3交叠。第三栅极ge3可电连接到第二选通线gl2。例如，第三栅极ge3可以是第二选通线gl2上与第三沟道ch3交叠的区域。
170.第三源极se3可连接到在有源层act中形成在第三沟道ch3的第一侧的第三源极区域sa3。第三源极se3可通过第六接触孔ct6电连接到桥图案brp。桥图案brp通过第八接触孔ct8电连接到感测线sl。因此，穿过桥图案brp，第三源极se3可电连接到感测线sl。
171.第三漏极de3可连接到在有源层act中形成在第三沟道ch3的第二侧的第三漏极区域da3。另外，第三漏极de3可通过第七接触孔ct7连接到遮光层ls。在此实施方式中，遮光层ls通过第五接触孔ct5连接到驱动晶体管dt的第二漏极de2。因此，穿过遮光层ls，第三漏极
de3电连接到驱动晶体管dt的第二漏极de2。
172.存储电容器cst可包括下电极be和上电极ue。
173.下电极be可通过第二接触孔ct2电连接到开关晶体管st的第一漏极de1。另外，下电极be可通过第三接触孔ct3电连接到驱动晶体管dt的第二栅极ge2。
174.在实施方式中，下电极be可包括用于连接到驱动晶体管dt的第二栅极ge2的延伸部分ext。在延伸部分ext的区域中，下电极be与第二栅极ge2交叠，并且通过第三接触孔ct3电连接到第二栅极ge2。延伸部分ext的另一区域被设置为不与第二导电层(将稍后描述)和发光元件ld的阳极ae交叠。因此，当第二栅极ge2和阳极ae通过利用激光束切割延伸部分ext而电分离并且像素px中的缺陷被修复时，防止了导电层之间和/或发光元件ld的阳极ae和阴极ce之间的电短路。
175.形成上电极ue，使得其至少一个区域覆盖下电极be。在上电极ue和下电极be之间，存储与两个电极之间的电位差对应的电荷，以使得上电极ue和下电极be可作为存储电容器cst操作。
176.上电极ue和下电极be交叠的面积可确定存储电容器cst的电容。因此，上电极ue和下电极be可具有满足存储电容器cst的所需电容的面积(尺寸)。
177.在实施方式中，在像素px发射白色光的情况下，重要的是确保像素px的开口区域，而非存储电容器cst的电容。在此实施方式中，发射白色光的像素px的上电极ue和下电极be的面积可被设定为小于发射另一颜色的光的像素。因此，存储电容器cst和驱动晶体管dt之间的开口区域的尺寸可增加。在发光元件ld的阳极ae延伸到非发光区域nea的开口区域的情况下，由发光元件ld生成的光通过延伸的开口区域发射到外部。
178.上电极ue可通过第五接触孔ct5电连接到驱动晶体管dt的第二漏极de2。另外，上电极ue可通过第一通孔via1电连接到发光元件ld的阳极ae。
179.如上所述的存储电容器cst通过下电极be连接到驱动晶体管dt的第二栅极ge2。在驱动晶体管dt上方，可形成发光元件ld的阴极ce(将稍后描述)。本文中，可在驱动晶体管dt的第二栅极ge2与阴极ce之间形成电场，这可降低电连接到第二栅极ge2的存储电容器cst的充电速率。换言之，可形成以第二栅极ge2作为第一电极以及阴极ce作为第二电极的寄生电容器。如此实施方式中一样，在第二栅极ge2电连接到存储电容器cst的下电极be而非上电极ue的情况下，从寄生电容器到存储电容器cst的电路径相对更长，因此可降低寄生电容器的影响。另外，由于存储电容器cst的下电极be形成在显示面板50的基板上，所以防止了在第二栅极ge2和阴极ce之间形成电场，从而去除了寄生电容器。
180.发光元件ld可包括阳极ae、阴极ce以及设置在阳极ae和阴极ce之间的发光层eml。在实施方式中，阳极ae、发光层eml和阴极ce可按照在发光区域ea中彼此交叠的方式设置。
181.阳极ae可通过第一通孔via1连接到存储电容器cst的上电极ue。在阳极ae上，可设置发光层eml和阴极ce。通常，阳极ae形成在发光区域ea中。然而，为了与存储电容器cst的上电极ue接触，阳极ae的至少一个区域可延伸到非发光区域nea。
182.在实施方式中，在像素px显示白色的情况下，阳极ae可广泛地延伸到非发光区域nea。本文中，从实现为底部发射型的发光元件ld生成的光可通过设置在非发光区域nea中的电路元件之间的开口区域发射到外部。
183.发光层eml和阴极ce广泛地形成在发光区域ea和非发光区域nea中。本文中，发光
层eml覆盖阳极ae。
184.在实施方式中，像素px还可包括修复图案rp。修复图案rp被设置为使得其一个区域不与附近像素px(i+1)j的阳极ae交叠，而与遮光层ls交叠。
185.本文中，修复图案rp的除了上述区域之外的区域通过第二通孔via2电连接到附近像素px(i+1)j的阳极ae。为了电连接到附近像素px(i+1)j的阳极ae，修复图案rp可被设置在非发光区域nea内的附近像素px(i+1)j的阳极ae附近。
186.由于修复图案rp被设置在非发光区域nea内的附近像素px(i+1)j的阳极ae附近，所以被设置为与修复图案rp的区域交叠的遮光层ls可具有从与驱动晶体管dt交叠的部分到该区域广泛地延伸的区域。
187.通常，如上所述的修复图案rp可以是具有沿着第二方向dr2延伸的条形状的岛形电极。然而，修复图案rp的形状不限于此，可根据包括遮光层ls和阳极ae的其它元件的相对布置状态不同地修改。
188.作为示例，图3a和图3b示出具有包括白色像素w的wrgb结构的显示装置1。然而，上述实施方式不仅应用于具有wrgb结构的显示装置1。即，在上述实施方式当中，与白色像素w无关的各种特征可应用于具有不包括白色像素w的rgb结构或rgbg结构的显示装置。另外，在上述实施方式当中，与白色像素w有关的各种特征可应用于具有wrgb结构的显示装置1以及具有包括白色像素w的各种结构的显示装置。
189.以下，将参照附图更详细地描述根据实施方式的像素px的层叠结构(截面结构)。
190.图4是根据实施方式的像素的横截面图。具体地，图4是沿着图3b的线i
‑
i'截取的横截面图。
191.一起参照图3a和图3b以及图4，显示面板50可包括基板sub、电路元件层和发光元件层。
192.基板sub是显示面板50的基础构件，并且可以是透光基板。基板sub可以是包括玻璃或钢化玻璃的刚性基板，或者可以是由塑料材料制成的柔性基板。例如，基板sub可由诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚碳酸酯(pc)等的塑料材料制成。然而，基板sub的材料不限于此。
193.在基板sub上，限定像素区域pxa。像素区域pxa可被定义为包括设置在电路元件层处的至少一个电路元件以及设置在发光元件层处的发光元件ld的区域。至少一个电路元件和发光元件ld可构成一个像素px。
194.电路元件层形成在基板sub上，并且可包括构成像素px的电路元件(例如，开关晶体管st、驱动晶体管dt、感测晶体管sst、存储电容器cst等)和线路。
195.首先，在基板sub上，可设置第一导电层。第一导电层可包括遮光层ls和存储电容器cst的下电极be。
196.当从上方看时，遮光层ls按照与驱动晶体管dt的半导体图案(具体地，第二沟道ch2)交叠的方式设置，因此可保护氧化物半导体装置免受外部光影响。在实施方式中，遮光层ls还可通过第五接触孔ct5连接到驱动晶体管dt的第二漏极de2。因此，当使用修复图案rp(将稍后描述)来修复像素px中的缺陷时，修复图案rp和遮光层ls通过激光焊接连接，因此附近像素px(i+1)j的阳极ae和驱动晶体管dt的第二漏极de2电连接。
197.下电极be可通过第二接触孔ct2电连接到开关晶体管st的第一漏极de1。另外，下
电极be可通过第三接触孔ct3电连接到驱动晶体管dt的第二栅极ge2。
198.在实施方式中，下电极be可包括用于连接到驱动晶体管dt的第二栅极ge2的延伸部分ext。在延伸部分ext的区域中，下电极be与第二栅极ge2交叠，并且通过第三接触孔ct3电连接到第二栅极ge2。延伸部分ext的另一区域被设置为不与电路元件的其它电极和发光元件ld的阳极ae交叠。因此，当第二栅极ge2和阳极ae通过利用激光切割延伸部分ext而电分离并且像素px中的缺陷被修复时，防止了其它电极之间和/或发光元件ld的阳极ae和阴极ce之间电短路。
199.在线路区域wa中，第一导电层还可包括数据线dl、感测线sl和第一电源线pl1。数据线dlj通过第一接触孔ct1连接到开关晶体管st的第一源极se1。穿过桥图案brp，感测线sl连接到感测晶体管sst的第三源极se3。第一电源线pl1通过第四接触孔ct4连接到驱动晶体管dt的第二源极se2。
200.在各种实施方式中，在基板sub上，还可设置未示出的线路和/或电极，例如施加低电位驱动电源elvss的第二电源线pl2、辅助电极等。
201.缓冲层buf被设置在基板sub上以覆盖遮光层ls、存储电容器cst的下电极be和线路。缓冲层buf可防止来自基板sub的离子或杂质扩散，并且可阻挡水分渗透。另外，缓冲层buf可增强基板sub的表面的平坦度。缓冲层buf可包括诸如氧化物、氮化物等的无机材料、有机材料或者有机
‑
无机化合物。缓冲层buf可形成为单层或多层结构。例如，缓冲层buf可具有按氧化硅、氮化硅和氧化硅顺序的三个或更多个层的结构。在另一实施方式中，缓冲层buf可被省略。
202.有源层act可形成在缓冲层buf上。有源层act可由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料制成。作为基于硅的半导体材料，可使用非晶硅或多晶硅。作为基于氧化物的半导体材料，可使用：四元金属氧化物，例如铟锡镓锌氧化物(insngazno)；三元金属氧化物，例如铟镓锌氧化物(ingazno)、铟锡锌氧化物(insnzno)、铟铝锌氧化物(inalzno)、锡镓锌氧化物(sngazno)、铝镓锌氧化物(algazno)或锡铝锌氧化物(snalzno)；或者二元金属氧化物，例如铟锌氧化物(inzno)、锡锌氧化物(snzno)、铝锌氧化物(alzno)、锌镁氧化物(znmgo)、锡镁氧化物(snmgo)、铟镁氧化物(inmgo)、铟镓氧化物(ingao)、氧化铟(ino)、氧化锡(sno)或氧化锌(zno)。
203.有源层act可包括：包含p型或n型杂质的第一源极区域sa1至第三源极区域sa3和第一漏极区域da1至第三漏极区域da3；以及分别形成在第一源极区域sa1至第三源极区域sa3和第一漏极区域da1至第三漏极区域da3之间的第一沟道ch1至第三沟道ch3。
204.第二导电层被设置在有源层act上。在有源层act和第二导电层之间，可插置栅极绝缘层gi。栅极绝缘层gi可以是氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或者氧化硅(siox)和氮化硅(sinx)的多个层。
205.第二导电层可包括栅极ge1、ge2和ge3、源极se1、se2和se3以及漏极de1、de2和de3。栅极ge1、ge2和ge3可被设置为分别与有源层act中的对应沟道ch1、ch2和ch3交叠。栅极ge1、ge2和ge3当中的至少一些(ge1和ge3)与电连接到栅极ge1和ge3的线路gl1和gl2集成形成，从而形成一个图案。
206.第二导电层还可包括存储电容器cst的上电极ue。上电极ue形成为使得其至少一个区域覆盖下电极be。在上电极ue和下电极be之间，存储与两个电极之间的电位差对应的
电荷，以使得上电极ue和下电极be可作为存储电容器cst操作。
207.上电极ue可通过第五接触孔ct5电连接到驱动晶体管dt的第二漏极de2。另外，上电极ue可通过第一通孔via1电连接到发光元件ld的阳极ae。
208.如上所述的存储电容器cst通过下电极be连接到驱动晶体管dt的第二栅极ge2。在驱动晶体管dt上方，可形成发光元件ld的阴极ce(将稍后描述)。本文中，可在驱动晶体管dt的第二栅极ge2与阴极ce之间形成电场，这可降低电连接到第二栅极ge2的存储电容器cst的充电速率。换言之，可形成以第二栅极ge2作为第一电极以及阴极ce作为第二电极的寄生电容器。如此实施方式中一样，在第二栅极ge2电连接到存储电容器cst的下电极be而非上电极ue的情况下，从寄生电容器到存储电容器cst的电路径相对更长，因此可降低寄生电容器的影响。另外，由于存储电容器cst的下电极be形成在显示面板50的基板上，所以防止在第二栅极ge2和阴极ce之间形成电场，从而去除了寄生电容器。
209.第二导电层还可包括桥图案brp。桥图案brp可将感测晶体管sst的第三源极se3和感测线sl电连接。
210.第二导电层还可包括修复图案rp。修复图案rp被设置为使得其一个区域不与附近像素px(i+1)j的阳极ae交叠，而与遮光层ls交叠。本文中，修复图案rp的除了上述区域之外的区域通过第二通孔via2电连接到附近像素px(i+1)j的阳极ae。
211.第一和第二导电层可由选自钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的任一种或两种或更多种的合金制成。另外，第一和第二导电层可以是由选自钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的任一种或两种或更多种的合金组成的多层。例如，第一和第二导电层可以是钼和铝钕或钼和铝的两层。
212.电路元件层可被钝化层pas覆盖。钝化层pas可覆盖第二导电层以及缓冲层buf和有源层act的未被第二导电层覆盖的暴露区域。钝化层pas可以是用于保护下部元件的绝缘膜，并且可以是氧化硅膜(siox)、氮化硅膜(sinx)或者氧化硅膜(siox)和氮化硅膜(sinx)的多层。在各种实施方式中，钝化层pas可被省略。
213.在钝化层pas上，可形成覆盖层oc。覆盖层oc可以是用于减小下部结构的水平差的平坦化膜，并且可由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、丙烯酸酯等的有机材料组成。
214.在实施方式中，在钝化层pas和覆盖层oc之间，可形成滤色器(未示出)。滤色器可形成在发光区域ea中。滤色器是通过透射特定波长带中的光并阻挡其它特定波长带中的光来选择性地仅透射部分波长带的入射光的波长选择性滤光器。滤色器可由包含诸如颜料、染料等的着色剂的光敏树脂制成。在发光区域ea中，通过滤色器的光可具有红色、绿色和蓝色当中的任一种。在像素px显示白色的情况下，可对像素px省略滤色器。
215.上面描述了滤色器形成在钝化层pas和覆盖层oc之间，但此实施方式不限于此。即，在发光元件ld为顶部发射型的情况下，滤色器可形成在发光元件层(将稍后描述)的上层。
216.发光元件层形成在覆盖层oc上并且包括发光元件ld。发光元件ld可包括阳极ae、发光层eml和阴极ce。
217.阳极ae和阴极ce当中的至少一个可以是透射电极，至少另一个可以是反射电极。例如，在发光元件ld为底部发射型的情况下，阳极ae可以是透射电极，并且阴极ce可以是反射电极。相反，在发光元件ld为顶部发射型的情况下，阳极ae可以是反射电极，并且阴极ce
可以是透射电极。在另一示例中，在发光元件ld为双发射型的情况下，阳极ae和阴极ce二者可以是透射电极。以下，以发光元件ld为底部发射型的情况为例，将描述发光元件ld的详细配置。
218.阳极ae形成在覆盖层oc上。阳极ae通过穿透覆盖层oc和钝化层pas的第一通孔via1电连接到存储电容器cst的上电极ue。穿过存储电容器cst，阳极ae可电连接到驱动晶体管dt的第二漏极de2。如上所述，当第一通孔via1形成为与面积相对大于其它电极的存储电容器cst的上电极ue接触时，第一通孔via1附近的水平差的影响减小。
219.阳极ae可由诸如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化锌(zno)等的透明导电材料制成。在阳极ae是反射电极的情况下，阳极ae可包括反射层。反射层可由铝(al)、铜(cu)、银(ag)、镍(ni)或其合金制成。在实施方式中，反射层可由银、钯和铜的合金(apc)组成。
220.发光层eml形成在阳极ae上。在此实施方式中，显示装置1具有无堤形式。在此实施方式中，发光层eml按照覆盖阳极ae的方式形成。发光层eml可广泛地形成在发光区域ea和非发光区域nea中。
221.发光层eml可具有包括光生成层的多层薄膜结构。本文中，由光生成层生成的光的颜色可以是白色、红色、蓝色、绿色灯，但不限于此。
222.光生成层可包括例如空穴传输层(htl)、有机发光层和电子传输层(etl)。空穴传输层将从阳极ae注入的空穴平滑地传输到有机发光层。有机发光层可由包括磷光或荧光材料的有机材料制成。电子传输层将从阴极ce注入的电子平滑地传输到有机发光层。除了空穴传输层、有机发光层和电子传输层之外，发光层(eml)还可包括空穴注入层(hil)、空穴阻挡层(hbl)、电子注入层(eil)和电子阻挡层(ebl)。
223.发光层eml可按照两个或更多个层叠物的叠层结构形成。在这种情况下，各个层叠物可包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。在发光层eml按照两个或更多个层叠物的叠层结构形成的情况下，电荷生成层形成在层叠物之间。电荷生成层可包括n型电荷生成层和p型电荷生成层。n型电荷生成层位于下层叠物附近。p型电荷生成层形成在n型电荷生成层上，因此位于上层叠物附近。n型电荷生成层将电子注入到下层叠物中，并且p型电荷生成层将空穴注入到上层叠物中。n型电荷生成层可以是通过向具有电子传输能力的有机基质材料中掺杂诸如锂(li)、钠(na)、钾(k)或铯(cs)的碱金属或者诸如镁(mg)、锶(sr)、钡(ba)或镭(ra)的碱土金属而获得的有机层。p型电荷生成层可以是通过向具有空穴传输能力的有机基质材料中掺杂掺杂剂而获得的有机层。
224.阴极ce形成在发光层eml上。阴极ce可广泛地形成在发光区域ea和非发光区域nea中。
225.阴极ce可由能够透射光的透明导电材料(tco)或者半透射导电材料制成，例如钼(mo)、钨(w)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)及其合金。在阴极ce由半透射导电材料制成的情况下，光发射效率可由于微腔而增加。
226.一起参照图3a、图3b和图4，在此实施方式中，阳极ae的至少一个区域延伸到非发光区域nea，以便与电路元件接触。由于发光层eml和阴极ce层叠在阳极ae的整个区域上，所以在非发光区域nea中可能发生不期望的光发射(漏光现象)。在非发光区域nea中，为了防
止发光元件ld所生成的光发射到外部，在此实施方式中，还包括形成在钝化层pas和覆盖层oc之间以及非发光区域nea中的光吸收层la。
227.光吸收层la可包含诸如颜料、染料等的着色剂，其通过透射特定波长带中的光并阻挡其它特定波长带中的光来选择性地仅透射部分波长带的入射光。光吸收层la可具有两个或更多个颜料层层叠，以吸收由发光元件ld生成的光的结构。例如，光吸收层la可包括：第一吸收层，其包含第一颜色的颜料；以及第二吸收层，其包含与第一颜色不同的第二颜色的颜料。在实施方式中，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是蓝色，但不限于此。如上所述，在包含不同颜色的颜料的吸收层交叠的情况下，通过反射发光效应(例如，黑色发光效应)有效地阻挡漏光现象。
228.上述光吸收层la由与滤色器相同的材料组成，并且可通过与滤色器相同的工艺形成。即，包含相同颜色的颜料的滤色器和光吸收层la可通过单个掩模工艺一起形成。例如，当形成包含第一颜色的颜料的滤色器时，一起形成光吸收层la的第一吸收层。当形成包含第二颜色的颜料的滤色器时，一起形成光吸收层la的第二吸收层。因此，此实施方式使得可在无堤结构中防止漏光现象，而无需用于生成光吸收层la的单独的附加工艺。
229.光吸收层la可形成在非发光区域nea的整个区域中。然而，此实施方式不限于此。根据实现方式，光吸收层la可形成在非发光区域nea内的阳极ae上。在实施方式中，在像素px显示白色的情况下，可不在像素px中形成光吸收层la。
230.当光吸收层la形成在非发光区域nea的整个区域中时，按照穿透光吸收层la的方式形成第一通孔via1和第二通孔via2。另选地，光吸收层la可按照不围绕第一通孔via1和第二通孔via2形成的方式构造。
231.图5是根据另一实施方式的存储电容器的横截面图。
232.如上面参照图3a、图3b和图4描述的，在实施方式中，存储电容器cst可由形成在第一导电层的下电极be和形成在第二导电层的上电极ue组成。在下电极be和上电极ue之间，插置有缓冲层buf和栅极绝缘层gi。
233.在两个绝缘层被插置在下电极be和上电极ue之间的情况下，电极be和ue之间的距离相对更长，导致存储电容器cst的电容减小。为了确保期望的电容，需要增加下电极be和上电极ue的面积。然而，当存储电容器cst的面积增加时，像素px的尺寸增加，因此难以实现高分辨率显示装置。另外，在显示白色的像素px的情况下，难以确保孔径比。
234.为了解决该问题，在实施方式中，存储电容器cst的上电极ue可具有有源层act和第二导电层tga交叠的多层结构。本文中，缓冲层buf被插置在下电极be和上电极ue之间。
235.与图4的实施方式相比，在图5所示的实施方式中，仅一个绝缘层被插置在存储电容器cst的下电极be和上电极ue之间。因此，电极之间的距离相对减小，以使得存储电容器cst的电容可改进。因此，防止了存储电容器cst的面积增加，结果，像素px的尺寸减小并且确保了白色像素的孔径比。
236.图6的(a)至(d)是示出在具有无堤结构的显示装置中可能发生的发光元件中的短路问题的图。图7a至图7e是示出根据实施方式的形成第一通孔的方法的图。
237.如上所述，发光元件ld的阳极ae可通过穿透覆盖层oc和钝化层pas的第一通孔via1连接到存储电容器cst的上电极ue。可通过光致抗蚀剂(pr)工艺和湿法蚀刻工艺形成第一通孔via1。
238.具体地，如图6的(a)所示，在钝化层pas上，覆盖层oc可使用掩模(光刻)来曝光并显影。本文中，掩模可被构图，使得在与第一通孔via1对应的区域处不形成覆盖层oc。在未形成覆盖层oc的暴露的钝化层pas上，可去除覆盖层oc的残余膜。
239.此后，可在暴露的钝化层pas处形成钝化孔。具体地，如图6的(b)所示，在应用具有与第一通孔via1对应的开口的掩模的情况下，应用能够选择性地蚀刻钝化层pas的选择性蚀刻剂，从而形成钝化孔。
240.此后，如图6的(c)所示，蚀刻覆盖层oc以去除钝化孔周围的覆盖层oc。随着覆盖层oc被去除，钝化孔完全暴露于外，并且形成穿透覆盖层oc和钝化层pas的第一通孔via1。
241.在具有无堤结构的显示装置1中，覆盖层oc按照比具有堤的结构更厚的方式形成。例如，覆盖层oc可具有约4.5μm的厚度。随着覆盖层oc变厚，通过蚀刻去除覆盖层oc的速率减小，覆盖层oc因此保留在与钝化孔的边缘相邻的区域。另外，当覆盖层oc被蚀刻时，侧面被过度蚀刻，导致形成底切。由于覆盖层oc的保留和钝化孔周围的底切，可在第一通孔via1的侧壁处形成覆盖层oc与钝化层pas之间的间隙gap。
242.在形成第一通孔via1之后，阳极ae、发光层eml和阴极ce可依次层叠在覆盖层oc上。本文中，阳极ae、发光层eml和阴极ce可层叠在第一通孔via1内部，并且可填充形成在第一通孔via1的侧壁处的间隙的内部。
243.具有相对良好的台阶覆盖特性的阳极ae和阴极ce可在间隙附近连续地形成，而不会由于覆盖层oc的底切而分离。然而，具有相对差的台阶覆盖特性的发光层eml在间隙附近可能由于底切而分离。随着发光层eml分离，在间隙内部，阳极ae和阴极ce可能具有电短路，如图6的(d)所示。
244.为了防止发光元件ld中的这种短路错误，在实施方式中，第一通孔via1可按照穿透光吸收层la的方式形成。即，可沿着第一通孔via1的边缘形成光吸收层la。
245.由于材料特性，光吸收层la在蚀刻期间不会被过度蚀刻，因此不形成底切。蚀刻区段具有正锥形状。因此，在钝化层pas、光吸收层la和覆盖层oc的层之间不形成间隙，并且发光层eml和阴极ce可在蚀刻区段处连续地形成。
246.在实施方式中，在围绕第一通孔via1的边缘的区域中，光吸收层la可被构造成包含蓝色颜料的单个吸收层，如图7a所示。蓝色颜料具有相对良好的能力来通过蚀刻形成正锥截面。因此，通过在第一通孔via1周围形成包含蓝色颜料的单个吸收层，可防止发光元件ld的阳极ae和阴极ce之间的短路问题。
247.参照图4的实施方式，在围绕第一通孔via1的边缘的区域中，光吸收层la可被构造成包含蓝色颜料的单个吸收层。在剩余区域中，光吸收层la可被构造成多个层，包括：包含红色颜料的第一吸收层；以及包含蓝色颜料的第二吸收层。
248.如图7a所示，形成由包含蓝色颜料的光吸收层la围绕的第一通孔via1的方法如下。
249.首先，如图7b所示，在包括电路元件的电极的第二导电层tga上形成钝化层pas。在钝化层pas上，形成按图案形成以具有与第一通孔via1对应的开口的光吸收层la(即，蓝色颜料层)。
250.此后，如图7c所示，在光吸收层la上，形成覆盖层oc。覆盖层oc可形成图案以具有与第一通孔via1对应的开口。
251.此后，如图7d所示，在暴露的钝化层pas中形成钝化孔。
252.在形成钝化孔之后，通过蚀刻图7e所示的覆盖层oc和光吸收层la来去除钝化孔周围的覆盖层oc和光吸收层la。因此，钝化孔完全暴露于外，并且形成穿透覆盖层oc、光吸收层la和钝化层pas的第一通孔via1。此后，阳极ae、发光层eml和阴极ce依次层叠。
253.图8和图9是示出根据实施方式的修复显示装置的方法的图。图10和图11是示出在修复工艺中可能发生的发光元件中的短路问题的图。图12是示出修复图4和图5所示的像素的方法的图。
254.图8和图9示出在第一方向dr1上布置在彼此附近的两个像素pxij和px(i+1)j。像素pxij和px(i+1)j布置在第j像素列中，并且共同连接到第j数据线dlj。另外，在像素pxij和px(i+1)j当中，第一像素pxij被设置在第i像素行中并连接到第i选通线gl1i和gl2i。第二像素px(i+1)j被设置在第i+1像素行中并连接到第i+1选通线gl1(i+1)和gl2(i+1)。
255.参照图8和图9，显示面板50包括多个像素区域pxa，其限定在第一方向dr1上延伸的数据线(dlj)与第二方向dr2上延伸的选通线(gl1i、gl1(i+1)、gl2i和gl2(i+1))的交叉区域处。在像素区域pxa中，设置有像素pxij和px(i+1)j。
256.像素区域pxa可包括发光区域ea和非发光区域nea。在发光区域ea中，设置有像素pxij和px(i+1)j的发光元件ld。非发光区域nea包括用于驱动发光元件ld的电路元件(例如，开关晶体管st、驱动晶体管dt、感测晶体管sst和存储电容器cst)。发光元件ld由设置在非发光区域nea中的电路元件驱动并发射特定颜色的光。
257.在第二方向dr2上相邻的像素区域pxa之间，可限定线路区域wa。在线路区域wa中，设置有在第一方向dr1上延伸的数据线(dlj)和感测线(slj)。第一选通线(gl1i和gl1(i+1))和第二选通线(gl2i和gl2(i+1))横跨非发光区域nea在第二方向dr2上延伸。
258.数据线(dlj)、感测线(slj)、第一选通线(gl1i和gl1(i+1))和第二选通线(gl2i、gl2(i+1))通过接触孔电连接到电路元件。具体地，数据线(dlj)可电连接到开关晶体管st的电极(例如，源极)。感测线(slj)可电连接到感测晶体管sst的电极(例如，源极)。第一选通线(gl1i和gl1(i+1))电连接到开关晶体管st的栅极，第二选通线(gl2i和gl2(i+1))电连接到感测晶体管sst的栅极。
259.在各种实施方式中，当至少一个或一些驱动线被切割时，在对应像素pxij和px(i+1)j中可能发生诸如暗点等的缺陷。例如，如图9所示，第一像素pxij的开关晶体管st与第j数据线dlj之间、第一像素pxij的感测晶体管sst与第j感测线slj之间和/或第一像素pxij的驱动晶体管dt与第一电源线pl1之间供应高电位驱动电压elvdd的线可能被切割。然后，没有将正确的驱动电流施加到第一像素pxij，第一像素pxij的发光元件ld不发射光，因此可看到暗点。
260.为了修复缺陷像素pxij，第一像素pxij的发光元件ld的阳极ae可电连接到与第一像素pxij相邻的第二像素px(i+1)j的发光元件ld的阳极ae，如图9所示。然后，将第二像素px(i+1)j的驱动电流施加到第一像素pxij的发光元件ld。因此，第一像素pxij可响应于与第二像素px(i+1)j相同的数据信号而发射光，从而修复暗点缺陷。
261.可通过激光焊接执行修复工艺。具体地，可通过利用激光束照射设置在第一像素pxij的非发光区域nea中的任何修复图案以去除插置在修复图案rp与第二像素px(i+1)j的阳极ae之间的绝缘膜，并且在修复图案与第二像素px(i+1)j的阳极ae之间形成电连接来形
成修复工艺。
262.如上面参照图5描述的，像素pxij和px(i+1)j包括基板sub、依次层叠在基板sub上的缓冲层buf和栅极绝缘层gi、第二导电层tga和钝化层pas。在钝化层pas上，层叠发光元件ld的阳极ae、发光层eml和阴极ce。在设置有堤的显示装置1的情况下，在像素pxij和px(i+1)j的非发光区域nea中，可在阳极ae和发光层eml之间形成用于限定发光区域ea的堤层bnk。
263.如图10所示，在非发光区域nea中形成堤层bnk的情况下，照射非发光区域nea的激光束被堤层bnk阻挡，因此不损坏设置在上层的发光元件ld。然而，在如图11所示未形成堤层bnk的无堤结构中，发光元件ld的一个或一些层可能被激光束损坏，导致阳极ae和阴极ce之间的电短路。
264.为了解决该问题，在图5所示的实施方式中，修复图案rp被设置为使得其一个区域不与附近像素px(i+1)j的阳极ae交叠，而与遮光层ls交叠。遮光层ls以外的电极层可不设置在该区域上或下方。修复图案rp的除了上述区域之外的区域通过第二通孔via2电连接到附近像素px(i+1)j的阳极ae。
265.参照图12，在遮光层ls和修复图案rp交叠的区域上执行激光焊接。由于不与第二像素px(i+1)j的阳极ae交叠的区域被激光束照射，所以可通过激光束防止阳极ae和阴极ce之间的电短路。
266.可通过激光焊接去除遮光层ls和修复图案rp之间的绝缘层，并且可形成遮光层ls和修复图案rp之间的电连接。穿过第一像素pxij的驱动晶体管dt的第二漏极de2和存储电容器cst的上电极ue，遮光层ls连接到发光元件ld的阳极ae。修复图案rp通过第二通孔via2连接到第二像素pxij的发光元件ld的阳极ae。因此，当遮光层ls通过激光焊接电连接到修复图案rp时，第一像素pxij的发光元件ld的阳极ae连接到第二像素px(i+1)j的发光元件ld的阳极ae。然后，当驱动电流被施加到第二像素px(i+1)j的发光元件ld的阳极ae时，相同的驱动电流被施加到第一像素pxij的发光元件ld的阳极ae，并且第一像素pxij可按与第二像素px(i+1)j相同的亮度发射光。
267.图13是示出根据另一实施方式的修复显示装置的方法的图。图14是示出修复图4和图5所示的像素的方法的图。
268.图13示出在第一方向dr1上布置在彼此附近的两个像素px(i
‑
1)j和pxij。像素px(i
‑
1)j和pxij布置在第j像素列中，并且共同连接到第j数据线dlj。另外，在像素px(i
‑
1)j和pxij当中，第一像素px(i
‑
1)j设置在第i
‑
1像素行中并连接到第i
‑
1第一选通线gl1(i
‑
1)。第二像素pxij设置在第i像素行中并连接到第i第一选通线gl1i。
269.在实施方式中，在用于驱动第二像素pxij的发光元件ld的驱动电路中可能发生缺陷，因此发光元件ld可能无法正确地发射光。为了修复缺陷像素(例如，第二像素pxij，如图13所示)，第二像素pxij的发光元件ld可与驱动电路分离。此后，第二像素pxij的发光元件ld的阳极ae可电连接到附近像素(例如，第一像素px(i
‑
1)j)的发光元件ld的阳极ae。然后，第一像素px(i
‑
1)j的驱动电流被施加到第二像素pxij的发光元件ld。因此，第二像素pxij可响应于与第一像素px(i
‑
1)j相同的数据信号而发射光，从而修复像素中的缺陷。
270.可通过激光切割和激光焊接来执行修复工艺。具体地，在第二像素pxij的非发光区域nea中，当发光元件ld的阳极ae被激光束照射时，在阳极ae和驱动电路之间发生断开。
此后，第一像素px(i
‑
1)j的发光元件ld的阳极ae可通过激光焊接电连接到第二像素pxij的发光元件ld的阳极ae。
271.如上面参照图10和图11描述的，无堤结构中的激光切割可能导致阳极ae和阴极ce之间的电短路。为了解决该问题，在图5所示的实施方式中，存储电容器cst的下电极be可包括延伸部分ext以用于与驱动晶体管dt的第二栅极ge2连接。在延伸部分ext上，下电极be与第二栅极ge2交叠，并且通过第三接触孔ct3电连接到第二栅极ge2。延伸部分ext的至少一个区域被设置为不与电路元件的其它电极和发光元件ld的阳极ae交叠。
272.参照图14，对延伸部分ext执行激光切割。由于不与第二像素pxij的阳极ae交叠的区域被激光束照射，所以可通过激光束防止阳极ae和阴极ce之间的电短路。
273.当通过激光切割来切割延伸部分ext时，驱动晶体管dt的第二漏极de2和存储电容器cst的下电极be电分离。穿过下电极be的延伸部分ext，第二漏极de2连接到发光元件ld的阳极ae。因此，驱动晶体管dt和发光元件ld可通过延伸部分ext的切割而电分离。
274.在激光切割之后，第二像素pxij的发光元件ld的阳极ae可通过激光焊接电连接到第一像素px(i
‑
1)的发光元件ld的阳极ae。使用激光焊接的修复方法与参照图12描述的相同，因此将省略其详细描述。
275.图15是沿着图3a的线ii
‑
ii'截取的横截面图。
276.参照图3a、图3b和图4，为了使像素显示所需颜色，由发光元件ld生成的光需要经由滤色器发射到显示面板50外部。在像素被构造为具有无堤结构的情况下，不在发光区域ea周围执行遮光。因此，从发光元件ld发射的光被排出到发光区域ea的外围，因此发射到显示面板50外部而不经过滤色器。因此，可能发生漏光和褪色现象。
277.在显示白色的白色像素的情况下，不提供滤色器，并且由发光元件ld生成的光被发射到显示面板50外部而不经过滤色器。因此，在白色像素的情况下，漏光和褪色现象可能不是问题。
278.为了解决显示红色、蓝色和绿色的像素中的漏光和褪色现象，在实施方式中，像素可具有如图15所示的结构。
279.具体地，参照图15，与图4相比，白色像素w的发光区域ea可具有覆盖层oc被去除的形式。例如，可通过使用半色调掩模的光刻工艺在除了白色像素w的发光区域ea之外的区域中形成覆盖层oc。因此，在白色像素w的发光区域ea的边缘处，覆盖层oc具有水平差。
280.在形成覆盖层oc之后，发光区域ea中的各个像素的阳极ae可按图案形成。在红色像素r中，阳极ae形成在覆盖层oc上。由于在白色像素w中未形成覆盖层oc，所以可在作为下层的缓冲层buf上形成阳极ae。在所示的实施方式中，在白色像素w的情况下，阳极ae形成在缓冲层buf上，但是此实施方式不限于此。即，在各种实施方式中，钝化层pas可形成在白色像素w的发光区域ea中。本文中，阳极ae可形成在钝化层pas上。即，除了覆盖层oc之外，可在发光区域ea的暴露下层上形成阳极ae。
281.此后，可形成发光层eml和阴极ce。沿着设置有水平差的覆盖层oc，发光层eml和阴极ce在白色像素w的发光区域ea的边缘处也具有水平差。在具有水平差的区域中，发光层eml和阴极ce覆盖覆盖层oc的暴露侧，因此在台阶周围具有弯曲。本文中，弯曲可包括至少一个角形状或至少一个曲面形状。
282.当从红色像素r的发光元件ld发射光时，排出到未形成滤色器cf的非发光区域nea
的光在附近白色像素w的方向上传播。该光从阴极ce的弯曲反射，并且可控制光的传播方向朝着显示面板50的较低位置。通过沿着白色像素w的发光区域ea的边缘设置的数据线dl，可阻挡反射的光被发射到显示面板50外部。
283.如上所述，在根据实施方式的显示面板50中，通过去除白色像素w的覆盖层oc，在另一附近像素的外围形成阴极ce的水平差。然后，从发光元件ld排出到未形成滤色器cf的非发光区域nea的光从阴极ce反射，并且被下层的导电层(例如，数据线dl等)阻挡，从而解决了漏光和褪色现象。
284.图16是示出根据另一实施方式的白色像素的平面布局的图。图17是沿着图16的线iii
‑
iii’截取的横截面图。
285.一起参照图2和图16，像素px可包括开关晶体管st、驱动晶体管dt、感测晶体管sst、存储电容器cst和发光元件ld。
286.开关晶体管st可包括第一栅极ge1、第一源极se1和第一漏极de1。
287.第一栅极ge1可被设置为与形成在有源层act中的第一沟道交叠。第一沟道可以是有源层act内未掺杂杂质的半导体图案。第一栅极ge1可电连接到第一选通线gl1。例如，第一栅极ge1可以是第一选通线gl1上与第一沟道交叠的区域。
288.第一源极se1可连接到在有源层act中形成在第一沟道的第一侧的源极区域。第一源极se1还可通过接触孔连接到数据线dl。
289.第一漏极de1可以是有源层act中形成在第一沟道的第二侧的漏极区域。第一漏极de1可与存储电容器cst的下电极be集成形成。
290.驱动晶体管dt可包括第二栅极ge2、第二源极se2和第二漏极de2。
291.第二栅极ge2可被设置为与形成在有源层act中的第二沟道交叠。第二栅极ge2可通过接触孔电连接到存储电容器cst的下电极be。
292.第二源极se2可以是有源层act中形成在第二沟道的第一侧的第二源极区域。第二源极se2可电连接到施加高电位驱动电压elvdd的第一电源线pl1。
293.第二漏极de2可连接到在有源层act中形成在第二沟道的第二侧的第二漏极区域。第二漏极de2可通过通孔via连接到发光元件ld的阳极ae。
294.另外，第二漏极de2可通过接触孔连接到遮光层ls。遮光层ls连接到感测晶体管sst的第三漏极de3。因此，第二漏极de2可通过遮光层ls连接到感测晶体管sst的第三漏极de3。
295.感测晶体管sst可包括第三栅极ge3、第三源极se3和第三漏极de3。
296.第三栅极ge3可被设置为与形成在有源层act中的第三沟道交叠。第三栅极ge3可电连接到第二选通线gl2。例如，第三栅极ge3可以是第二选通线gl2上与第三沟道交叠的区域。
297.第三源极se3可连接到在有源层act中形成在第三沟道的第一侧的第三源极区域。第三源极se3可通过接触孔电连接到感测线sl。
298.第三漏极de3可连接到在有源层act中形成在第三沟道的第二侧的第三漏极区域。另外，第三漏极de3可通过接触孔连接到遮光层ls。穿过遮光层ls，第三漏极de3电连接到驱动晶体管dt的第二漏极de2和阳极ae。
299.存储电容器cst可包括下电极be和上电极ue。
300.下电极be构成有源层act。下电极be可通过接触孔电连接到开关晶体管st的第一漏极de1。另外，下电极be可通过接触孔电连接到驱动晶体管dt的第二栅极ge2。
301.上电极ue形成为使得其至少一个区域覆盖下电极be。在上电极ue和下电极be之间，存储与两个电极之间的电位差对应的电荷，以使得上电极ue和下电极be可作为存储电容器cst操作。
302.上电极ue被构造成阳极ae的区域。即，上电极ue可以是形成在发光区域ea中的阳极ae的非发光区域nea的延伸部分。
303.上电极ue可通过通孔via电连接到驱动晶体管dt的第二漏极de2。
304.发光元件ld可包括阳极ae、阴极ce以及设置在阳极ae和阴极ce之间的发光层eml。
305.通常，阳极ae形成在发光区域ea中，并且设置有延伸到非发光区域nea的区域。延伸区域可按照与存储电容器cst的下电极be交叠的方式设置，并且可构成存储电容器cst的上电极ue。在此实施方式中，延伸区域可具有足够的面积以确保存储电容器cst的存储电容。
306.在阳极ae上，形成发光层eml和阴极ce。发光层eml和阴极ce可广泛地形成在发光区域ea和非发光区域nea中。本文中，当在延伸到阳极ae的非发光区域nea的区域上层叠发光层eml和阴极ce时，可从非发光区域nea发射光。这具有显著扩大白色像素w的发光区域ea的效果。
307.参照图17，存储电容器cst包括形成在有源层act中的下电极be以及构造成阳极ae的延伸区域的上电极ue。当上电极ue被构造成阳极ae时，存储电容器cst的上电极ue可发射光。
308.参照图15描述的实施方式可应用于图16和图17的实施方式。即，在白色像素w的发光区域ea中可不形成覆盖层oc。在图16和图17的实施方式中，由于存储电容器cst的上电极ue被构造成阳极ae并且显著延伸发光区域ea，所以在设置上电极ue的区域中可不形成覆盖层oc。
309.在此实施方式中，在存储电容器cst的下电极be和上电极ue之间，除了覆盖层oc之外，可插置有源层act和阳极ae之间插置的至少一个绝缘层。例如，在下电极be和上电极ue之间，可插置钝化层pas。
310.图18是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的流程图。具体地，图18示出具有上面参照图4和图5描述的像素(pxij)的显示面板50的制造方法。
311.参照图18以及图3a、图3b和图4，首先，可在基板sub上形成电路元件层。具体地，可在步骤1501在基板sub上形成第一导电层。第一导电层可这样生成：通过印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积(pld)工艺、真空沉积工艺、原子层沉积工艺等在基板sub上形成导电膜；并且使用掩模通过蚀刻工艺执行构图。本文中，可使用第一掩模。
312.此后，可在步骤1502在第一导电层上形成缓冲层buf。可通过化学气相沉积工艺、旋涂工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、溅射工艺、真空沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、印刷工艺等形成缓冲层buf。
313.可在步骤1503在缓冲层buf上形成有源层act。例如，可在缓冲层buf上形成非晶硅层，并且非晶硅层可结晶以形成多晶硅层。此后，多晶硅层通过光刻等进行构图，从而形成有源层act。本文中，第二掩模可用于光刻工艺。将杂质注入到构成有源层act的多晶硅层
中，从而形成源极区域sa1、sa2和sa3、漏极区域da1、da2和da3以及沟道ch1、ch2和ch3。在缓冲层buf中，还可形成用于使得第一导电层和上层能够彼此接触的接触孔。
314.可在步骤1504在有源层act上形成栅极绝缘层gi。可在要形成第二导电层(将稍后描述)的区域中选择性地形成栅极绝缘层gi。具体地，栅极绝缘层gi可通过光刻等形成，其中栅极绝缘层gi使用掩模来曝光和显影。本文中，可使用第三掩模。
315.可在步骤1505在栅极绝缘层gi上形成第二导电层。第二导电层可这样生成：通过印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积(pld)工艺、真空沉积工艺、原子层沉积工艺等在栅极绝缘层gi上形成导电膜；以及使用掩模通过蚀刻工艺执行构图。本文中，可使用第四掩模。
316.此后，可在步骤1506形成钝化层pas以覆盖第二导电层。可在步骤1507在钝化层pas上形成滤色器。对于滤色器，例如，可使用第一掩模按图案形成第一颜色的滤色器，可使用第二掩模按图案形成第二颜色的滤色器，并且可使用第三掩模按图案形成第三颜色的滤色器。在形成滤色器的同时，光吸收层la一起形成。为了形成滤色器和光吸收层la，可使用与各个颜色对应的三个掩模(即，第五至第七掩模)。
317.此后，在步骤1508形成覆盖层oc以覆盖滤色器和光吸收层la。可在钝化层pas使用掩模来对覆盖层oc进行曝光和显影。掩模可包括与通孔via1和via2对应的开口。本文中，可使用第八掩模。
318.可在覆盖层oc上形成发光元件。具体地，在步骤1509，在覆盖层oc上，使用具有与发光区域ea对应的开口的第九掩模按图案形成阳极ae。此后，在步骤1510，在覆盖层oc上广泛地形成发光层eml和阴极ce以覆盖阳极ae的整个区域。
319.为了制造上述具有无堤结构的显示面板50，通常可使用九个掩模。为了制造设置有堤的显示面板50，需要附加掩模来形成堤，因此可执行使用总共10个掩模的10个掩模工艺。然而，在诸如此实施方式的无堤结构的情况下，需要九个掩模和九个掩模工艺来制造显示面板50，由此工艺简化并且制造成本降低。
320.本领域技术人员将理解，在不改变本公开的技术构思或基本特性的情况下，本公开可按照其它特定形式具体实现。因此，应该理解，上述实施方式在所有方面均是例示性的，而非限制性。本公开的范围由所附权利要求表征，而非上述详细描述，并且应该解释为从所附权利要求及其等同物的含义和范围推导的所有改变或修改均落入本公开的范围内。
321.相关申请的交叉引用
322.本申请要求2019年12月31日提交的韩国专利申请no.10
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2019
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0179733和2019年12月31日提交的no.10
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2019
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0179734的优先权，其完整内容出于所有目的通过此引用并入本文。