一种光耦合器及其生产工艺的制作方法

本申请涉及电信号传输器件的领域，尤其是涉及一种光耦合器。

背景技术：

光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管led）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。

相关技术如申请公布号为cn111354719a的中国专利所公开的一种光耦合器，包含：二个以上的导线架；光学通道结构，包括：发光芯片、感光芯片以及透光内封装体，发光芯片与感光芯片设置于导线架且为共平面，发光芯片的发光面及感光芯片的受光面同向设置，透光内封装体包覆发光芯片及感光芯片；以及光反射外封装体，包覆透光内封装体，光反射外封装体与透光内封装体相接触的接合界面均为光学反射面，其中，光反射外封装体与透光内封装体为经双料成型及封胶成型的结构，使得内封装体与光反射外封装体易于塑形。

又如申请公布号为cn104465640a的中国专利所公开的一种光耦合器，包含：一发光芯片、一感光芯片、一透明内封装体、一外封装体、及二个导线架，透明内封装体的一圆顶包覆件包覆发光芯片及感光芯片，外封装体包覆透明内封装体，外封装体具有与该圆顶包覆件相接触的一光学反射面，发光芯片所发射的光线的一部分藉由该光学反射面而反射至该感光芯片，发光芯片所发射的光线的另一部分通过该透明内封装体而透射至该感光芯片，藉此将二个导线架的重迭区域缩到最小，而降低电容值，并提升共模拒斥比，使得本发明的光耦合器能符合应用所需的电性特性。

针对上述中的相关技术，本发明人认为，光耦合器生产完成后，外封装体与透光内封装体胶黏为一体，当光耦合器检测出现故障时，检测人员很难将外封装体剥离以检测内部结构是否出现损伤，导致光耦合器的故障问题检查难度较大，因此需要改进。

技术实现要素：

为了改善相关技术中光耦合器故障问题难以排查的问题，本申请提供一种光耦合器及其生产工艺。

第一方面，本申请提供一种光耦合器，采用如下的技术方案：

一种光耦合器，包括发光芯片、感光芯片、透明内封装体、外封装体和导线架，所述导线架设置有两件，发光芯片和感光芯片分别设置于两件导线架上，还包括基座和第一离型膜，两所述导线架相向设置的一端均安装于导线架上，所述透明内封装体黏着于基座上，所述发光芯片和感光芯片设置于导线架背离基座的一侧上，所述第一离型膜覆盖在透明内封装体上，所述外封装体黏着在第一离型膜上。

通过采用上述技术方案，利用光芯片、感光芯片、透明内封装体、外封装体和导线架能够组装形成以光为媒介来传输电信号的光耦合器，其中，利用覆盖在透明内封装体上的第一离型膜能够起到隔离透明内封装体和外封装体的效果，利用基座能够起到连接透明内封装体和外封装体的效果，使得当需要观察放光芯片和感光芯片是否有异常时，可以利用针将外封装体挑开，从而使得透明内封装体直接暴露在外，此时，工作人员可以直接透过透明内封装体查看放光芯片和感光芯片是否异常。

可选的，所述基座上设置有若干道第一补强孔，各所述第一补强孔环绕着透明内封装体设置，所述外封装体黏着于基座上的部分渗透进第一补强孔内。

通过采用上述技术方案，利用外封装体与第一补强孔之间的配合，能够确保外封装体与基座之间的连接强度，使得无法粘结为一体的外封装体和透明内封装体之间也能够保持稳定连接。

可选的，还包括第二离型膜，所述第二离型膜覆盖在基座表面上，所述发光芯片和感光芯片均设置于基座和第二离型膜之间，所述透明内封装体黏着于第二离型膜上，所述第二离型膜由透光材料制成。

通过采用上述技术方案，利用第二离型膜能够起到隔离透明内封装体和发光芯片及感光芯片的效果，使得当工作人员无法透过透明内封装体查看发光芯片和感光芯片是否异常时，可以挑开透明内封装体进行查看。

可选的，所述基座上设置有若干道第二补强孔，各所述第二补强孔均布于第二离型膜的两侧上，所述透明内封装体黏着于基座上的部分渗透进第二补强孔内。

通过采用上述技术方案，利用透明内封装体与第二补强孔之间的配合，能够确保透明内封装体与基座之间的连接强度，使得无法粘结为一体的透明内封装体和发光芯片及感光芯片之间也能够保持稳定连接。

可选的，所述基座上设置有限位槽，所述限位槽的两端与基座的两个对侧面相通，所述发光芯片和感光芯片均位于限位槽内，所述第二离型膜覆盖在限位槽内。

通过采用上述技术方案，利用限位槽能够起到容纳导线架的效果，使得在挑开透明内封装体时，用于挑开透明内封装体的针头不会挑到导线架，同时，利用限位槽还能够起到限制导线件安装位置的效果。

可选的，所述限位槽内设置有让位槽，所述让位槽呈等腰梯形状设置，两所述导线架相向设置的一端均朝向让位槽内弯折，两所述导线架相向设置的一端分别与让位槽的两等腰边贴合，所述发光芯片和感光芯片安装于导线架弯折设置的位置上。

通过采用上述技术方案，利用让位槽与导线架之前的配合，使得设置于导线架上的发光芯片和感光芯片也可以完全伸进限位槽内，从而使得在挑开透明内封装体时，用于挑开透明内封装体的针头不会挑到发光芯片或感光芯片。

可选的，所述限位槽的两端上均设置有限位凸起，两所述导线架上均设置有限位孔，各所述限位凸起分别插设于各道限位孔内。

通过采用上述技术方案，利用限位凸起和限位孔之间的配合，能够进一步增加导线架和基座的安装强度，使得在覆盖第一离型膜和点胶透明外封装体时，导线架不易从基座上脱落。

第二方面，本申请提供一种用于光耦合器的生产工艺，采用如下的技术方案。

一种用于如上所述光耦合器的生产工艺，包括以下步骤：

s1、利用陶瓷烧结的方式制成基座，然后将两件导线架固定在基座上；

s2、利用胶黏固晶的方式将发光芯片和感光芯片分别安装在两件导线架相向设置的一端上；

s3、在基座上覆盖一层包覆住发光芯片和感光芯片的第一离型膜，然后在第一离型膜上点胶以形成透明内封装体；

s4、在基座上覆盖一层包覆住内封装体的第二离型膜，然后在第二离型膜上点胶以形成外封装体。

通过采用上述技术方案，利用s1能够完成导线架和基座之间的连接，利用s2能够完成发光芯片和感光芯片的安装，利用s3能够完成外封装体与发光芯片及感光芯片之间的隔离工作，利用s4能够完成内封装体与外封装体之间的隔离工作。

可选的，所述s3和s4完成后，利用负压设备对基座背离导线架的一侧面进行抽真空，使得外封装体和透明内封装体在未凝固前能够分别渗透进第一补强孔和第二补强孔内。

通过采用上述技术方案，利用负压抽真空的方式，使得仍处于半固态状态的外封装体和透明内封装体能够分别渗透进第一补强孔和第二补强孔内。

综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：

采用胶黏方式设置的透明内封装体和外封装体可以挑开，便于查看发光芯片和感光芯片的故障原因；

利用限位槽和让位槽之间的配合，使得发光芯片和感光芯片能够与基座上表面隔离，从而使得挑开内封装体时不会伤害到发光芯片和感光芯片。

附图说明

图1是本申请实施例的光耦合器的主视图；

图2是本申请实施例的光耦合器的剖面示意图；

图3是本申请实施例的基座与导线架的连接示意图。

附图标记：1、基座；11、第二补强孔；12、限位槽；13、让位槽；14、限位凸起；15、第一补强孔；2、导线架；21、限位孔；3、外封装体；4、发光芯片；5、感光芯片；6、第一离型膜；7、透明内封装体；8、第二离型膜。

具体实施方式

以下结合附图1-3对本申请作进一步详细说明。

本申请实施例公开一种光耦合器。参照图1和图2，该光耦合器包括基座1、发光芯片4、感光芯片5、第一离型膜6、透明内封装体7、第二离型膜8、外封装体3和导线架2，基座1用于起主要支撑承载作用，导线架2用于起电连接的作用，发光芯片4和感光芯片5互相配合以用于传输光信号，透明内封装体7用于保护发光芯片4和感光芯片5，外封装体3用于隔离外界光线，第一离型膜6用于隔离外封装体3和透明内封装体7，第二离型膜8用于隔离透明内封装体7和发光芯片4及感光芯片5。

参照图3，基座1的上表面设置有一限位槽12，限位槽12的两端分别与基座1的两个对侧面相通，在限位槽12的底部设置有一让位槽13，让位槽13位于限位槽12的中部；其中，导线架2设置有两件，且两件导线架2分别安装于限位槽12的两端上，两件导线架2相反设置的一端均伸出限位槽12外，两件导线架2相向设置的一端均朝向让位槽13内部弯折设置，发光芯片4和感光芯片5分别与两件导线架2伸进让位槽13内的一端上。

参照图3，让位槽13的横截面呈等腰梯形状设置，让位槽13的底面与限位槽12的底面相平行，让位槽13的两等腰边均与让位槽13的底部相接；其中，让位槽13底面面积小于让位槽13上侧开口面积，两件导线架2伸进让位槽13内的部分与让位槽13的等腰片贴合。

参照图3，在限位槽12的两端上均设置有限位凸起14，在两件导线架2上均设置有限位孔21，当导线架2安装于限位槽12内时，限位凸起14插设于限位孔21内，且限位凸起14与限位孔21过盈配合。

参照图2，第二离型膜8覆盖在基座1表面上，第二离型膜8由透光材料制成，且第二离型膜8会覆盖在发光芯片4、感光芯片5以及导线架2上，透明内封装体7利用点胶的方式黏着于第二离型膜8上；其中，在基座1上还设置有若干第二补强孔16，各道第二补强孔16均布于限位槽12的两长边侧上，且各道第二补强孔16均位于透明内封装体7的覆盖范围内，透明内封装体7黏着于基座1上的部分渗透进各道第二补强孔16内。

参照图2，第一离型膜6覆盖在基座1表面上，且第一离型膜6覆盖在透明内封装体7上，外封装体3利用点胶的方式黏着于第一离型膜6上；其中，在基座1上还设置有若干第一补强孔15，各道第一补强孔15均布于限位槽12的两长边侧上，各道第一补强孔15均位于透明内封装体7的覆盖范围内，且各道第一补强孔15均位于透明内封装体7的覆盖范围外，外封装体3黏着于基座1上的部分渗透进各道第一补强孔15内。

本申请实施例一种光耦合器的实施原理为：

利用第一离型膜6隔离透明内封装体7和外封装体3，使得工作人员在挑开外封装体3时，透明内封装体7不会受到损失，利用第二离型膜8隔离透明内封装和发光芯片4及感光芯片5，使得工作人员在挑开透明内封装体7时，发光芯片4和感光芯片5不会受到损失，利用基座1使得无法直接粘结为一体的透明内封装体7和外封装体3均能够固定在基座1上，从而使得外封装体3能够稳定的包覆住透明内封装体7。

本申请实施例还公开一种用于上所述光耦合器的生产工艺，该生产工业包括以下步骤：

s1、利用陶瓷烧结的方式制成基座1，然后将两件导线架2固定在基座1上；

s2、利用胶黏固晶的方式将发光芯片4和感光芯片5分别安装在两件导线架2相向设置的一端上；

s3、在基座1上覆盖一层包覆住发光芯片4和感光芯片5的第一离型膜6，然后在第一离型膜6上点胶以形成透明内封装体7；

s4、在基座1上覆盖一层包覆住内封装体的第二离型膜8，然后在第二离型膜8上点胶以形成外封装体3。

其中，s3和s4完成后，利用负压设备对基座1背离导线架2的一侧面进行抽真空，使得外封装体3和透明内封装体7在未凝固前能够分别渗透进第一补强孔15和第二补强孔16内。

其中，s3和s4进行时，利用离型喷剂喷射在基座1上，待离型喷剂风干后即可形成一层薄薄的离型膜，采用该方法可以一次形成第一离型膜6和第二离型膜8。

以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，故：凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本申请的保护范围之内。