半导体封装件及其制造方法与流程

1.本公开涉及一种半导体封装件，具体涉及一种包含半导体管芯的半导体封装件，所述半导体管芯具有密集连接区域和稀疏连接区域。


背景技术：

2.为了适应移动通信器件的发展，减小体积(例如，薄化)、降低制造成本、功能灵活多样以及加快产品周期对于器件封装是必不可少的。
3.研磨是半导体封装中减小封装件厚度的公知方法。一般而言，对于具有设置有多个导电柱的有源表面的半导体管芯，将带件附接到有源表面并且覆盖多个导电柱。由于带件的柔性性质，带件的底部可以根据下面的导电柱的外形而变形，而带件的顶部基本上是平坦的。


技术实现要素：

4.在一些实施例中，本公开提供一种半导体器件，所述半导体器件包含：半导体管芯，所述半导体管芯具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个第一真实导电柱，所述多个第一真实导电柱位于所述第一表面上的第一区域中；以及多个支撑件，所述多个支撑件位于与所述第一区域相邻的第二区域中。所述第二区域中的所述多个支撑件的面积密度介于所述第一区域中的所述多个第一真实导电柱的面积密度的约50％至约100％的范围内。
5.在一些实施例中，本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包含：第一半导体管芯，所述第一半导体管芯具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个第一真实导电柱，所述多个第一真实导电柱位于所述第一表面上的第一密集区域中；多个第二真实导电柱，所述多个第二真实导电柱位于所述第一表面上的第二密集区域中；多个支撑件，所述多个支撑件位于所述第一密集区域与所述第二密集区域之间的稀疏区域中；第二半导体管芯，所述第二半导体管芯位于所述第一半导体管芯上方；以及第三半导体管芯，所述第三半导体管芯位于所述第一半导体管芯上方。
6.在一些实施例中，本公开提供用于制造半导体封装件的方法，所述方法包含：在半导体管芯的第一表面的第一区域中形成多个第一真实导电柱；在所述第一表面的第二区域处引入防变形构件，所述第二区域与所述第一区域相邻；通过在所述第一表面处提供吸力来固定所述半导体管芯；以及在与所述第一表面相对的第二表面处薄化所述半导体管芯。
附图说明
7.当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以容易地理解本公开的各方面。应当注意，各种特征件可以不按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种特征件的尺寸可以任意地增大或减小。
8.图1展示了根据一些比较实施例的半导体封装件中的半导体管芯的俯视图。
9.图2展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件中的半导体管芯的俯视图。
10.图3展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件中的半导体管芯的俯视图。
11.图4展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的横截面视图。
12.图5a、图5b和图5c展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。
13.图5a'、图5b'和图5c'展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。
14.图5a"、图5b"和图5c"展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。
15.图5d和图5e展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。
16.图5d'和图5e'展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。
17.图6a展示了根据本公开一些实施例的半导体管芯的横截面视图。
18.图6b展示了包含图6a的半导体管芯的半导体封装件的横截面视图。
19.图7a展示了根据本公开一些实施例的半导体管芯的横截面视图。
20.图7b展示了包含图7a的半导体管芯的半导体封装件的横截面视图。
具体实施方式
21.在整个附图和详细描述中使用相同的附图标记来指示相同或类似的部件。根据以下结合附图的详细描述，将容易地理解本公开的实施例。
22.空间描述，诸如“上面”、“下面”、“向上”、“左边”、“右边”、“向下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”、“侧面”、“较高”、“较低”、“上部”、“上方”、“下方”等，是相对于特定的部件或部件组、或者部件或部件组的特定平面而指定的，或者针对部件的定向而指定的，如相关联的图所示。应当理解，本文使用的空间描述仅用于说明的目的，并且本文描述的结构的实际实施方案可以以任何定向或方式在空间上布置，只要此布置不偏离本公开的实施例的优点。
23.参照具有与柔性带件附接的有源表面的半导体管芯，当半导体管芯的有源表面上呈现出密集区域(就每单位体积的导电柱而言具有较大体积密度)和稀疏区域(就每单位体积的导电柱而言具有较小或甚至零体积密度)时，带件(tape)的顶部表面可能不会在密集区域和稀疏区域上继续保持平坦的形态。事实上，带件的顶部表面处的阶梯高度差可能会在密集区域与稀疏区域的边界处产生。从宏观的观点而言，由于使用大量的带件来填充稀疏区域中的间隙，并且使用少量的带件来填充密集区域中的导电柱之间的间隙，因此在稀疏区域上方形成凹部。
24.在随后的背面研磨操作中，使带件与卡盘工作台接触，从而向带件侧面处的半导体管芯施加真空抽吸。在薄化过程期间，当半导体管芯的厚度大于100μm时，真空抽吸可能不会形成足以使在与带件的凹部相邻的区域处的半导体管芯变形的机械冲击。然而，当半导体管芯的厚度小于100μm时，真空抽吸可以形成足以使在与带件的凹部相邻的区域处的半导体管芯变形的机械冲击。
25.当在与带件的凹部相邻的区域处(也就是说，在稀疏区域处)的半导体管芯呈现出变形时，随后通过模塑料平坦化操作来使密集区域中的导电柱和稀疏区域中的导电柱(如果有的话)暴露，可能会使得所有导电柱的总厚度变化(total thickness variation ttv)大于7μm。前述ttv可能会超出模塑料平坦化操作的加工误差窗口，并且可能会导致稀疏区域中的一些导电柱(如果有的话)几乎被去除。
26.本公开提供一种在稀疏区域中实施多个支撑件的半导体封装件结构。额外的支撑件可以防止在稀疏区域的带件上形成凹部，并且可以减小导致高ttv的半导体管芯变形的冲击。
27.本公开提供一种用于制造此种在稀疏区域中实施多个支撑件的半导体封装件结构的方法。
28.本公开提供一种用于制造半导体结构的方法，所述方法可免于由于背面研磨阶段的半导体管芯变形而导致的高ttv问题。例如，可以实施被设计在提供真空抽吸的卡盘工作台处的机械支撑件，以防止变形。对于另一实例，可以实施被设计在卡盘工作台处、消除稀疏区域上方的带件上的凹部的突出，以防止变形。
29.参照图1，图1展示了根据一些比较实施例的半导体封装件中的半导体管芯100的俯视图。图1示出了半导体管芯100的有源表面，其中有源表面包含密集区域100h、密集区域100h'以及密集区域100h与密集区域100h'之间的稀疏区域100l。多个导电柱100hr设置在密集区域100h中，并且多个导电柱100hr'设置在密集区域100h'中。在一些比较实施例中，导电柱100hr和100hr'在一端处电耦合到半导体管芯100的有源表面附近的导电迹线、和/或在另一端处电耦合到另一导电布线层例如重新分布层(redistribution layer，rdl)。换句话说，导电柱100hr和100hr'是真实的导电柱，用作在并入有半导体管芯100的半导体封装件中进行电连接的目的。可以观察到，密集区域100h中的导电柱100hr的面积密度大于稀疏区域100l中的导电柱(如果有的话)的面积密度。在一些比较实施例中，当考虑到导电柱100hr、100hr'中的每一者的高度时，密集区域100h中的导电柱100hr的体积密度大于稀疏区域100l中的导电柱(如果有的话)的体积密度。在一些比较实施例中，导电柱100hr和100hr'可以是铜柱、铜接线柱、铜凸块等，而不管特定尺寸、纵横比和形状如何。
30.参照图2，图2展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件中的半导体管芯201的俯视图。图2示出了半导体管芯201的有源表面，其中有源表面包含密集区域101h(由虚线围封)、密集区域101h'(由虚线围封)以及密集区域101h与密集区域101h'之间的稀疏区域101l(由虚线围封)。多个导电柱101hr设置在密集区域101h中，并且多个导电柱101hr'设置在密集区域101h中。多个支撑件101ls设置在稀疏区域101l中。
31.在一些实施例中，导电柱101hr和101hr'在一端处电耦合到半导体管芯201的有源表面附近的导电迹线、和/或在另一端处电耦合到另一导电布线层例如，重新分布层(rdl)。换句话说，导电柱101hr和101hr'是真实的导电柱，用作在并入有半导体管芯201的半导体封装件中进行电连接的目的。在一端处，支撑件101ls可以设置在导电焊盘上，所述导电焊盘可以或可以不耦合到半导体管芯201的有源表面附近的导电迹线。在另一端处，支撑件101ls可以不电耦合到另一导电布线层例如，重新分布层(rdl)。换句话说，支撑件101ls可以包含虚设的导电柱，所述导电柱不用作在并入有半导体管芯101a的半导体封装件中进行电连接的目的。在一些实施例中，支撑件101ls可以包含真实导电柱和虚设导电柱二者。
32.可以观察到，密集区域100h中的导电柱101hr的面积密度大于稀疏区域101l中的支撑件101ls的面积密度。在一些实施例中，当考虑到导电柱101hr和支撑件101ld中的每一者的高度时，密集区域101h中的导电柱101hr的体积密度大于稀疏区域101l中的支撑件101ls的体积密度。在一些实施例中，导电柱101hr和支撑件101ls可以是铜柱、铜接线柱、铜凸块等，而不管特定尺寸、纵横比和形状如何。类似地，密集区域100h'中的导电柱101hr'的面积密度大于稀疏区域101l中的支撑件101ls的面积密度。密集区域101h'中的导电柱101hr'的体积密度大于稀疏区域101l中的支撑件101ls的体积密度。
33.如图2所展示，从俯视图视角来看，半导体管芯201的稀疏区域101l中的支撑件101ls具有与密集区域101h、101h'中的导电柱101hr和101hr'相同的形状，例如，圆形形状。在一些实施例中，当所有导电柱101hr、101hr'和支撑件101ls都形成在半导体管芯101a的有源表面上时，可以执行光学检查以对具有缺陷的导电柱(例如，倾斜的柱或破损的柱)的半导体管芯进行过滤。当有缺陷的导电柱被识别为虚设支撑件101ls中的一者时，半导体管芯可能不会有助于成品率损失。
34.图3展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件中的半导体管芯301的俯视图。图3示出了半导体管芯301的有源表面，其中有源表面包含密集区域101h(由虚线围封)、密集区域101h'(由虚线围封)以及密集区域101h与密集区域101h'之间的稀疏区域101l(由虚线围封)。多个导电柱101hr设置在密集区域101h中。多个导电柱101hr'设置在密集区域101h'中。多个支撑件101ls设置在稀疏区域101l中。
35.在一些实施例中，导电柱101hr和101hr'在一端处电耦合到半导体管芯301的有源表面附近的导电迹线、和/或在另一端处电耦合到另一导电布线层例如，重新分布层(rdl)。换句话说，导电柱101hr和101hr'是真实的导电柱，用作在并入有半导体管芯301的半导体封装件中进行电连接的目的。在一端处，支撑件101ls可以设置在导电焊盘上，所述导电焊盘可以或可以不耦合到半导体管芯301的有源表面附近的导电迹线。在另一端处，支撑件101ls可以不电耦合到另一导电布线层例如，重新分布层(rdl)。换句话说，支撑件101ls可以是虚设的导电柱，所述导电柱不用作在并入有半导体管芯101b的半导体封装件中进行电连接的目的。在一些实施例中，支撑件101ls可以包含真实导电柱和虚设导电柱二者。
36.可以观察到，密集区域100h中的导电柱101hr的面积密度大于稀疏区域101l中的支撑件101ls的面积密度。在一些实施例中，当考虑到导电柱101hr和支撑件101ls中的每一者的高度时，密集区域101h中的导电柱101hr的体积密度大于稀疏区域101l中的支撑件101ls的体积密度。在一些实施例中，导电柱101hr和支撑件101ls可以是铜柱、铜接线柱、铜凸块等，而不管特定尺寸、纵横比和形状如何。类似地，密集区域100h'中的导电柱101hr'的面积密度大于稀疏区域101l中的支撑件101ls的面积密度。密集区域101h'中的导电柱101hr'的体积密度大于稀疏区域101l中的支撑件101ls的体积密度。
37.如图3所展示，从俯视图视角来看，半导体管芯301的稀疏区域101l中的支撑件101ls具有与密集区域101h中的导电柱101hr的形状(例如，圆形形状)不同的形状(例如，三角形形状)。在一些实施例中，稀疏区域101l中的支撑件101ls的形状不同于密集区域101h中的导电柱101hr的形状。在一些实施例中，当所有导电柱101hr、101hr'和支撑件101ls都形成在半导体管芯301的有源表面上时，可以执行光学检查以对具有缺陷的导电柱(例如，倾斜的柱或破损的柱)的半导体管芯进行过滤。当有缺陷的导电柱被识别为支撑件101ls中
的一者时，半导体管芯可能不会有助于成品率损失。图3中展示的支撑件101ls可以促进上述识别过程，因为检查中示出的三角形形状可以指示支撑件101ls，并且圆形形状可以指示真实的导电柱101hr或101hr'。
38.图4展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件400的横截面视图。半导体封装件400包含半导体管芯401，所述半导体管芯具有有源表面401a和与有源表面401a相对的无源表面401b。有源表面401a至少具有密集区域401h、密集区域401h'和稀疏区域401l，其中，密集区域401h中的多个真实导电柱401hr的面积密度大于稀疏区域401l中的支撑件401ls的面积密度。在有源表面401a的稀疏区域401l中，多个支撑件401ls设置在其中。尽管未在图4中示出，但是半导体管芯401的有源表面401a可以包含导电布线层(例如，rdl)，所述导电布线层与半导体管芯401中的有源区域以及多个真实导电柱401hr、401hr'电连接。
39.考虑到真实导电柱401hr、401hr'和支撑件401ls中的每一者的体积(例如，投影面积和高度)，稀疏区域401l中的支撑件401ls可以具有第一体积密度(例如，稀疏区域401l中的每单位体积支撑件401ls的体积)。另一方面，密集区域401h或401h'中的真实导电柱401hr或401hr'可以具有第二体积密度(例如，密集区域401h或401h'中的每单位体积真实导电柱401hr或401hr'的体积)。在一些实施例中，第一体积密度可以等于或小于第二体积密度。在一些实施例中，第一体积密度为第二体积密度的至少约50％。在一些实施例中，第一体积密度介于第二体积密度的约50％至约100％的范围内。如前所述，在具有前述体积密度的稀疏区域401l中存在支撑件401ls，这可以有效地减小半导体封装件400中的半导体管芯401的有源表面401a上的所有导电柱401hr、401hr'和支撑件401ls的ttv。
40.考虑到真实导电柱401hr、401hr'和支撑件401ls中的每一者的面积(例如，投影面积和高度)，稀疏区域401l中的支撑件401ls可以具有第一面积密度(例如，稀疏区域401l中的每单位面积支撑件401ls的投影面积)。另一方面，密集区域401h或401h'中的真实导电柱401hr或401hr'可以具有第二面积密度(例如，密集区域401h中的每单位面积真实导电柱401hr或401h'的面积)。在一些实施例中，第一面积密度可以等于或小于第二面积密度。在一些实施例中，第一面积密度为第二面积密度的至少约50％。在一些实施例中，第一面积密度介于第二面积密度的约50％至约100％的范围内。如前所述，在具有前述面积密度的稀疏区域401l中存在支撑件401ls，这可以有效地减小半导体封装件400中的半导体管芯401的有源表面401a上的所有导电柱401hr、401hr'和支撑件401ls的ttv。
41.仍然参照图4，半导体封装件400进一步包含密封剂105，所述密封剂围绕密集区域401h或401h'中的多个真实导电柱401hr或401hr'、稀疏区域401l中的多个支撑件401ls。如图4所展示，有源表面401a上的所有导电柱401hr、401hr'和支撑件401ls可以具有相同的高度。支撑件401ls的顶端可以与邻近半导体管芯401的有源表面401a的导电布线层403接触(例如，rdl)，但是不与导电布线层403的导电迹线或焊盘电连接。除了导电布线层403之外，半导体封装件400进一步包含邻近半导体管芯401的无源表面401b的导电布线层402(例如，rdl)。导电布线层402可以分别经由密封剂105中的通孔103以及密集区域401h、401h'的真实导电柱401hr、401hr和稀疏区域401l的支撑件401ls中的任何一者电连接到半导体管芯401的有源表面401a。
42.仍然参照图4，半导体封装件400进一步包含半导体管芯200，所述半导体管芯位于导电布线层403上方并且部分地与半导体管芯401的一部分重叠。半导体管芯200具有有源
表面200a和与有源表面200a相对的无源表面200b。在一些实施例中，半导体管芯200具有位于有源表面200a上的多个导电端子203，所述多个导电端子与半导体管芯401电连接。在一些实施例中，半导体管芯200的多个导电端子203与半导体管芯401的密集区域401h中的多个真实导电柱401hr重叠并电连接。换句话说，半导体管芯401的稀疏区域401l中的多个支撑件401ls可以或可以不与半导体管芯200电连接，但是稀疏区域401l中的支撑件401ls可以部分地与半导体管芯200重叠。
43.仍然参照图4，半导体封装件400进一步包含半导体管芯300，所述半导体管芯位于导电布线层403上方并且部分地与半导体管芯401的一部分重叠。半导体管芯300具有有源表面300a和与有源表面300a相对的无源表面300b。在一些实施例中，半导体管芯300具有位于有源表面300a上的多个导电端子303，所述多个导电端子与半导体管芯401电连接。在一些实施例中，半导体管芯300的多个导电端子303与半导体管芯401的密集区域401h'中的多个真实导电柱401hr'重叠并电连接。换句话说，半导体管芯401的稀疏区域401l中的多个支撑件401ls可以或可以不与半导体管芯300电连接，但是稀疏区域401l中的支撑件401ls可以部分地与半导体管芯300重叠。
44.仍然参照图4，半导体封装件400进一步包含衬底404，所述衬底承载半导体管芯401、半导体管芯200和半导体管芯300。衬底404的顶部表面上的导电端子405'的尺寸细于衬底404的底部表面上的导电端子405的尺寸。在一些实施例中，半导体管芯200的有源表面200a上的导电端子203的尺寸细于衬底404的顶部表面上的导电端子405'的尺寸。在一些实施例中，半导体管芯401的厚度t1薄于半导体管芯200的厚度t2或半导体管芯300的厚度t3。在一些实施例中，厚度t1小于约100μm，例如，约50μm。厚度t2和厚度t2'大于约100μm，例如，约250μm。如前文所讨论，当半导体管芯的厚度在100μm以下时，施加在半导体管芯表面上的真空抽吸可以形成足以使在缺乏机械支撑的区域处的半导体管芯变形的机械冲击。在本公开中，当在稀疏区域401l中实施支撑件401ls时，由于在覆盖支撑件401ls的带件与提供真空抽吸的卡盘工作台之间形成共形界面(conformal interface)，因此可以有效地增加稀疏区域401l处的变形阻力。
45.图5a、图5b和图5c展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。在图5a中，提供了具有多个半导体管芯区域的半导体晶圆。图5a仅展示了晶圆的管芯区域的横截面视图。半导体管芯101'包含有源表面处的稀疏区域101l以及与稀疏区域101l相邻的多于一个的密集区域101h、101h'。半导体管芯101'的有源表面包含导电布线层503(例如，rdl)，所述导电布线层设置在半导体管芯101'中的有源区域与密集区域101h、101h'中的多个真实导电柱101hr、101hr'之间。在一些实施例中，通过合适的电镀操作形成多个真实导电柱101hr、101hr'。在一些实施例中，以单一电镀操作形成多个真实导电柱101hr、101hr'，多个真实导电柱101hr、101hr'中的每一者近似地具有相同的高度。
46.可变形层(例如，带件501)被施加在半导体管芯101'的有源表面上方，并且覆盖密集区域101h、101h'中的多个真实导电柱101hr、101hr'以及稀疏区域101l。在一些实施例中，确定带件501的厚度以覆盖真实导电柱101h、101h'中的每一者的顶部。如前所述，由于使用大量的带件来填充稀疏区域101l中的间隙，并且使用少量的带件来填充密集区域101h或101h'中的真实导电柱101hr或101hr'之间的间隙，因此在稀疏区域101l上方形成凹部
505。
47.在图5b中，使半导体管芯101'与卡盘工作台502a接触，所述卡盘工作台提供真空抽吸以固定半导体管芯101'，同时执行图5c中展示的薄化操作。在一些实施例中，卡盘工作台502a包含防变形构件5020，所述防变形构件向半导体管芯101'的稀疏区域101l提供机械支撑，使得半导体管芯101'的稀疏区域101l在薄化超过例如小于100μm的临界厚度时，不会响应于真空吸力而变形。在一些实施例中，防变形构件5020是卡盘工作台502a上的突出物，并且所述突出物被设计成具有适形于带件501的凹部505的表面。在图5c中，从半导体管芯101'的无源表面朝向有源表面执行薄化操作，以获得期望的管芯厚度。在一些实施例中，通过砂轮507来执行化学机械抛光(chemical mechanical polishing，cmp)操作，以便将半导体管芯101'的大部分厚度去除，直到剩余厚度小于约100μm。
48.图5a'、图5b'和图5c'展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。描述图5a'和图5c'可以参考针对图5a和图5c进行解释的段落，并且为了简洁起见这里不再重复。在图5b'中，使半导体管芯101'与卡盘工作台502b接触，所述卡盘工作台提供真空抽吸以固定半导体管芯101'，同时执行图5c'中展示的薄化操作。在一些实施例中，卡盘工作台502b包含防变形构件5021，所述防变形构件消除半导体管芯101'的稀疏区域101l处的带件501的凹部505，使得半导体管芯101'的稀疏区域101l在薄化超过例如小于100μm的临界厚度时，不会响应于真空吸力而变形。在一些实施例中，防变形构件5021是卡盘工作台502b上的至少一个突出物，并且所述至少一个突出物被设计成插入到带件501中，以占据稀疏区域101l附近的体积。当计算出的体积被至少一个突出物占据时，可以消除带件505的凹部501。因此，如图5c'所示，当防变形构件5021与半导体管芯101'的稀疏区域101l上方的带件接合时，在带件与卡盘工作台502b之间不存在空隙。
49.图5a"、图5b"和图5c"展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。除了在稀疏区域101l中形成多个支撑件101ls作为防变形构件之外，图5a"类似于图5a。如前所述，可以观察到，密集区域100h中的真实导电柱101hr的面积密度大于稀疏区域101l中的支撑件101ls的面积密度。在一些实施例中，当考虑到导电柱101hr、101hr'和支撑件101ls中的每一者的高度时，密集区域101h或101h'中的真实导电柱101hr的体积密度大于稀疏区域101l中的支撑件101ls的体积密度。例如，稀疏区域101l中的支撑件101ls的体积密度介于密集区域101h或101h'中的真实导电柱101hr或101hr'的体积密度的约50％至约100％的范围内。当实施前述体积密度时，可以有效地减小所有导电柱的ttv。
50.在一些实施例中，通过合适的电镀操作形成多个真实导电柱101hr、101hr'和支撑件101ls。在一些实施例中，以单一电镀操作形成多个真实导电柱101hr、101hr'和支撑件101ls，多个真实导电柱101hr、101hr'和支撑件101ls中的每一者近似地具有相同的高度，如图6a所展示。在一些实施例中，以不同的电镀操作形成多个真实导电柱101hr、101hr'和支撑件101ls，因此，多个真实导电柱101hr、101hr'和支撑件101ls中的每一者可以具有不同的高度，如图7a所展示。当在半导体管芯101'的有源表面上方施加带件501时，由于在稀疏区域101l中存在支撑件101ls，因此，对照5a和图5a'中讨论的对应物，没有观察到凹部。因此，如图5b"和图5c"所示，当使半导体管芯101'与提供真空抽吸的卡盘工作台502c接触时，在带件501与卡盘工作台502c之间不存在空隙。描述图5c"可以参考针对图5c进行解释
的段落，并且为了简洁起见这里不再重复。
51.图5d和图5e展示了继先前描述的图5a、图5b、图5c以及5a'、图5b'、5c'之后的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。在使卡盘工作台502a、502b和防变形构件5020、5021从薄化的半导体管芯101脱离之后，带件501的凹部505得以恢复，如图5d所示。在薄化操作完成时，薄化的半导体管芯101的厚度t1小于约100μm，并且在薄化的半导体管芯101上没有形成变形。在图5e中，带件501被剥离以暴露多个真实导电柱101hr和101hr'。
52.图5d'和图5e'展示了继先前描述的图5a"、图5b"、图5c"之后的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。在使卡盘工作台502c从薄化的半导体管芯101脱离之后，带件501具有平坦的表面，如图5d'所示。在薄化操作完成时，薄化的半导体管芯101的厚度t1小于约100μm，并且在薄化的半导体管芯101上没有形成变形。在图5e'中，带件501被剥离以暴露多个真实导电柱101hr、101hr'和多个支撑件101ls。如前文所讨论，支撑件101ls可以包含虚设导电柱和/或真实导电柱。
53.图6a展示了根据本公开一些实施例的半导体管芯的横截面视图。如图6a所示，稀疏区域101l中的支撑件101ls具有相同的高度。图6b展示了包含图6a的半导体管芯的半导体封装件的横截面视图。半导体管芯101通过多个真实导电柱101hr、101hr'以及导电布线层503例如，rdl电连接到半导体管芯200和半导体管芯300。在一些实施例中，半导体管芯101是连接至少两个半导体管芯200、300的桥接管芯。多于一个密集区域101h、101h'分别与半导体管芯200和半导体管芯300重叠。
54.图7a展示了根据本公开一些实施例的半导体管芯的横截面视图。如图7a所示，真实导电柱101hr、101hr'和稀疏区域101l中的支撑件101ls具有不同的高度。可以从横截面视角观察到高度差701。图7b展示了包含图7a的半导体管芯的半导体封装件的横截面视图。半导体管芯101通过多个真实导电柱101hr、101hr'以及导电布线层503(例如，rdl)电连接到半导体管芯200和半导体管芯300。在一些实施例中，半导体管芯101是连接至少两个半导体管芯200、300的桥接管芯。多于一个密集区域101h、101h'分别与半导体管芯200和半导体管芯300重叠。
55.如本文所用且没有另外定义，术语“基本上”、“大部分”、“近似地”和“约”用于描述和说明小的变化。当与事件或状况结合使用时，这些术语可以涵盖事件或状况精确发生的情况以及事件或状况发生极度近似的情况。例如，当与数值结合使用时，这些术语的变化范围可以小于或等于所述数值的
±
10％，诸如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或者小于或等于
±
0.05％。术语“基本上共面”可以指沿着同一平面放置的微米级以内的两个表面，诸如沿着同一平面放置的40μm以内的、30μm以内的、20μm以内的、10μm的或1μm以内的。
56.如本文所用，除非上下文清楚地另有指示，否则单数术语“一个”、“一种”和“所述”可以包含复数指示物。在一些实施例的描述中，提供在另一部件“上”或“上方”的部件可以涵盖：前者部件直接在后者部件上例如，与后者部件物理接触的情况、以及一或多个中介部件位于前者部件与后者部件之间的情况。
57.虽然已经参考本公开的特定实施例描述和说明了本公开，但是这些描述和说明不
是限制性的。本领域技术人员应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的真正精神和范围的情况下，可以进行各种改变并且可以替换等同物。附图不一定是按比例的。由于制造工艺和公差的原因，本公开中的艺术再现与实际装置之间可能存在区别。可以存在未具体展示的本公开的其它实施例。本说明书和附图被认为是说明性的而非限制性的。可进行修改以使特定情况、材料、物质组成、方法或工艺适应本公开的目的、精神和范围。所有此些修改旨在落入所附权利要求的范围内。虽然已经参考以特定次序执行的特定操作描述了本文公开的方法，但是应当理解，在不脱离本公开的教导的情况下，可以组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文特别指示，否则操作的顺序和分组不是限制性的。