一种耐低温的FIW完全绝缘线的制作方法

一种耐低温的fiw完全绝缘线
技术领域
[0001]
本实用新型涉及fiw完全绝缘线技术领域，尤其涉及一种耐低温的fiw完全绝缘线。


背景技术：

[0002]
fiw线在业界定义为完全绝缘漆包线，属于漆包线范畴，但从性能的角度fiw线被定义为一款可以替代传统的tiw(三层绝缘线)的产品。目前普通漆包线耐压1.50kv，三层绝缘线耐压6.0kv且绝缘层厚，都无法满足5g产品应用需求。随着5g的逐步推广，5g产品将会广泛应用在世界各地，从炎热的低纬度地区到寒冷的高纬度地区，尤其是在高纬度地区，所有的产品都要经受严寒的自然环境，现有的三层绝缘线耐低温性能差，无法在较低温度的环境中使用。
[0003]
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。


技术实现要素：

[0004]
本实用新型要解决的技术问题是：提供一种耐低温的fiw完全绝缘线，能满足在低温环境下使用，满足5g产品的需求。
[0005]
本实用新型的技术方案如下：提供一种耐低温的fiw完全绝缘线，包括：导体，包覆于所述导体表面的基础绝缘层，包覆于所述基础绝缘层上的耐压绝缘层，包覆于所述耐压绝缘层上的屏蔽绝缘层，包覆于所述屏蔽绝缘层上的耐磨绝缘层。
[0006]
所述基础绝缘层包括：第一聚氨酯材料层和第一聚丙烯材料层，所述第一聚氨酯材料层与第一聚丙烯材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成基础绝缘层。
[0007]
所述耐压绝缘层包括：第二聚氨酯材料层、第二聚丙烯材料层、第一三氧化二铁材料层，所述第二聚氨酯材料层、第二聚丙烯材料层、第一三氧化二铁材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成耐压绝缘层。
[0008]
所述屏蔽绝缘层包括：第三聚氨酯材料层、第三聚丙烯材料层、屏蔽材料层、第二三氧化二铁材料层，所述第三聚氨酯材料层、第三聚丙烯材料层、屏蔽材料层、第二三氧化二铁材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成屏蔽绝缘层。
[0009]
所述耐磨绝缘层包括：尼龙聚氨酯漆材料层、第四聚丙烯材料层、第三三氧化二铁材料层，所述尼龙聚氨酯漆材料层、第四聚丙烯材料层、第三三氧化二铁材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成耐磨绝缘层。
[0010]
所述基础绝缘层可将导体的表面包覆，可将导体表面的凹坑和凸起包覆住，提供基础的绝缘效果；加强绝缘层包覆在基础绝缘层表面，进一步加强绝缘线效果，屏蔽绝缘层在提供屏蔽效果的同时，进一步加强绝缘效果，所述耐磨绝缘层在加强绝缘的效果的同时，提供耐磨的性能，减少磨损。在基础绝缘层、加强绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层中都加入可耐低温的聚丙烯材料层，可有效增强耐低温的fiw完全绝缘线的耐低温性能，满足在5g产品的应用需求。三氧化二铁材料层表面较为粗糙，与其他材料层的连接会更加牢固。
[0011]
所述基础绝缘层还包括：聚烯烃弹性体层，所述聚烯烃弹性体层、所述第一聚氨酯材料层、第一聚丙烯材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成基础绝缘层。聚烯烃弹性体材料具有耐老化、耐臭氧、耐化学介质等优异的性能，在基础绝缘层中加入聚烯烃弹性体层，可有效提升基础绝缘层的使用寿命，从而整体延长耐低温的fiw完全绝缘线的使用寿命。
[0012]
所述基础绝缘层还包括：硬脂酸钙材料层，所述硬脂酸钙材料层、所述第一聚氨酯材料层、第一聚丙烯材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成基础绝缘层。所述硬脂酸钙材料层用于增强基础绝缘层稳定性。
[0013]
所述耐压绝缘层还包括：氧化锌材料层，所述氧化锌材料层、第二聚氨酯材料层、第二聚丙烯材料层、第一三氧化二铁材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成耐压绝缘层。氧化锌材料是一种极佳的绝缘材料，加入至耐压绝缘层中的氧化锌材料层可极大的提升耐压绝缘层的耐压性能，从而整体提升耐低温的fiw完全绝缘线的耐压性能。
[0014]
所述耐磨绝缘层还包括：二氧化硅材料层，所述二氧化硅材料层、所述尼龙聚氨酯漆材料层、第四聚丙烯材料层、第三三氧化二铁材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成耐磨绝缘层。二氧化硅是一种具有较好的耐热性能，是耐火材料的原材料。在耐磨绝缘层中加入二氧化硅材料层，可进一步提升耐低温的fiw完全绝缘线的耐高温性能。二氧化硅也是一种绝缘材料，可进一步提升耐低温的fiw完全绝缘线的耐压性能。
[0015]
所述基础绝缘层还包括：第一乙撑双硬脂酰胺材料层，所述第一乙撑双硬脂酰胺材料层、第一聚氨酯材料层、第一聚丙烯材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成基础绝缘层；
[0016]
所述耐压绝缘层还包括：第二乙撑双硬脂酰胺材料层，所述第二乙撑双硬脂酰胺材料层、第二聚氨酯材料层、第二聚丙烯材料层、第一三氧化二铁材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成耐压绝缘层；
[0017]
所述屏蔽绝缘层还包括：第三乙撑双硬脂酰胺材料层，所述第三乙撑双硬脂酰胺材料层、第三聚氨酯材料层、第三聚丙烯材料层、屏蔽材料层、第二三氧化二铁材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成屏蔽绝缘层；
[0018]
所述耐磨绝缘层还包括：第四乙撑双硬脂酰胺材料层，所述第四乙撑双硬脂酰胺材料层、尼龙聚氨酯漆材料层、第四聚丙烯材料层、第三三氧化二铁材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成耐磨绝缘层。
[0019]
乙撑双硬脂酰胺材料层作为辅助材料层来提升基础绝缘层、耐压绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层的光洁度，以提耐低温的fiw完全绝缘线的整体性能。
[0020]
所述耐压绝缘层还包括：第一聚四氟乙烯材料层；所述第一聚四氟乙烯材料层、第二聚氨酯材料层、第二聚丙烯材料层、第一三氧化二铁材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成耐压绝缘层；
[0021]
所述屏蔽绝缘层还包括：第二聚四氟乙烯材料层；所述第二聚四氟乙烯材料层、第三聚氨酯材料层、第三聚丙烯材料层、屏蔽材料层、第二三氧化二铁材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成屏蔽绝缘层；
[0022]
所述耐磨绝缘层还包括：第三聚四氟乙烯材料层；所述第三聚四氟乙烯材料层、尼龙聚氨酯漆材料层、第四聚丙烯材料层、第三三氧化二铁材料层相互叠加，和/或，相互拼接以形成耐磨绝缘层。
[0023]
聚四氟乙烯材料具有良好耐高温性能，加入至耐压绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层中的聚四氟乙烯材料层可提升耐压绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层的耐高温性能，从而整体提升耐低温的fiw完全绝缘线的耐热性能。
[0024]
所述基础绝缘层中材料层的层数为：3-5层，每层材料层的厚度为：1-2μm；所述耐压绝缘层中材料层的厚度为：10-40层，每层材料层的厚度为：1-2μm；所述屏蔽绝缘层种材料层的厚度为：5-20层，每层材料层的厚度为：1-2μm；所述耐磨绝缘层中材料层的层数为3-10层，每层材料层的厚度为：1-2μm。多层的结构可去除单层结构带来的凹坑、凸起灯缺陷。
[0025]
所述导体为金属铜，所述屏蔽材料层为屏蔽金属漆层。
[0026]
耐低温的fiw完全绝缘线能在极寒特定环境(-60℃～-10℃)下进行连续一周(168小时)以上测试；耐压性能达到20kv以上，远高于普通三层绝缘线的6.0kv，从而满足5g产品应用耐压20kv以上的需求。
[0027]
采用上述方案，本实用新型提供一种耐低温的fiw完全绝缘线，通过在基础绝缘层、耐压绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层中增加将可耐低温的聚丙烯材料层，从而提升耐低温的fiw完全绝缘线的耐低温性能。基础绝缘层、耐压绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层使得耐低温的fiw完全绝缘线的耐压性能达到20kv以上，远高于普通三层绝缘线的6.0kv，从而满足5g产品应用耐压20kv以上的需求。
附图说明
[0028]
图1为本实用新型的结构示意图；
[0029]
图2为基础绝缘层的一实施例的局部放大图；
[0030]
图3为基础绝缘层的另一实施例的局部放大图；
[0031]
图4为基础绝缘层的又一实施例的局部放大图；
[0032]
图5为耐压绝缘层的一实施例的局部放大图；
[0033]
图6为耐压绝缘层的另一实施例的局部放大图；
[0034]
图7为耐压绝缘层的又一实施例的局部放大图；
[0035]
图8为屏蔽绝缘层的一实施例的局部放大图；
[0036]
图9为屏蔽绝缘层的另一实施例的局部放大图；
[0037]
图10为屏蔽绝缘层的又一实施例的局部放大图；
[0038]
图11为耐磨绝缘层的一实施例的局部放大图；
[0039]
图12为耐磨绝缘层的另一实施例的局部放大图；
[0040]
图13为耐磨绝缘层的又一实施例的局部放大图。
具体实施方式
[0041]
以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明。
[0042]
请参阅图1，本实用新型提供一种耐低温的fiw完全绝缘线，包括：导体10，包覆于所述导体10表面的基础绝缘层20，包覆于所述基础绝缘层20上的耐压绝缘层30，包覆于所述耐压绝缘层30上的屏蔽绝缘层40，包覆于所述屏蔽绝缘层40上的耐磨绝缘层50。
[0043]
请参阅图2，在本实施例中，基础绝缘层20包括：第一聚氨酯材料层21、第一聚丙烯材料层22、聚烯烃弹性体层23、硬脂酸钙材料层24、第一乙撑双硬脂酰胺材料层25，所述第
一聚氨酯材料层21、第一聚丙烯材料层22、聚烯烃弹性体层23、硬脂酸钙材料层24、第一乙撑双硬脂酰胺材料层25相互叠加以形成基础绝缘层20。
[0044]
请参阅图3，在本实施例中，基础绝缘层20包括：第一聚氨酯材料层21、第一聚丙烯材料层22、聚烯烃弹性体层23、硬脂酸钙材料层24、第一乙撑双硬脂酰胺材料层25，所述第一聚氨酯材料层21、第一聚丙烯材料层22、聚烯烃弹性体层23、硬脂酸钙材料层24、第一乙撑双硬脂酰胺材料层25相互拼接以形成基础绝缘层20。
[0045]
请参阅图4，在本实施例中，基础绝缘层20包括：第一聚氨酯材料层21、第一聚丙烯材料层22、聚烯烃弹性体层23、硬脂酸钙材料层24、第一乙撑双硬脂酰胺材料层25，所述第一聚氨酯材料层21、第一聚丙烯材料层22、聚烯烃弹性体层23、硬脂酸钙材料层24、第一乙撑双硬脂酰胺材料层25相互拼接和相互叠加以形成基础绝缘层20。
[0046]
请参阅图5，在本实施例中，耐压绝缘层30包括：第二聚氨酯材料层31、第二聚丙烯材料层32、第一三氧化二铁材料层33、氧化锌材料层34、第二乙撑双硬脂酰胺材料层35、第一聚四氟乙烯材料层36；所述第二聚氨酯材料层31、第二聚丙烯材料层32、第一三氧化二铁材料层33、氧化锌材料层34、第二乙撑双硬脂酰胺材料层35、第一聚四氟乙烯材料层36相互叠加以形成耐压绝缘层30。
[0047]
请参阅图6，在本实施例中，耐压绝缘层30包括：第二聚氨酯材料层31、第二聚丙烯材料层32、第一三氧化二铁材料层33、氧化锌材料层34、第二乙撑双硬脂酰胺材料层35、第一聚四氟乙烯材料层36；所述第二聚氨酯材料层31、第二聚丙烯材料层32、第一三氧化二铁材料层33、氧化锌材料层34、第二乙撑双硬脂酰胺材料层35、第一聚四氟乙烯材料层36相互拼接以形成耐压绝缘层30。
[0048]
请参阅图7，在本实施例中，耐压绝缘层30包括：第二聚氨酯材料层31、第二聚丙烯材料层32、第一三氧化二铁材料层33、氧化锌材料层34、第二乙撑双硬脂酰胺材料层35、第一聚四氟乙烯材料层36；所述第二聚氨酯材料层31、第二聚丙烯材料层32、第一三氧化二铁材料层33、氧化锌材料层34、第二乙撑双硬脂酰胺材料层35、第一聚四氟乙烯材料层36相互拼接和相互叠加以形成耐压绝缘层30。
[0049]
请参阅图8，在本实施例中，屏蔽绝缘层40包括：第三聚氨酯材料层41、第三聚丙烯材料层42、屏蔽材料层43、第二三氧化二铁材料层44、第三乙撑双硬脂酰胺材料层45、第二聚四氟乙烯材料层46，所述第三聚氨酯材料层41、第三聚丙烯材料层42、屏蔽材料层43、第二三氧化二铁材料层44、第三乙撑双硬脂酰胺材料层45、第二聚四氟乙烯材料层46相互叠加以形成屏蔽绝缘层40。
[0050]
请参阅图9，在本实施例中，屏蔽绝缘层40包括：第三聚氨酯材料层41、第三聚丙烯材料层42、屏蔽材料层43、第二三氧化二铁材料层44、第三乙撑双硬脂酰胺材料层45、第二聚四氟乙烯材料层46，所述第三聚氨酯材料层41、第三聚丙烯材料层42、屏蔽材料层43、第二三氧化二铁材料层44、第三乙撑双硬脂酰胺材料层45、第二聚四氟乙烯材料层46相互拼接以形成屏蔽绝缘层40。
[0051]
请参阅图10，在本实施例中，屏蔽绝缘层40包括：第三聚氨酯材料层41、第三聚丙烯材料层42、屏蔽材料层43、第二三氧化二铁材料层44、第三乙撑双硬脂酰胺材料层45、第二聚四氟乙烯材料层46，所述第三聚氨酯材料层41、第三聚丙烯材料层42、屏蔽材料层43、第二三氧化二铁材料层44、第三乙撑双硬脂酰胺材料层45、第二聚四氟乙烯材料层46相互
拼接和相互叠加以形成屏蔽绝缘层40。
[0052]
请参阅图11，在本实施例中，耐磨绝缘层50包括：尼龙聚氨酯漆材料层51、第四聚丙烯材料层52、第三三氧化二铁材料层53、二氧化硅材料层54、第四乙撑双硬脂酰胺材料层55、第三聚四氟乙烯材料层56，所述尼龙聚氨酯漆材料层51、第四聚丙烯材料层52、第三三氧化二铁材料层53、二氧化硅材料层54、第四乙撑双硬脂酰胺材料层55、第三聚四氟乙烯材料层56相互叠加以形成耐磨绝缘层50。
[0053]
请参阅图12，在本实施例中，耐磨绝缘层50包括：尼龙聚氨酯漆材料层51、第四聚丙烯材料层52、第三三氧化二铁材料层53、二氧化硅材料层54、第四乙撑双硬脂酰胺材料层55、第三聚四氟乙烯材料层56，所述尼龙聚氨酯漆材料层51、第四聚丙烯材料层52、第三三氧化二铁材料层53、二氧化硅材料层54、第四乙撑双硬脂酰胺材料层55、第三聚四氟乙烯材料层56相互拼接以形成耐磨绝缘层50。
[0054]
请参阅图13，在本实施例中，耐磨绝缘层50包括：尼龙聚氨酯漆材料层51、第四聚丙烯材料层52、第三三氧化二铁材料层53、二氧化硅材料层54、第四乙撑双硬脂酰胺材料层55、第三聚四氟乙烯材料层56，所述尼龙聚氨酯漆材料层51、第四聚丙烯材料层52、第三三氧化二铁材料层53、二氧化硅材料层54、第四乙撑双硬脂酰胺材料层55、第三聚四氟乙烯材料层56相互叠加和相互拼接以形成耐磨绝缘层50。
[0055]
综上所述，本实用新型提供一种耐低温的fiw完全绝缘线，通过在基础绝缘层、耐压绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层中增加将可耐低温的聚丙烯材料层，从而提升耐低温的fiw完全绝缘线的耐低温性能。基础绝缘层、耐压绝缘层、屏蔽绝缘层、耐磨绝缘层使得耐低温的fiw完全绝缘线的耐压性能达到20kv以上，远高于普通三层绝缘线的6.0kv，从而满足5g产品应用耐压20kv以上的需求。
[0056]
以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。