一种易于封装的半导体激光器件的制作方法

本实用新型涉及激光器件领域，具体涉及一种易于封装的半导体激光器件。

背景技术：

半导体激光器件通常需要芯片载体进行器件封装，封装过程需要进行光纤耦合，通过加热的方式使封装玻璃进行熔化和成型，在耦合的过程中由于产生的热量非常大，热量传递迅速，现有的载体结构使得热量大量流失并且影响焊锡片的成型，易导致其他部件也发生熔化的现象产生芯片移位，同时耦合时间过长容易导致器件成品率低。

技术实现要素：

针对上述问题，本实用新型旨在提供一种易于封装的半导体激光器件。

为实现该技术目的，本实用新型的方案是：一种易于封装的半导体激光器件，包括管壳体，所述管壳体中部为空腔结构，所述管壳体一端设置有连接管口，所述管壳体两侧还设置有复数根引脚，所述管壳体内由上到下依次安装有芯片、载体座和制冷板，所述制冷板与管壳体内侧底面之间通过焊锡片焊接，所述载体座与制冷板之间也通过焊锡片焊接，所述芯片嵌装在载体座上；

所述载体座一端连接有梯形台，所述梯形台与载体座之间设置有垂直沟槽，所述梯形台为直角梯形结构，梯形台的斜面朝下设置，梯形台下部远离焊锡片，所述梯形台中部还设置有水平沟槽。

作为优选，所述制冷板为双层板状结构，所述制冷板中部设置有复数个隔板。

作为优选，所述管壳体底部设置有连接板，所述连接板首部设置有定位槽口，所述连接板尾部设置有定位孔。

本实用新型的有益效果：

本技术：
的载体座一端连接有梯形台，利用梯形台的斜面、垂直沟槽以及水平沟槽，使得焊锡时产生的热量不能通过垂直的距离直接传输至壳体，有效减少载体座与管壳体的接触，减缓热量传递，使热量能有效集中熔化玻璃焊料。本申请相对现有技术能够降低工艺控制难度，提高成品合格率，有效提高产品可靠性。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的俯视图；

图3为本实用新型的爆炸图；

图4为本实用新型的剖视图。

1、管壳体；2、连接管口；3、引脚；4、芯片；5、载体座；6、制冷板；7、焊锡片；8、梯形台；9、垂直沟槽；10、水平沟槽；11、隔板；12、连接板；13、定位槽口；14、定位孔。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明。

如图1-4所示，本实用新型所述的具体实施例为一种易于封装的半导体激光器件，包括管壳体1，所述管壳体1中部为空腔结构，所述管壳体1一端设置有连接管口2，所述管壳体1两侧还设置有复数根引脚3，所述管壳体1内由上到下依次安装有芯片4、载体座5和制冷板6，所述制冷板6与管壳体1内侧底面之间通过焊锡片7焊接，所述载体座5与制冷板6之间也通过焊锡片7焊接，且在载体座的表面不进行喷镀，避免焊锡片往上渗透，所述芯片4嵌装在载体座5上；

由于热量传输较快，为了减缓热量传递，同时又使热量能集中控制，所述载体座5一端连接有梯形台8，所述梯形台8与载体座5之间设置有垂直沟槽9，所述梯形台8为直角梯形结构，梯形台8的斜面朝下设置，梯形台8下部远离焊锡片7，所述梯形台8中部还设置有水平沟槽10。梯形台的斜面、垂直沟槽以及水平沟槽形成三开槽结构，斜面槽可减少载体座与焊锡的接触面积，使热量往后传递，避免热量大量积聚在焊锡下方，导致焊料重熔；垂直沟槽和水平沟槽能够减缓热量传递的速度，使得薄膜电阻产生的热量更有效的加热玻璃焊料，提高器件耦合的效率，缩短工艺时间；且载体座的梯形台结构有利于载体座封装好后可观察载体座底部焊料的流动情况，保证封装的可靠性。

为了使冷却效果更佳，所述制冷板6为双层板状结构，所述制冷板6中部设置有复数个隔板11，加快散热。

为了方便管壳体安装，所述管壳体1底部设置有连接板12，连接板的首尾都设置有相应的定位结构，便于连接板连接安装，在连接板12的首部设置有定位槽口13，连接板12的尾部设置有定位孔14。

本申请的载体座一端连接有梯形台，利用梯形台的斜面、垂直沟槽以及水平沟槽，使得焊锡时产生的热量不能通过垂直的距离直接传输至壳体，有效减少载体座与管壳体的接触，减缓热量传递，使热量能有效集中熔化玻璃焊料。

以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进，均应包含在本实用新型技术方案的保护范围之内。

技术特征：

1.一种易于封装的半导体激光器件，包括管壳体，所述管壳体中部为空腔结构，所述管壳体一端设置有连接管口，其特征在于：所述管壳体两侧还设置有复数根引脚，所述管壳体内由上到下依次安装有芯片、载体座和制冷板，所述制冷板与管壳体内侧底面之间通过焊锡片焊接，所述载体座与制冷板之间也通过焊锡片焊接，所述芯片嵌装在载体座上；

所述载体座一端连接有梯形台，所述梯形台与载体座之间设置有垂直沟槽，所述梯形台为直角梯形结构，梯形台的斜面朝下设置，梯形台下部远离焊锡片，所述梯形台中部还设置有水平沟槽。

2.根据权利要求1所述的易于封装的半导体激光器件，其特征在于：所述制冷板为双层板状结构，所述制冷板中部设置有复数个隔板。

3.根据权利要求1所述的易于封装的半导体激光器件，其特征在于：所述管壳体底部设置有连接板，所述连接板首部设置有定位槽口，所述连接板尾部设置有定位孔。

技术总结
本实用新型公开了一种易于封装的半导体激光器件，管壳体两侧还设置有复数根引脚，管壳体内由上到下依次安装有芯片、载体座和制冷板，制冷板与管壳体内侧底面之间通过焊锡片焊接，载体座与制冷板之间也通过焊锡片焊接，芯片嵌装在载体座上；载体座一端连接有梯形台，梯形台与载体座之间设置有垂直沟槽，梯形台为直角梯形结构，梯形台的斜面朝下设置，梯形台下部远离焊锡片，梯形台中部还设置有水平沟槽。本申请的载体座一端连接有梯形台，利用梯形台的斜面、垂直沟槽以及水平沟槽，使得焊锡时产生的热量不能通过垂直的距离直接传输至壳体，有效减少载体座与管壳体的接触，减缓热量传递，使热量能有效集中熔化玻璃焊料。

技术研发人员：梁力成;何庆;王生贤;顾兴栋;曾敬忠;羊佳筠;张彦波
受保护的技术使用者：高意通讯(深圳)有限公司
技术研发日：2020.05.14
技术公布日：2020.11.06