技术特征：
1.一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，包括由内向外依次沉积在太阳能硅片(1)背面的alo
x
层(2)、sio
x
n
y
层(3)和sin
x
层(4)，所述alo
x
层(2)、sio
x
n
y
层(3)和sin
x
层(4)均为一层或多层结构，所述alo
x
层(2)单层的厚度范围为1
‑
50nm，所述sin
x
层(4)单层的厚度范围为60
‑
200nm，所述sio
x
n
y
层(3)单层的厚度范围为10
‑
80nm。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述太阳能硅片(1)为p型硅片。3.一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，包括沉积在太阳能硅片(1)背面的alo
x
层(2)以及沉积在alo
x
层(2)表面的钝化层，所述钝化层由至少一个sio
x
n
y
层(3)与至少一个sin
x
层(4)交替沉积形成，其中，沉积在所述alo
x
层(2)表面的第一层为sio
x
n
y
层(3)，所述alo
x
层(2)为一层或多层结构。4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述alo
x
层(2)单层的厚度范围为1
‑
50nm，所述sin
x
层(4)单层的厚度范围为60
‑
200nm，所述sio
x
n
y
层(3)单层的厚度范围为10
‑
80nm。5.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述太阳能硅片(1)为p型硅片。6.一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，包括沉积在太阳能硅片(1)背面的alo
x
层(2)以及沉积在alo
x
层(2)表面的钝化层，所述钝化层由至少一个sin
x
层(4)与至少一个sio
x
n
y
层(3)交替沉积形成，其中，沉积在所述alo
x
层(2)表面的第一层为sin
x
层(4)，所述alo
x
层(2)为一层或多层结构。7.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述alo
x
层(2)单层的厚度范围为1
‑
50nm，所述sin
x
层(4)单层的厚度范围为60
‑
200nm，所述sio
x
n
y
层(3)单层的厚度范围为10
‑
80nm。8.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述太阳能硅片(1)为p型硅片。9.一种太阳能电池，其特征在于，包括太阳能硅片(1)、由内向外依次沉积在太阳能硅片(1)正面的扩散层(5)、sin
x
减反层(6)和ag层(7)、以及沉积在太阳能硅片(1)背面的如权利要求1
‑
2任意一项所述的背面钝化膜，所述sin
x
层(4)远离sio
x
n
y
层(3)的一面沉积有al
‑
lbsf层(8)。10.一种太阳能电池，其特征在于，包括太阳能硅片(1)、由内向外依次沉积在太阳能硅片(1)正面的扩散层(5)、sin
x
减反层(6)和ag层(7)、以及沉积在太阳能硅片(1)背面的如权利要求3
‑
8任意一项所述的背面钝化膜，所述背面钝化膜包括alo
x
层(2)与沉积在alo
x
层(2)上的钝化层，所述钝化层远离alo
x
层(2)的一面沉积有al
‑
lbsf层(8)。