一种双向瞬态电压抑制二极管的制作方法

本发明涉及一种二极管，尤其涉及一种双向瞬态电压抑制二极管。

背景技术：

市面上常见的瞬态电压抑制二极管主要是以铜支架为载体，采用固晶打线的方式，模压注塑经电镀后冲压成型进行加工封装，其引脚截面尺寸小，阻抗大，焊接性能存在品质隐患，散热性能不佳，影响产品使用寿命。

技术实现要素：

本实用新型为了解决上述问题，提供了一种双向瞬态电压抑制二极管，该二级板以陶瓷基板为载体，制作导体层作为连接电路，在芯片上利用铜跳线连接，实现了产品散热性能佳、体积小，易于贴装的目的。

本发明所采取的技术方案为：一种双向瞬态电压抑制二极管，包括

基板，所述基板包括第一表面、第二表面、第一侧面和第二侧面，第一侧面和第二侧面均连接第一表面和第二表面，所述基板为陶瓷基板；

在基板的第一表面与第一侧面相连的拐角处设置第一倒角，在基板的第一表面与第二侧面的连接处设置第二倒角；

在第一表面上设置第一正面导电层和第二正面导电层，第一正面导电层延伸至第一倒角位置，第二正面导电层延伸至第二倒角位置，第一正面导电层和第二正面导电层间隔设置；

在第一正面导电层上设置第一晶粒，在第二正面导电层上设置第二晶粒，所述第一晶粒和第二晶粒通过铜跳线连接。

进一步的，第一正面导电层包覆倒角后与第一侧面相连，第二正面导电层包覆倒角后与第二侧面相连，第一正面导电层为长方形结构，所述第一正面导电层包覆的倒角宽度与第一正面电极层宽度一致，第二正面导电层为长方形结构，所述第二正面导电层包覆的倒角宽度与第二正面电极层宽度一致。

进一步的，所述第一正面导电层和所述第二正面导电层包覆倒角位置处的截面为三角形。

进一步的，在所述第二表面上设置有背面导电层，所述第一侧面和第二侧面上设置有侧面电极层，所述侧面电极层连接正面导电层和背面导电层。

进一步的，所述第一晶粒和第二晶粒均通过导电银膏设置分别设置在第一正面导电层和第二正面导电层上。

进一步的，所述基板为三氧化二铝陶瓷材质制成。

进一步的，导电银膏高度不超过晶粒高度的三分之一。

进一步的，所述铜跳线为片状，其宽度为260±10μm。

进一步的，在所述背面导电层和侧面电极层表面均依次电镀镍层和锡层，镍层和锡层的厚度均为3~10μm。

本发明所产生的有益效果包括：1、本实用新型两晶粒之间用铜跳线连接导通，其横截面积远大于传统金线横截面积，阻抗低，可承载大电荷的传递。

2、本实用新型采用三氧化二铝陶瓷基板，散热性能佳，性价比高。

3、本实用新型电极的间距相对偏小，使其电极安装内应力减小而使基板断裂等问题大大降低，提高了产品的使用寿命。

附图说明

图1本发明中二极管的结构示意图；

图2本发明中二极管的主视图；

图3本发明中二极管的俯视图；

图4本发明中二极管的左视图；

图5本发明中晶粒的连接结构图；

1基板，201、第一倒角，202、第二倒角，301、第一正面导电层，302、第二正面导电层，401、402、背面电极层，501、502、导电膏，601、602、晶粒，7、铜跳线，8、环氧树脂封盖胶，901、第一侧面导电层，902、第二侧面导电层,10、圆形凸起,11、三角截面。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步详细的解释说明，但应当说明本发明的保护范围并不受具体实施例的限制。

如图1是本实用新型的内部结构示意图，一种高散热性双向瞬态电压抑制二极管，包括基板1，基板1包括第一表面、第二表面、第一侧面和第二侧面，第一侧面和第二侧面均连接第一表面和第二表面，基板1为陶瓷基板1；

在基板1的第一表面与第一侧面相连的拐角处设置第一倒角201，在基板1的第一表面与第二侧面的连接处设置第二倒角202，第一倒角201和第二倒角202均为倒角斜面。

在第一表面上设置第一正面导电层301和第二正面导电层302，第一正面导电层301延伸至第一倒角201位置，第二正面导电层302延伸至第二倒角202位置，第一正面导电层301和第二正面导电层302间隔设置；

在第一正面导电层301上设置第一晶粒，在第二正面导电层302上设置第二晶粒，第一晶粒和第二晶粒通过铜跳线7连接。第一晶粒和第二晶粒为瞬态电压抑制二极管晶粒。

在一些实施例中，第一正面导电层301包覆倒角后与第一侧面相连，第二正面导电层302包覆倒角后与第二侧面相连，第一正面导电层301为长方形结构，第一正面导电层301包覆的倒角宽度与第一正面电极层宽度一致，第二正面导电层302为长方形结构，第二正面导电层302包覆的倒角宽度与第二正面电极层宽度一致。

在一些实施例中，第一正面导电层301和第二正面导电层302包覆倒角斜面位置处的截面为三角截面11，与侧面电极层相连，增大接触面积。

在一些实施例中，在第二表面上设置有背面导电层401、402，第一侧面和第二侧面上设置有侧面电极层901、902，侧面电极层901、902连接正面导电层和背面导电层。

在一些实施例中，第一晶粒601和第二晶粒602均通过导电银膏设置分别设置在第一正面导电层301和第二正面导电层302上。

在一些实施例中，为了提升基板1的散热性能，基板1为三氧化二铝陶瓷材质制成。

在一些实施例中，晶粒601、602与正面导电层粘连的导电银膏501、502，其高度不可超过晶粒高度的三分之一，以免影响晶粒电性。

在一些实施例中，铜跳线7为片状，其宽度为260±10μm。

在一些实施例中，在背面导电层和侧面电极层表面均依次电镀镍层和锡层，镍层和锡层的厚度均为3~10μm。

在一些实施例中，铜跳线7两端向下弯折,其弯折处下表面有圆形凸起10,以便与晶粒上表面电极相连。

本实用新型所提供的一种高散热性双向瞬态电压抑制二极管在制作时按如下工序实现，具体实施工序如下：

1、在基板1的上表面短边镭射去除直角形成倒角斜面201、202；

2、在基板1的上表面印刷导电银胶，形成正面导电层301、302；

3、在基板1的下表面印刷导电银胶，形成背面导电层401、402；

4、在正面导电层301、302上分别点上导电银膏501、502；

5、在导电银膏501、502上分别放置一颗晶粒601、602；

6、晶粒601、602上表面电极用铜跳线7连接；

7、在产品上表面印刷环氧树脂封盖胶8；

8、在产品两侧面真镀导电层，形成侧面电极层901、902，并分别与正面导电层301、302的三角截面端相连；

9、在产品背面电极层401、402和侧面电极层901、902表面顺次电镀镍层和锡层。

作为本实用新型的进一步改进，所述基板为散热性能佳的三氧化二铝陶瓷材质制成。

作为本实用新型的进一步改进，所述正面导电层覆盖至基板倒角斜面，形成三角截面，与侧面电极层相连，增大接触面积。

作为本实用新型的进一步改进，所述晶粒与正面导电层粘连的导电银膏，其高度不可超过晶粒高度的三分之一，以免影响晶粒电性。

作为本实用新型的进一步改进，所述铜跳线两端向下弯折,其弯折处下表面有圆形突起,以便与晶粒上表面电极相连。

作为本实用新型的进一步改进，所述铜跳线为片状，其宽度为260±10μm。

作为本实用新型的进一步改进，所述背面电极和侧面电极层表面电镀，镍层锡层厚度均为3~10μm。

本发明在基板的上表面两短边设置倒角斜面；在基板的上表面制作两块导电层，作为正面导电层；在基板的下表面制作两块对称的导电层，作为背面电极层；在两块正面导电层上分别放置一颗瞬态电压抑制二极管晶粒,其晶粒下表面与正面导电层之间用导体银膏粘连；两晶粒的上表面电极用铜跳线连接；在整个产品上表面覆盖环氧树脂封盖胶；在产品短边两侧面分别制作一块导电层，作为侧面电极层，并分别与两块正面导电层连接；最后在半成品的背面电极层、侧面电极层表面顺次电镀形成镍层和锡层。本发明通过串联两个正负极相反的单向二极管晶粒来实现(晶粒上表面为正极下表面为负极)，如图5:电流可k1→k2，亦可k2→k1。该二极管封装结构相较传统塑封产品散热性更佳，性能稳定可靠，且安装方便、牢固、效率高。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、为特定的方位构造和操作，因而不能理解为对本发明保护内容的限制。

上述仅为本发明的优选实施例，本发明并不仅限于实施例的内容。对于本领域中的技术人员来说，在本发明的技术方案范围内可以有各种变化和更改，所作的任何变化和更改，均在本发明保护范围之内。