从部件复合体中分离部件的方法及部件与流程

1.说明了一种用于从部件复合体中分离部件的方法。所述部件优选是光电子半导体部件，例如发射辐射或探测辐射的半导体部件。


背景技术：

2.为了实现紧凑的部件，例如所谓的qfn（quad flat no leads，四方扁平无引脚）封装——其中由引线框架的引线框架元件形成的电连接端不突出超过塑料护套或外壳本体，而是平面地集成在外壳本体的表面中，作为起始组件可以使用具有塑料护套的大面积衬底。然后必须将由起始组件形成的复合体分离成单独组件。在此，一种常用的方法是借助于锯切进行分离，但这种方法在各个方面都比较费事。一方面，该方法需要锯切膜来支持该过程，所述锯切膜必须在锯切前施加到所述复合体上并在锯切后剥离。另一方面，由于可能形成毛刺，在大多数情况下加工方向是预给定的。


技术实现要素：

3.在当前情况下，要解决的一个任务是说明一种更简单的用于从部件复合体中分离部件的方法。另一个要解决的任务是说明一种可以通过更简单的方式制造的部件。
4.这些任务尤其通过具有独立权利要求的特征的用于分离部件的方法和部件来解决。
5.用于从部件复合体中分离部件的方法以及部件的有利扩展是从属权利要求的主题。
6.根据用于从部件复合体中分离部件的方法的至少一个实施方式，所述方法具有以下步骤：-提供所述部件复合体，所述部件复合体包括-结构化衬底，所述结构化衬底具有部件载体本体和布置在所述部件载体本体之间的连接区域，-基材，所述结构化衬底的连接区域至少部分地嵌入所述基材中，-去除所述部件复合体的分离区域中的基材，所述分离区域包括所述连接区域，-在所述分离区域处将所述部件复合体分离成部件。
7.部件载体本体优选地也至少部分地嵌入在所述基材中。此外可能的是，除了所述连接区域之外，所述分离区域还可以具有基材区域。
8.由于在分离区域中去除了基材，所述部件复合体在那里具有更小的厚度，这种更小的厚度使得部件复合体更容易分离。有利地，由此与迄今为止使用的分离方法不同，可以使用不太费事的分离方法，例如冲压方法，这种分离方法本来需要很大的力。
9.优选地，向每个部件载体本体或部件分配一个分离区域，其中所分配的分离区域的切断导致部件载体本体或部件从部件复合体隔离出来。特别地，每个分离区域以框架的形式围绕部件载体本体或部件布置。一种可能的实施方式规定，分配给所述部件的分离区
域被构造为连续的，也就是没有过渡。
10.结构化衬底可以例如通过将原材料或起始材料结构化成不同的功能区域来制造，所述功能区域包括部件载体本体和连接区域。在结构化期间可以在起始材料中形成空隙，所述空隙导致将起始材料细分为部件载体本体和连接区域，其中所述部件载体本体过渡到所述连接区域中，反之亦然。例如，连接区域可以是部件载体本体之间的窄连接桥。此外，所述空隙可以是起始材料中的穿孔。
11.在优选的设计中，使用结构化衬底，其中所述部件载体本体规则地布置。规则地布置在此意味着重复的布置图案。例如，部件载体本体可以布置成行和列。优选地，每两个直接相邻的部件载体本体都通过至少一个连接区域彼此连接。特别地，部件载体本体具有诸如正方形的至少近似矩形的形状。部件载体本体的其他几何形状，特别是三角形结构、六边形结构或圆形结构，在当前情况下也是合适的。
12.一种优选的实施方式规定，从器件复合体分离出的部件是光电子半导体部件并且分别具有部件载体本体和布置在所述部件载体本体上的至少一个光电子半导体芯片。有利地，部件载体本体具有至少一个用于固定半导体芯片的芯片安装区域和至少一个与所述半导体芯片导电连接的连接区域。
13.半导体芯片可以是发射辐射的半导体芯片，例如发光二极管芯片或激光二极管芯片，或者是探测辐射的半导体芯片，例如光电二极管或光电晶体管。特别地，发射辐射的半导体芯片适用于发射可见、紫外或红外光谱范围内的电磁辐射。
14.此外，探测辐射的半导体芯片优选地适用于探测可见、紫外或红外光谱范围内的电磁辐射。此外，可以提供半导体芯片用于探测化学物质，例如气体。发射辐射的或发射辐射的半导体芯片可以具有半导体本体，该半导体本体具有适用于产生辐射或探测辐射的有源区。特别地，有源区是pn结区。在此，有源区可以被构造为一层或多个层的层序列。
15.对于半导体本体的各层，优选地分别考虑使用基于氮化物半导体或磷化物半导体的材料。“基于氮化物半导体”在本文中意味着半导体本体的至少一层包括氮化物iii/v化合物半导体材料，优选alngamin
1-n-m
n，其中0≤n≤1，0≤m≤1和n+m≤1。对应地，“基于磷化物半导体”意味着半导体本体的至少一层包括alngamin
1-n-m
p，其中0≤n≤1、0≤m≤1和n+m≤1。在此，这种材料不一定必须具有根据上述公式在数学上精确的成分，而是可以具有一种或多种掺杂剂以及附加成分，所述成分基本上不改变alngamin
1-n-m
n-或alngamin
1-n-m
p-的特征性物理特性。然而，为简单起见，上式仅包含晶格的主要成分（al、ga、in、n），即使这些主要成分可以部分地被少量其他物质替代。
16.此外，所述连接区域特别是厚度减小的衬底区域。相反，所述部件载体本体包括最大厚度的衬底区域，即在其中衬底特别是具有其起始厚度的区域。衬底优选地具有在100μm和300μm之间的最大厚度或垂直伸展，包括端值，其中
±
10％的偏差在公差范围内。优选地，所述部件载体本体在垂直方向上在衬底的正面上至少局部地突出超过所述连接区域。在衬底的背面上，所述部件载体本体也可以在竖直方向上至少局部地突出超过所述连接区域或与所述连接区域齐平。
17.在本技术的范围中，所述背面特别是指为成品部件的后续安装提供的侧，而正面是与背面相对的侧，例如用于发射辐射。
18.优选地，在衬底正面上的连接区域被所述基材完全覆盖。在背面，特别是在应当实
现与部件载体本体的齐平连接的情况下，所述连接区域可以完全被所述基材覆盖。
19.根据至少一个实施方式，借助于光结构化涂层去除在分离区域中的基材。
20.在此，首先将光敏涂层施加到所述部件复合体上，并且借助于光刻方法产生光结构化涂层，其中在所述部件复合体的分离区域中去除所述光敏涂层。为了去除光敏涂层，特别是当光敏涂层是光刻胶时，可以使用诸如丙二醇单甲醚乙酸酯（pgmea）、丙酮、n-甲基-2-吡咯烷酮（nmp）和二甲亚砜（dmso）的溶剂。如果光敏涂层包含环氧树脂或由环氧树脂组成，则优选使用丙酮或名称为“dynasolve”的物质作为溶剂。光敏涂层可以施加到部件复合体的正面和/或背面上。
21.施加到部件复合体上的光敏涂层优选是光致抗蚀剂，其中正抗试剂和负抗蚀剂都适合于光敏涂层。通过用合适的掩模曝光所述光敏涂层，一方面定义出在后续的剥离方法中被去除的区域，另一方面定义出在该剥离方法中保留在所述部件复合体上的区域。在该过程中形成以下光结构化涂层，其具有在部件复合体的分离区域中的中断。
22.所述方法的至少一个实施方式规定，所述部件复合体的分离借助于冲压来进行。与锯切相比，冲压可以明显更快地进行，因此如果应当从部件复合体中分离出大量部件则是特别有利的。此外，不需要额外的膜来辅助该过程，所述额外的膜必须被施加并再次剥离。特别地，从所述衬底中冲压出部件载体本体或从所述复合体中冲压出所述部件。为此有利的是，在冲压期间被切断的分离区域遵循部件载体本体或部件的轮廓，从而使部件载体本体或部件在冲压期间整体从所述部件复合体中析出。优选地，同时冲压出多个部件载体本体或部件。
23.在所述方法的一种可能的设计中，使用冲压工具来进行冲压，所述冲压工具具有至少一个冲头和模具。所述至少一个冲头可以具有冲压冠以更好地冲压。所述冲压冠特别是被构造为具有优选平坦端面的框架形状，所述端面具有在冲压期间用作切割边缘的边缘。冲头或冲压冠特别是具有对应于部件载体本体或部件的横截面形状，所述横截面形状优选地至少近似为矩形，特别是正方形、三角形、六边形或圆形。有利地，与锯切相比，在冲压情况下部件载体本体的更复杂的几何形状是可能的。此外，冲头或冲压冠优选地具有在形状和尺寸上与分离区域一致的轮廓。
24.分离过程或冲压过程可以从部件复合体的背面开始（“正面朝下”），即从衬底的一侧开始执行。替代地，可以从部件复合体的正面开始（“正面朝上”），即从布置基材的那侧开始对部件复合体进行分离或冲压。因此与传统的锯切过程相比，可以有利地自由选择加工方向。
25.在所述方法的一种有利设计中，在去除了基材的情况下，所述连接区域至少部分地暴露。特别地，所述基材被一直去除到每个连接区域的布置在衬底正面上的表面为止。在此，所述表面优选大部分暴露。
26.通过去除基材，可以在连接区域处在基材中产生至少一个凹陷。特别地，所述凹陷位于复合体的正面。优选地，在产生了至少一个凹陷之后，将光结构化涂层完全从部件复合体中去除。
27.有利地，所述凹陷具有与衬底的起始材料的厚度相对应的横向伸展。这样的横向伸展确保了在部件复合体分离时足够的稳定性。
28.优选地，布置在公共分离区域中的连接区域由于唯一的凹陷而暴露。换言之，布置
在公共分离区域的连接区域处的凹陷被构造为连续的，使得仅存在一个凹陷。该凹陷可以以框架的形式围绕相应的部件载体本体或相应的部件布置。此外，所有分离区域可以被构造为连续的并且具有共同的凹陷，例如以网格的形式。
29.一种有利的设计规定，凹陷的由基材形成并且横向界定所述凹陷的侧壁在分离之后形成部件的侧壁的至少一些部分。在此，在成品部件中，基材可以形成横向包围半导体芯片的边缘区域。在成品部件中，基材不仅可以形成侧壁的一部分，还可以形成部件载体的一部分，所述部件载体包括部件载体本体和基材。在此，基材可以布置在部件载体本体的空隙中。
30.塑料材料特别适用于基材。例如，硅树脂或环氧树脂可以用作基材。可以将吸收辐射和/或反射辐射的附加材料引入基材中。此外，所述基材可以是光敏材料或可光结构化材料。在这种情况下，基材可以直接被结构化而无需使用额外的光敏层。
31.根据有利的方面，借助于注塑方法将所述基材施加到所述衬底上。此外，所述基材可以借助于增材制造方法施加到所述衬底上。在此，特别是采用立体光刻方法或熔化方法。
32.此外，所述衬底具有基体，所述基体优选包含以下材料之一或由以下材料之一构成：金属、塑料、玻璃、陶瓷。例如，所述衬底可以是引线框架，即结构化金属体。此外，所述衬底可以是具有金属化部的膜或玻璃或陶瓷载体。
33.根据部件的至少一种实施方式，所述部件包括部件载体本体和布置在所述部件载体本体上的至少一个半导体芯片。此外，所述部件具有基材，所述基材在外围侧上布置在半导体芯片的下游并且在侧面上部分地向外侧界定所述部件，其中所述部件在侧面上具有分离轨道。所述分离轨道优选地是通过冲压引起的轨道。这些分离轨道具有水平结构，而通过锯切引起的轨道具有垂直结构。因此，分离轨道的结构包含关于分离过程的指示。
34.优选地，部件是所谓的“qfn封装”，使得部件载体本体在侧面处与外壳材料齐平连接。在所述部件的正面，外壳材料也可以与部件载体本体齐平连接或者在竖直方向上突出超过所述部件载体本体。在后一种情况下，外壳材料特别是包围空腔，在该空腔中例如可以布置包封至少一个半导体芯片的灌封体。替代地，至少一个半导体芯片可以嵌入基材中。
35.如上所述，所述部件载体本体可以具有至少一个用于固定半导体芯片的芯片安装区域和至少一个与半导体芯片导电连接的连接区域。所述半导体芯片可以借助于诸如平面导体（所谓的“平面互连”）或接合线的电连接装置连接到所述连接区域。此外，所述芯片安装区域可以作为另外的连接区域，所述半导体芯片导电地固定在所述另外的连接区域上。
36.在一种优选设计中，所述部件的布置在正面和背面处的主面被构造为平面的。特别地，所述部件的下侧主面处的连接区域和芯片安装区域未被基材覆盖。由此所述部件可以在下侧处进行电连接并且因此可以进行表面安装。
37.上述方法特别适用于制造大量这里所述的部件。因此，结合部件描述的特征也可以用于该方法，反之亦然。
38.所述部件特别适用于汽车和多媒体领域的应用，例如用于仪表板或视频墙应用，以及通用照明领域。
附图说明
39.其他优点、有利的实施方式和扩展由以下结合附图描述的实施例得出。
40.图1示出了根据第一实施例的部件复合体或用于分离部件的方法的中间阶段的示意性截面图，图2示出了根据第二实施例的部件复合体或用于分离部件的方法的中间阶段的示意性俯视图，以及图3示出了根据第二实施例的部件复合体的一个区段或用于分离部件的方法的中间阶段的示意性截面图。
41.在实施例和附图中，相同的、相同类型的或具有相同作用的要素可以各自具有相同的附图标记。所示出的要素及其彼此的尺寸比例不一定被视为真实比例；相反，为了更好地显示和/或更好地理解，可以以夸大的尺寸显示各个要素。
具体实施方式
42.在图1所示的部件复合体1的第一实施例或用于分离部件2的方法的中间阶段中，部件复合体1包括结构化衬底3、部件载体本体4和布置在部件载体本体4之间的连接区域5。此外，部件复合体1包括基材6、6a，结构化衬底3的连接区域5至少部分地嵌入所述基材中。部件载体本体4分别用于在成品部件2中形成部件载体的支撑或机械稳定元件。布置在每两个相邻的部件载体本体4之间的基材6、6a在成品部件2中可以是外壳的一部分并且具有机械保护功能。连接区域5在所述复合体中确保部件载体本体4之间的机械连接。
43.总体而言，与原材料或未加工的起始材料相比，衬底3被结构化为不同的功能区域。部件载体本体4在此可以通过间隙彼此分开。同样，连接区域5也可以通过间隙彼此分开。例如，连接区域5可以是部件载体本体4之间的窄连接桥。此外，间隙可以是起始材料中的穿孔，即通孔。
44.在图1所示的实施例中，结构化衬底3是引线框架，即结构化金属体。替代地，结构化衬底3可以具有例如由塑料、玻璃或陶瓷制成的基体，并且设置有金属化部。
45.此外，结构化衬底3可以具有不同厚度d的区域，即在垂直方向v上具有不同伸展的区域。在此，连接区域5特别是厚度d减小的衬底区域。相反，部件载体本体4包括最大厚度d的衬底区域，即在其中衬底3特别是具有其起始厚度的区域。特别地，在第一实施例中，部件载体本体4被构造为平面的，也就是部件载体本体在它们的正面和背面上具有平坦的主面。衬底3优选地具有在100μm和300μm之间的最大厚度d或垂直伸展，包括端值，其中
±
10％的偏差在公差范围内。连接区域5的厚度d优选地为衬底3的起始厚度的三分之一至100％，包括100%。此外，部件复合体1或各个部件2的垂直伸展d优选地在200μm和700μm之间，包括端值，其中
±
10%的偏差在公差范围内。连接区域5的减小的厚度d使得更容易在连接区域5处分割部件复合体1。
46.部件载体本体4可以在垂直方向v上既在衬底3的正面又在衬底3的背面处突出超过连接区域5，从而在正面和背面上的横截面中分别在每个部件载体本体4与连接区域5之间的过渡处形成台阶。这尤其是确保了基材6、6a更好地粘附到部件载体本体4上。
47.塑料材料特别适用于基材6。例如，硅树脂或环氧树脂可以用作基材。可以将吸收辐射和/或反射辐射的附加材料引入基材6中。此外，基材6可以是光敏材料，其中在这种情况下基材6可以直接结构化而无需使用额外的光敏层。例如，基材6可以借助于注塑方法或诸如立体光刻方法或熔融方法的增材制造方法施加到衬底3上，其中部件载体本体4嵌入在
基材6中。然后通过对基材6进行结构化，可以在部件复合体1的正面上产生空腔11，这些空腔分别在侧面由基材6a界定并且在下侧由部件载体本体4和另外的基材6b界定。空腔11用于容纳半导体芯片9a、9b、9c。
48.在结构化衬底3的情况下，部件载体本体4规则地布置成行a和列b（为此参见图2），其中连接区域5分别布置在行a和列b之间。特别地，部件载体本体4在部件复合体1的正面的俯视图中具有至少近似矩形的形状，例如正方形的形状，其中诸如三角形结构、六边形结构或圆形结构的其他形状也是可能的。
49.从部件复合体1中分离出的部件2特别是光电子半导体部件，这些光电子半导体部件分别具有部件载体本体4和布置在部件载体本体4上的一个或多个光电子半导体芯片9a、9b、9c（还参见图2）。在此，部件载体本体4具有至少一个用于安装半导体芯片9a、9b、9c的芯片安装区域4a和一个或多个用于向半导体芯片9a、9b、9c供电的连接区域4b、4c。
50.半导体芯片9a、9b、9c是发射辐射或探测辐射的半导体芯片，所述半导体芯片分别具有半导体本体，该半导体本体具有适合于产生辐射或探测辐射的有源区。特别地，有源区是pn结区。在此，有源区可以被构造为一层或多个层的层序列。
51.例如，有源区在部件2的操作期间分别发射或探测电磁辐射，例如在可见、紫外或红外光谱范围内。例如，部件2可以用于在操作期间发射白光。这可以通过半导体芯片9a、9b、9c在操作期间发射不同颜色的光来实现，例如蓝光（例如半导体芯片9a）、红光（例如半导体芯片9b）和绿光（例如半导体芯片9c）。如上所述，对于半导体本体的各层优选分别考虑使用基于氮化物或磷化物半导体的材料。
52.根据第一实施例，用于从部件复合体1分离部件2的方法包括以下步骤：a）提供部件复合物1，包括-结构化衬底3，以及-基材6，在基材6中嵌入了连接区域5，b）去除部件复合体1的包括连接区域5的分离区域7中的基材6，c）在分离区域7处将部件复合体1分离成部件2。
53.在此，向每个部件载体本体4或部件2分配一个分离区域7，其中所分配的分离区域7的切断导致部件载体本体4或部件2从部件复合体1隔离出来。特别地，分离区域7分别以框架的形式围绕部件载体本体4或部件2布置。除了连接区域5之外，分离区域7还包括基材6的区域。
54.图1中所示的方法的中间阶段在执行了方法步骤a）至b）之后并且在执行方法步骤c）之前达到。
55.在执行方法步骤b）之前，连接区域5在正面和背面上以及在它们的侧面上被基材6覆盖。
56.在方法步骤b）中，在分离区域7中借助于光结构化涂层去除基材6。
57.在此，首先将光敏涂层10施加到部件复合体1上并借助于光刻方法以合适的方式结构化，其中去除涂层10的位于分离区域7中的区域，特别是布置在连接区域5上的区域。光敏涂层10可以施加在部件复合体1的正面和/或表面上，特别是在暴露的基材区域上。例如，光敏涂层为光刻胶，其中正光刻胶和负光刻胶均可用于光敏涂层10。通过用合适的掩模对光敏涂层10进行曝光，一方面定义出在后续的剥离方法中被去除的区域，另一方面定义出
在该剥离方法中保留在所述部件复合体1上的区域。光结构化涂层10由保留在部件复合体1上的区域组成。
58.通过去除分离区域7中的基材6，暴露了正面和表面上以及必要时在侧面上的连接区域5。特别地，基材6分别被一直去除到每个连接区域5布置在衬底3的正面和背面上的表面为止。在此，相应的表面优选地大部分暴露。
59.通过去除基材6，在连接区域5处在基材6中产生至少一个凹陷8。有利地，凹陷8具有对应于衬底3的起始材料的厚度d的横向伸展e。在此，横向伸展e被确定为平行于横向方向l，横向方向l布置成垂直于垂直方向v并且平行于部件复合体1的主延伸平面。布置在公共分离区域7中的连接区域5有利地通过唯一的凹陷8暴露，该凹陷8特别是以框架的形式围绕相关联的部件载体本体4或相关联的部件2布置。此外，所有分离区域7可以被构造为连续的并且具有公共的网格状凹陷8（为此参见图2）。
60.凹陷8的由基材6、6a形成并且横向界定凹陷8的侧壁在分离之后形成部件2的侧壁。基材6在成品部件2中可以形成横向包围半导体芯片9a、9b、9c的边缘区域。
61.由于去除了分离区域7中的基材6，部件复合体1有利地在那里具有更小的厚度，该更小的厚度有利于部件复合体1的分离。
62.在方法步骤c）中，部件复合体1有利地借助于冲压分离成部件2。部件载体本体4从衬底3中冲压出来，或者部件2从复合体1中冲压出来。
63.具有至少一个冲头和模具（未示出）的冲压工具可以用于冲压。至少一个冲头可以具有冲压冠以更好地冲压。该冲压冠特别是构造为具有优选平坦端面的框架的形状，该端面具有在冲压期间用作切割边缘的边缘。冲压冠或模具的成型凹部特别是具有对应于部件载体本体4或部件2的横截面形状，所述横截面形状优选地至少近似为矩形，特别是正方形、三角形、六边形或圆形。此外，冲压冠的或模具的成型凹部优选地具有在形状和尺寸方面与分离区域7一致的轮廓。特别地，分离区域7在部件复合体1的正面的俯视图中具有至少近似矩形的形状，例如正方形，或者三角形、六边形或圆形的形状。
64.可以从部件复合体1的背面（“正面朝下”），即从衬底3那一侧开始执行分离过程或冲压过程。替代地，可以从部件复合体1的正面开始（“正面朝上”），即从布置基材6的那侧开始分离或冲压部件复合体1。与传统的锯切过程相比，一方面可以自由选择加工方向，另一方面不需要额外的膜。
65.借助于根据第一实施例的方法分离的部件2包括部件载体本体4和布置在部件载体本体4上的多个半导体芯片9a、9b、9c，如从图1中可以看出的。此外，部件2具有基材6a，该基材6a在外周布置在半导体芯片9a、9b、9c的下游并且在侧面2a上部分地向外界定部件2，其中部件2在侧面2a上具有分离轨道。在此，特别是通过冲压造成的分离轨道。这些分离轨道具有水平结构，而由锯切引起的轨道具有垂直结构。
66.部件2是“qfn封装”，从而部件载体本体4在侧面2a与外壳材料6a齐平连接。在元件2的正面，外壳材料6a在垂直方向v上突出超过部件载体本体4。外壳材料6a包围空腔11，在空腔11中布置有半导体芯片9a、9b、9c和灌封体，该灌封体包封半导体芯片9a、9b、9c。所述灌封体在部件2的正面上优选地与外壳材料6a齐平连接。所述灌封体特别是辐射可透过的塑料材料。
67.部件载体本体4具有用于固定半导体芯片9a、9b、9c的公共芯片安装区域4a，其中
芯片安装区域4a还用作第一极性的连接区域。此外，部件载体本体4具有第二极性的另外的连接区域4b、4c，其中每个半导体芯片9a、9b、9c分别与一个第二极性的连接区域连接。半导体芯片9a、9b、9c在此借助于电连接装置12、即借助于接合线连接到相应的连接区域4b、4c。
68.部件2的布置在正面和背面上的主面2b、2c被构造为平面的。此外，部件2的下侧主面2c上的连接区域和芯片安装区域4a、4b、4c未被基材6覆盖。因此，可以在下侧电连接部件2并且因此部件2是可以表面安装的。
69.在图2和图3中所示的部件复合体1的第二实施例中，或者在用于分离部件2的方法的中间阶段中，与第一示例性不同，部件载体本体4具有不平坦的正面上的主面2b。另一个区别在于接触的类型。在第二实施例中，连接装置12是平面导体（所谓的“平面互连”），所述平面导体均以非弯曲方式从半导体芯片9a、9b、9c延伸到第二实施例的相关联的连接区域4b、4c。这可以通过将半导体芯片9a、9b、9c布置在部件载体本体4的凹部13中来实现，其中半导体芯片9a、9b、9c在正面上分别与部件载体本体4齐平连接。半导体芯片9a、9b、9c优选嵌入填充凹部13的外壳材料6、6b中。
70.对于部件复合体1、用于分离的方法和分离后的组件2的另外的特征，参考结合第一实施例给出的解释。
71.本发明不受基于实施例的描述限制。相反，本发明包括每一个新特征和每一个特征组合，特别是包括权利要求中的每一个特征组合，即使该特征或者该组合本身没有在权利要求或实施例中明确说明。
72.本专利申请要求德国专利申请102019121449.1的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
73.附图标记列表1
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部件复合体2
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部件2a
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侧面2b、2c
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主面3
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衬底4
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部件载体本体4a
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芯片安装区域4b、4c
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连接区域5
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连接区域6、6a、6b
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基材7
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分离区域8
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凹陷9a、9b、9c
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半导体芯片10
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涂层11
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空腔12
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电连接装置13
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凹部a
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行bꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
列d
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厚度e
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横向伸展l
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横向方向v
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垂直方向。