具有用于更长距离的单电子移动的带装置的构件的制作方法

1.本发明涉及一种电子器件，该电子器件被设计成半导体或者被设计得具有用于使量子点在一定距离上移动的类半导体结构，该电子器件包括：a) 衬底，其具有二维电子气或电子空穴气；b) 栅电极装置，其具有布置在该电子器件的表面上的栅电极，用于在衬底中产生势阱；c) 用于使栅电极装置与电压源连接的电连接端。
2.本发明还涉及一种用于这种电子器件的方法。
3.传统计算机使用具有集成电路的半导体构件来工作。这些电路总是使用基于逻辑“0”或“1”的系统来工作——即开关“开”或“关”。在半导体存储器的情况下，这通过如下方式来实现：电位要么高于阈值要么低于阈值。这两个状态形成计算机中的最小单位并且被称为“位”。
4.这些半导体构件通常由掺杂的硅元素组成，以便实现电路。这样，例如晶体管电路可以布置在这种半导体构件中并且相关联以形成逻辑电路。通过不断改进的化学和物理制造工艺，这些半导体构件现在可以越来越紧凑地被生产。但是，这种紧凑性正在达到其物理极限。不仅电路的密度而且温度通常都会导致在这种半导体构件中的问题。这样，尤其还可以通过多个层模型、更高的切换时控或者还在选择半导体材料的情况下实现优化。尽管如此，对于很多应用来说，诸如在密码技术中或在计算天气或气候模型时，由于数据量巨大，计算能力常常不足。
5.为了显著提高计算能力，早已众所周知的是所谓的量子计算机模型。然而，出于各种原因，这些量子计算机模型到目前为止在技术上仍无法实现。量子计算机模型规定：利用粒子、诸如电子的量子力学状态。在此，具有两个状态的量子力学系统被称为用于将信息作为“量子位”来存储的最小单位。量子位例如通过量子力学状态自旋（spin）“向上（up）”和自旋“向下（down）”来限定。
6.电子自旋量子位的原理始终不变，无论相应所选择的材料系统如何。在此，半导体异质结构用作衬底。半导体异质结构包含二维电子气（2deg）。半导体异质结构是在彼此之上生长的具有不同成分的半导体单晶层。这些层结构在其电子和光学特性方面提供了许多技术上相关的量子效应。因而，这些层结构特别适合于微电子器件的制造。目前用于制造半导体异质结构的最重要的材料组合是gaas/aigaas系统。
7.在此，半导体异质结构在不同材料的分界面处形成所谓的量子薄膜。这些半导体异质结构尤其是由于在两种材料中的不同的能量比而形成。这样指定的能量分布导致来自周围的载流子聚集在量子薄膜中。在那里，这些载流子接着在其移动自由度方面在很大程度上限于该层并且形成二维电子气）（2deg）。
8.纳米级材料结构被称为量子点。半导体材料特别适合于此。载流子，不仅是电子而且还有空穴，在量子点中在它们的迁移率方面受限，使得它们的能量不再能取连续值，而是始终只还能取离散值。借助于被施加到器件表面上的纳米级栅电极（所谓的栅极），在二维
电子气（2deg）内的电位地形被形成为使得各个电子可以在量子点中被捕获。然后，这些电子的自旋用作形成逻辑量子位的基础。


背景技术：

9.从us 2017/0317203 a1公知一种量子点设备，该量子点设备包括至少三个导电层和至少两个绝缘层。在此，三个导电层彼此电绝缘。在那里描述了：一个导电层由与相应其它两个导电层不同的材料组成。导电层例如可以完全和/或部分地由铝、金、铜或多晶硅制成。而绝缘层例如由氧化硅、氮化硅和/或氧化铝制成。在此，在这些导电层与这些绝缘层之间的连接尤其引起：各个电子在使用电压脉冲的情况下被引带通过该设备的量子点。
10.在该量子点设备中，电子被准困在势阱中。在此，通过量子力学隧道，电子这里在量子点之间移动。这可能导致在电子在更长距离上移动时关于量子力学状态的信息内容的不准确或失真。
11.为了实现通用量子计算机，必须实现在至少几微米的距离上的量子位的耦合，以便尤其是为本地控制电子器件提供空间。在现有技术中已经存在如下方法，其中一维或二维阵列是由单独的量子点来构建的，接着可以通过这些量子点来运输电子。由于需要非常多的栅电极并且借此所要调整的电压，借助于该方法在不付出巨大花费的情况下就无法实现几微米的耦合或者甚至完全无法实现几微米的耦合。
12.在各个量子位处的操作已经可以以令人满意的程度被控制和评估，而为了能够实现通用量子计算机，量子位的耦合是可能未被解决的核心问题。


技术实现要素：

13.因而，本发明的任务在于：消除现有技术的缺点并且提供尤其是在量子位之间的耦合，该耦合能够实现大于100nm的距离。
14.按照本发明，该任务通过如下方式来解决：在开头提到的类型的电子器件被设计成半导体或者被设计得具有用于使量子点在一定距离上移动的类半导体结构的情况下，d) 栅电极具有平行走向的电极指，其中e) 电极指周期性地交替互连，这些电极指引起了势阱经过衬底的几乎连续的移动，其中量子点与该势阱一起被平移。
15.该任务还通过一种用于这种电子器件的方法来解决，其中互连的栅电极有相移地被加载电压，该电压引起势阱经过衬底的几乎连续的移动，其中量子点与该势阱一起被平移。
16.本发明基于如下原理：在可在更长距离上被平移经过衬底的量子点处调整量子力学状态。为此，量子点被准困在势阱中，该势阱通过栅电极装置以适合的方式产生。接着，势阱连续并且定向地移动穿过衬底，并且将量子点与其量子力学状态一起引带一定距离。对于势阱的连续的移动，栅电极的电极指相对应地被接线。因此，利用本发明，可以使量子点的量子力学状态在更远的距离上移动。
17.在该电子器件的一个优选的设计方案中，栅电极装置由两个平行的栅电极组成，这两个平行的栅电极形成通道状结构。该措施用于：势阱只能在衬底中的特定路径上移动。
18.在这种电子器件的一个有利的设计方案中，衬底包含砷化镓（gaas）和/或硅锗
（sige）。这些材料能够产生二维电子气，量子点可以在该二维电子气中产生和移动。在砷化镓的情况下，量子点被电子占据。在硅锗的情况下，量子点被其中缺少电子的空穴占据。
19.该电子器件的另一优选的设计方案可以通过如下方式实现：分别互连的栅电极被设计成能周期性地和/或有相移地被加载电压。该措施能够将势阱连续地引导经过衬底。借此，位于势阱中的量子点可以与势阱一起被平移经过衬底。在此，该量子点不会失去其原来的量子力学状态。
20.该电子器件的一个优选的设计方案在于：栅电极的分别至少每第三个电极指互连。借此，应该确保：势阱总是在至少一个周期内被确保，在该至少一个周期内移动该势阱。只有这样才能够实现势阱与量子点一起的连续的移动。原则上，在栅电极互连方面的其它组合也是可能的，只要可以执行势阱与量子点一起的移动。相对应地，通过如下方式得到按照本发明的用于电子构件的方法的一个有利的设计方案：分别至少每第三个栅电极互连并且周期性地被加载电压。
21.按照本发明的电子器件的另一有利的设计方案在于：设置用于使量子计算机的两个量子位连接的装置。使量子点的状态在更大距离上平移特别适合于量子计算机。这里正需要使量子位彼此接线。因而，该电子器件必须具有用于使至少两个量子位接线的接触可能性，以便将量子点的量子状态从一个量子位转移到另一个量子位。
22.其它设计方案和优点根据从属权利要求的主题以及具有相关描述的附图来得到。在下文参考附图更详细地阐述实施例。本发明不应仅限于这些列举的实施例。本发明应该涉及本领域技术人员现在和将来会认为对于实现本发明显而易见的所有主题。以下的详细描述涉及本公开的当前最佳的可能的实施方式。这些实施方式仅用于更详细地阐述本发明。因而，该描述不应被理解成有限制意义，而是仅用于阐明本发明的一般性原理，原因在于本发明的保护范围通过随附的权利要求书被最好地限定。在此，所引用的现有技术被视为属于本发明的公开内容的一部分。
附图说明
23.图1示出了按照本发明的布置在两个量子位之间的基于gaas的电子器件的示意性俯视图。
24.图2以俯视图示出了按照图1的栅电极装置的第一层。
25.图3以俯视图示出了按照图1的栅电极装置的第二层。
26.图4以俯视图示出了按照图1的栅电极装置的第三层。
27.图5以原理图示出了经过按照图1的栅电极装置的第二层的横截面。
28.图6以原理图示出了经过按照图1的栅电极装置的第三层的横截面。
29.图7以作为俯视图的原理图示出了按照图1的电子器件的在单周期内的结构。
30.图8示出了按照图1的按照本发明的电子器件的纵剖面。
31.图9示出了按照本发明的布置在两个量子位之间的基于sige的电子器件的示意性俯视图。
32.图10以俯视图示出了按照图9的栅电极装置的第一层。
33.图11以俯视图示出了按照图9的栅电极装置的第二层。
34.图12以俯视图示出了按照图9的栅电极装置的第三层。
35.图13以原理图示出了经过按照图9的栅电极装置的第二层的横截面。
36.图14以原理图示出了经过按照图9的栅电极装置的第三层的横截面。
37.图15示出了按照图9的按照本发明的电子器件的纵剖面。
具体实施方式
38.在图1中示出了按照本发明的基于砷化镓（gaas）的电子器件10的第一实施例。电子器件10示意性地被呈现为俯视图。该器件的结构优选地为纳米级尺寸。电子器件10将两个量子位12、14彼此耦合。在当前实施例中，电子器件10包含三个层的栅电极装置16、18、20，它们利用绝缘层22、24来彼此分开。栅电极装置16、18、20通过电连接端26、28、30来被供应适合的电压。
39.第一并且是最下方的栅电极装置16放在衬底32的平坦的外表面31上。在当前实施例中，衬底32由掺杂的砷化镓（gaas）制成。在第一栅电极装置16的层之后是绝缘层22，在该绝缘层上设置第二栅电极装置18。在第二栅电极装置18上存在绝缘层24，该绝缘层使第二栅电极装置18与第三并且是最上方的栅电极装置20电分开。
40.在图2中，按照图1示意性示出了第一栅电极装置16的布置，该第一栅电极装置使量子位12、14彼此连接。该栅电极装置16由两个平行的栅电极33、34组成，这两个平行的栅电极具有用于电压供应的第一电连接端26。这些栅电极33、34形成通道状结构36。
41.图3和4按照图1示意性示出了第二和第三栅电极装置18、20，该第二和第三栅电极装置分别由两个平行地布置的栅电极38、40或42、44组成。这些栅电极38、40、42、44中的每个栅电极分别拥有用于电压供应的电连接端28、30。这些栅电极38、40、42、44利用电极指46、48、50、52来被设计成指状。电极指46、48、50、52在栅电极装置18、20的平面54、56内间隔开地接合到彼此中，而不相互接触。栅电极装置18、20以适合的方式彼此错开地布置，使得电极指46、48、50、52在俯视图中以交替的方式相对于彼此移动。
42.在图5和6中，按照图1分别示意性示出了电子器件10的横截面。在此，图5示出了按照图7的经过第二层的截面a-a，并且图6示出了按照图7的经过第三层的截面b-b。栅电极装置16、18、20和绝缘层22、24布置在衬底32上方。
43.在图5中，在截面a-a内，首先第一栅电极装置16的通道状结构36变得明显，该通道状结构直接放在衬底32上。为此，两个栅电极33、34与通道状结构36平行地布置。在栅电极33、34上方设置第一绝缘层22。在该绝缘层22上存在第二栅电极装置18。在截面区域的该图示中，在第一绝缘层22上能看到第二栅电极装置18的栅电极38的电极指46。在截面内，从第二栅电极装置18的栅电极40能看到用于电极指48（图3）的连接58。在第二栅电极装置18上方设置第二绝缘层24，在该第二绝缘层上布置有第三栅电极装置20。在截面内，从第三栅电极装置20分别只能看到在电极指50、52（图4）之间的栅电极42、44的连接60、62。
44.类似于图5，在截面b-b内在图6中同样能看到第一栅电极装置16的通道状结构36，该通道状结构沿着整个电子器件10（参见图1）不发生变化地延伸。在图6中，第一栅电极装置16位于衬底32上。第一绝缘层22位于栅电极装置16的栅电极33、34上方。第二栅电极装置18位于第一绝缘层22上。在该图示的截面内，从第二栅电极装置18分别只能看到在电极指46、48（图3）之间的栅电极38、40的连接58或64。在第二栅电极装置18上方又设置第二绝缘层24，在该第二绝缘层上布置有第三栅电极装置20。在截面区域的该图示中，在第二绝缘层
24上能看到第三栅电极装置20的栅电极42的电极指50。这里，从第三栅电极装置20的栅电极44只能看到连接62。
45.按照图1，图7在电子器件10的示意性俯视图中作为针对单周期的放大片段来被示出。示出了第一栅电极装置16的通道状结构36作为最下方的层。在其上方，如前所述，彼此绝缘地存在第二和第三栅电极装置18、20。第二栅电极装置18的栅电极38、40的电极指46、48在平面54内无接触地接合到彼此中。第三栅电极装置20的栅电极42、44的电极指50、52在平面56内无接触地接合到彼此中。栅电极38、40和42、44布置为使得电极指46、48、50、52交替轮换。
46.图8作为电子器件10的片段示出了按照图7的纵剖面c-c。在电子器件10的衬底32中形成二维电子气（2deg）。在该截面图中，能看到第一栅电极装置16的栅电极33。栅电极33直接在衬底32的外表面31上纵向延伸，并且相对于第二栅电极装置18被第一绝缘层22隔开。在截面内，从第二栅电极38、40能看到横向电极指46和48。第二栅电极装置18利用第二绝缘层24与第三栅电极装置20隔开。从第三栅电极装置20，也只能看到栅电极42、44的电极指50、52。在该截面内变得明显的是：电极指46、48、50、52如何交替轮换。通过向栅电极装置16、18、20适当地施加正弦电压，产生势阱66。在该势阱66中捕获的量子点68可以被平移经过衬底。势阱66通过使用正弦电压对电极指46、48、50、52的适当的操控来被纵向平移经过衬底，而量子点68不改变其量子力学特性。用虚线72来勾画出量子点68沿箭头方向70的移动。通过量子点68的小箭头74来象征性地示出量子力学状态。
47.栅电极装置16、18、20被加载电压，使得栅电极38、40和42、44的电极指46、48、50、52在电子器件10的衬底32中形成可移动的势阱66。通过适当地操控栅电极装置16、18、20，势阱66可以定向地沿着通道状结构36被引导经过衬底32。在当前实施例中，第二或第三栅电极装置18、20的栅电极38、40和42、44被加载正弦形电压变化过程，该正弦形电压变化过程在栅电极38、40、42、44之间适当地有相移。被准困在该势阱66中的量子点68可以与该势阱66一起在一定距离内在由gaas制成的衬底32的二维电子气中从一个量子位12被平移到另一量子位14，而没有经历量子力学状态变化。
48.在图9中示出了按照本发明的基于未掺杂的硅锗（sige）的电子器件110的第二实施例。由于为此所需的与具有掺杂的gaas的先前实施例相反的极性，电子构件的结构略有不同。
49.电子器件110示意性地被呈现为俯视图。电子器件110将两个量子位112、114彼此耦合。在当前实施例中，电子器件110包含三个层的栅电极装置116、118、120，它们利用绝缘层122、124来彼此分开。栅电极装置116、118、120通过电连接端126、128、130来被供应适合的电压。
50.第一并且是最下方的栅电极装置116放在衬底132的平坦表面131上。在当前实施例中，衬底132由硅锗（sige）制成。在第一栅电极装置116的层之后是绝缘层122，在该绝缘层上设置第二栅电极装置118。在第二栅电极装置118上存在绝缘层124，该绝缘层使第二栅电极装置118与第三并且是最上方的栅电极装置120电分开。
51.在图10中，示意性示出了第一栅电极装置116的布置，该第一栅电极装置使量子位112、114彼此连接。该栅电极装置116由两个平行的栅电极133、134组成，这两个平行的栅电极具有用于电压供应的第一电连接端126。这些栅电极133、134形成通道状结构136。
52.图11和12示意性示出了第二和第三栅电极装置118、120，该第二和第三栅电极装置分别由两个平行地布置的栅电极138、140或142、144组成。这些栅电极138、140、142、144中的每个栅电极分别拥有用于电压供应的电连接端128、130。这些栅电极138、140、142、144利用电极指146、148、150、152来被设计成指状。电极指146、148、150、152在栅电极装置118、120的平面154、156内间隔开地接合到彼此中，而不相互接触。栅电极装置118、120以适合的方式彼此错开地布置，使得电极指146、148、150、152在俯视图中以交替的方式相对于彼此移动。
53.在图13和14中，分别示意性示出了电子器件110的横截面。在此，图13示出了经过第二层的电极指146的截面，并且图14示出了经过第三层的电极指150的截面。栅电极装置116、118、120和绝缘层122、124布置在衬底132上方。
54.在图13中，首先第一栅电极装置116的通道状结构136变得明显，该通道状结构直接放在衬底132上。在此，通道状结构136被设计得与在按照图1-8的第一实施例中相比明显更窄。为此，两个栅电极133、134与通道状结构136平行地布置。在栅电极133、134上方设置第一绝缘层122。在该绝缘层122上存在第二栅电极装置118。在截面区域的该图示中，在第一绝缘层122上能看到第二栅电极装置118的栅电极138的电极指146。在截面内，从第二栅电极装置118的栅电极140能看到用于电极指148的连接158。在第二栅电极装置118上方设置第二绝缘层124，在该第二绝缘层上布置有第三栅电极装置120。在截面内，从第三栅电极装置120分别只能看到在电极指150、152之间的栅电极142、144的连接160、162。
55.与图13相对应地，在图14的截面内同样能看到第一栅电极装置116的通道状结构136，该通道状结构沿着整个电子器件110（参见图9）不发生变化地延伸。在图13中，第一栅电极装置116位于衬底132上。第一绝缘层122位于栅电极装置116的栅电极133、134上方。第二栅电极装置118位于第一绝缘层122上。在该图示的截面内，从第二栅电极装置118分别只能看到在电极指146、148之间的栅电极138、140的连接158或164。在第二栅电极装置118上方又设置第二绝缘层124，在该第二绝缘层上布置有第三栅电极装置120。在截面区域的该图示中，在第二绝缘层124上能看到第三栅电极装置120的栅电极142的电极指150。这里，从第三栅电极装置120的栅电极144只能看到连接162。
56.图15作为电子器件110的片段示出了放到通道状结构136之间的纵剖面。在电子器件110的衬底132中形成二维电子气（2deg）。在该截面图中，能看到第一栅电极装置116的栅电极133。栅电极133直接在衬底132的外表面131上纵向延伸，并且相对于第二栅电极装置118被第一绝缘层122隔开。
57.在截面内，从第二栅电极138、140能看到横向电极指146和148。第二栅电极装置118利用第二绝缘层124与第三栅电极装置120隔开。从第三栅电极装置120，也只能看到栅电极142、144的电极指150、152。在该截面内变得明显的是：电极指146、148、150、152如何交替轮换。通过向栅电极装置116、118、120适当地施加电压，产生势阱166。在该势阱166中捕获的量子点168可以被平移经过衬底。势阱166通过使用电压对电极指146、148、150、152的适当的操控来被纵向平移经过衬底，而量子点168不改变其量子力学特性。
58.栅电极装置116、118、120被加载电压，使得栅电极138、140和142、144的电极指146、148、150、152在电子器件110的衬底132中形成可移动的势阱166。通过适当地操控栅电极装置116、118、120，势阱166可以定向地沿着通道状结构136被引导经过衬底132。在当前
实施例中，第二或第三栅电极装置118、120的栅电极138、140和142、144被加载正弦形电压变化过程，该正弦形电压变化过程在栅电极138、140、142、144之间适当地有相移。被准困在该势阱166中的量子点168可以与该势阱166一起在一定距离内在由sige制成的衬底132的二维电子气中从一个量子位112被平移到另一量子位114，而没有经历量子力学状态变化。用虚线172来勾画出量子点168沿箭头方向170的移动。通过量子点168的小箭头174来象征性地示出量子力学状态。
59.应注意：替代诸如在先前实施例中的形成具有限定的量子力学状态的量子点68的电子，也可以将其中相对应地缺少电子的空穴视为量子点。
60.附图标记清单10
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电子器件12、14
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量子位16
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第一栅电极装置18
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第二栅电极装置20
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第三栅电极装置22
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第一绝缘层24
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第二绝缘层26、28、30
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电连接端31
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衬底的外表面32
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衬底（gaas）33、34
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栅电极（第1层）36
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通道状结构38、40
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栅电极（第2层）42、44
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栅电极（第3层）46、48
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电极指（第2层）50、52
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电极指（第3层）54、56
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平面（栅电极装置）58
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连接（第2层）60、62
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连接（第3层）64
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连接（第2层）66
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势阱68
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量子点（电子）70
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箭头方向72
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虚线（势阱）74
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箭头110
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电子器件112、114
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量子位116
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第一栅电极装置118
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第二栅电极装置120
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第三栅电极装置
122
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第一绝缘层124
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第二绝缘层126、128、130
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电连接端131
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衬底的外表面132
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衬底（sige）133、134
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栅电极（第1层）136
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通道状结构138、140
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栅电极（第2层）142、144
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栅电极（第3层）146、148
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电极指（第2层）150、152
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电极指（第3层）154、156
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平面（栅电极装置）158
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连接（第2层）160、162
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连接（第3层）164
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连接（第2层）166
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势阱168
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量子点（空穴）170
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箭头方向172
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虚线（势阱）174
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箭头。