有机装置及其制造方法、显示装置、光电转换装置、电子设备、照明装置和移动体与流程

1.本发明涉及有机装置及其制造方法、显示装置、光电转换装置、电子设备、照明装置和移动体。


背景技术：

2.已知诸如包括有机电致发光(下文中将被称为有机el)膜的发光装置的有机装置，所述有机装置包括有机功能层，有机功能层包含有机化合物。特开2017-107887号公报说明了一种具有如下配置的电光装置：当从有机el元件发射的光穿过滤色器时，对于b、g和r像素中的每一者均获得期望的发光色。在该电光装置中，对于b、g和r像素中的每一者，均在对向电极和起到反射层作用的电源线之间构造光学共振结构，从而在对应于b、g和r发光色中的每一者的共振波长下获得亮度增强的光发射。
3.在特开2017-107887号公报说明的电光装置中，像素的端结构在不同色的像素之间大不相同。因此，在专利文献1所述的电光装置中，相邻像素之间的漏电流可能取决于相邻像素的颜色的组合而大不相同。这对于例如抑制由混色引起的画质劣化是不利的。


技术实现要素：

4.本发明提供了一种有利于抑制由像素之间的漏电流引起的图像品质劣化的技术。
5.本发明的一个方面提供了一种有机装置，其包括配置在基板上的反射膜、被构造为覆盖所述反射膜的第一绝缘膜、配置在所述第一绝缘膜上的多个下部电极、被构造为覆盖所述多个下部电极中的每一者的周边部和所述多个下部电极之间的所述第一绝缘膜的第二绝缘膜、被构造为覆盖所述多个下部电极和所述第二绝缘膜的有机功能膜以及配置在所述有机功能膜上的上部电极，其中，所述反射膜包括第一像素所用的第一反射部以及第二像素所用的第二反射部，其中，满足t1》t2且δt1《δt2，其中t1代表配置在所述第一反射部的中央部上的所述第一绝缘膜的厚度，t2代表配置在所述第二反射部的中央部上的所述第一绝缘膜的厚度，δt1代表在所述第一反射部上的所述第一绝缘膜的表面上的台阶，并且δt2代表在所述第二反射部上的所述第一绝缘膜的表面上的台阶。
6.根据以下结合附图的说明，本发明的其它特征和优点将显而易见。注意，在所有附图中，相同的附图标记表示相同或相似的部件。
附图说明
7.包含在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施方式，并且与说明一起用于解释本发明的原理。
8.图1是示出根据第一实施方式的有机装置的截面结构的示意图；
9.图2是示出根据第一实施方式的变形例的有机装置的截面结构的示意图；
10.图3a是示出根据第一实施方式的有机装置的制造方法的图；
11.图3b是示出根据第一实施方式的有机装置的制造方法的图；
12.图3c是示出根据第一实施方式的有机装置的制造方法的图；
13.图3d是示出根据第一实施方式的有机装置的制造方法的图；
14.图3e是示出根据第一实施方式的有机装置的制造方法的图；
15.图3f是示出根据第一实施方式的有机装置的制造方法的图；
16.图3g是示出根据第一实施方式的有机装置的制造方法的图；
17.图3h是示出根据第一实施方式的有机装置的制造方法的图；
18.图4是示出根据第二实施方式的有机装置的截面结构的示意图；
19.图5a是示出根据第二实施方式的有机装置的制造方法的图；
20.图5b是示出根据第二实施方式的有机装置的制造方法的图；
21.图5c是示出根据第二实施方式的有机装置的制造方法的图；
22.图5d是示出根据第二实施方式的有机装置的制造方法的图；
23.图5e是示出根据第二实施方式的有机装置的制造方法的图；
24.图5f是示出根据第二实施方式的有机装置的制造方法的图；
25.图5g是示出根据第二实施方式的有机装置的制造方法的图；
26.图5h是示出根据第二实施方式的有机装置的制造方法的图；
27.图5i是示出根据第二实施方式的有机装置的制造方法的图；
28.图6是示意性示出根据第三实施方式的有机装置的平面图的图；
29.图7a是示意性示出根据第三实施方式的有机装置的截面结构的图；
30.图7b是示意性示出根据第三实施方式的有机装置的截面结构的图；
31.图8是示意性示出根据第四实施方式的有机装置的平面图的图；
32.图9a是示意性示出根据第四实施方式的有机装置的截面结构的图；
33.图9b是示意性示出根据第四实施方式的有机装置的截面结构的图；
34.图10是示意性示出根据第五实施方式的有机装置的截面结构的图；
35.图11是示出显示装置的示例的示意图；
36.图12a是示出显示装置的示例的示意图；
37.图12b是示出显示装置的示例的示意图；
38.图13a是示出显示装置的示例的示意图；
39.图13b是示出显示装置的示例的示意图；
40.图14a是示出照明装置的示例的示意图；
41.图14b是示出移动体的示例的示意图；
42.图15a是示出显示摄像装置的图；
43.图15b是示出显示摄像装置的图；和
44.图15c是示出显示摄像装置的图。
具体实施方式
45.在下文中，将参照附图详细说明实施方式。注意，以下实施方式并非旨在限制要求保护的发明的范围。在实施方式中说明了多个特征，但不限制需要所有这些特征的发明，并且可以适当地组合多个这种特征。此外，在附图中，相同的附图标记表示相同或相似的构
造，并且省略其重复说明。
46.图1示意性地示出了根据第一实施方式的有机装置1的截面结构。图2示意性地示出了根据第一实施方式的变形例的有机装置1的截面结构。有机装置1包括第一像素201r、第二像素201g和第三像素201b。第一像素201r、第二像素201g和第三像素201b是在(后述)光学调整膜114的结构方面彼此不同的像素。第一像素201r、第二像素201g和第三像素201b是在从有机装置1向外发射的光的颜色方面彼此不同的像素。第一像素201r发射红色(r)的光，第二像素201g发射绿色(g)的光，第三像素201b发射蓝色(b)的光。有机装置1可以包括多个第一像素201r、多个第二像素201g和多个第三像素201b。如图6示意性所示，如果排列第一像素201r、第二像素201g及第三像素201b，则图1或图2所示的截面结构可以对应于沿着图6中的线c-c'截取的截面。在图6中，r、g及b分别对应于第一像素201r、第二像素201g及第三像素201b。
47.有机装置1可包括诸如半导体基板101的基板。在半导体基板101上，可以配置元件隔离区域102(例如，sti)和用于驱动发光元件(有机el元件)的mos晶体管。mos晶体管可包含栅电极103及源/漏区域104。第一层间绝缘膜105可以配置在半导体基板101上，并且第一布线层107可以配置在第一层间绝缘膜105上。栅电极103和源/漏区域104可以经由第一导电塞106电连接到第一布线层107的一个第一布线图案。第一层间绝缘膜105可以是例如通过热cvd方法形成的bpsg膜或通过等离子体cvd方法形成的sio2膜。第一布线层107的第一布线层图案可以是例如包括诸如ti/tin的阻挡金属的alcu膜。第一导电塞106可以是例如包括诸如ti/tin的阻挡金属的w塞。
48.第二层间绝缘膜108可以配置在第一布线层107上，并且多个反射部110可以配置在第二层间绝缘膜108上。第一布线层107的第一布线图案以及与其对应的反射部110可经由第二导电塞109电连接。第二层间绝缘膜108可以是例如通过等离子体cvd方法形成的sio2。多个反射部110仅需要由反射材料制成。多个反射部110的材料优选地是诸如al、ag或pt的高反射率材料，或者可以是包含这种材料的合金。al或包含al作为主要成分的合金是特别优选的，这是因为其容易提高分辨率。另外，反射部110可以具有堆叠结构，并且可以是alcu膜，alcu膜在该膜和第二层间绝缘膜108之间包括诸如ti/tin的阻挡金属。第二导电塞109可以是例如包括诸如ti/tin的阻挡金属的w膜。多个反射部110可以配置在布线层中。
49.可以配置光学调整膜114以覆盖多个反射部110。光学调整膜114可以包括第一膜111、配置(堆叠)在第一膜111上的第二膜112以及配置(堆叠)在第二膜112上的第三膜113。光学调整膜114可以包括由第一膜111、第二膜112及第三膜113的堆叠膜形成的部分、由第二膜112和第三膜113的堆叠膜形成的部分以及由第三膜113的单层膜形成的部分。光学调整膜114或第一膜111、第二膜112和第三膜113是透光性绝缘膜，并且可以例如由sio2膜、sin膜、sion膜等形成。在第一膜111和第二膜112两者都存在的区域中，第二膜112配置在第一膜111上。在第一膜111、第二膜112和第三膜113全部存在的区域中，第三膜113配置在第二膜112上，并且第二膜112配置在第一膜111上。
50.在第一实施方式中，第一像素201r包括在第一像素201r所用的反射部110上的光学调整膜114r，并且光学调整膜114r由第一膜111、第二膜112和第三膜113的堆叠膜形成。光学调整膜114r在第一像素201r所用的反射部110的周边部中包括由第一膜111、第二膜112及第三膜113的堆叠膜形成的部分。另外，光学调整膜114r在第一像素201r所用的反射
部110的中央部中包括由第一膜111、第二膜112及第三膜113的堆叠膜形成的部分。第一像素201r所用的反射部110的中央部中的光学调整膜114r的厚度由tr代表。第一像素201r的光学调整膜114r在其表面(上表面)上包括台阶δtr。在该示例中，台阶δtr可以是0。也就是说，台阶tr为0以上。在图1或图2所示的示例中，台阶δtr为0并且未示出。注意，位于反射部110的中央部中的光学调整膜114r的厚度与位于反射部110的周边部中的光学调整膜114r的厚度优选地大致彼此相等。在本说明书中，如果d代表从构件的重心到端部的距离，则给定构件的中央部(例如，反射部或下部电极)表示在平面视图(平面图)中距构件的重心d/3的范围内的部分。构件的周边部表示从构件的端部朝向构件的重心在d/8范围内的部分。
51.在第一实施方式中，第二像素201g包括光学调整膜114g。光学调整膜114g在第二像素201g所用的反射部110的周边部中包括由第一膜111、第二膜112及第三膜113的堆叠膜形成的部分。另外，光学调整膜114g在第二像素201g所用的反射部110的中央部中包括由第二膜112和第三膜113的堆叠膜形成的部分。第二像素201g所用的反射部110的中央部中的光学调整膜114g的厚度由tg代表。第二像素201g的光学调整膜114g由于周边部与中央部之间的厚度差而在其表面(上表面)上包括台阶δtg。在该示例中，台阶δtg大于0。注意，位于反射部110的中央部中的光学调整膜114g的膜厚优选地小于位于反射部110的周边部中的光学调整膜114g的膜厚。
52.在第一实施方式中，第三像素201b包括光学调整膜114b。光学调整膜114b在第三像素201b所用的反射部110的周边部中包括由第一膜111、第二膜112及第三膜113的堆叠膜形成的部分。另外，光学调整膜114b在第三像素201b所用的反射部110的中央部中包括由第三膜113的单层膜形成的部分。第三像素201b所用的反射部110的中央部中的光学调整膜114b的厚度由tb代表。第三像素201b的光学调整膜114b由于周边部与中央部之间的厚度差而在其表面(上表面)上包括台阶δtb。在该示例中，台阶δtb大于0。注意，位于反射部110的中央部中的光学调整膜114b的膜厚优选地小于位于反射部110的周边部中的光学调整膜114b的膜厚。
53.在该示例中，优选地满足tr》tg和δtr《δtg。这意味着，第一像素201r所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114r的厚度与第二像素201g所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114g的厚度之间的差减小。这表示该配置可以使第一像素201r和另一像素(第二像素201g或第三像素201b)之间的漏电流的大小与第二像素201g和另一像素(第一像素201r或第三像素201b)之间的漏电流的大小之间的差减小。因此，该配置有利于使第一像素201r和其它像素之间的漏电流以及第二像素201g和其它像素之间的漏电流小于预定值。结果，该配置有利于使像素之间的漏电流小于预定值。另外，该配置有利于使下部电极115和上部电极120之间的漏电流在第一像素201r和第二像素201g之间均匀，并且对于抑制由混色引起的画质劣化是有效的。第一像素201r所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114r的厚度与第二像素201g所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114g的至少一部分的厚度特别优选地大致彼此相等。
54.或者，优选地满足tg》tb和δtg《δtb。这意味着第二像素201g所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114g的厚度和第三像素201b所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114b的厚度之间的差减小。这表示该配置可以使第二像素201g和另一像素(第一像素
201r或第三像素201b)之间的漏电流的大小与第三像素201b和另一像素(第一像素201r或第二像素201g)之间的漏电流的大小之间的差减小。因此，该配置有利于使第二像素201g和其它像素之间的漏电流以及第三像素201b和其它像素之间的漏电流小于预定值。结果，该配置有利于使像素之间的漏电流小于预定值。另外，该配置有利于使下部电极115与上部电极120之间的漏电流在第二像素201g和第三像素201b之间均匀，并且对于抑制由混色引起的画质劣化是有效的。第二像素201g所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114g的厚度与第二像素201b所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114b的至少一部分的厚度特别优选地大致彼此相等。
55.此外，优选地满足tr》tg》tb和δtr《δtg《δtb。这意味着，第一像素201r、第二像素201g和第三像素201b所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114r、114g和114b之间的厚度差减小。这表示该配置可以减小第一像素201r、第二像素201g和第三像素201b之间的漏电流的大小的差异。因此，该配置有利于使像素之间的漏电流小于预定值。另外，该配置有利于使下部电极115与上部电极120之间的漏电流在第一像素201r、第二像素201g及第三像素201b之间均匀，并且对于抑制由混色引起的画质劣化是有效的。第一像素201r、第二像素201g及第三像素201b所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114r、114g及114b的至少一部分的厚度特别优选地大致彼此相等。另外，第一像素201r、第二像素201g及第三像素201b所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114r、114g及114b的厚度与位于第一像素201r所用的反射部110的中央部中的光学调整膜114r的至少一部分的厚度特别优选地大致彼此相等。
56.在光学调整膜114(114r、114g和114b)上可以配置多个下部电极115。多个下部电极115可以由透明材料制成，例如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。在图1所示的第一实施方式中，每个下部电极115均延伸到形成在光学调整膜114中的开口116(接触孔)，并且在开口116中电连接到配置在下部电极115下方的反射部110的周边部。在图2所示的变形例中，每个下部电极115均通过穿过光学调整膜114的塞117电连接到配置在下部电极115下方的反射部110的周边部。塞117可以是例如包括诸如ti/tin的阻挡金属的w塞。
57.有机装置1还可以包括覆盖多个下部电极115中的每一者的周边部和多个下部电极115之间的光学调整膜114的绝缘膜118。每个下部电极115均可以包括中央部和包围中央部的周边部，中央部和周边部可以具有不同的厚度，并且中央部的厚度可以小于周边部的厚度。下部电极115的周边部可以是覆盖有绝缘膜118的区域。每个下部电极115均可以具有沿着光学调整膜114的台阶。光学调整膜114的台阶可以包括相对于基板倾斜的部分。绝缘膜118可以例如是通过等离子体cvd方法形成的sio2膜。绝缘膜118被配置为使多个下部电极115彼此电绝缘。
58.在绝缘膜118上可以配置有机功能膜119。有机功能膜119至少包括有机发光材料层，并且还可以包括例如电荷传输层和电荷阻挡层。有机功能膜119可以连续地配置在第一像素201r和第二像素202g中。术语“有机功能膜连续地配置”可以表示有机功能膜被连接、有机功能膜被配置在像素上，或者第一像素和第二像素共有一个有机功能膜。除了第一像素和第二像素之外，有机功能膜119还可以连续地配置在第三像素203b中。在有机功能膜119上可以配置上部电极120。上部电极120可以由透明材料制成，以便没有阻挡地透过由有机功能膜119产生的光。上部电极120可以由例如金、铂、银、铝、铬、镁或它们的合金的薄膜
形成。在上部电极120上可以配置密封膜121。密封膜121是用于防止水渗透到半导体基板101、有机功能膜119和上部电极120中的膜，并且通过例如由等离子体cvd方法形成的sin膜形成。在密封膜121上可以配置滤色器层122。滤色器层122可以包括第一像素201r的滤色器122r、第二像素201g的滤色器122g和第三像素201b的滤色器123b。可以在滤色器层122上侧或下侧设置微透镜(未示出)。微透镜可以旨在提高发光效率。
59.形成在半导体基板101上的mos晶体管向每个下部电极115发送电信号，并且有机功能膜119产生光。从有机功能膜119发射到半导体基板101的光被反射部110反射。从有机功能膜119发射到上部电极120的光和被反射部110反射的光通过在与每个像素201r、201g和201b所用的反射部110的中央部中的光学调整膜114的厚度tr、tg或tb对应的波长下共振而被放大。如此放大的光通过滤色器122r、122g或122b出射。
60.考虑到光的放大效果，确定像素201r、201g和201b所用的反射部110的中央部中的光学调整膜114的厚度tr、tg和tb。另一方面，可以以使得像素之间的漏电流小于预定值的方式确定台阶δtr、δtg和δtb。例如，可以以使得像素201r、201g和201b所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114的厚度彼此相等的方式确定台阶δtr、δtg和δtb。
61.期望的是，tr、tg和tb可以用t1、t2和t3代替，δtr、δtg和δtb可以用δt1、δt2和δt3代替，并且满足t1》t2》t3和δt1《δt2《δt3。或者，期望的是，tr和tg可以用t1和t2代替，δtr和δtg可以用δt1和δt2代替，并且满足t1》t2和δt1《δt2。或者，期望的是，tg和tb可以用t1和t2代替，δtg和δtb可以用δt1和δt2代替，并且满足t1》t2和δt1《δt2。本实施方式已经说明了红色、绿色和蓝色发光像素所用的反射部110的中央部中的光学调整膜114的厚度tr、tg和tb具有tr》tg》tb的关系并且台阶δtr、δtg和δtb具有δtr《δtg《δtb的关系的情况。然而，取决于发光色的大小关系不限于此。例如，以下关系是可能的。
62.关系a：tr》tb》tg，δtr《δtb《δtg
63.关系b：tg》tr》tb，δtg《δtr《δtb
64.关系c：tg》tb》tr，δtg《δtb《δtr
65.关系d：tb》tr》tg，δtb《δtr《δtg
66.关系e：tb》tg》tr，δtb《δtg《δtr
67.下面将参考图3a至图3h说明根据第一实施方式的有机装置1的制造方法。注意，将省略直到形成导电塞109的步骤的说明。在图3a所示的步骤中，例如，通过溅射方法在其中形成导电塞109的第二层间绝缘膜108上形成alcu膜(例如，添加有0.5(atm％)的cu的al膜)。之后，可以通过光刻步骤和干蚀刻步骤对alcu膜进行图案化，从而形成多个反射部110。接着，在图3b所示的步骤中，例如，通过等离子体cvd方法形成由sio2膜形成的第一膜111a。之后，在图3c所示的步骤中，例如，通过光刻步骤和干蚀刻步骤去除第一膜111a的位于第二像素201g的反射部110的中央部上的一部分，从而形成第一膜111b。接着，在图3d所示的步骤中，例如，通过等离子体cvd方法形成由sio2膜形成的第二膜112a。接着，在图3e所示的步骤中，通过光刻步骤和干蚀刻步骤使第一膜11b和第二膜112a的位于第三像素201b的反射部110的中央部上的部分开口。由此形成第一膜111及第二膜112。
68.接着，在图3f所示的步骤中，例如，通过等离子体cvd方法形成由sio2膜形成的第三膜113，从而形成由第一膜111、第二膜112和第三膜113形成的光学调整膜114。光学调整膜114包括第一像素201r所用的第一光学调整膜114r、第二像素201g所用的第二光学调整
膜114g以及第三像素201b所用的第三光学调整膜114b。第一光学调整膜114r具有厚度tr和台阶δtr，第二光学调整膜114g具有厚度tg和台阶δtg，第三光学调整膜114b具有厚度tb和台阶δtb。图3a至图3h所示的方法可以容易、精确地控制第一像素201r、第二像素201g及第三像素201b所用的反射部110的中央部中的光学调整膜114r、114g及114b的厚度。在该示例中，由于可以精确地控制光学调整膜114的厚度，所以可以精确地控制发光像素的诸如发光效率和色度等的光学特性。与该方法不同，还提供了一种通过蚀刻时间来控制第一像素201r、第二像素201g和第三像素201b所用的反射部110的中央部中的光学调整膜114r、114g和114b的厚度的方法。然而，在通过蚀刻时间控制厚度的方法中，难以精确地控制厚度。
69.在图3g所示的步骤中，通过光刻步骤和干蚀刻步骤在光学调整膜114中形成开口116(接触孔)。之后，例如，通过溅射方法形成诸如ito膜或izo膜的电极膜，并通过光刻步骤和干蚀刻步骤进行图案化，从而形成多个下部电极115。在该制造方法中，可以将用于形成开口116及下部电极115的光致抗蚀剂图案的边缘配置在像素201r、201g及201b之间的高度差小的区域(像素的周边部)中。因此，可以减少像素201r、201g及201b之间的开口116及下部电极115的加工误差。每个下部电极115的端部的至少一部分特别优选地配置成在平面图中叠置在每个像素的反射部110的周边部上。
70.接着，在图3h所示的步骤中，例如，通过等离子体cvd方法形成sio2膜，以便覆盖多个下部电极115中的每一者的周边部和多个下部电极115之间的光学调整膜114。之后，通过光刻步骤和干蚀刻步骤对sio2膜进行图案化，从而形成绝缘膜118。关于绝缘膜118，也可以减少像素201r、201g及201b之间的加工误差。
71.尽管未示出，例如，通过真空沉积方法使用沉积掩模顺序地形成有机功能膜119和上部电极120，然后，例如，通过cvd方法形成密封膜121。之后，可以通过光刻方法形成滤色器层122。另外，可以在滤色器层的上侧或下侧形成微透镜以提高发光效率。
72.图4示意性地示出了根据第二实施方式的有机装置1的截面结构。未作为第二实施方式提及的事项可以参照第一实施方式。在第二实施方式中，多个反射部301而不是第一实施方式中的多个反射部110配置在第二层间绝缘膜108上。防反射电极302配置在每个反射部301上以与其接触。每个反射部301和每个防反射电极302彼此电连接。每个反射部301均可以由例如包括诸如ti/tin的阻挡金属的alcu膜形成。每个防反射电极302均可以由包括tin、ti、w、co、ta和tan中的至少一者的层形成，并且还可以具有它们的堆叠结构。防反射电极302的膜厚优选地为约1至200nm。每个防反射电极均可以通过例如已知技术(诸如溅射方法或沉积方法)形成。
73.光学调整膜306可以配置成覆盖多个反射部301和多个防反射电极302。光学调整膜306可以包括由第一膜303、第二膜304和第三膜305的堆叠膜形成的部分、由第二膜304和第三膜305的堆叠膜形成的部分以及由第三膜305的单层膜形成的部分。光学调整膜306或第一膜303、第二膜304及第三膜305可以例如由sio2膜形成。通过在第一像素201r、第二像素201g和第三像素201b的反射部301上的层间绝缘膜材料和防反射电极材料的一部分中形成开口，形成不同膜厚的光学调整膜306r、306g和306b。如果tr、tg和tb代表膜厚，并且δtr、δtg和δtb代表由开口形成的台阶膜厚，则膜厚和台阶分别具有tr》tg》tb和δtr《δtg《δtr的膜厚关系。形成每个防反射电极302的构件优选地存在于反射部301的周边部的至少一部分中，并且更优选地形成为包围反射部301。每个反射部的厚度在中央部和周边部之
间可以不同，并且中央部的厚度可以小于周边部的厚度。
74.下部电极307配置在光学调整膜306上。每个下部电极307均期望地由透明材料制成，并且使用氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)形成。在光学调整膜306中形成开口308，并且每个防反射电极302和每个下部电极307均在开口308中电连接。如果每个反射部301均由alcu制成并且每个下部电极307均由含氧材料制成，则当每个反射部301和每个下部电极307彼此直接接触时，形成氧化铝，这可能导致导电故障。为了应对该问题，通过经由由难以与氧反应的tin等制成的防反射电极302电连接每个反射部301和每个下部电极307，可以防止导电故障的发生。与第一实施方式类似，绝缘膜118、有机功能膜119、上部电极120、密封膜121和滤色器122可以配置在下部电极307上。
75.在第二实施方式中，第一像素201r包括在反射部301上的光学调整膜306r，并且光学调整膜306r可以由第一膜303、第二膜304和第三膜305的堆叠膜形成。光学调整膜306r在第一像素201r所用的反射部301的周边部中包括由第一膜303、第二膜304及第三膜305的堆叠膜形成的部分。光学调整膜306r在第一像素201r所用的反射部301的中央部中包括由第一膜303、第二膜304及第三膜305的堆叠膜形成的部分。第一像素201r所用的反射部301的中央部中的光学调整膜306r的厚度由tr代表。第一像素201r的光学调整膜306r在其表面(上表面)上包括台阶δtr。在该示例中，台阶δtr大于0。另外，第一像素201r的反射部301的中央部的上表面与防反射电极302的上表面之间的台阶优选地大致等于台阶δtr。
76.在第二实施方式中，第二像素201g包括光学调整膜306g。光学调整膜306g在第二像素201g所用的反射部301的周边部中包括由第一膜303、第二膜304及第三膜305的堆叠膜形成的部分。光学调整膜306g在第二像素201g所用的反射部301的中央部中包括由第二膜112和第三膜113的堆叠膜形成的部分。第二像素201g所用的反射部301的中央部中的光学调整膜306g的厚度由tg代表。第二像素201g的光学调整膜306g由于周边部和中央部之间的厚度差以及防反射电极的厚度而在其表面(上表面)上包括台阶δtg。在该示例中，台阶δtg大于0。
77.在第二实施方式中，第三像素201b包括光学调整膜306b。光学调整膜306b在第三像素201b所用的反射部301的周边部中包括由第一膜303、第二膜304及第三膜305的堆叠膜形成的部分。光学调整膜306b在第三像素201b所用的反射部301的中央部中包括由第三膜305的单层膜形成的部分。第三像素201b所用的反射部301的中央部中的光学调整膜306b的厚度由tb代表。第三像素201b的光学调整膜306b由于周边部和中央部之间的厚度差以及防反射电极的厚度而在其表面(上表面)包括台阶δtb。在该示例中，台阶δtb大于0。
78.在该示例中，优选地满足tr》tg和δtr《δtg。这意味着，第一像素201r所用的反射部301的周边部中的光学调整膜306r的厚度与第二像素201g所用的反射部301的周边部中的光学调整膜306g的厚度之间的差减小。这表示该配置可以使第一像素201r和另一像素(第二像素201g或第三像素201b)之间的漏电流的大小与第二像素201g和另一像素(第一像素201r或第三像素201b)之间的漏电流的大小之间的差减小。因此，该配置有利于使第一像素201r和其它像素之间的漏电流以及第二像素201g和其它像素之间的漏电流小于预定值。结果，该配置有利于使像素之间的漏电流小于预定值。另外，该配置有利于使下部电极307和上部电极120之间的漏电流在第一像素201r和第二像素201g之间均匀，并且对于抑制由混色引起的画质劣化是有效的。第一像素201r所用的反射部301的周边部中的光学调整膜
306r的厚度与第二像素201g所用的反射部301的周边部中的光学调整膜306g的至少一部分的厚度特别优选地大致彼此相等。
79.或者，优选地满足tg》tb和δtg《δtb。这意味着第二像素201g所用的反射部301的周边部中的光学调整膜306g的厚度和第三像素201b所用的反射部301的周边部中的光学调整膜306b的厚度之间的差减小。这表示该配置可以使第二像素201g和另一像素(第一像素201r或第三像素201b)之间的漏电流的大小与第三像素201b和另一像素(第一像素201r或第二像素201g)之间的漏电流的大小之间的差减小。因此，该配置有利于使第二像素201g和其它像素之间的漏电流以及第三像素201b和其它像素之间的漏电流小于预定值。结果，该配置有利于使像素之间的漏电流小于预定值。另外，该配置有利于使下部电极307与上部电极120之间的漏电流在第二像素201g和第三像素201b之间均匀，并且对于抑制由混色引起的画质劣化是有效的。第一像素201g所用的反射部301的周边部中的光学调整膜306g的厚度与第二像素201b所用的反射部301的周边部中的光学调整膜306b的至少一部分的厚度特别优选地大致彼此相等。
80.此外，优选地满足tr》tg》tb和δtr《δtg《δtb。这意味着，第一像素201r、第二像素201g和第三像素201b所用的反射部110的周边部中的光学调整膜306r、306g和306b之间的厚度差减小。这表示该配置可以减小第一像素201r、第二像素201g和第三像素201b之间的漏电流的大小的差异。因此，该配置有利于使像素之间的漏电流小于预定值。另外，该配置有利于使下部电极307与上部电极120之间的漏电流在第一像素201r、第二像素201g及第三像素201b之间均匀，并且对于抑制由混色引起的画质劣化是有效的。第一像素201r、第二像素201g及第三像素201b所用的反射部301的周边部中的光学调整膜306r、306g及306b的至少一部分的厚度特别优选地大致彼此相等。另外，第一像素201r、第二像素201g及第三像素201b所用的反射部110的周边部中的光学调整膜114r、114g及114b的厚度与位于第一像素201r所用的反射部110的中央部中的光学调整膜114r的至少一部分的厚度特别优选地大致彼此相等。
81.本实施方式已经说明了红色、绿色和蓝色发光像素所用的反射部301的中央部中的光学调整膜306的厚度tr、tg和tb具有tr》tg》tb的关系并且台阶δtr、δtg和δtb具有δtr《δtg《δtb的关系的情况。然而，取决于发光色的大小关系不限于此。例如，以下关系是可能的。
82.关系a：tr》tb》tg，δtr《δtb《δtg
83.关系b：tg》tr》tb，δtg《δtr《δtb
84.关系c：tg》tb》tr，δtg《δtb《δtr
85.关系d：tb》tr》tg，δtb《δtr《δtg
86.关系e：tb》tg》tr，δtb《δtg《δtr
87.下面将参考图5a至图5i说明根据第二实施方式的有机装置1的制造方法。注意，将省略直到形成导电塞109的步骤的说明。在图5a所示的步骤中，例如，通过溅射方法在其中形成有导电塞109的第二层间绝缘膜108上形成alcu膜(例如，添加有0.5(atm％)的cu的al膜)和tin膜(防反射膜)。然后，可以通过光刻步骤和干蚀刻步骤对alcu膜和tin膜的堆叠膜进行图案化，从而形成均由反射部301和防反射电极302a的堆叠膜形成的多个堆叠体。此时，在光刻步骤中的曝光步骤中，当防反射电极302a抑制来自alcu膜的反射波时，可以形成
微细的反射部301。
88.接着，在图5b所示的步骤中，通过光刻步骤和干蚀刻步骤去除每个第一像素201r的反射部301的中央部中的防反射电极302a，形成多个防反射电极302b。接着，在图5c所示的步骤中，例如，通过等离子体cvd方法形成由sio2膜形成的第一膜303a。接着，在图5d所示的步骤中，通过光刻步骤和干蚀刻步骤去除第一膜303a和防反射电极302a的位于第二像素201g的反射部301的中央部的部分。由此形成防反射电极302c和第一膜303b。
89.接着，在图5e所示的步骤中，例如，通过等离子体cvd方法形成由sio2膜形成的第二膜304a。接着，在图5f所示的步骤中，通过光刻步骤和干蚀刻步骤去除防反射电极302、第一膜303b和第二膜304a的位于第三像素201b的反射部301的中央部的部分。由此形成防反射电极302、第一膜303和第二膜304。接着，在图5g所示的步骤中，例如，通过等离子体cvd方法形成由sio2膜形成的第三膜305，从而形成由第一膜303、第二膜304和第三膜305形成的光学调整膜306。
90.光学调整膜306包括第一像素201r所用的第一光学调整膜306r、第二像素201g所用的第二光学调整膜306g以及第三像素201b所用的第三光学调整膜306b。第一光学调整膜306r具有厚度tr和台阶δtr，第二光学调整膜306g具有厚度tg和台阶δtg，第三光学调整膜306b具有厚度tb和台阶δtb。图5a至图5i所示的方法可以容易、精确地控制第一像素201r、第二像素201g及第三像素201b所用的反射部110的中央部中的光学调整膜306r、306g及306b的厚度。在该示例中，由于可以精确地控制光学调整膜114的厚度，所以可以精确地控制发光像素的诸如发光效率和色度等的光学特性。与该方法不同，还提供了一种通过蚀刻时间来控制第一像素201r、第二像素201g和第三像素201b所用的反射部110的中央部中的光学调整膜306r、306g和306b的厚度的方法。然而，在通过蚀刻时间控制厚度的方法中，难以精确地控制厚度。
91.接着，在图5h所示的步骤中，通过光刻步骤和干蚀刻步骤在光学调整膜114中形成开口308(接触孔)。之后，例如，通过溅射方法形成诸如ito膜或izo膜的电极膜，并通过光刻步骤和干蚀刻步骤进行图案化，从而形成多个下部电极307。在该制造方法中，可以将用于形成开口308及下部电极307的光致抗蚀剂图案的边缘配置在像素201r、201g及201b之间的高度差小的区域(像素的周边部)中。因此，可以减少像素201r、201g及201b之间的开口308及下部电极307的加工误差。每个下部电极307的端部的至少一部分特别优选地配置成在平面图中叠置在每个像素的反射部110的周边部中的防反射电极302上。
92.接着，在图5i所示的步骤中，例如，通过等离子体cvd方法形成sio2膜，以便覆盖多个下部电极307中的每一者的周边部和多个下部电极307之间的光学调整膜306。之后，通过光刻步骤和干蚀刻步骤对sio2膜进行图案化，从而形成绝缘膜118。关于绝缘膜118，也可以减少像素201r、201g及201b之间的加工误差。接着，尽管未示出，例如，通过真空沉积方法使用沉积掩模顺序地形成有机功能膜119和上部电极120。之后，例如，通过cvd方法形成密封膜121，然后，可以通过光刻方法形成滤色器层122。另外，可以在滤色器层的上侧或下侧形成微透镜。
93.图6示意性地示出了根据第三实施方式的有机装置的平面图。图7a示意性地示出了沿着图6中的线a-a'截取的截面结构。图7b示意性地示出了沿着图6中的线b-b'截取的截面结构。未作为第三实施方式提及的事项可以参照第一或第二实施方式。在第三实施方式
中，包括反射膜402和布线图案401的第三布线层配置在第二层间绝缘膜108上。第一像素201r、第二像素201b及第三像素201b中的每一者均包括下部电极403。每个下部电极403均可以具有例如六边形形状，但是可以具有另一多边形形状或除多边形之外的形状。配置有反射膜402和布线图案401的第三布线层是用于电连接下部电极403和下部布线层(未示出)的布线层。反射膜402与布线图案401电绝缘。如图7b所示，反射膜402是为包括第一像素201r、第二像素201b及第三像素201b的多个像素共同设置的导体。反射膜402在像素之间不分开，并且在有机装置的像素阵列区域中的多个像素上展开。在该配置中，也可以认为反射膜402包括分别对应于多个下部电极403的多个反射部。还认为每个像素所用的反射部的中央部是与配置在反射部上的下部电极403的中央部重叠的部分，并且每个像素所用的反射部的周边部是与配置在该反射部上的下部电极403的周边部重叠的部分。
94.根据第一或第二实施方式的光学调整膜404配置在反射膜402和布线图案401上。下部电极403可以配置在光学调整膜404上。第三布线层的下部电极403和布线图案401可以在形成于光学调整膜404中的开口405中电连接。
95.在第三实施方式中，可以任意地设定反射膜402的电位。反射膜402的电位特别优选地以使得上部电极与反射膜402的之间电位差低于有机功能膜的发光阈值电压(有机功能膜工作的阈值电压)的方式设定。当反射膜402由于制造变化而电连接到给定像素的布线图案401时，布线图案401的电位变成等于反射膜402的电位。由于布线图案401的电位和下部电极403的电位彼此相等，如果反射膜402和上部电极之间的电位差被设定为等于或低于有机发光元件的发光阈值电压的值，则反射膜402和下部电极403电连接的像素不发光，因此不会发生大的像素缺陷。
96.图8是示出根据第四实施方式的第三布线层的平面配置的图。图9a示意性地示出了沿着图8中的线d-d'截取的截面结构。图9b示意性地示出了沿着图8中的线e-e'截取的截面结构。未作为第四实施方式提及的事项可以参照第一至第三实施方式。在第四实施方式中，包括反射膜504和布线图案503的第三布线层配置在第二层间绝缘膜108上。第一像素201r、第二像素201b及第三像素201b中的每一者均包括下部电极509。每个下部电极509均可以具有例如六边形形状，但是可以具有另一多边形形状或除多边形之外的形状。作为像素阵列，可以采用任意阵列，诸如条带阵列、德尔塔阵列、拜尔阵列或pentile阵列。特别地，因为圆形微透镜容易配置，所以德尔塔阵列是优选的。配置有反射膜504和布线图案503的第三布线层是用于电连接下部电极509和下部布线层的布线层。反射膜504和布线图案503通过去除第三布线层中的反射材料501上的导电材料502而电绝缘。如图9a所示，布线图案503具有导电材料502堆叠在反射材料501上的结构。反射材料501仅需要是反射性和导电性的，并且优选地例如是高反射率材料，诸如al、ag或pt。另外，反射材料501可以是包含这些材料的合金，并且具有堆叠结构。包含al的合金是特别优选的。导电材料502仅需要是导电性的，并且特别优选地是当其接触反射材料501和下部电极509时稳定的材料。另外，导电材料502优选地具有低反射率，并且特别优选地包含tin或ti。导电材料502的膜厚优选为约1nm至100nm。
97.如图9b所示，反射膜504是为包括第一像素201r、第二像素201b和第三像素201b的多个像素共同设置的导体，并且由反射材料501和导电材料502形成。反射膜504在像素之间不分开，并且在有机装置的像素阵列区域中的多个像素上展开。在该配置中，也可以认为反
射膜504包括分别对应于多个下部电极403的多个反射部。还认为每个像素所用的反射部的中央部是在平面图中与配置在反射部上的下部电极403的中央部重叠的部分，并且，每个像素所用的反射部的周边部是在平面图中与配置在反射部上的下部电极403的周边部重叠的部分。在反射膜504的反射部中，去除导电材料502以暴露反射材料501。在每个反射部的周边部的至少一部分中，设置导电材料502。在每个反射部的周边部中，导电材料502特别优选地设置为包围反射部的中央部。另外，导电材料502优选地设置在第一像素201r、第二像素201b及第三像素201b之间。通过使用反射率低于反射材料501的反射率的材料作为设置在每个反射部的周边部中的导电材料502，可以减少杂散光并提高对比度。
98.在反射膜504和布线图案503上配置根据第一至第三实施方式中的每一者的光学调整膜的光学调整膜508。多个下部电极509可以配置在光学调整膜508上。有机装置1还可以包括绝缘膜510，绝缘膜510覆盖多个下部电极509中的每一者的周边部以及多个下部电极509之间的光学调整膜508。绝缘膜510对应于第一实施方式中的绝缘膜118。下部电极509和第三布线层的布线图案503可以在形成于光学调整膜508中的开口511中电连接。由于配置在第三布线层中的反射膜504和多个布线图案503电绝缘，所以对应于多个布线图案的多个下部电极509可以电连接。
99.在第四实施方式中，可以任意地设定反射膜504的电位。反射膜504的电位特别优选地设定为使得反射膜504和上部电极之间的电位差等于或低于有机发光元件的发光阈值电压。当反射膜504由于制造变化而电连接到给定像素的布线图案503时，布线图案503的电位变为等于反射膜504的电位。如果反射膜504和上部电极之间的电位差被设定为等于或低于有机发光元件的发光阈值电压的值，则电连接到反射膜504的像素不发光，因此不会发生大的像素缺陷。
100.图10示意性地示出了根据第五实施方式的有机装置的截面图。没有作为第五实施方式提及的事项可以参照第一至第四实施方式。在第五实施方式中，在反射膜504和布线图案503之间设置间隙520。通过设置间隙520，可以提高形成在同一层中的反射膜504和布线图案503之间的绝缘性。特别地，如果反射膜504的电位不同于布线图案503的电位，则可以通过提高反射膜504和布线图案503之间的绝缘性来抑制反射膜504和布线图案503之间的漏电流的发生。间隙520特别优选地设置为包围布线图案的外周。优选地用真空或惰性气体填充间隙520。另外，如果反射膜被电隔离并且被设置用于每个像素，则优选地在各个像素所用的反射膜之间设置间隙520。间隙520可以通过任意方法形成。例如，可以通过将光学调整膜508蚀刻成凹槽形状来形成间隙520。作为另一种方法，可以通过蚀刻形成第三布线层的反射膜504或布线图案503并且通过相对各向同性生长的膜形成方法形成光学调整膜508来形成间隙502。此外，间隙502的上部优选地覆盖有绝缘膜，并且更优选地覆盖有光学调整膜508。
101.下面将说明以上实施方式的变形例。有机el元件(有机发光元件)可以具有阳极、有机化合物层(有机功能膜)和阴极配置在基板上的结构。可以在阴极上设置保护层、滤色器等。如果设置滤色器，则可以在保护层和滤色器之间设置平坦化层。平坦化层可以由丙烯酸树脂等制成。
102.石英、玻璃、硅晶片、树脂、金属等可以用作基板。此外，可以在基板上设置诸如晶体管、布线等的开关元件，并且其上可以设置绝缘层。绝缘层可以由任何材料制成，只要能
够形成接触孔以确保阳极2和布线之间的导通状态并且能够确保与未连接的布线绝缘。例如，能够使用诸如聚酰亚胺、氧化硅、氮化硅等的树脂。
103.一对电极能够用作电极。该对电极能够是阳极和阴极。当在有机发光元件发光的方向上施加电场时，具有高电位的电极为阳极，并且另一个为阴极。也能够说，向发光层提供空穴的电极是阳极，提供电子的电极是阴极。在该示例中，可以采用下部电极是阳极并且上部电极是阴极的配置或者下部电极是阴极并且上部电极是阳极的配置。下部电极和上部电极仅需要具有透光性，并且可以具有反射性和吸收性。
104.作为阳极的构成材料，优选使用具有尽可能大的功函数的材料。例如，能够使用诸如金、铂、银、铜、镍、钯、钴、硒、钒或钨的金属、含有它们中的一些的混合物或通过组合它们中的一些而获得的合金。此外，例如，能够使用诸如氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)或氧化铟锌的金属氧化物。此外，也能够使用诸如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩的导电性聚合物。
105.可以单独使用这些电极材料中的一种，或者可以组合使用它们中的两种以上。阳极可以由单层或多层形成。
106.当电极用作反射膜时，例如，可以使用铬、铝、银、钛、钨、钼、它们的合金、它们的堆叠层等。当电极用作透明电极时，可以使用由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌等制成的氧化物透明导电层，但是本发明不限于此。可以使用光刻技术来形成电极。
107.另一方面，作为阴极的构成材料，优选使用功函数小的材料。该材料的示例包括诸如锂的碱金属、诸如钙的碱土金属、诸如铝、钛、锰、银、铅或铬的金属、以及包含它们中的一些的混合物。或者，也能够使用通过组合这些金属而获得的合金。例如，能够使用镁-银合金、铝-锂合金、铝-镁合金、银-铜合金、锌-银合金等。也能够使用诸如氧化铟锡(ito)的金属氧化物。可以单独使用这些电极材料中的一种，也可以将它们中的两种以上组合使用。阴极可以具有单层结构或多层结构。其中，优选使用银。为了抑制银的凝集，更优选使用银合金。合金的比例没有限制，只要能够抑制银的凝集即可。例如，该比例可以是1:1。
108.形成阴极的方法没有特别限制，但是可以使用沉积加热方法、直流溅射方法或交流溅射方法。优选地使用直流溅射方法或交流溅射方法，这是因为提供了良好的膜覆盖且电阻容易降低。
109.可以在上部电极上设置保护层。例如，通过将设置有吸湿剂的玻璃附着在阴极上，能够抑制水等渗透到有机化合物层中，并且能够抑制显示不良的发生。此外，作为另一实施方式，可以在阴极上设置由氮化硅等制成的钝化膜以抑制水等渗透到有机el层中。例如，能够如下地形成保护层：形成阴极、在不破坏真空的情况下将其转移到另一个腔并且通过cvd法形成厚度为2μm的氮化硅膜。可以在使用cvd法形成膜之后使用原子沉积法(ald法)来设置保护层。。
110.可以在保护层上设置滤色器。例如，考虑了有机发光元件的尺寸的滤色器可以设置在另一基板上，并且该基板可以接合到其上设置有有机发光元件的基板。或者，可以使用光刻技术在上述保护层上图案化滤色器。该滤色器能够由聚合物材料形成。另外，可以在滤色器层的上侧或下侧形成微透镜。
111.可以在滤色器和保护层之间设置平坦化层。平坦化层能够由有机化合物形成，并且能够由低分子材料或聚合物材料制成。然而，更优选聚合物材料。
112.平坦化层可以设置在滤色器的上方和下方，并且它们可以使用相同或不同的材
料。更具体地，材料的示例包括聚乙烯咔唑树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、abs树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂、硅树脂和尿素树脂。
113.能够在平坦化层上设置对向基板。对向基板被称为对向基板是因为其设置在与上述基板相对应的位置处。对向基板的构成材料能够与上述基板相同。
114.形成根据本发明的实施方式的有机发光元件的有机化合物层(空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等)通过下述方法形成。
115.形成根据本发明的实施方式的有机发光元件的有机化合物层能够通过使用真空沉积法、电离沉积法、溅射法、等离子体法等的干法工艺形成。代替干法工艺，能够使用通过将溶质溶解在适当的溶剂中并使用公知的涂布方法(例如，旋涂法、浸渍法、浇铸法、lb法、喷射法等)形成层的湿法工艺。
116.这里，当通过真空沉积法、溶液涂布法等形成层时，几乎不发生结晶等并且获得了优异的时间稳定性。此外，当使用涂布法形成层时，可以与适当的粘合剂树脂组合形成膜。
117.粘合剂树脂的示例包括聚乙烯咔唑树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、abs树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂、硅树脂和尿素树脂。然而，这些仅为示例并且粘合剂树脂不限于此。
118.这些粘合剂树脂中的一种可以单独使用作为均聚物或共聚物，或者它们中的两种以上可以组合使用。此外，也可以根据需要使用诸如公知的增塑剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂等的添加剂。
119.以下将示例性地说明有机装置的应用。有机装置可以用作显示装置或照明装置的构成构件。此外，有机装置可应用于电子照相成像装置的曝光光源、液晶显示装置的背光、在白色光源中包括滤色器的发光装置等。
120.显示装置可以是图像信息处理装置，其包括用于从面阵ccd、线阵ccd、存储卡等输入图像信息的图像输入单元以及用于处理输入信息的信息处理单元，并在显示单元上显示输入图像。
121.另外，包括在摄像装置或喷墨打印机中的显示单元能够具有触控面板功能。触控面板功能的驱动方式可以是红外线方式、电容方式、电阻膜方式或电磁感应方式，并且没有特别限制。该显示装置可以用于多功能打印机的显示单元。
122.接着将参考附图说明根据实施方式的显示装置。
123.图11是示出根据本实施方式的显示装置的示例的示意图。显示装置1000能够包括在上盖1001和下盖1009之间的触控面板1003、显示面板1005、框架1006、电路板1007以及电池1008。柔性印刷电路(fpc)1002和1004分别连接至触控面板1003和显示面板1005。晶体管印刷在电路板1007上。如果显示装置不是便携式设备，则不需要电池1008。即使当显示装置是便携式设备时，也可以将电池1008配置在其它位置。显示面板1005可以由有机装置1形成。
124.根据本实施方式的显示装置可以用于光电转换装置的显示单元，该光电转换装置包括具有多个透镜的光学单元以及用于接收穿过光学单元的光的图像传感器。光电转换装置可以包括用于显示由图像传感器获取的信息的显示单元。此外，光电转换装置可以使用由图像传感器获取的信息来获取信息，并且显示单元可以显示其它信息。显示单元可以是暴露在光电转换装置外部的显示单元，或者是配置在取景器中的显示单元。光电转换装置
可以是数码相机或数码摄像机。
125.图12a是示出根据本实施方式的光电转换装置的示例的示意图。光电转换装置1100能够包括取景器1101、后显示器1102、操作单元1103和外壳1104。取景器1101能够包括根据本实施方式的显示装置。在这种情况下，显示装置不仅能够显示要拍摄的图像，还能够显示环境信息、摄像指令等。环境信息的示例是外部光的强度和方向、被摄体的移动速度以及被摄体被障碍物覆盖的可能性。
126.适合摄像的时机是非常短的时间，因此优选尽可能快地显示信息。因此，优选使用使用本发明的有机发光元件的显示装置。这是因为有机发光元件具有高响应速度。使用有机发光元件的显示装置能够用于需要更优选地比液晶显示装置高的显示速度的设备。
127.光电转换装置1100包括光学单元(未示出)。该光学单元具有多个透镜，并且在容纳在外壳1104中的图像传感器上形成图像。能够通过调整相对位置来调整多个透镜的焦点。也能够自动执行该操作。
128.根据本实施方式的显示装置可以包括红色、绿色和蓝色滤色器。红色、绿色和蓝色滤色器可以以德尔塔阵列配置。
129.根据本实施方式的显示装置还可以用于便携式终端的显示单元。此时，显示单元可以兼具显示功能和操作功能。便携式终端的示例是诸如智能手机等便携式电话、平板电脑和头戴式显示器。
130.图12b是示出根据本实施方式的电子设备的另一示例的示意图。电子设备1200包括显示单元1201、操作单元1202和外壳1203。外壳1203能够容纳电路、具有该电路的印刷板、电池和通信单元。操作单元1202能够是按钮或触控面板式反应单元。操作单元也能够是通过认证指纹来执行解锁等的生物认证单元。包括通信单元的电子设备也能够被视为通信设备。
131.图13a和图13b是示出根据本实施方式的显示装置的示例的示意图。图13a示出了诸如电视监视器或pc监视器的显示装置。显示装置1300包括框架1301和显示单元1302。根据本实施方式的发光装置能够用于显示单元1302。显示装置1300包括支撑框架1301和显示单元1302的基座1303。基座1303不限于图13a所示的形式。框架1301的下侧也可以用作基座。另外，框架1301和显示单元1302能够弯曲。在这种情况下的曲率半径能够是5000(包含)mm至6000(包含)mm。
132.图13b是示出根据本实施方式的显示装置的另一示例的示意图。图13b所示的显示装置1310是能够折叠的，即显示装置1310是所谓的可折叠显示装置。显示装置1310包括第一显示单元1311、第二显示单元1312、外壳1313和弯曲点1314。第一显示单元1311和第二显示单元1312中的每一者均能够包括根据本实施方式的发光装置。第一显示单元1311和第二显示单元1312也能够是一个无缝的显示装置。第一显示单元1311和第二显示单元1312能够通过弯曲点来划分。第一显示单元1311和第二显示单元1312能够显示不同的图像，并且也能够一起显示一个图像。
133.图14a是示出根据本实施方式的照明装置的示例的示意图。照明装置1400能够包括外壳1401、光源1402、电路板1403、光学膜1404和光漫射单元1405。光源能够包括根据本实施方式的有机发光元件。滤光器能够是改善光源显色性的滤色器。当进行点亮等时，光漫射单元能够通过有效地漫射光而将光源的光投射到宽的范围内。滤光器和光漫射单元能够
设置在照明光发射侧。根据需要，照明装置还能够包括位于最外部的盖。
134.照明装置例如是用于对室内进行照明的装置。照明装置能够发出白光、自然白光或从蓝色到红色的任何颜色的光。照明装置还能够包括用于控制这些光成分的光控制电路。照明装置还能够包括根据本发明的有机发光元件和连接到有机发光元件的电源电路。电源电路是将交流电压转换成直流电压的电路。白色具有4200k的色温，并且自然白色具有5000k的色温。照明装置还可以包括滤色器。
135.此外，根据本实施方式的照明装置能够包括散热单元。散热单元将装置内部的热辐射到装置的外部，并且示例是具有高比热的金属和液态硅。
136.图14b是作为根据本实施方式的移动体的示例的汽车的示意图。汽车具有作为照明器具的示例的尾灯。汽车1500具有尾灯1501，并且能够具有在执行制动操作等时打开尾灯的形式。
137.尾灯1501能够包括根据本实施方式的有机发光元件。尾灯能够包括用于保护有机el元件的保护构件。保护构件的材料没有限制，只要是强度高到某种程度的透明材料即可，并且优选为聚碳酸酯。呋喃二甲酸衍生物、丙烯腈衍生物等可以混合在聚碳酸酯中。
138.汽车1500能够包括车身1503以及安装于车身1503的窗户1502。该窗户能够是用于检查汽车前后的窗户，也能够是透明显示器。该透明显示器能够包括根据本实施方式的有机发光元件。在这种情况下，有机发光元件的电极等的构成材料优选由透明构件形成。
139.根据本实施方式的移动体可以是船舶、飞机、无人机等。移动体能够包括主体和安装在主体中的照明器具。照明器具能够发光以通知主体的位置。该照明器具包括根据本实施方式的有机发光元件。
140.如上所述，当使用根据本实施方式的有机发光元件的装置被使用时，即使在长时间显示中也可以执行具有高画质的稳定显示。
141.图15a至图15c示出了根据本发明的实施方式的显示装置的应用例。根据本发明的实施方式的显示装置可以应用于诸如相机的取景器、头戴式显示器或智能眼镜等的信息显示装置。
142.图15a是示出显示装置用作诸如相机的摄像装置的取景器的示意性配置的示例的图。显示装置1发射显示光7和红外光8，并且显示光和红外光穿过一个光学构件22以到达用户的眼球6。包括图像传感器的摄像装置23将用户的眼球6所反射的红外光转换成电气信息，并且基于该信息检测视线。代替设置摄像装置，图像传感器可以设置在显示装置1的绝缘层上，并且用作显示摄像装置。
143.图15b示出了诸如相机的摄像装置的示例。摄像装置24包括取景器25、显示器26、操作单元27和壳体28。图15a所示的显示装置设置在取景器25中。
144.图15a示出了显示光7和红外光8穿过同一光学构件22的示例。然而，可以分别为显示光和红外光设置不同的光学构件。另外，代替设置摄像装置，可以在显示装置1的基板上设置图像传感器，并用作显示摄像装置。检测到的视线信息可以用于显示装置和连接到显示装置的各种设备的控制，诸如相机的焦点控制、显示图像的分辨率控制以及按钮操作的替代。
145.根据本发明的实施方式的显示装置能够包括具有光接收元件的摄像装置，并且能够基于来自摄像装置的使用者的视线信息来控制显示装置上的显示图像。
146.更具体地，显示装置能够基于视线信息确定使用者正在注视的第一视野区域和除了第一视野区域之外的第二视野区域。可以通过显示装置的控制装置确定第一视野区域和第二视野区域，或者也可以接收由外部控制装置确定的区域。在显示装置的显示区域中，可以将第一视野区域的显示分辨率控制为高于第二视野区域的显示分辨率。也就是，第二视野区域的分辨率可以低于第一视野区域的分辨率。
147.此外，显示区域包括第一显示区域和与第一显示区域不同的第二显示区域，并且基于视线信息从第一显示区域和第二显示区域中确定了更高优先级的区域。第一视野区域和第二视野区域可以由显示装置的控制装置确定，或者也可以接收由外部控制装置确定的区域。较高优先级的区域的分辨率可以被控制为高于除了较高优先级区域之外的区域的分辨率。即，相对低优先级的区域的分辨率可以低。
148.注意，ai可用于确定第一视野区域或更高优先级的区域。ai可以是如下的模型：其构造成使用眼球的图像和眼球在图像中的实际观察方向作为督导数据来从眼球的图像估计视线的角度和到视线前方目标的距离。ai程序可以由显示装置、摄像装置或外部装置保持。如果外部装置保持ai程序，则经由通信将其传输到显示装置。
149.当执行基于视线检测的显示控制时，能够优选应用还包括构造成捕获外部的摄像装置的智能眼镜。智能眼镜能够实时显示捕获的外部信息。
150.此外，可以提供第一摄像装置和第二摄像装置，第一摄像装置包括被构造为接收红外光的受光元件，用于拍摄外部的第二摄像装置包括与第一摄像装置的受光元件不同的受光元件，并且可以基于第一摄像装置的用户的视线信息来控制第二摄像装置的摄像分辨率。通过在另一区域中设定低摄像分辨率，与优先考虑的区域相比，可以减少信息量。因此，可以尝试降低功耗和显示延迟。优先考虑的区域可以被设定为第一摄像区域，并且优先级低于第一摄像区域的优先级的区域可以被设定为第二摄像区域。
151.图15c是示出智能眼镜的示例的示意图。由智能眼镜代表的摄像显示装置29包括控制单元30、透明显示单元31及外部摄像单元(未示出)。如果本发明应用于智能眼镜，则可以基于检测到的视线信息来控制显示装置和外部摄像装置两者，并且尝试降低功耗和显示延迟。例如，通过降低显示区域中的除用户正在注视的区域之外的区域的摄像分辨率和显示分辨率，可以减少关于摄像和显示的信息量，并且降低功耗和显示延迟。
152.如上所述，根据本发明的实施方式，通过减少由红外光发射元件发射的可见光变成相邻像素的漏光的情况，可以提供一种即使显示装置小型化也抑制显示品质劣化的显示装置。
153.本发明不限于以上实施方式，并且可以在本发明的精神和范围内进行各种改变和变型。因此，为了告知公众本发明的范围，提出了所附权利要求。
154.本技术要求2019年10月28日提交的日本专利申请no.2019-195526和2020年9月29日提交的日本专利申请no.2020-163887的优先权，其全部内容通过引入合并于此。
155.附图标记列表
156.1：有机装置，110：反射部(反射膜)，301：反射电极(反射膜)，402：反射膜，115：下部电极，307：下部电极，403：下部电极，114：光学调整膜，306：光学调整膜，404：光学调整膜，120：上部电极，201r：第一像素，201g：第二像素，201b：第三像素。