技术特征：
1.一种笔记本电脑电池保护电路封装件，包括：封装基板；电量计集成电路模块，其安装在所述封装基板上；保护集成电路模块，其安装所述封装基板上；充电/放电晶体管模块，其安装所述封装基板上；以及模塑部，其形成于所述封装基板上用于将所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体。2.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，所述封装基板包括具有裸片安装部和输入/输出端子部的引线框架，所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块安装在所述引线框架的所述模具安装部上，所述模塑部露出所述输入/输出端子部的至少一部分。3.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，所述电量计集成电路模块包括形成有电量计集成电路元件的第一晶圆，所述保护集成电路模块包括形成有保护集成电路元件的第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆以晶圆级安装在所述封装基板上。4.如权利要求3所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，所述充电/放电晶体管模块包括形成有至少一个充电/放电场效应晶体管的第三晶圆，所述第三晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。5.如权利要求4所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，所述第三晶圆直接安装在所述封装基板上，所述第二晶圆安装在所述第三晶圆上。6.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，还包括安装在所述封装基板上的熔丝晶体管，所述模塑部还封装有所述熔丝晶体管，所述熔丝晶体管包括形成有至少一个熔丝场效应晶体管的第四晶圆，所述第四晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。7.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，还包括安装在所述封装基板上的二极管模块，所述模塑部还封装有所述二极管模块，所述二极管模块包括形成有至少一个二极管的第五晶圆，所述第五晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。8.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，还包括安装在所述封装基板上的至少一个无源元件，所述模塑部还封装有所述无源元件。9.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，还包括连接在所述封装基板的一侧且从所述模塑部露出的连接器。10.一种笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，包括：在封装基板上安装电量计集成电路模块的步骤；在所述封装基板上安装保护集成电路模块的步骤；在所述封装基板上安装充电/放电晶体管模块的步骤；以及在所述封装基板上形成模塑部以使所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体的步骤。11.如权利要求10所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，其中，所述封装基板包括具有裸片安装部和输入/输出端子部的引线框架，所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块安装在所述引线框架的所述裸片安装部上，在所述模塑部的形成骤中，所述输入/输出端子部的至少一部分从所述模塑部露出。
12.如权利要求10所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，其中，所述电量计集成电路模块包括形成有电量计集成电路元件的第一晶圆，所述保护集成电路模块包括形成有保护集成电路元件的第二晶圆，在所述电量计集成电路模块的安装步骤和所述保护集成电路模块的安装步骤中，所述第一晶圆和所述第二晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。13.如权利要求12所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，其中，所述充电/放电晶体管模块包括形成有至少一个充电/放电场效应晶体管的第三晶圆，在所述充电/放电晶体管模块的安装步骤中，所述第三晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。14.如权利要求13所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，其中，所述第三晶圆直接安装在所述封装基板上，所述第二晶圆安装在所述第三晶圆上。15.如权利要求11所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，其中，还包括在所述封装基板上安装熔丝晶体管的步骤，在所述模塑部的形成步骤中，所述模塑部还封装所述熔丝晶体管，所述熔丝晶体管包括形成有至少一个熔丝场效应晶体管的第四晶圆，在所述熔丝晶体管的安装步骤中，所述第四晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。16.如权利要求10所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，其中，还包括在所述封装基板上安装二极管模块的步骤，所述模塑部还封装有所述二极管模块，所述二极管模块包括形成有至少一个二极管的第五晶圆，在所述二极管模块的安装步骤中，所述第五晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。17.如权利要求10所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，其中，还包括在所述封装基板上安装至少一个无源元件的步骤，所述模塑部还封装有所述无源元件。
技术总结
根据本发明的一观点的笔记本电脑电池保护电路封装件，包括：封装基板；电量计集成电路模块，其安装在所述封装基板上；保护集成电路模块，其安装所述封装基板上；充电/放电晶体管模块，其安装所述封装基板上；以及模塑部，其形成于所述封装基板上用于将所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体。电晶体管模块封装为一体。电晶体管模块封装为一体。
技术研发人员：罗赫辉 黄镐石 具兹根 宋致善 郑成焕 崔玹寿
受保护的技术使用者：ITM半导体有限公司
技术研发日：2021.01.15
技术公布日：2021/9/2