具有有机发光二极管显示器和传感器的设备中的图案化的制作方法

具有有机发光二极管显示器和传感器的设备中的图案化
1.本专利申请要求于2020年3月19日提交的美国临时专利申请第62/991888号的优先权，该美国临时专利申请据此全文以引用方式并入本文。


背景技术：

2.本公开整体涉及电子设备，并且更具体地涉及具有显示器的电子设备。
3.电子设备通常包括显示器。例如，电子设备可具有基于有机发光二极管像素的有机发光二极管(oled)显示器。在这种类型的显示器中，每个像素都包括发光二极管和薄膜晶体管，薄膜晶体管用于控制向发光二极管施加信号以产生光。发光二极管可包括定位在阳极和阴极之间的oled层。
4.存在朝向具有全面屏显示器的无边框电子设备的趋势。然而，这些设备可能仍然需要包括传感器诸如相机、环境光传感器和接近传感器以提供其他设备能力。由于显示器现在覆盖电子设备的整个正面，因此传感器将不得不放置在显示叠层下方。然而，在实践中，穿过显示叠层的光透射量非常低(即，透射在可见光谱中可能小于20％)，这严重限制了显示器下方的感测性能。
5.正是在这种情况下，产生本文的实施方案。


技术实现要素：

6.本文公开了一种电子设备，该电子设备可包括显示器和形成于该显示器下方的光学传感器。该显示器上的像素移除区域可与传感器至少部分地重叠。该像素移除区域可包括多个非像素区域，每个非像素区域不含薄膜晶体管。该多个非像素区域被配置为增大通过显示器到传感器的光的透射率。
7.除了移除像素移除区域中的薄膜晶体管之外，还可移除显示层叠结构中的附加层。具体地讲，显示器中发光二极管的阴极层可被图案化以在像素移除区域中具有开口。聚酰亚胺层可被图案化以在像素移除区域中具有开口。衬底(例如，由pet或pen形成)可被图案化以在像素移除区域中具有开口。可在像素移除区域中漂白偏振器，以获得附加的透射率增益。
8.阴极层可使用利用点激光器或毯式照明的激光烧蚀来移除。在像素移除区域中形成一个或多个附加封装层之后，可移除阴极层。封装层也可在阴极蚀刻期间被移除。可在蚀刻之后形成附加封装层以确保显示器像素的有机层被充分密封。
9.在一些情况下，可在显示器中像素之间的区域中移除阴极(而不破坏更大的像素阵列图案)。隔离的阴极开口可在相邻像素之间形成。另选地，可形成阴极开口的栅格，这导致在每个像素上方的隔离的阴极岛。辅助导电层可用于电连接剩余的阴极部分。
附图说明
10.图1是根据一个实施方案的具有显示器和一个或多个传感器的例示性电子设备的示意图。
11.图2是根据一个实施方案的具有发光元件的例示性显示器的示意图。
12.图3是根据一个实施方案的至少部分地覆盖传感器的例示性显示叠层的横截面侧视图。
13.图4是根据一个实施方案的具有至少部分地覆盖传感器的像素移除区域的例示性显示叠层的横截面侧视图。
14.图5是根据一个实施方案的具有像素移除区域的例示性显示叠层的横截面侧视图，该像素移除区域包括阴极层中的开口。
15.图6是根据一个实施方案的具有像素移除区域的例示性显示叠层的横截面侧视图，该像素移除区域包括聚酰亚胺层中的开口。
16.图7是根据一个实施方案的具有像素移除区域的例示性显示叠层的横截面侧视图，该像素移除区包括衬底层中的开口。
17.图8是根据一个实施方案的具有偏振器的例示性显示叠层的横截面侧视图，该偏振器在像素移除区域中具有漂白部分。
18.图9是示出根据一个实施方案的相对于位置的偏振器透射率的例示性分布的曲线图。
19.图10是根据一个实施方案的显示器的横截面侧视图，示出使用点激光器移除阴极层的部分的例示性方法。
20.图11是根据一个实施方案的显示器的横截面侧视图，示出使用毯式照明移除阴极层的部分的例示性方法。
21.图12是根据一个实施方案的显示器的横截面侧视图，示出同时移除阴极层和衬底的部分的例示性方法。
22.图13是根据一个实施方案的在像素移除区域中的阴极中具有开口的例示性显示器的顶视图。
23.图14是根据一个实施方案的具有在像素之间的阴极中的隔离的开口的例示性显示器的顶视图。
24.图15是根据一个实施方案的具有在像素之间的阴极中的开口的栅格的例示性显示器的顶视图。
25.图16是根据一个实施方案的示出形成在像素移除区域中具有阴极开口的显示器的例示性方法的横截面侧视图。
26.图17是根据一个实施方案示出使用掩膜层形成显示器的例示性方法的横截面侧视图，该掩膜层也用作封装层。
27.图18是根据一个实施方案的示出形成在像素之间具有蚀刻阴极的显示器的例示性方法的横截面侧视图。
28.图19是根据一个实施方案示出形成具有在像素之间的蚀刻阴极和毯式有机封装层的显示器的例示性方法的横截面侧视图。
具体实施方式
29.图1中示出了可具有显示器的类型的例示性电子设备。电子设备10可为计算设备诸如膝上型计算机、包含嵌入式计算机的计算机监视器、平板电脑、蜂窝电话、媒体播放器
或其他手持式或便携式电子设备、较小的设备(诸如腕表设备、挂式设备、耳机或听筒设备、被嵌入在眼镜中的设备或者佩戴在用户的头部上的其他装备，或其他可穿戴式或微型设备)、显示器、包含嵌入式计算机的计算机显示器、不包含嵌入式计算机的计算机显示器、游戏设备、导航设备、嵌入式系统(诸如其中具有显示器的电子装备被安装在信息亭或汽车中的系统)、或其他电子装备。电子设备10可具有一副眼镜(例如，支撑框架)的形状，可形成具有头盔形状的外壳，或者可具有用于帮助将一个或多个显示器的部件安装和固定在用户的头部上或眼睛附近的其他构型。
30.如图1所示，电子设备10可包括控制电路16用于支持设备10的操作。控制电路16可包括存储装置，诸如硬盘驱动器存储装置、非易失性存储器(例如，被配置为形成固态驱动器的闪存存储器或其他电可编程只读存储器)、易失性存储器(例如，静态随机存取存储器或动态随机存取存储器)等等。控制电路16中的处理电路可用于控制设备10的操作。该处理电路可基于一个或多个微处理器、微控制器、数字信号处理器、基带处理器、电源管理单元、音频芯片、专用集成电路等。
31.设备10中的输入
‑
输出电路诸如输入
‑
输出设备12可用于允许将数据提供至设备10，并且允许将数据从设备10提供至外部设备。输入
‑
输出设备12可包括按钮、操纵杆、滚轮、触摸板、小键盘、键盘、麦克风、扬声器、音频发生器、振动器、相机、传感器、发光二极管和其他状态指示器、数据端口等。用户可由通过输入
‑
输出设备12的输入资源供应命令来控制设备10的操作，并且可使用输入输出设备12的输出资源从设备10接收状态信息和其他输出。
32.输入
‑
输出设备12可包括一个或多个显示器，诸如显示器14。显示器14可为包括用于采集来自用户的触摸输入的触摸传感器的触摸屏显示器，或者显示器14可对触摸不敏感。显示器14的触摸传感器可基于电容性触摸传感器电极的阵列、声学触摸传感器结构、电阻性触摸部件、基于力的触摸传感器结构、基于光的触摸传感器，或其他合适的触摸传感器布置。用于显示器14的触摸传感器可由在具有显示器14的显示像素的公共显示器衬底上形成的电极形成，或可由与显示器14的像素重叠的独立触摸传感器面板形成。如果需要，显示器14可对触摸不敏感(即，触摸传感器可被省略)。电子设备10中的显示器14可以是抬头显示器，其可在不需要用户远离典型视点的情况下观看，或者可以是结合到佩戴在用户头部的设备中的头戴式显示器。如果需要，显示器14也可以是用于显示全息图的全息显示器。
33.可使用控制电路16来在设备10上运行软件，诸如操作系统代码和应用程序。在设备10的操作期间，运行在控制电路16上的软件可在显示器14上显示图像。
34.输入
‑
输出设备12也可包括一个或多个传感器13，诸如力传感器(例如，应变仪、电容式力传感器、电阻式力传感器等)、音频传感器诸如麦克风、触摸和/或接近传感器诸如电容传感器(例如，与显示器相关联的二维电容式触摸传感器、和/或形成按钮、触控板或不与显示器相关联的其他输入设备的触摸传感器)和其他传感器。根据一些实施方案，传感器13可包括光学传感器诸如发射和检测光的光学传感器(例如，光学接近传感器诸如透射反射式光学接近结构)、超声波传感器、和/或其他触摸传感器和/或接近传感器、单色和彩色环境光传感器、图像传感器、指纹传感器、温度传感器、接近传感器和其他用于测量三维无接触手势(“空中手势”)的传感器、压力传感器、用于检测位置、取向和/或运动的传感器(例如，加速度计、磁性传感器(诸如罗盘传感器)、陀螺仪和/或包含这些传感器中的一些或全
部的惯性测量单元)、健康传感器、射频传感器、深度传感器(例如，结构光传感器和/或基于立体成像设备的深度传感器)、光学传感器(诸如自混合传感器和采集飞行时间测量结果的光探测及测距(激光雷达)传感器)、湿度传感器、水分传感器、视线跟踪传感器以及/或者其他传感器。在一些布置中，设备10可使用传感器13和/或其他输入
‑
输出设备来采集用户输入(例如，按钮可用于采集按钮按压输入、与显示器重叠的触摸传感器可用于采集用户触摸屏输入、触控板可用于采集触摸输入、麦克风可用于采集音频输入、加速度计可用于监测手指何时接触输入表面，并且因此可用于采集手指按压输入等)。
35.显示器14可以是有机发光二极管显示器或者可以是基于其他类型的显示技术的显示器(例如，液晶显示器)。在本文中有时将显示器14为有机发光二极管显示器的设备配置描述作为示例。然而，这仅为例示性的。如果需要，可使用任何合适类型的显示器。一般来讲，显示器14可以具有矩形形状(即，显示器14可以具有矩形占有面积和围绕矩形占有面积延伸的矩形周边边缘)或者可以具有其他合适的形状。显示器14可以是平面的或可具有曲线轮廓。
36.图2中示出了显示器14的一部分的顶视图。如图2所示，显示器14可具有在衬底上形成的像素22的阵列。像素22可通过信号路径诸如数据线d接收数据信号，并且可通过控制信号路径诸如水平控制线g(有时称为栅极线、扫描线、发射控制线等)接收一个或多个控制信号。显示器14中可以有任意适当数量的行和列的像素22(例如，数十个或更多、数百个或更多、或者数千个或更多)。每个像素22可具有发光二极管26，该发光二极管在由薄膜晶体管电路诸如薄膜晶体管28和薄膜电容器形成的像素控制电路的控制下发射光24。薄膜晶体管28可以是多晶硅薄膜晶体管、半导体氧化物薄膜晶体管(诸如氧化铟镓锌(igzo)晶体管)或由其他半导体形成的薄膜晶体管。像素22可包含不同颜色(例如，红色、绿色和蓝色)的发光二极管以向显示器14提供显示彩色图像的能力，或者可为单色像素。
37.显示驱动器电路可用于控制像素22的操作。显示驱动器电路可由集成电路、薄膜晶体管电路和/或其他合适的电路形成。图2的显示驱动器电路30可包含用于通过路径32与系统控制电路诸如图1的控制电路16进行通信的通信电路。路径32可由柔性印刷电路上的迹线或其他缆线形成。在操作期间，控制电路(例如，图1的控制电路16)可为显示驱动器电路30提供有关将在显示器14上显示的图像的信息。
38.为了在显示器像素22上显示图像，显示驱动器电路30可将图像数据提供至数据线d，同时通过路径38向支持显示驱动器电路诸如栅极驱动器电路34发出时钟信号和其他控制信号。如果需要，显示驱动器电路30还可向显示器14的相对边缘上的栅极驱动器电路34提供时钟信号和其他控制信号。
39.栅极驱动器电路34(有时称为行控制电路)可被实现为集成电路的一部分和/或可使用薄膜晶体管电路来实现。显示器14中的水平控制线g可载送栅极线信号，诸如扫描线信号、发射启用控制信号和用于控制每行的显示器像素22的其他水平控制信号。每行像素22可存在任何合适数量的水平控制信号(例如，一个或多个行控制信号、两个或更多个行控制信号、三个或更多个行控制信号、四个或更多个行控制信号等)。
40.显示器14上形成显示器像素22的区域在本文中有时称为有效区域。电子设备10具有带有周边边缘的外部外壳。围绕有效区域并且在设备10的周边边缘内的区域是边界区域。图像只能在有效区域中显示给设备的用户。通常希望使设备10的边界区域最小化。例
如，设备10可设置有在设备的整个正面上延伸的全面屏显示器14。如果需要，显示器14也可包裹在正面的边缘上，使得设备10的侧边缘的至少一部分或背部表面的至少一部分用于显示目的。
41.设备10可包括安装在显示器14后面的传感器13。图3是根据一个实施方案的至少部分地覆盖传感器的显示器14的例示性显示叠层的横截面侧视图。如图3所示，显示叠层可包括衬底，诸如衬底300。衬底300可由玻璃、金属、塑料、陶瓷、蓝宝石或其他合适的衬底材料形成。在一些布置中，衬底300可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)(作为示例)形成的有机衬底。一个或多个聚酰亚胺(pi)层302可在衬底300上方形成。聚酰亚胺层有时可称为有机衬底(例如，衬底300为第一衬底层并且衬底302为第二衬底层)。衬底302的表面可任选地覆盖有一个或多个缓冲层303(例如，无机缓冲层，诸如氧化硅层、氮化硅层、非晶硅层等)。
42.薄膜晶体管(tft)层304可形成于无机缓冲层303以及有机衬底302和300上方。tft层304可包括薄膜晶体管电路，诸如薄膜晶体管、薄膜电容器、相关联的路由电路、以及形成在多个金属路由层和介电层内的其他薄膜结构。有机发光二极管(oled)层306可形成在tft层304上方。oled层306可包括二极管阴极层、二极管阳极层以及插置在阴极层和阳极层之间的发射材料。层304中的tft电路可用于控制由oled层306形成的显示器像素阵列。
43.形成于tft层304和oled层306中的电路可由封装层308保护。例如，封装层308可包括第一无机封装层、形成于第一无机封装层上的有机封装层、以及形成于有机封装层上的第二无机封装层。以这种方式形成的封装层308可帮助防止水分和其他潜在污染物损坏由层308覆盖的导电电路。
44.可利用粘合剂310在封装层308上方形成一个或多个偏振膜312。粘合剂310可利用提供高透射率的光学透明粘合剂(oca)材料来实现。可利用粘合剂314(例如，oca材料)在偏振膜312上方形成实现触摸屏显示器14的触摸传感器功能的一个或多个触摸层316。例如，触摸层316可包括共同形成电容性触摸传感器电极阵列的水平触摸传感器电极和竖直触摸传感器电极。最后，显示叠层可由利用附加粘合剂318(例如，oca材料)形成在触摸层316上方的覆盖玻璃层320覆盖。覆盖玻璃320可用作显示器14的外保护层。
45.仍然参考图3，传感器13可形成在电子设备10内的显示叠层下方。如上文结合图1所述，传感器13可以是光学传感器，诸如相机、接近传感器、环境光传感器、指纹传感器或其他基于光的传感器。在此类情况下，传感器13的性能取决于穿过显示叠层的光的透射，如箭头350所示。然而，典型的显示叠层具有相当有限的透射特性。例如，当行进穿过显示叠层时，可见光谱中的光的80％以上可能损失，这使得在显示器14下方的感测具有挑战性。
46.显示叠层中所述多个层中的每一者都有助于降低到传感器13的光透射。具体地讲，显示叠层的tft层304中的致密薄膜晶体管和相关联的路由结构相当多地有助于低透射。根据一个实施方案，可在显示叠层的位于传感器13正上方的区域中选择性地移除显示器像素中的至少一些。其中显示器像素的至少一部分已被移除的显示器14的至少部分地覆盖传感器13或与该传感器重叠的区域有时被称为像素移除区域。移除无像素区域中的显示器像素(例如，移除与一个或多个子像素相关联的晶体管和/或电容器)可极大地帮助增大透射并改善显示器下方传感器13的性能。除了移除显示器像素之外，还可移除附加层诸如聚酰亚胺层302和/或衬底300的部分以用于附加透射改善。偏振器312也可被漂白以用于附
加的透射改善。
47.图4为例示性显示器的横截面侧视图，示出了可如何在像素移除区域中移除像素以增大通过显示器的透射。如图4所示，显示器14可包括像素区域322和像素移除区域324。在像素区域322中，显示器可包括由插置在阳极306
‑
1和阴极306
‑
3之间的发射材料306
‑
2形成的像素。信号可选择性地施加到阳极306
‑
1以致使发射材料306
‑
2为像素发射光。薄膜晶体管层304中的电路可用于控制施加到阳极306
‑
1的信号。
48.在像素移除区域324中，可省略阳极306
‑
1和发射材料306
‑
2。在没有像素移除区域的情况下，可在区域324中与区域322中的像素相邻地形成附加像素。然而，为了增大光到显示器下方的传感器13的透射率，区域324中的像素被移除。不存在发射材料306
‑
2和阳极306
‑
1可增大透过显示叠层的透射率。在像素移除区域中也可省略薄膜晶体管层304内的附加电路以增大透射率。
49.可通过在像素移除区域324中从显示叠层选择性地移除附加部件来获得通过显示叠层的附加透射改善。图5为在像素移除区域324中移除了阴极的例示性显示器的横截面侧视图。如图5所示，可在像素移除区域324中移除阴极306
‑
3的一部分。这在阴极306
‑
3中产生开口326。换句话讲，阴极306
‑
3可具有限定像素移除区域中的开口326的导电材料。以这种方式移除阴极就允许更多的光穿过显示叠层到达传感器13。阴极306
‑
3可由任何期望的导电材料形成。阴极可通过蚀刻(例如，激光蚀刻或等离子蚀刻)移除。另选地，阴极可在初始阴极沉积和形成步骤期间被图案化以在像素移除区域324中具有开口。
50.图6是例示性显示器的横截面侧视图，其中在像素移除区域324中移除了聚酰亚胺层的一部分。如图所示，除了阴极层306
‑
3之外，还可在像素移除区域324中移除聚酰亚胺层302。聚酰亚胺层302的移除导致像素移除区域中的开口328。换句话讲，聚酰亚胺层可具有限定像素移除区域中的开口328的聚酰亚胺材料。聚酰亚胺层可通过蚀刻(例如，激光蚀刻或等离子蚀刻)移除。另选地，聚酰亚胺层可在初始聚酰亚胺形成步骤期间被图案化以在像素移除区域324中具有开口。移除像素移除区域324中的聚酰亚胺层302可导致像素移除区域324中光到传感器13的附加透射率。
51.图7为在像素移除区域324中移除了衬底的一部分的例示性显示器的横截面侧视图。如图所示，除了阴极层306
‑
3和聚酰亚胺层302之外，还可在像素移除区域324中移除衬底300。衬底300的移除导致像素移除区域中的开口330。换句话讲，衬底300可具有限定像素移除区域中的开口330的材料(例如，pet、pen等)。可通过蚀刻(例如，用激光)移除衬底。另选地，衬底可在初始衬底形成步骤期间被图案化以在像素移除区域324中具有开口。移除像素移除区域324中的衬底300可导致像素移除区域324中光到传感器13的附加透射率。聚酰亚胺开口328和衬底开口330可被认为形成单个一体式开口。当移除聚酰亚胺层302和/或衬底300的部分时，无机缓冲层303可用作蚀刻步骤的蚀刻止挡。开口328和330可填充有空气或另一期望的透明填料。
52.除了在阴极306
‑
3、聚酰亚胺层302和/或衬底300中具有开口之外，显示器中的偏振器可被漂白以用于像素移除区域中的附加透射率。图8为在像素移除区域324中具有漂白的偏振器的例示性显示器的横截面侧视图。如图8所示，偏振器312包括漂白部分312
‑
1和未漂白部分312
‑
2。在未漂白部分312
‑
2中，偏振器可具有约50％的透射(例如，可见光的透射)。然而，未漂白的偏振器可用作使从像素区域322中的像素发射的光偏振的线性偏振器。
相比之下，漂白的偏振器部分312
‑
1可具有80％或更大、90％或更大、95％或更大、99％或更大等的透光率。因此，漂白的偏振器部分312
‑
1允许更多的光穿过到达显示器下方的传感器13。
53.漂白的偏振器部分312
‑
1可通过将偏振器312暴露于紫外光、漂白化学品(例如，氢氧化钾)或使用其它期望的偏振器漂白技术来形成。漂白可例如在偏振器层合之后进行。如果需要，偏振器312在部分312
‑
1中的部分可被移除(例如，利用激光烧蚀等)。这些布置可用于确保区域312
‑
1是透明的并且允许光穿过到达传感器13。
54.在图8中，偏振器312被描绘为具有完全漂白部分312
‑
1和完全未漂白部分312
‑
2。然而，偏振器可任选地具有在完全漂白部分和完全未漂白部分之间的透射率梯度。这可通过部分地漂白完全漂白部分和完全未漂白部分之间的偏振器来实现。
55.图9为偏振器312的例示性透射率分布的曲线图。如图所示，偏振器可具有基于分布内的位置而变化的透射率分布360。在像素区域322中，偏振器可以不被漂白(例如，完全未漂白)。因此，偏振器在这些区域中的透射率可为大约50％，如图9所示。在像素移除区域324中，偏振器可被漂白(例如，完全漂白)。换句话讲，偏振器可在像素移除区域324中具有透射率的局部最大值。局部最大值可为大约100％(如图9所示)、大于99％、大于95％、大于90％、大于80％、介于80％和100％之间(包括端值在内)等。
56.代替偏振器的漂白部分和未漂白部分之间的立即转变，偏振器可在完全漂白部分和完全未漂白部分之间具有透射率梯度。如图9所示，透射率可在位置x1和x2之间逐渐变化。透射率可线性地、指数地、根据阶跃函数、或根据任何其他期望的分布逐渐变化。透射率在最大透射率(在像素移除区域324中)和最小透射率(在像素区域322中)之间具有一个或多个中间透射率。透射率梯度可通过根据完全漂白部分和部分漂白部分之间所期望的梯度部分地漂白偏振器来实现。透射率梯度可帮助减轻与像素移除区域相关联的可见伪影。
57.在一些情况下，阴极306
‑
3可在初始沉积步骤期间形成于像素区域322和像素移除区域324两者中。然后可根据需要从像素移除区域324移除阴极。一种可能的移除阴极的方法是激光蚀刻(例如，激光烧蚀)。图10为例示性显示器的横截面侧视图，示出了可如何利用点激光器选择性地移除显示器的阴极。
58.如图10所示，阴极可任选地在所有上覆层覆盖阴极之前被移除。在一个示例中，阴极的部分可在阴极沉积之后立即进行激光烧蚀。在图10所示的另一示例中，封装308可形成在阴极306
‑
3上方，然后可利用激光烧蚀移除阴极的部分。
59.光源402(例如，激光器)可由计算机控制的定位器404控制。计算机控制的定位器404可移动激光器402以烧蚀期望区域中的阴极306
‑
3。激光器402可发射用于烧蚀(蚀刻)阴极的单个束406。在一个例示性烧蚀技术中，激光器可加热阴极，使得阴极气化。由于激光器402发射精确烧蚀阴极306
‑
3的特定期望部分(例如，单个点)的单个束，因此激光器402有时可称为点激光器。
60.图11为例示性显示器的横截面侧视图，示出了可如何利用毯式照明来移除显示器的阴极。如图11所示，掩膜层408可形成在阴极上方。掩膜层408可覆盖阴极306
‑
3的旨在在蚀刻之后保持存在的部分(例如，像素区域322中的阴极的部分)。光源410(例如，一个或多个激光器)可在比点激光器402更宽的区域上发射毯式照明412。然而，掩膜层408具有与所期望的阴极开口326重叠的开口416。掩膜层408对于来自光源410的光412可以是不透明的。
因此，掩膜层408在阴极不被移除的区域(诸如像素区域322)中阻挡光412。然而，掩膜层408允许光412穿过开口416以移除阴极306
‑
3并形成阴极开口326。
61.掩膜层408可利用光刻法形成。换句话讲，掩膜层408可以是通过暴露于特定波长的光而被图案化的光致抗蚀剂材料。掩膜可控制光对光致抗蚀剂材料的暴露，以产生在期望位置具有开口416的掩膜。然后，光致抗蚀剂材料可以对于毯式照明412的波长是不透明的，以防止光到达阴极306
‑
3的未蚀刻部分。在图11中，掩膜层408形成在封装层308上方。可以在蚀刻阴极306
‑
3之后移除掩膜层，使得掩膜层不存在于最终的显示层叠结构中(例如，掩膜层408是牺牲性的)。如果需要，掩膜层408可任选地直接形成在阴极306
‑
3上，而没有居间的封装层308。
62.光源410可由计算机控制的定位器404控制。计算机控制的定位器404可移动光源410以烧蚀期望区域中的阴极306
‑
3。
63.如先前结合图7所示，也可在像素移除区域中从显示器移除聚酰亚胺层302和衬底300的部分以便增大透射率。图12为示出例示性方法的显示器的横截面侧视图，其中阴极、聚酰亚胺层和衬底由单个激光器烧蚀。
64.如图12所示，可任选地在所有上覆层覆盖阴极之前移除阴极、聚酰亚胺层和衬底。在一个示例中，阴极、聚酰亚胺层和衬底的部分可在阴极沉积之后立即进行激光烧蚀。又如，如图12所示，可在阴极306
‑
3上方形成封装308，然后可利用激光烧蚀移除阴极、聚酰亚胺层和衬底的部分。
65.光源418(例如，激光器)可由计算机控制的定位器404控制。计算机控制的定位器404可移动激光器418以烧蚀所期望区域中的阴极306
‑
3、聚酰亚胺层302和衬底300。激光器418可发射用于烧蚀(蚀刻)阴极、聚酰亚胺层和衬底的一个或多个束420。激光器418可同时或依次移除306
‑
3、聚酰亚胺层302和/或衬底300的部分。激光器418可具有多个焦点，从而多个层被同时蚀刻。激光器418也可具有可调节的焦点，从而可基于焦点动态地改变目标层。最后，激光器418可用于在阴极306
‑
3中形成开口326，在聚酰亚胺层302中形成开口328，以及在衬底300中形成开口330。
66.在图4中，示出了一个示例，其中显示器14具有像素区域322和像素移除区域324，在像素移除区域中，像素从它们如果遵循来自像素区域322的图案则将占据的位置被移除。图13是这种类型的显示器的顶视图。如图13所示，显示器14具有像素区域322，该像素区域具有被布置成所期望图案的多个像素22。在像素移除区域324中，按照区域322的图案将存在的像素被移除，并且不存在任何像素。阴极306
‑
3可被图案化以覆盖像素区域322，但不覆盖像素移除区域324。像素移除区域324可被显示器的有效区域(例如，有效显示器像素22)在侧面围绕。
67.图13的具有不被阴极306
‑
3覆盖的像素移除区域322的示例仅仅是例示性的。在图14所示的另一可能的布置中，显示器14包括插置在显示器的像素22之间的增大透射区域424。在这种情况下，像素不从图案完全移除以增大穿过显示器的透射率。然而，在不发光的像素之间的区域中，oled层叠结构的部分诸如阴极306
‑
3可被移除以增大透射率。
68.在图14中，增大透射区域424(有时称为阴极移除区域424、无像素区域424等)形成为岛。换句话讲，每个阴极移除区域424被阴极306
‑
3的部分在侧面围绕。阴极306
‑
3因此仍然形成跨像素阵列的连续栅格。该示例仅仅是例示性的。
69.图15为阴极306
‑
3的另一可能布置的顶视图。如图15所示，阴极移除区域424形成在显示器中像素22之间的栅格中。在该布置中，阴极306
‑
3的每个部分为被阴极移除区域424在侧面围绕的岛。阴极306
‑
3的每个部分可与显示器中相应像素22重叠。在图15所示类型的布置中，可能期望阴极部分306
‑
3电连接(例如，使得电压可全局地而不是基于每个像素被施加到阴极)。因此，透明导电材料(例如，氧化铟锡)可用于电连接阴极306
‑
3的岛状部分。
70.在图13至图15中，可在无像素区域(诸如区域324和424)中移除阴极。可在这些区域中移除附加层以进一步改善透射(例如，可如图6中那样移除聚酰亚胺层，可如图7中那样移除衬底，可如图8中那样漂白偏振器，等等)。区域324和424中的阴极可在制造显示器中的各个阶段通过激光烧蚀移除(例如，如结合图10至图12所讨论)。
71.图16是示出可用于移除无像素区域324或424中的阴极层306
‑
3的例示性处理步骤的显示器的横截面侧视图。如图16所示，在步骤602处，显示器可包括衬底302上的薄膜晶体管电路304。两个不同像素的阳极306
‑
1形成在薄膜晶体管电路304上。像素限定层504形成在阳极306
‑
1的一部分上方以限定阳极306
‑
1的发光区域。发射层306
‑
2形成在阳极306
‑
1以及阳极306
‑
1之间的区域(例如，像素移除区域324)上方。阴极层306
‑
3形成在发射层306
‑
2上方。因此，在步骤602处，阴极层306
‑
3形成在阳极306
‑
1上方以及相邻阳极306
‑
1之间(例如，在像素移除区域中)。
72.多个封装层308(有时称为平面化层308)可形成在oled层306上方。如图16所示，第一封装层308
‑
1可在像素区域和非像素区域(例如，像素之间的像素移除区域324)两者上方形成。第二封装层308
‑
2可形成于封装层308
‑
1上方。封装层308
‑
2可仅形成于显示器的像素区域中(因此在图16中的阳极306
‑
1之间不存在封装层308
‑
2)。封装层308
‑
3可形成于封装层306
‑
1和306
‑
1上方。封装层308
‑
3可在像素区域和非像素区域(例如，像素之间的像素移除区域324)两者上方形成。在一个例子中，封装层308
‑
1和308
‑
3可为无机封装层，而封装层308
‑
2可为有机封装层。
73.在步骤602处，也可在显示器的像素区域上方形成掩膜层502。掩膜层502可以是牺牲性掩膜层，其被设计为防止阴极在显示器的像素区域中被蚀刻，而允许阴极在显示器的像素移除区域中被蚀刻。因此，掩膜层502可在显示器的像素移除区域上方具有开口。
74.在步骤604处，可执行蚀刻以移除显示器的像素移除区域中的一个或多个层。如图16所示，蚀刻工艺可移除发射层306
‑
2、阴极层306
‑
3以及平面化层308
‑
1和308
‑
3。这样，在期望的区域(例如，像素移除区域324)中移除阴极。可使用任何期望的蚀刻工艺(例如，激光蚀刻或等离子蚀刻)。蚀刻工艺可涉及移除牺牲性掩膜层502。在一个示例中，蚀刻工艺可移除掩膜层502，同时移除像素之间的期望层。在另一示例中，可在已蚀刻像素之间的期望层之后在单独步骤中移除掩膜层。
75.在步骤606处，附加封装层308
‑
4可被沉积在显示器上方。封装层308
‑
4可为用于再次密封发射层306
‑
2(其在步骤604中蚀刻之后暴露)的无机钝化层。无机钝化层308
‑
1、308
‑
3和308
‑
4可由相同材料或不同材料形成。
76.图17是示出可用于移除区域324或424中的阴极层306
‑
3的例示性处理步骤的显示器的横截面侧视图。如图17所示，在步骤702处，显示器可包括衬底302上的薄膜晶体管电路304。两个不同像素的阳极306
‑
1形成在薄膜晶体管电路304上。像素限定层504形成在阳极
306
‑
1的一部分上方以限定阳极306
‑
1的发光区域。发射层306
‑
2形成在阳极306
‑
1以及阳极306
‑
1之间的区域(例如，像素移除区域324)上方。阴极层306
‑
3形成在发射层306
‑
2上方。因此，在步骤702处，阴极层306
‑
3形成在阳极306
‑
1上方以及相邻阳极306
‑
1之间(例如，在像素移除区域中)。
77.多个封装层308(有时称为平面化层308)可形成在oled层306上方。如图17所示，第一封装层308
‑
1可在像素区域和非像素区域(例如，像素之间的像素移除区域324)两者上方形成。第二封装层308
‑
2可形成于封装层308
‑
1上方。封装层308
‑
2可仅形成于显示器的像素区域中(因此在图17中的阳极306
‑
1之间不存在封装层308
‑
2)。在一个例子中，封装层308
‑
1可为无机封装层，而封装层308
‑
2可为有机封装层。
78.在图17中，有机封装层308
‑
2用作蚀刻步骤的掩膜层。换句话讲，在步骤702中形成的有机材料用作屏障以保护像素区域免受蚀刻。在步骤704处，可执行蚀刻以移除显示器的像素移除区域中的一个或多个层。如图17所示，蚀刻工艺可移除发射层306
‑
2、阴极层306
‑
3以及平面化层308
‑
1。这样，在期望的区域(例如，像素移除区域324)中移除阴极。可使用任何期望的蚀刻工艺(例如，激光蚀刻或等离子蚀刻)。蚀刻工艺可涉及移除封装层308
‑
2中的一些材料。然而，层308
‑
2中的至少一些保留并且用作显示器的最终层叠结构中的封装层。
79.在步骤706处，附加封装层308
‑
3可被沉积在显示器上方。封装层308
‑
3可为用于再次密封发射层306
‑
2(其在步骤704中蚀刻之后暴露)的无机钝化层。无机钝化层308
‑
1和308
‑
3可由相同材料或不同材料形成。
80.图16和图17的例示性方法可用于移除显示器中的像素移除区域324中的阴极。为了移除阴极移除区域424中的阴极(例如，如图14和图15所示)、可使用图18和图19所示类型的方法。
81.图18是示出可用于移除无像素区域诸如图14和图15中的无像素区域424中的阴极层306
‑
3的例示性处理步骤的显示器的横截面侧视图。如图18所示，在步骤802处，显示器可包括衬底302上的薄膜晶体管电路304。两个不同像素的阳极306
‑
1形成在薄膜晶体管电路304上。像素限定层504形成于像素之间的区域中，并且限定每个像素的发光区域。发射层306
‑
2形成在阳极306
‑
1上方以及阳极306
‑
1之间的区域(例如，阴极移除区域424)中。阴极层306
‑
3形成在发射层306
‑
2上方。因此，在步骤802处，阴极层306
‑
3形成在阳极306
‑
1上方以及相邻阳极306
‑
1之间(例如，在阴极移除区域中)。
82.多个封装层308(有时称为平面化层308)可形成在oled层306上方。如图18所示，第一封装层308
‑
1、第二封装层308
‑
2和第三封装层308
‑
3可在阴极306
‑
3上方形成。在一个例子中，封装层308
‑
1和308
‑
3可为无机封装层，而封装层308
‑
2可为有机封装层。
83.在步骤802处，也可在显示器的像素上方形成掩膜层502。掩膜层502可以是牺牲性掩膜层，其被设计为防止阴极在显示器的像素区域中被蚀刻，而允许阴极在显示器的阴极移除区域(例如，图14或图15中的阴极移除区域424)中被蚀刻。因此，掩膜层502可在显示器的阴极移除区域上方具有开口。
84.在步骤804处，可执行蚀刻以移除显示器的阴极移除区域中的一个或多个层。如图18所示，蚀刻工艺可移除发射层306
‑
2、阴极层306
‑
3以及平面化层308
‑
1、308
‑
2和308
‑
3。这样，在期望的区域(例如，阴极移除区域424)中移除阴极。可使用任何期望的蚀刻工艺(例如，激光蚀刻或等离子蚀刻)。蚀刻工艺可涉及移除牺牲性掩膜层502。在一个示例中，蚀刻
工艺可移除掩膜层502，同时移除像素之间的期望层。在另一示例中，可在已蚀刻像素之间的期望层之后在单独步骤中移除掩膜层。
85.在步骤806处，可任选地将附加导电层506沉积在阴极移除区域中以电连接阴极306
‑
3的剩余部分。这在诸如图15的情况下可能是有用的，其中阴极的以其他方式电隔离部分将在蚀刻之后保留。在阴极保持跨显示器电连接的情况下，诸如在图14中，可省略附加导电层506。附加导电层506可以是透明导电层，诸如氧化铟锡(ito)或任何其他期望材料。在包括辅助导电层506的情况下，阴极可包括原始部分306
‑
3和辅助部分506两者。在一种可能的布置中，这些不同的部分可用不同的材料形成。例如，辅助导电层506的材料可具有比原始阴极部分306
‑
3的材料更高的透射率。
86.附加封装层308
‑
4也可被沉积在显示器上方。封装层308
‑
4可为用于再次密封发射层306
‑
2(其在步骤804中蚀刻之后暴露)的无机钝化层。无机钝化层308
‑
1、308
‑
3和308
‑
4可由相同材料或不同材料形成。
87.图19是示出可用于移除无像素区域诸如区域424中的阴极层306
‑
3的例示性处理步骤的显示器的横截面侧视图。如图19所示，在步骤902处，显示器可包括衬底302上的薄膜晶体管电路304。两个不同像素的阳极306
‑
1形成在薄膜晶体管电路304上。像素限定层504形成于像素之间的区域中，并且限定每个像素的发光区域。发射层306
‑
2形成在阳极306
‑
1上方以及阳极306
‑
1之间的区域(例如，阴极移除区域424)中。阴极层306
‑
3形成在发射层306
‑
2上方。因此，在步骤902处，阴极层306
‑
3形成在阳极306
‑
1上方以及在相邻阳极306
‑
1之间(例如，在阴极移除区域中)。
88.一个或多个封装层308(有时称为平面化层308)可形成在oled层306上方。如图19所示，第一封装层308
‑
1可形成在阴极306
‑
3上方。在一个例子中，封装层308
‑
1可为无机封装层。
89.在步骤902处，也可在显示器的像素上方形成掩膜层502。掩膜层502可以是牺牲性掩膜层，其被设计为防止阴极在显示器的像素区域中被蚀刻，而允许阴极在显示器的阴极移除区域(例如，图14或图15中的阴极移除区域424)中被蚀刻。因此，掩膜层502可在显示器的阴极移除区域上方具有开口。
90.在步骤904处，可执行蚀刻以移除显示器的阴极移除区域中的一个或多个层。如图19所示，蚀刻工艺可移除发射层306
‑
2、阴极层306
‑
3以及平面化层308
‑
1。这样，在期望的区域(例如，阴极移除区域424)中移除阴极。可使用任何期望的蚀刻工艺(例如，激光蚀刻或等离子蚀刻)。蚀刻工艺可涉及移除牺牲性掩膜层502。在一个示例中，蚀刻工艺可移除掩膜层502，同时移除像素之间的期望层。在另一示例中，可在已蚀刻像素之间的期望层之后在单独步骤中移除掩膜层。
91.在步骤906处，附加封装层308
‑
4也可被沉积在像素上方。封装层308
‑
4可为用于再次密封发射层306
‑
2(其在步骤904中蚀刻之后暴露)的无机钝化层。然后可在显示器上方形成毯式有机钝化层308
‑
2，之后形成无机钝化层308
‑
3。无机钝化层308
‑
1、308
‑
3和308
‑
4可由相同材料或不同材料形成。
92.图16至图19的方法可用于在无像素区域324(例如，像素移除区域)和/或无像素区域424(像素阵列中的像素之间的区域)中从显示器移除阴极。在图16至图19中任一者中形成的显示器中，除了阴极以外，还可移除附加层以进一步改善透射(例如，可如图6所示移除
聚酰亚胺层，可如图7所示移除衬底，可如图8所示漂白偏振器等)。
93.如上所述，本技术的一个方面在于采集和使用信息，诸如来自输入
‑
输出设备的信息。本公开构想，在一些情况下，可采集包括唯一地识别或可用于联系或定位特定人员的个人信息的数据。此类个人信息数据可包括人口统计数据、基于位置的数据、电话号码、电子邮件地址、twitter id、家庭地址、与用户的健康或健身等级相关的数据或记录(例如，生命信号测量结果、药物信息、锻炼信息)、出生日期、用户名、口令、生物识别信息、或任何其他识别信息或个人信息。
94.本公开认识到在本公开技术中使用此类个人信息可以用于使用户受益。例如，该个人信息数据可用于递送用户较感兴趣的目标内容。因此，使用此类个人信息数据使得用户能够对所递送的内容进行有计划的控制。此外，本公开还预期个人信息数据有益于用户的其他用途。例如，健康和健身数据可用于向用户的总体健康状况提供见解，或者可用作使用技术来追求健康目标的个人的积极反馈。
95.本公开设想负责采集、分析、公开、传输、存储或其他使用此类个人信息数据的实体将遵守既定的隐私政策和/或隐私实践。具体地，此类实体应当实行并坚持使用被公认为满足或超出对维护个人信息数据的隐私性和安全性的行业或政府要求的隐私政策和实践。此类政策应该能被用户方便地访问，并应随着数据的采集和/或使用变化而被更新。来自用户的个人信息应当被收集用于实体的合法且合理的用途，并且不在这些合法使用之外共享或出售。此外，应在收到用户知情同意后进行此类采集/共享。此外，此类实体应考虑采取任何必要步骤，保卫和保障对此类个人信息数据的访问，并确保有权访问个人信息数据的其他人遵守其隐私政策和流程。另外，这种实体可使其本身经受第三方评估以证明其遵守广泛接受的隐私政策和实践。此外，应当调整政策和实践，以便采集和/或访问的特定类型的个人信息数据，并适用于包括管辖范围的具体考虑的适用法律和标准。例如，在美国，某些健康数据的收集或访问可能受联邦和/或州法律诸如健康保险及责任法案(hipaa)的管辖，而其他国家中的健康数据可能受其他法规和政策约束并且应当相应地加以处理。因此，在每个国家应为不同的个人数据类型保持不同的隐私实践。
96.不管前述情况如何，本公开还预期用户选择性地阻止使用或访问个人信息数据的实施方案。即本公开预期可提供硬件元件和/或软件元件，以防止或阻止对此类个人信息数据的访问。例如，本技术可被配置为允许用户在注册服务期间或其后随时选择参与采集个人信息数据的“选择加入”或“选择退出”。又如，用户可以选择不提供特定类型的用户数据。再如，用户可以选择限制特定于用户的数据被保持的时间长度。除了提供“选择加入”和“选择退出”选项外，本公开设想提供与访问或使用个人信息相关的通知。例如，用户可以在下载应用程序(“应用”)时被告知其个人信息数据将被访问，然后就在个人信息数据被应用访问之前再次提醒用户。
97.此外，本公开的目的是应管理和处理个人信息数据以最小化无意或未经授权访问或使用的风险。一旦不再需要数据，通过限制数据收集和删除数据可最小化风险。此外，并且当适用时，包括在某些健康相关应用程序中，数据去标识可用于保护用户的隐私。在适当的情况下，可以通过移除特定标识符(例如，出生日期等)、控制存储的数据的量或特征(例如，在城市级而非地址级收集位置数据)、控制数据的存储方式(例如，在用户之间聚合数据)和/或其它方法来促进去标识。
98.因此，虽然本公开广泛地覆盖了使用可包括个人信息数据的信息来实现一个或多个各种所公开的实施方案，但本公开还预期各种实施方案也可在无需访问个人信息数据的情况下被实现。即，本发明技术的各种实施方案不会由于缺少此类个人信息数据的全部或一部分而无法正常进行。
99.根据一个实施方案，提供了一种电子设备，所述电子设备包括显示器以及在所述显示器下方的传感器，所述显示器包括多个像素、至少一个衬底和薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层形成在所述至少一个衬底上方并且被配置为控制所述多个像素，所述显示器包括至少部分地与所述传感器重叠的无像素区域，并且所述至少一个衬底在所述无像素区域中具有开口，所述开口增大穿过所述显示器到所述传感器的光的透射率。
100.根据另一实施方案，所述至少一个衬底包括形成于附加衬底上方的至少一个聚酰亚胺层。
101.根据另一实施方案，所述开口形成在所述无像素区域中的所述至少一个聚酰亚胺层中。
102.根据另一实施方案，所述开口形成在所述无像素区域中的所述附加衬底中。
103.根据另一实施方案，所述附加衬底包括选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯构成的组的材料。
104.根据另一实施方案，所述开口是在所述无像素区域中的所述至少一个聚酰亚胺层中形成的第一开口，并且所述显示器包括在所述无像素区域中的所述附加衬底中形成的第二开口。
105.根据另一实施方案，所述显示器包括形成在所述多个像素上方的偏振器层，所述偏振器层具有在所述无像素区域中的漂白部分和形成在所述多个像素上方的未漂白部分。
106.根据另一实施方案，所述偏振器在所述漂白部分中具有第一透射率，在所述未漂白部分中具有第二透射率，并且在所述漂白部分和所述未漂白部分之间的位置处具有大于所述第二透射率并且小于所述第一透射率的至少一个中间透射率。
107.根据另一实施方案，所述多个像素包括多个阳极、发射层和阴极层，并且所述显示器包括形成在所述无像素区域中的所述阴极层中的第三开口。
108.根据一个实施方案，提供了一种电子设备，所述电子设备包括传感器、与所述传感器重叠的显示器，所述传感器被配置为感测穿过所述显示器的光，并且所述显示器包括由多个阳极、与所述多个阳极重叠的发射材料以及与所述发射材料重叠的阴极层形成的多个发光二极管、形成在所述阴极层上方的具有与所述传感器的至少一部分重叠的第一开口的第一封装层，所述阴极层具有与所述第一开口重叠的第二开口，以及形成在所述第一封装层上方的与所述第一开口和所述第二开口重叠的第二封装层。
109.根据另一实施方案，所述第一封装层是第一无机封装层，并且所述第二封装层是第二无机封装层。
110.根据另一实施方案，所述显示器包括插置在所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间的有机封装层。
111.根据另一实施方案，所述显示器包括第三无机封装层，所述第三无机封装层具有与所述第一开口和所述第二开口重叠的第三开口，所述第三无机封装层插置在所述有机封装层和所述第二无机封装层之间。
112.根据另一实施方案，所述有机封装层与所述第一无机封装层和所述第二无机封装层直接接触。
113.根据另一实施方案，所述显示器包括第三无机封装层，所述第三无机封装层具有各自与所述第一无机封装层的相应部分、所述阴极层的相应部分、发射层的相应部分和相应阳极重叠的相应部分。
114.根据另一实施方案，所述显示器包括像素限定层，所述像素限定层插置在所述多个阳极之间，所述有机封装层与所述第三无机封装层和所述像素限定层重叠。
115.根据另一实施方案，所述有机封装层具有相对的第一侧和第二侧，所述有机封装层的所述第一侧与所述第三无机封装层和所述像素限定层直接接触，并且所述有机封装层的所述第二侧与所述第二无机封装层直接接触。
116.根据另一实施方案，所述显示器包括薄膜晶体管层，所述多个发光二极管形成在所述薄膜晶体管层上，并且所述第二开口与像素移除区域重叠，在所述像素移除区域中，所述薄膜晶体管层不含薄膜晶体管。
117.根据另一实施方案，所述第二开口是多个阴极开口中的一者，每个阴极开口插置在所述多个发光二极管中的相邻发光二极管之间，并且每个阴极开口被所述阴极层在侧面围绕。
118.根据另一实施方案，所述第二开口是所述阴极层中的开口栅格的一部分，所述开口栅格限定所述多个发光二极管中每个发光二极管上方的相应阴极岛。
119.根据另一实施方案，所述显示器包括电连接所述阴极层的所述相应阴极岛的辅助导电层。
120.根据一个实施方案，提供了一种形成显示器的方法，所述显示器包括薄膜晶体管层和由多个阳极、与所述多个阳极重叠的发射材料以及与所述发射材料重叠的阴极层形成的多个发光二极管，所述方法包括：在所述阴极层上方形成第一封装层，所述第一封装层是毯覆层；在所述第一封装层上方图案化掩膜层，所述掩膜层具有至少一个开口；以及在与所述至少一个开口重叠的区域中蚀刻所述阴极层，所述掩膜层的至少一部分在蚀刻所述阴极层之后保留并用作所述显示器的第二封装层。
121.前文仅为例示性的，并且在不脱离所述实施方案的范围和实质的情况下，本领域的技术人员可作出各种修改。前述实施方案可独立实施或可以任意组合实施。