一种碳化硅基板、碳化硅器件及其基板减薄方法与流程

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种碳化硅基板、碳化硅器件及其基板减薄方法。

背景技术：

随着半导体技术的不断发展，碳化硅(siliconcarbide，sic)技术已经成为半导体产业的前沿技术。为了使碳化硅器件的性能较好，需要对碳化硅基板进行减薄。

在相关技术中，通常采用磨削装置对碳化硅基板的背面进行磨削，从而将碳化硅基板减薄到规定的厚度。然而，碳化硅基板的莫氏硬度非常高，通过磨削装置对碳化硅基板的背面进行磨削时，会使磨削装置产生极大的磨损量，并且，磨削掉的碳化硅基板完全浪费，经济效益较低。

技术实现要素：

本申请实施例提供一种碳化硅基板、碳化硅器件及其基板减薄方法，以实现碳化硅基板的减薄，且基板减薄后被分离的第一基板可以重复利用，避免磨削掉的碳化硅基板完全浪费，提高经济效益。

第一方面，本申请实施例提供一种碳化硅器件的基板减薄方法，该基板减薄方法包括：提供一第一基板；第一基板为碳化硅基板，第一基板具有相对而置的硅面及碳面；在第一基板的硅面形成碳化硅器件，在碳化硅器件之上形成保护层；对第一基板的碳面进行离子注入；提供一第二基板；将离子注入后的第一基板与第二基板进行键合；对键合后的第一基板和第二基板进行高温退火，使注入到第一基板中的离子结合为气体；在第一基板的离子注入位置进行分离，得到减薄后的第一基板以及被分离的第一基板。

本申请实施例中，通过对第一基板进行离子注入，将离子注入后的第一基板与第二基板进行键合，并对键合后的第一基板和第二基板进行高温退火。在高温退火过程中，第一基板内的离子结合为气体，从而在第一基板中产生内部应力，使第一基板在离子注入位置处分离。在相关技术中，通过磨削装置对碳化硅基板进行减薄，会使磨削装置产生极大的磨损量，并且，磨削掉的碳化硅基板完全浪费。本申请实施例提供的碳化硅器件的基板减薄方法，无需对碳化硅器件的基板进行磨削，该基板减薄方法更易操作，并且基板减薄后被分离的第一基板可以重复利用，可以避免磨削掉的碳化硅基板完全浪费，因此经济效益更高。

在一种可能的实现方式中，在第一基板的硅面形成碳化硅器件，可以包括：在第一基板的硅面形成外延层，然后，对外延层进行图形化，例如，可以采用刻蚀等工艺对外延层进行图形化，以形成碳化硅器件。通常第一基板的电阻率与待形成的碳化硅器件的电阻率不同，因而，需要在第一基板的硅面形成外延层，以满足待形成的碳化硅器件的电学需求。在实际应用中，可以向第一基板的硅面掺杂n型粒子或p型粒子，以在第一基板的硅面形成外延层，并且，可以通过调节掺杂的厚度和浓度，来调节外延层的阻断电压和电阻率。

在一种可能的实现方式中，可以采用氢离子(h⁺)或氩离子(ar⁺)对第一基板的碳面进行离子注入。由于氢离子或氩离子的尺寸较小，更容易注入到第一基板中。并且，在高温作用下，氢离子之间容易结合为氢气，在第一基板中产生内部应力，从而使第一基板在离子注入位置处分离，同理，在高温作用下，氩离子之间容易结合为氩气，在第一基板中产生内部应力。此外，也可以采用其他离子向第一基板的碳面进行离子注入，此处不对注入的离子的种类进行限定。

本申请实施例提供的基板减薄方法可以通过多种方式实现。以下对本申请实施例中基板减薄方法的几种方式进行详细说明。

方式一：

在一种可能的实现方式中，上述第二基板为碳化硅基板，第二基板具有相对而置的硅面及碳面，并且，第二基板可以采用等级较低的碳化硅基板。上述将离子注入后的第一基板与第二基板进行键合，可以包括：将第一基板的碳面与第二基板的硅面进行键合。这样，可以使第一基板与第二基板更容易键合。并且，在后续高温的作用下，硅原子与碳原子能够结合为共价键，使第一基板与第二基板结合的比较牢固。

在方式一中，可以测量减薄后的第一基板的厚度，并将减薄后的第一基板的厚度与预设阈值进行比较。该预设阈值可以小于减薄前的第一基板的厚度，并且，该预设阈值为能够满足碳化硅器件的电学要求的厚度值，可以根据碳化硅器件的电学要求进行设置。若减薄后的第一基板的厚度未达到预设阈值，则重复执行：对第一基板的碳面进行离子注入至在第一基板的离子注入位置进行分离的各步骤，直至最终得到的减薄后的第一基板的厚度达到预设阈值。每重复一次就会得到一个第三基板，由于得到的第三基板的质量高于第二基板，能够产生一定的经济效益，重复的次数越多，产生的经济效益越大。

可选地，减薄后的第一基板的厚度达到预设阈值之后，还可以包括：去除保护层，去除保护层后可以便于继续执行后续步骤，例如，可以对碳化硅基板进行切割，以得到多个分立的碳化硅器件，以及对各碳化硅器件进行封装。

在一种可能的实现方式中，可以采用较小的能量对第一基板的碳面进行离子注入，这样，离子注入的深度较小，得到的被分离的第一基板的厚度较小，使对第一基板的碳面进行离子注入至在第一基板的离子注入位置进行分离的各步骤需要重复的次数就较多，进而，该基板减薄方法的经济效益较大。可选地，可以采用100kev～1mev的能量，对第一基板的碳面进行离子注入。

方式二：

在一种可能的实现方式中，可以将第一基板之上的保护层与第二基板进行键合，并且，在第一基板的离子注入位置进行分离之后，还可以包括：将减薄后的第一基板之上的保护层与第二基板进行解键合。也就是说，将第一基板之上的保护层与第二基板进行键合，例如，可以采用胶或蜡等材料粘合保护层与第二基板。相比于上述方式一中将第一基板的碳面与第二基板的硅面进行键合，方式二中保护层与第二基板之间的结合力较小，这样，在后续步骤中，可以将第一基板之上的保护层与第二基板进行解键合，解键合得到的第二基板可以重复利用，从而可以减少工艺成本。

在一种可能的实现方式中，可以采用较大的能量对第一基板的碳面进行离子注入，这样，离子注入的深度较大，使后续步骤中得到的被分离的第一基板的厚度较大，可选地，可以采用1mev～10mev的能量，对第一基板的碳面进行离子注入。

在一种可能的实现方式中，若减薄后的第一基板的厚度未达到预设阈值，则可以重复执行：对第一基板的碳面进行离子注入至在第一基板的离子注入位置进行分离的各步骤，可以根据第一基板的厚度及第一基板所需要减薄的厚度，来调整离子注入能量，并确定上述步骤的重复次数。减薄后的第一基板的厚度达到预设阈值之后，去除保护层，以便于继续执行后续步骤。

方式三：

在本申请实施例中，可以将上述方式一与方式二进行结合，例如可以采用方式二分离掉较厚的第一基板，若此时减薄后的第一基板的厚度未达到预设阈值，则可以采用方式一对第一基板继续减薄。此外，也可以先采用方式一对第一基板进行减薄，再采用方式二对第一基板进行减薄，此处不做限定，在实际工艺过程中，可以根据第一基板的厚度，第一基板所需要减薄的厚度，以及工艺成本等因素，来设计方式一与方式二的先后及重复次数。

第二方面，本申请实施例还提供了一种碳化硅器件，该碳化硅器件的基板由上述任一基板减薄方法进行减薄得到。相比于相关技术中采用磨削装置对碳化硅基板进行减薄，本申请实施例中，该碳化硅器件的基板由上述基板减薄方法进行减薄得到，无需对碳化硅器件的基板进行磨削，对碳化硅器件的基板的表面损伤较小，得到的碳化硅器件的基板的表面平整度较好。

第三方面，本申请实施例还提供了一种碳化硅基板，该碳化硅基板可以包括：第一基板及第二基板；其中，第一基板可以为碳化硅基板，第一基板具有相对而置的硅面及碳面，第二基板为碳化硅基板，第二基板具有相对而置的硅面及碳面，第一基板的碳面与第二基板的硅面固定连接，可选地，可以采用键合工艺将第一基板的碳面与第二基板的硅面进行固定连接，并且，第一基板的碳面中的碳原子可以与第二基板的硅面的硅原子结合为共价键，使第一基板与第二基板的连接比较牢固。

在本申请实施例中，第一基板的等级可以高于第二基板的等级。由于该碳化硅基板中具有等级较高的第一基板，因而，该碳化硅基板可以满足制作碳化硅器件的耐高温需求及导电需求，在具体实施时，可以在第一基板的硅面制作外延层，并对外延层进行图形化，以形成碳化硅器件。

附图说明

图1为本申请实施例提供的碳化硅器件的基板减薄方法的流程示意图；

图2为与图1中各步骤对应的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的碳化硅器件的基板减薄方法的另一流程示意图；

图4为与图3中各步骤对应的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的碳化硅基板的结构示意图。

附图标记：

201-第一基板；202-碳化硅器件；203-保护层；204-第二基板；301-第三基板。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述。

本申请实施例提供的碳化硅器件的基板减薄方法，可以应用于各种碳化硅器件的制作工艺中。本申请实施例中的碳化硅器件可以为肖特基二极管(schottkybarrierdiode，sbd)、金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，mosfet)或结型场效应晶体管(junctionfield-effecttransistor，jfet)，当然，本申请实施例中的碳化硅器件也可以为其他类型的器件，此处不做限定。

在碳化硅器件的制作工艺中，为了提高生产效率，本申请实施例通过在同一个碳化硅基板上形成多个碳化硅器件，制作完成后再通过切割得到多个分立的晶粒，然后再分别对各晶粒进行封装得到多个碳化硅器件。通常碳化硅器件为垂直结构器件，因而通过对碳化硅基板进行减薄，可以提高碳化硅器件的性能，例如，可以降低碳化硅器件的电阻，使碳化硅器件具有更好的正向导通能力，缩短导热路径，有利于碳化硅器件进行散热。此外，可以在对碳化硅基板进行减薄后，再对碳化硅基板进行切割，由于碳化硅基板的厚度减小，这样可以减小切割工艺的加工量，并且可以防止碳化硅器件出现崩边等不良。

应注意的是，在本说明书中，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

图1为本申请实施例提供的碳化硅器件的基板减薄方法的流程示意图，图2为与图1中各步骤对应的结构示意图，如图1和图2所示，本申请实施例提供的碳化硅器件的基板减薄方法，可以包括：

s101、参照图2中的(a)，提供一第一基板201；第一基板201可以为碳化硅基板，第一基板具有相对而置的硅面及碳面；

s102、参照图2中的(b)，在第一基板201的硅面形成碳化硅器件202，参照图2中的(c)，在碳化硅器件202之上形成保护层203，保护层203可以对碳化硅器件202进行保护，避免后续操作对碳化硅器件202造成损伤，可选地，保护层203可以为光刻胶或胶带等；

s103、参照图2中的(d)，对第一基板201的碳面进行离子注入，图中箭头t表示离子注入，虚线s表示离子注入位置；

s104、参照图2中的(e)，提供一第二基板204；

s105、参照图2中的(f)，将离子注入后的第一基板201与第二基板204进行键合；

s106、参照图2中的(g)，对键合后的第一基板201和第二基板204进行高温退火，使注入到第一基板201中的离子结合为气体，图中以黑色圆点表示气体；

s107、继续参照图2中的(g)，在第一基板201的离子注入位置(虚线s处)进行分离，得到减薄后的第一基板201，如图2中的(i)，以及得到被分离的第一基板201，如图2中的(h)。

本申请实施例中，通过对第一基板进行离子注入，将离子注入后的第一基板与第二基板进行键合，并对键合后的第一基板和第二基板进行高温退火。在高温退火过程中，第一基板内的离子结合为气体，从而在第一基板中产生内部应力，使第一基板在离子注入位置处分离。在相关技术中，通过磨削装置对碳化硅基板进行减薄，会使磨削装置产生极大的磨损量，并且，磨削掉的碳化硅基板完全浪费。本申请实施例提供的碳化硅器件的基板减薄方法，无需对碳化硅器件的基板进行磨削，该基板减薄方法更易操作，并且基板减薄后被分离的第一基板可以重复利用，可以避免磨削掉的碳化硅基板完全浪费，因此经济效益更高。

在上述步骤s101中，第一基板可以为碳化硅基板，其中，碳化硅包括硅原子和碳原子，碳化硅基板包括交替排列的硅原子层和碳原子层，因而，碳化硅基板一侧的表面为硅原子层，即硅面，碳化硅基板另一侧的表面为碳原子层，即碳面。

在上述步骤s102中，在第一基板的硅面形成碳化硅器件，可以包括：参照图2中的(b)，在第一基板201的硅面形成外延层，然后，对外延层进行图形化，例如，可以采用刻蚀等工艺对外延层进行图形化，以形成碳化硅器件202。通常第一基板的电阻率与待形成的碳化硅器件的电阻率不同，因而，需要在第一基板的硅面形成外延层，以满足待形成的碳化硅器件的电学需求。在实际应用中，可以向第一基板的硅面掺杂n型粒子或p型粒子，以在第一基板的硅面形成外延层，并且，可以通过调节掺杂的厚度和浓度，来调节外延层的阻断电压和电阻率。

在上述步骤s103中，参照图2中的(d)，可以采用氢离子(h⁺)或氩离子(ar⁺)对第一基板201的碳面进行离子注入。由于氢离子或氩离子的尺寸较小，更容易注入到第一基板201中。并且，在后续步骤s106中，参照图2中的(g)，在高温作用下，氢离子之间容易结合为氢气，在第一基板201中产生内部应力，从而使第一基板201在离子注入位置处分离，同理，在高温作用下，氩离子之间容易结合为氩气，在第一基板201中产生内部应力。此外，也可以采用其他离子向第一基板201的碳面进行离子注入，此处不对注入的离子的种类进行限定。在本申请实施例中，离子注入位置可以理解为，进行离子注入后第一基板201中离子浓度较高的位置。在具体实施时，可以通过调节离子注入的能量，来控制离子注入位置。

在上述步骤s105中，参照图2中的(f)，将离子注入后的第一基板201与第二基板204进行键合，第二基板204可以对第一基板201进行支撑，在后续步骤s107中，参照图2中的(g)，由于第二基板204的支撑作用，可以使第一基板201更容易在离子注入位置分离，并且，可以防止被分离的第一基板201或减薄后的第一基板201在分离过程中被损坏。在上述步骤s107中，由于第一基板201在离子注入位置(虚线s处)处具有较大的内部应力，在实际操作过程中，只需向第一基板201的离子注入位置以外的侧壁施加横向推力，就能够将第一基板201在离子注入位置分离，例如可以采用类似顶针的设备向第一基板201的侧壁施加推力。

本申请实施例提供的基板减薄方法可以通过多种方式实现，以下结合附图，对本申请实施例中基板减薄方法的几种方式进行详细说明。

方式一：

在上述步骤s104中，参照图2中的(e)，提供一第二基板204；第二基板204为碳化硅基板，第二基板具有相对而置的硅面及碳面。在上述步骤s105中，参照图2中的(f)，将离子注入后的第一基板201的碳面与第二基板204的硅面进行键合。

在本申请的方式一中，第二基板也是碳化硅基板，这样，在步骤s105中，将第一基板的碳面与第二基板的硅面进行键合，使第一基板与第二基板更容易键合。并且，在后续步骤s106中的高温作用下，硅原子与碳原子能够结合为共价键，使第一基板与第二基板结合的比较牢固。

在实际应用中，碳化硅基板可以按照晶体内部缺陷程度、表面加工质量等标准分为多个等级。碳化硅基板的等级越高，则表示碳化硅基板的质量越好，并且价格也越高。在方式一中的步骤s101中，第一基板可以采用等级较高的碳化硅基板，在方式一中的步骤s104中，第二基板可以采用等级较低的碳化硅基板，也就是说，第一基板的等级高于第二基板的等级。

在步骤s107中，参照图2中的(h)，第一基板201在离子注入位置分离后，得到的被分离的第一基板201与第二基板204仍牢固结合。为了便于说明，将被分离的第一基板201与第二基板204可以称为第三基板301。第三基板301中具有等级较高的碳化硅基板(即第一基板201)，并且，第三基板301中的第二基板204也是碳化硅基板，因而，第三基板301可以满足制作碳化硅器件的耐高温需求及导电需求，所以可以在第三基板301中第一基板201的硅面形成外延层，以制作碳化硅器件。此外，在方式一中，步骤s104中提供的第二基板204为低等级的碳化硅基板，相比于第二基板204，步骤s107中得到的第三基板301中具有等级较高的碳化硅基板，第三基板301的质量更好，并且第三基板301可以继续制作碳化硅器件，因而，经过步骤s105至步骤s107之后，可以提高碳化硅基板的质量，并提高碳化硅基板的经济效益。

在方式一中，在步骤s107之后，可以测量减薄后的第一基板的厚度，并将减薄后的第一基板的厚度与预设阈值进行比较。该预设阈值可以小于减薄前的第一基板的厚度，并且该预设阈值为能够满足碳化硅器件的电学要求的厚度值，可以根据碳化硅器件的电学要求进行设置。若减薄后的第一基板的厚度未达到预设阈值，则可以重复执行图1中的步骤s103至步骤s107的各步骤以使最终得到的减薄后的第一基板的厚度达到预设阈值。参照图2中的(j)，减薄后的第一基板201的厚度达到预设阈值之后，还可以包括：去除保护层，得到图2中的(k)所示的结构。去除保护层后可以便于继续执行后续步骤，例如，可以对碳化硅基板进行切割，以得到多个分立的碳化硅器件，以及对各碳化硅器件进行封装。

本申请实施例的方式一中，每重复一次图1中的s103至步骤s107，就会在步骤s107中得到一个第三基板，由于得到的第三基板的质量高于步骤s104中提供的第二基板，能够产生一定的经济效益，重复的次数越多，产生的经济效益越大。可选地，在方式一的步骤s103中，参照图2中的(d)，可以采用较小的能量对第一基板201的碳面进行离子注入，这样，离子注入的深度较小，参照图2中的(h)，步骤s107中得到的被分离的第一基板201的厚度较小，在实际应用中，可以采用100kev～1mev的能量，对第一基板201的碳面进行离子注入，可以使离子注入的深度在0.5μm～10μm的范围内，得到的被分离的第一基板201的厚度也在0.5μm～10μm的范围内，例如，可以采用200kev左右的能量，对第一基板201的碳面进行离子注入，可以使离子注入的深度在1μm左右，得到的被分离的第一基板201的厚度在1μm左右。因而，采用较小的能量对第一基板201进行离子注入，得到的被分离的第一基板201的厚度较小，使步骤s103至步骤s107需要重复的次数就较多，进而该基板减薄方法的经济效益较大。在方式一的步骤s103中，离子注入的浓度可以在10¹⁶～10¹⁸/cm²的范围内，并且为了增加离子活性，减小注入损伤，可以在高温条件下进行离子注入，例如，可以在500℃左右的温度下进行离子注入。

以减薄前的第一基板的厚度约350μm，上述预设阈值为100μm为例，步骤s103中采用200kev的能量进行离子注入，可以使离子注入的深度在1μm左右。此外，步骤s107得到的减薄后的第一基板的界面比较粗糙，可以通过抛光等表面加工工艺对减薄后的第一基板的表面进行处理。在表面加工工艺过程中第一基板的厚度有一定的损耗，因而，每重复一次步骤s103至步骤s107的各步骤，第一基板可以减薄10μm左右，因而，需要重复执行十几次步骤s103至步骤s107的各步骤，可以得到十几个第三基板，产生的经济效益较大。

可选地，本申请实施例中的基板减薄方法，如图1所示，还可以包括s108、图2中的(i)所示的减薄后的第一基板201的厚度达到预设阈值之后，去除保护层，得到图2中的(k)所示的结构。

方式二：

图3为本申请实施例提供的碳化硅器件的基板减薄方法的另一流程示意图，图4为与图3中各步骤对应的结构示意图，如图3和图4所示，本申请实施例中的基板减薄方法，可以包括：

s301、参照图4中的(a)，提供一第一基板201；第一基板201可以为碳化硅基板，第一基板具有相对而置的硅面及碳面；

s302、参照图4中的(b)，在第一基板201的硅面形成碳化硅器件202，参照图4中的(c)，在碳化硅器件202之上形成保护层203；

s303、参照图4中的(d)，对第一基板201的碳面进行离子注入，图中箭头t表示离子注入，虚线s表示离子注入位置；

s304、参照图4中的(e)，提供一第二基板204；第二基板204支撑第一基板，第二基板204可以为碳化硅基板，或者，第二基板204也可以为其他类型的基板，此处不做限定；

s305、参照图4中的(f)，将离子注入后的第一基板201与第二基板204进行键合，可选地，可以将第一基板201之上的保护层203与第二基板204进行键合；

s306、参照图4中的(g)，对键合后的第一基板201和第二基板204进行高温退火，使注入到第一基板201中的离子结合为气体，图中以黑色圆点表示气体；

s307、继续参照图4中的(g)，在第一基板201的离子注入位置(虚线s处)进行分离，得到如图4中的(i)所示的减薄后的第一基板201，以及得到图4中的(h)所示的被分离的第一基板201，如图4中的(h)；

s307′、继续参照图4中的(i)，将减薄后的第一基板201之上的保护层203与第二基板204进行解键合，得到图4中的(j)所示的第二基板204，以及得到图4中的(k)所示的第一基板201；

s308、图4中的(i)所示的减薄后的第一基板201的厚度达到预设阈值之后，去除保护层203，得到图4中的(l)所示的结构。

在本申请的方式二中，在步骤s305中，参照图4中的(f)，将第一基板201的硅面与第二基板204进行键合，也就是说，将第一基板201之上的保护层203与第二基板204进行键合，例如，可以采用胶或蜡等材料粘合保护层203与第二基板204。相比于上述方式一中将第一基板的碳面与第二基板的硅面进行键合，方式二中保护层203与第二基板204之间的结合力较小，这样，在后续步骤s307′中，可以将第一基板之上的保护层与第二基板进行解键合，参照图4中的(j)，解键合得到的第二基板204可以在执行步骤s304时重复利用，从而可以减少工艺成本。

并且，在方式二的步骤s303中，参照图4中的(d)，可以采用较大的能量对第一基板201的碳面进行离子注入，这样，离子注入的深度较大，参照图4中的(h)，使后续步骤s307中得到的被分离的第一基板201的厚度较大，在实际应用中，可以采用1mev～10mev的能量，对第一基板的碳面进行离子注入，可以使离子注入的深度在10μm～450μm，得到的被分离的第一基板201的厚度也在10μm～450μm之间，例如，可以采用4mev左右的能量，对第一基板的碳面进行离子注入，可以使离子注入的深度在100μm左右，得到的被分离的第一基板201的厚度也在100μm微米左右。这样，步骤s307中得到的被分离的第一基板201可以继续制作碳化硅器件，即得到的被分离的第一基板201可以重复利用，提高了碳化硅基板的利用率，降低制作成本。在方式二的步骤s303中，离子注入的浓度可以在10¹⁶～10¹⁸/cm²的范围内，方式二中离子注入的浓度可以大于方式一中离子注入的浓度。并且，为了增加离子活性，减小注入损伤，可以在高温条件下进行离子注入，例如可以在500℃左右的温度下进行离子注入。

在本申请的方式二中，每执行一次上述步骤s303至步骤s307，就能够得到一个图4中的(h)所示的被分离的第一基板201。在具体实施时，若减薄后的第一基板的厚度未达到预设阈值，则可以重复执行：步骤s303至步骤s307，可以根据第一基板的厚度及第一基板所需要减薄的厚度，来调整步骤s303中的离子注入能量，并确定步骤s303至步骤s307的重复次数。

方式三：

在本申请实施例中，可以将上述方式一与方式二进行结合，例如可以采用方式二分离掉较厚的第一基板，若此时减薄后的第一基板的厚度未达到预设阈值，则可以采用方式一对第一基板继续减薄。此外，也可以先采用方式一对第一基板进行减薄，再采用方式二对第一基板进行减薄，此处不做限定，在实际工艺过程中，可以根据第一基板的厚度，第一基板所需要减薄的厚度，以及工艺成本等因素，来设计方式一与方式二的先后及重复次数。

基于同一技术构思，本申请实施例还提供了一种碳化硅器件，该碳化硅器件的基板由上述任一基板减薄方法进行减薄得到。相比于相关技术中采用磨削装置对碳化硅基板进行减薄，本申请实施例中，该碳化硅器件的基板由上述基板减薄方法进行减薄得到，无需对碳化硅器件的基板进行磨削，对碳化硅器件的基板的表面损伤较小，得到的碳化硅器件的基板的表面平整度较好。

基于同一技术构思，本申请实施例还提供了一种碳化硅基板，图5为本申请实施例提供的碳化硅基板的结构示意图，如图5所示，该碳化硅基板可以包括：第一基板201及第二基板204；其中，第一基板201可以为碳化硅基板，第一基板201具有相对而置的硅面及碳面，第二基板204为碳化硅基板，第二基板204具有相对而置的硅面及碳面，第一基板201的碳面与第二基板204的硅面固定连接，可选地，可以采用键合工艺将第一基板201的碳面与第二基板204的硅面进行固定连接，并且，第一基板201的碳面中的碳原子可以与第二基板204的硅面的硅原子结合为共价键，使第一基板201与第二基板204的连接比较牢固。

在本申请实施例中，该碳化硅基板可以为上述方式一的步骤s107中得到的第三基板，即第一基板201的等级可以高于第二基板204的等级。由于该碳化硅基板中具有等级较高的第一基板201，因而，该碳化硅基板可以满足制作碳化硅器件的耐高温需求及导电需求，在具体实施时，可以在第一基板201的硅面制作外延层，并对外延层进行图形化，以形成碳化硅器件。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。