设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法与流程

1.本揭露是有关于一种设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法。


背景技术：

2.在半导体制程中，可利用物理气相沉积(pvd)制程沉积金属于晶圆上表面，同时金属也沉积在沉积环上。通常在进行上述半导体制程之前执行预防性维护(preventive maintenance，pm)检查，以防止在进行上述半导体制程的过程中产生晶圆电弧(wafer arcing)。


技术实现要素：

3.在本揭露的一些实施方式中，一种设备校准方法包含：将校准零件的本体抵靠设置于静电卡盘上的遮护板的顶面。校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部，以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部，且本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧。设备校准方法进一步包含：调整遮护板相对于静电卡盘的相对位置，致使沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部在第一延伸部分别抵靠遮护板的侧面的第一位置与第二位置时不接触环绕静电卡盘的沉积环，其中第一位置、第二位置与遮护板的中央在第一轴向上排列。
4.在本揭露的一些实施方式中，一种设备维护方法包含：将校准零件的本体抵靠设置于静电卡盘上的遮护板的顶面，其中校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部，且本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧；以第一延伸部沿着第一轴向朝向遮护板的侧面的第一位置移动，直至沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触环绕静电卡盘的沉积环，其中第一轴向通过遮护板的中央；将校准零件自遮护板的第一位置的一侧移至第二位置的一侧，其中第一位置与第二位置沿着第一轴向排列；以第一延伸部沿着第一轴向朝向第二位置移动，直至沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触沉积环；以及当第二延伸部接触沉积环且第一延伸部未抵靠到第二位置时，更换遮护板。
5.在本揭露的一些实施方式中，一种半导体处理方法包含：校准遮护板相对于下方的静电卡盘的相对位置，包含：将校准零件的本体抵靠遮护板的顶面，其中校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部，且本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧；以第一延伸部沿着第一轴向朝向遮护板的侧面的第一位置推动遮护板，直到沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触环绕静电卡盘的沉积环，第一轴向通过遮护板的中央；将校准零件自遮护板的第一位置的一侧移至第二位置的一侧，其中第一位置与第二位置沿着第一轴向排列；以及以第一延伸部沿着第一轴向朝向第二位置推动遮护板，并在沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触沉积环前停止。半导体处理方法进一步包含：将包覆于靶材外的氧化材料沉积于遮护板上；将沉积有氧化材料的遮护板置换为半导体基板；以及将靶材沉积于
半导体基板上。
附图说明
6.当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好理解本揭露。要强调的是，根据本领域中的标准实施，各种特征未按比例绘制，仅为了说明的目的。实际上，为了清楚叙述，各种特征的尺寸可以任意增加或减小。
7.图1是根据本揭露的一些实施方式绘示的校准零件的侧视图；
8.图2a是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一校准阶段的剖面示意图；
9.图2b是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一校准阶段的剖面示意图；
10.图2c是根据本揭露的一些实施方式半导体制造设备的一阶段的剖面示意图；
11.图2d是根据本揭露的一些实施方式半导体制造设备的一阶段的剖面示意图；
12.图2e是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备于图2a的校准阶段的俯视图；
13.图2f是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备于图2b的校准阶段的俯视图；
14.图2g是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备于图2c的校准阶段的俯视图；
15.图2h是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备于图2d的校准阶段的俯视图；
16.图2i是根据本揭露的一些实施方式绘示须更换遮护板的状况的剖面示意图；
17.图2j是根据本揭露的一些实施方式绘示须更换遮护板的另一状况的剖面示意图；
18.图3是根据本揭露的一些实施方式绘示设备校准方法的流程图；
19.图4是根据本揭露的一些实施方式绘示设备维护方法的流程图；
20.图5a是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一处理阶段的剖面示意图；
21.图5b是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一处理阶段的剖面示意图；
22.图5c是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一处理阶段的剖面示意图；
23.图5d是根据本揭露的一些实施方式绘示半导体制造设备的一处理阶段的剖面示意图；
24.图6是根据本揭露的实施方式绘示半导体处理方法的流程图。
25.【符号说明】
26.100:校准零件
27.110:本体
28.110a:底面
29.120:第一延伸部
30.120a:抵靠面
31.130:第二延伸部
32.200:半导体制造设备
33.210:静电卡盘
34.220:遮护板
35.220a:顶面
36.230:沉积环
37.230a:侧面
38.240:靶材
39.240a:氧化材料
40.300:设备校准方法
41.310,320,330,340,350,360,370,380,410,420,430,440,440a,450,460,470,480,480a,610,620,630,640:操作
42.400:设备维护方法
43.600:半导体处理方法
44.a:第一位置
45.b:第二位置
46.c:第三位置
47.d:第四位置
48.d1:第一轴向
49.d2:第二轴向
50.p:电浆
51.w:半导体基板
具体实施方式
52.应当理解，以下揭露内容提供了用于实现本揭露的不同特征的许多不同的实施方式或实施例。下面描述组件和布置的特定实施方式或实施例以简化本揭露。当然，这些仅是举例，并不意欲进行限制。例如，元件的尺寸不限于所揭露的范围或值，而是可以取决于制程条件和/或装置的期望特性。为了简单和清楚起见，可以以不同比例任意绘制各种特征。在附图中，为了简化，可以省略一些层/特征。此外，本揭露可在各种实例中重复参照数字和/或字母。此重复是为了简单及清楚的目的，且本身并不决定所讨论的各种实施例及/或组态之间的关系。
53.此外，为了便于描述，本文中可以使用像是“在......下方”、“在......之下”、“下部”、“在......上方”、“上部”及类似的空间相对术语，以便于描述以描述一个元素或特征与如图所示的另一个或多个元件或特征。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖设备在使用或操作中的不同方位。可以以其他方式定向设备(旋转90度或其他方向)，并且在此使用的空间相对描述语也可以相应地解释。此外，在随后的制造过程中，在所描述的操作之间可以存在一个或多个附加操作，并且可以改变操作的顺序。在以下实施方式中，可以在其他实施方式中采用关于一个实施方式所描述的材料、配置、尺寸、制程和/或
操作(例如，一个或多个附图)，并且可以省略其详细描述。
54.如本文中所使用，“左右”、“约”、“近似”或“实质上”一般应意指与给定值或范围相差在20％内、10％内，或5％内。本文给定的数值量是近似的，即意指在无明确表述的情况下可推论术语“左右”、“约”、“近似”或“实质上”。
55.本揭露是有关于一种设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法。具体来说，本揭露是关于执行半导体元件的沉积制程时，欲解决因沉积不均匀造成晶圆损坏的问题。本文所揭露的一些实施方式可用于物理气相沉积或任何与其相关的制程。
56.图1绘示在一些实施方式的校准零件100的剖面图。校准零件100包含本体110、第一延伸部120以及第二延伸部130。第一延伸部120连接本体110且相对于本体110弯折。第二延伸部130连接第一延伸部120且相对于第一延伸部120弯折。本体110与第二延伸部130位于第一延伸部120的同一侧。
57.在一些实施方式中，校准零件100可为用于校准有关物理气相沉积的设备的零件。
58.在一些实施方式中，本体110的长度与第二延伸部130的长度可以相同或不相同。
59.图2a至图2d分别绘示根据本揭露的一些实施方式的设备校准方法300的不同校准阶段的剖面图。在一些实施方式中，校准零件100应用于半导体制造设备200。半导体制造设备200包含静电卡盘210、设置于静电卡盘210上的遮护板220以及环绕静电卡盘210的沉积环230。本体110配置以抵靠遮护板220的顶面220a。第一延伸部120连接本体110且相对于本体110弯折。第一延伸部120配置以抵靠遮护板220的侧面。第二延伸部130连接第一延伸部120且相对于第一延伸部120弯折。第二延伸部130配置以抵靠沉积环230的侧面230a，其中本体110与第二延伸部130位于第一延伸部120的同一侧。
60.在一些实施方式中，本体110具有底面110a配置以抵靠遮护板220的顶面220a。第一延伸部120具有抵靠面120a配置以抵靠遮护板220的侧面，且本体110的底面110a与第一延伸部120的抵靠面120a相互垂直。借此，可以使得当校准零件100透过本体110以及第一延伸部120分别抵靠遮护板220的顶面220a以及侧面时，可以产生平稳抵靠的功效。
61.图2e至图2h绘示根据本揭露的一些实施方式的分别对应于图2a至图2d的设备校准方法300的校准阶段的俯视图。遮护板220的侧面包含第一位置a、第二位置b、第三位置c以及第四位置d。
62.如图2a、图2b、图2e以及图2f所示，在一些实施方式中，校准零件100配置以使本体110抵靠遮护板220的顶面220a，以调整遮护板220相对于静电卡盘210的相对位置，致使第二延伸部130在第一延伸部120分别抵靠遮护板220的侧面的第一位置a与第二位置b时不接触沉积环230，其中第一位置a与第二位置b沿着通过遮护板220的中央的第一轴向d1排列。
63.在一些实施方式中，举例来说，第一轴向d1可以是x轴向。
64.图3绘示根据本揭露的一些实施方式的利用校准零件100校准遮护板220相对于静电卡盘210的相对位置的设备校准方法300的流程图。图3中所绘示的方法可应用于半导体制造设备200。请同时参照图2a、图2b、图2e、图2f以及图3，本实施方式的方法可适用于图2a以及图2b的制造设备，以下即搭配半导体制造设备200中各元件之间的作动关系来说明本揭露实施方式的设备校准方法300的详细步骤。
65.如图3所示，本实施方式揭露一种利用校准零件100校准遮护板220相对于静电卡盘210的相对位置的设备校准方法300。具体来说，校准遮护板220相对于静电卡盘210的相
对位置以使遮护板220相对于静电卡盘210置中。设备校准方法300包含操作310至操作340。
66.在操作310中，参考图3，以本体110抵靠遮护板220的顶面220a。具体来说，操作者将校准零件100的本体110抵靠遮护板220的顶面220a。
67.在操作320中，参考图2a、图2e以及图3，以第一延伸部120沿着第一轴向d1朝向第一位置a推动遮护板220直到第二延伸部130接触沉积环230。具体来说，操作者可手持校准零件100，使本体110的底面110a抵靠在遮护板220的顶面220a上。接着，操作者手持校准零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮护板220的侧面，并施力沿着第一轴向d1朝向第一位置a推动遮护板220。在施力的过程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮护板220的中央。当操作者手持校准零件100以第一延伸部120推动遮护板220直到第二延伸部130接触沉积环230的侧面230a时，停止以第一延伸部120推动遮护板220。
68.在操作330中，将校准零件100自遮护板220的第一位置a的一侧移至第二位置b的一侧。具体来说，当操作者手持校准零件100以第一延伸部120推动遮护板220直到第二延伸部130接触沉积环230时，停止以第一延伸部120推动遮护板220(即操作320完成)。接着，操作者将校准零件100自遮护板220的第一位置a的一侧移至第二位置b的一侧。
69.在操作340中，参考图2b、图2f以及图3，以第一延伸部120沿着第一轴向d1朝向第二位置b推动遮护板220并在第二延伸部130接触沉积环230前停止。具体来说，操作者可手持校准零件100，使本体110的底面110a抵靠在遮护板220的顶面220a上。接着，操作者手持校准零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮护板220的侧面，并施力沿着第一轴向d1朝向第二位置b推动遮护板220。在施力的过程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮护板220的中央。当操作者手持校准零件100以第一延伸部120推动遮护板220时，同时不使第二延伸部130接触沉积环230的侧面230a。在执行操作310至操作340之后，即可确保第二延伸部130在第一延伸部120分别抵靠遮护板220的侧面的第一位置a与第二位置b时不接触沉积环230，此亦代表遮护板220相对于静电卡盘210在第一轴向d1上的相对位置已完成校准。
70.在一些实施方式中，如图2a所示，在操作320中，当操作者手持校准零件100以第一延伸部120朝向第一位置a推动遮护板220直到第二延伸部130接触沉积环230的侧面230a时，遮护板220被推动一个第一距离。如图2b所示，在操作340中，当操作者手持校准零件100以第一延伸部120朝向第二位置b推动遮护板220，而不使第二延伸部130接触沉积环230的侧面230a时，遮护板220又被推动一个第二距离。上述第二距离小于上述第一距离。操作者借此使遮护板220在第一轴向d1上相对于静电卡盘210有置中的效果。
71.在一些实施方式中，第一位置a以及第二位置b为分别位于遮护板220的第一轴向d1上的相反两侧的区域。
72.在一些实施方式中，经过设备校准方法300校准后的遮护板220的侧面在第一轴向d1上突出沉积环230的侧面230a的距离在约0.8mm至约1.0mm的范围内。
73.如图2c、图2d、图2g以及图2h所示，在一些实施方式中，校准零件100还配置以使本体110抵靠遮护板220的顶面220a，以调整遮护板220相对于静电卡盘210的相对位置，致使第二延伸部130在第一延伸部120分别抵靠遮护板220的侧面的第三位置c与第四位置d时不接触沉积环230，其中第三位置c与第四位置d沿着通过遮护板220的中央的第二轴向d2排列。
74.在一些实施方式中，第二轴向d2垂直于第一轴向d1。举例来说，第二轴向d2可以是
y轴向。
75.在一些实施方式中，可继续利用如图3所示的设备校准方法300的操作350至操作380在第二轴向d2上校准遮护板220相对于静电卡盘210的相对位置。
76.在操作350中，参考图3，将校准零件100自遮护板220的第二位置b的一侧移至第三位置c的一侧。具体来说，操作者将校准零件100移离遮护板220的第二位置b的一侧，再将校准零件100的本体110抵靠遮护板220的第三位置c的顶面220a。
77.在操作360中，参考图2c、图2g以及图3，以第一延伸部120沿着第二轴向d2朝向第三位置c推动遮护板220直到第二延伸部130接触沉积环230。具体来说，操作者可手持校准零件100，使本体110的底面110a抵靠在遮护板220的顶面220a上。接着，操作者手持校准零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮护板220的侧面，并施力沿着第二轴向d2朝向第三位置c推动遮护板220。在施力的过程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮护板220的中央。当操作者手持校准零件100以第一延伸部120推动遮护板220直到第二延伸部130接触沉积环230的侧面230a时，停止以第一延伸部120推动遮护板220。
78.在操作370中，将校准零件100自遮护板220的第三位置c的一侧移至第四位置d的一侧。具体来说，当操作者手持校准零件100以第一延伸部120推动遮护板220直到第二延伸部130接触沉积环230时，停止以第一延伸部120推动遮护板220(即操作360完成)。接着，操作者将校准零件100自遮护板220的第三位置c的一侧移至第四位置d的一侧。
79.在操作380中，参考图2d、图2h以及图3，以第一延伸部120沿着第二轴向d2朝向第四位置d推动遮护板220并在第二延伸部130接触沉积环230前停止。具体来说，操作者可手持校准零件100，使本体110的底面110a抵靠在遮护板220的顶面220a上。接着，操作者手持校准零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮护板220的侧面，并施力沿着第二轴向d2朝向第四位置d推动遮护板220。在施力的过程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮护板220的中央。当操作者手持校准零件100以第一延伸部120推动遮护板220时，同时不使第二延伸部130接触沉积环230的侧面230a。
80.在一些实施方式中，如图2c所示，在操作360中，当操作者手持校准零件100以第一延伸部120朝向第三位置c推动遮护板220直到第二延伸部130接触沉积环230的侧面230a时，遮护板220被推动一个第三距离。如图2b所示，在操作380中，当操作者手持校准零件100以第一延伸部120朝向第四位置d推动遮护板220，而不使第二延伸部130接触沉积环230的侧面230a时，遮护板220又被推动一个第四距离。上述第四距离小于上述第三距离。操作者借此使遮护板220在第二轴向d2上相对于静电卡盘210有置中的效果。
81.在一些实施方式中，第三位置c以及第四位置d为分别位于遮护板220的第二轴向d2上的相反两侧的区域。
82.在一些实施方式中，经过设备校准方法300校准后的遮护板220的侧面在第二轴向d2上突出沉积环230的侧面230a的距离在约0.8mm至约1.0mm的范围内。
83.在一些实施方式中，操作者可以在第一轴向d1、第二轴向d2、或更多轴向上以设备校准方法300校准遮护板220相对于静电卡盘210的相对位置。举例来说，操作者可以在与第一轴向d1相差约45度的第三轴向上的第五位置以及第六位置以设备校准方法300校准遮护板220相对于静电卡盘210的相对位置，其中第五位置以及第六位置位于遮护板220的对角位置(图未示)。
84.在一些实施方式中，举例来说，操作者可以在与第三轴向相互垂直的第四轴向上的第七位置以及第八位置以设备校准方法300校准遮护板220相对于静电卡盘210的相对位置，其中第七位置以及第八位置位于遮护板220的对角位置(图未示)。
85.需要说明的是，操作者可依据不同需求在遮护板220的多个轴向上重复执行上述设备校准方法300，以使遮护板220相对于静电卡盘210置中。
86.图2i绘示根据本揭露的一些实施方式的须更换遮护板的状况的剖面示意图。
87.图4绘示根据本揭露的一些实施方式的设备维护方法的流程图。
88.在一些实施方式中，也可以利用如图4所示的设备维护方法400在第一轴向d1上判断遮护板220是否必须更换，其中执行操作410至操作440之后，接着执行操作440a。
89.以下将参考图2i以及图4详细说明利用设备维护方法400判断遮护板220是否必须更换的具体实施方式。
90.执行操作410，参考图2i以及图4，以本体110抵靠遮护板220的顶面220a。具体来说，操作者可手持校准零件100，使本体110的底面110a抵靠在遮护板220的顶面220a上。
91.执行操作420，参考图2i以及图4，以第一延伸部120沿着第一轴向d1朝向遮护板220的侧面的第一位置a移动，直至沿着第一轴向d1朝向遮护板220延伸的第二延伸部130接触环绕静电卡盘210的沉积环230。具体来说，操作者手持校准零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮护板220的侧面，并施力沿着第一轴向d1朝向第一位置a推动遮护板220。在施力的过程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮护板220的中央。当操作者手持校准零件100以第一延伸部120沿着第一轴向d1朝向第一位置a移动直到第二延伸部130接触沉积环230时，停止以第一延伸部120推动遮护板220。
92.执行操作430，参考图2i以及图4，将校准零件100自遮护板220的第一位置a的一侧移至第二位置b的一侧。具体来说，操作者将校准零件100自遮护板220的第一位置a的一侧移至第二位置b的一侧。在一些实施方式中，第一位置a以及第二位置b位于遮护板220的对角位置。接着，操作者可手持校准零件100，使本体110的底面110a抵靠在遮护板220的顶面220a上。
93.执行操作440，参考图2i以及图4，以第一延伸部120沿着第一轴向d1朝向遮护板220的侧面的第二位置b移动，直至沿着第一轴向d1朝向遮护板220延伸的第二延伸部130接触环绕静电卡盘210的沉积环230。具体来说，操作者手持校准零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮护板220的侧面，并施力沿着第一轴向d1朝向第二位置b推动遮护板220。在施力的过程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮护板220的中央。当操作者手持校准零件100以第一延伸部120沿着第一轴向d1朝向第二位置b移动直到第二延伸部130接触沉积环230时，停止以第一延伸部120推动遮护板220。
94.执行操作440a，当第二延伸部130沿着第一轴向d1移动而接触沉积环230但第一延伸部120未抵靠到第二位置b时，更换遮护板220。具体来说，当操作者手持校准零件100想要以第一延伸部120沿着第一轴向d1朝向第二位置b推动遮护板220的过程中，第二延伸部130首先沿着第一轴向d1移动而接触沉积环230但第一延伸部120未抵靠到第二位置b时，操作者据此判断必须更换遮护板220。
95.在一些实施方式中，遮护板220因为在制程中重复使用而造成尺寸变小，致使当操作者手持校准零件100想要以第一延伸部120沿着第一轴向d1朝向第二位置b推动遮护板
220的过程中，第二延伸部130沿着第一轴向d1移动而接触沉积环230但第一延伸部120未抵靠到第二位置b。借此，操作者可利用校准零件100透过操作440a来评估遮护板220是否需更换。
96.图2j绘示根据本揭露的一些实施方式的须更换遮护板的另一状况的剖面示意图。在本实施方式中，遮护板220相对于静电卡盘210置中，使得遮护板220的两侧皆部接触第一延伸部120的抵靠面120a。
97.以下将参考图2j详细描述利用设备维护方法400判断遮护板220是否必须更换的具体另一些实施方式。在一些实施方式中，图2i以及图2j的差异在于，在操作420中第一延伸部120是否有推动遮护板220，但操作步骤都是同样执行操作410至操作440a。亦即，在图2i所绘示的一些实施方式中，第一延伸部120在执行操作420的过程中有推动遮护板220。相反地，在图2j所绘示的一些实施方式中，第一延伸部120在执行操作420的过程中未推动遮护板220。
98.在一些实施方式中，当遮护板220的侧面在第一轴向d1上突出沉积环230的侧面230a小于约0.8mm时，操作者将遮护板220更换。
99.在本揭露的一些实施方式中，也可以利用如图4所示的设备维护方法400在第二轴向d2上判断遮护板220是否必须更换。操作者除了可通过如图2i所示在第一轴向d1上判断遮护板220是否必须更换，还可在第二轴向d2上判断遮护板220是否必须更换。其中执行操作410至操作480之后，接着执行操作480a。
100.以下参考图2i以及图4详细说明利用设备维护方法400判断遮护板220是否必须更换的具体实施方式。
101.在执行设备维护方法400的操作410至操作440之后，若第一延伸部120抵靠到第二位置b，则代表遮护板200在第一轴向d1上符合标准而不需更换。根据设备维护方法400可接着在第二轴向d2上判断遮护板220是否必须更换，其执行操作450至操作480之后，接着执行操作480a。
102.执行操作450，将校准零件100自遮护板200的第二位置b的一侧移至第三位置c的一侧。换言之，即操作者将校准零件100移离遮护板220的第二位置b的一侧，再将校准零件100的本体110抵靠遮护板220的第三位置c的顶面220a。
103.执行操作460，参考图4，并配合参考图2g以及图2h，以第一延伸部120沿着第二轴向d2朝向遮护板220的侧面的第三位置c移动，直至沿着第二轴向d2朝向遮护板220延伸的第二延伸部130接触环绕静电卡盘210的沉积环230。具体来说，操作者手持校准零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮护板220的侧面，并施力沿着第二轴向d2朝向第三位置c推动遮护板220。在施力的过程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮护板220的中央。当操作者手持校准零件100以第一延伸部120沿着第二轴向d2朝向第三位置c移动直到第二延伸部130接触沉积环230时，停止以第一延伸部120推动遮护板220。
104.执行操作470。参考图4，并配合参考图2g以及图2h，将校准零件100自遮护板220的第三位置c的一侧移至第四位置d的一侧。具体来说，操作者将校准零件100自遮护板220的第三位置c的一侧移至第四位置d的一侧。在一些实施方式中，第三位置c以及第四位置d位于遮护板220的对角位置。接着，操作者可手持校准零件100，使本体110的底面110a抵靠在遮护板220的顶面220a上。
105.执行操作480，参考图4，并配合参考图2g以及图2h，以第一延伸部120沿着第二轴向d2朝向遮护板220的侧面的第四位置d移动，直至沿着第二轴向d2朝向遮护板220延伸的第二延伸部130接触环绕静电卡盘210的沉积环230。具体来说，操作者手持校准零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮护板220的侧面，并施力沿着第二轴向d2朝向第四位置d推动遮护板220。在施力的过程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮护板220的中央。当操作者手持校准零件100以第一延伸部120沿着第二轴向d2朝向第四位置d移动直到第二延伸部130接触沉积环230时，停止以第一延伸部120推动遮护板220。
106.执行操作480a，当第二延伸部130沿着第二轴向d2移动而接触沉积环230但第一延伸部120未抵靠到第四位置d时，更换遮护板220。具体来说，当操作者手持校准零件100想要以第一延伸部120沿着第二轴向d2朝向第四位置d推动遮护板220的过程中，第二延伸部130首先沿着第二轴向d2移动而接触沉积环230但第一延伸部120未抵靠到第四位置d时，操作者据此判断必须更换遮护板220。
107.在一些实施方式中，遮护板220因为在制程中重复使用而造成尺寸变小，致使当操作者手持校准零件100想要以第一延伸部120沿着第二轴向d2朝向第四位置d推动遮护板220的过程中，第二延伸部130沿着第二轴向d2移动而接触沉积环230但第一延伸部120未抵靠到第四位置d时，操作者将遮护板220更换。
108.在一些实施方式中，第一延伸部120在执行操作420的过程中有推动遮护板220。在其他一些实施方式中，第一延伸部120在执行操作420的过程中未推动遮护板220。
109.在一些实施方式中，操作者可以在第一轴向d1、第二轴向d2、或更多轴向上以设备维护方法400判断遮护板220是否必须更换。举例来说，操作者可以在与第一轴向d1相差约45度的第三轴向上的第五位置以及第六位置以设备维护方法400判断遮护板220是否必须更换，其中第五位置以及第六位置位于遮护板220的对角位置(图未示)。
110.在一些实施方式中，举例来说，操作者可以在与第三轴向相互垂直的第四轴向上的第七位置以及第八位置以设备维护方法400判断遮护板220是否必须更换，其中第七位置以及第八位置位于遮护板220的对角位置(图未示)。
111.需要说明的是，操作者可依据不同需求在遮护板220的多个轴向上重复执行上述设备维护方法400，以判断遮护板220是否必须更换。
112.需要说明的是，上述提及的第一位置a、第二位置b、第三位置c、第四位置d、或其他在多个轴向上的多个成对的不同位置可以互换。举例来说，上述提及的第一位置可以是指第二位置，而上述提及的第二位置可以是指第一位置。更具体来说，第一位置并不限定位于图2a、图2b以及图2e至图2h的右方，亦可位于左方，第二位置并不限定位于图2a、图2b以及图2e至图2h的左方，亦可位于右方。
113.图5a、图5b、图5c以及图5d绘示根据本揭露的一些实施方式的半导体处理方法600的各个阶段。在一些实施方式中，半导体制造设备200还包含靶材240以及包覆在靶材240外的氧化材料240a。靶材240以及氧化材料240a位在静电卡盘210、遮护板220以及沉积环230上方。在一些实施方式中，氧化材料240a是由于靶材240的外围与空气接触氧化而形成。
114.在一些实施方式中，在靶材240以及氧化材料240a下方的腔室空间中产生电浆p。电浆p的离子用以撞击靶材240以及氧化材料240a以溅镀金属在遮护板220以及沉积环230上。
115.图6绘示根据本揭露的实施方式的半导体处理方法600的各个阶段的流程图。图6中所绘示的方法可应用于半导体制造设备200。请同时参照图5a、图5b、图5c、图5d以及图6，本实施方式的方法可适用于图5a、图5b、图5c以及图5d的制造设备，以下即搭配制造设备中各元件之间的作动关系来说明本揭露实施方式的半导体处理方法600的详细步骤。
116.如图6所示，本实施方式揭露一种半导体处理方法600。半导体处理方法600包含操作610、操作620、操作630以及操作640。
117.在操作610中，参考图5a以及图6，校准遮护板220相对于静电卡盘210的相对位置。具体来说，操作者以设备校准方法300校准遮护板220相对于静电卡盘210的相对位置，以使遮护板220相对于静电卡盘210置中。
118.前面已详细说明设备校准方法300及其操作310至操作380，故此处不再详述。
119.在操作620中，参考图5b以及图6，将包覆于靶材240外的氧化材料240a沉积于遮护板220上。具体来说，当操作者手持校准零件100以设备校准方法300使遮护板220相对于静电卡盘210置中之后，移除校准零件100。接着，使腔室空间进入真空状态。执行加温烘烤(baking)，以去除腔室空间中的水气以及有机物质。再来，导入气体至腔室空间中。在一些实施方式中，气体可以是例如氩气(ar)等其他适合用以产生电浆p的气体。加热腔室空间以产生电浆p。电浆p的离子撞击上方的氧化材料240a，以溅镀氧化材料240a至遮护板220的顶面220a上以及沉积环230的表面上。在一些实施方式中，氧化材料240a可以是金属氧化物，例如：氧化铝(al
x
oy)等金属氧化物，但不限于此。
120.在一些实施方式中，请参考图5b以及图5d，以电浆p溅镀氧化材料240a使其沉积在遮护板220上以及沉积环230上，是为了后段制程步骤欲以电浆p溅镀靶材240在半导体基板w上以及沉积环230上时不溅镀氧化材料240a。
121.在操作630中，参考图5c以及图6，将沉积有氧化材料240a的遮护板220置换为半导体基板w。具体来说，利用例如机械手臂(图未示)将沉积有氧化材料240a的遮护板220移离腔室空间。接着，检验在沉积环230的氧化材料240a的剖面，以确认氧化材料240a是否均匀沉积在沉积环230上。
122.在一些实施方式中，若氧化材料240a均匀沉积在沉积环230上，将沉积有氧化材料240a的沉积环230更换为新的沉积环230。再来，利用例如机械手臂将半导体基板w移进腔室空间中，并将半导体基板w放置于静电卡盘210上。在一些实施方式中，当机械手臂在将沉积有氧化材料240a的遮护板220移离腔室空间时，记忆沉积有氧化材料240a的遮护板220的位置参数，并且当机械手臂在将半导体基板w移入腔室空间时，根据已记忆的上述位置参数将半导体基板w放置于先前遮护板220所在的位置上。
123.在操作640中，参考图5d以及图6，将靶材240沉积于半导体基板w上。具体来说，当机械手臂将半导体基板w放置于静电卡盘210上之后，使腔室空间进入真空状态。执行加温烘烤(baking)，以去除腔室空间中的水气以及有机物质。再来，导入气体至腔室空间中。在一些实施方式中，气体可以是例如氩气(ar)等其他适合用以产生电浆p的气体。加热腔室空间以产生电浆p。电浆p的离子撞击上方的靶材240，以溅镀靶材240至半导体基板w的顶面上以及沉积环230的表面上。在一些实施方式中，靶材240可以是金属或合金，例如：铝铜合金(alcu)等金属或合金，但不限于此。
124.在一些实施方式中，操作610可视为执行设备校准方法300，并且操作610包含操作
310至操作380。在一些实施方式中，操作者可依据不同需求在遮护板220的多个轴向上重复执行操作610，以使遮护板220相对于静电卡盘210置中。
125.在一些实施方式中，在操作630中检验氧化材料240a是否均匀沉积之后，还可以利用测试用的半导体基板(图未示)以及沉积环230沉积靶材240以检验沉积在沉积环230上的靶材240的剖面是否均匀沉积，再执行操作640。具体来说，利用例如机械手臂将测试用的半导体基板移进腔室空间中，并将测试用的半导体基板放置于静电卡盘210上。导入气体产生电浆p以溅镀靶材240在测试用的半导体基板上以及沉积环230上。利用机械手臂将测试用的半导体基板移离腔室空间，再检验沉积在沉积环230上的靶材240的剖面是否均匀沉积。若靶材240的剖面均匀沉积，再执行操作640。
126.将理解的是，在本文中并非必须叙述所有优点，对于所有实施方式或实施例不需要特定的优点，并且其他实施方式或实施例可以提供不同的优点。
127.在一些实施方式中，一种设备校准方法包含：将校准零件的本体抵靠设置于静电卡盘上的遮护板的顶面。校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部，以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部，且本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧。设备校准方法进一步包含：调整遮护板相对于静电卡盘的相对位置，致使沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部在第一延伸部分别抵靠遮护板的侧面的第一位置与第二位置时不接触环绕静电卡盘的沉积环，其中第一位置、第二位置与遮护板的中央在第一轴向上排列。
128.在一些实施方式中，调整遮护板相对于静电卡盘的相对位置进一步致使第二延伸部在第一延伸部分别抵靠遮护板的侧面的第三位置与第四位置时不接触沉积环，第三位置与第四位置沿着通过遮护板的中央的第二轴向排列。在一些实施方式中，调整遮护板相对于静电卡盘的相对位置进一步包含以第一延伸部沿着第一轴向朝向第一位置推动遮护板，直到第二延伸部接触沉积环，校准零件自该遮护板的第一位置的一侧移至第二位置的一侧，以及以第一延伸部沿着第一轴向朝向第二位置推动遮护板，并在第二延伸部接触沉积环前停止。
129.在一些实施方式中，一种设备维护方法包含：将校准零件的本体抵靠设置于静电卡盘上的遮护板的顶面，其中校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部，且本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧；以第一延伸部沿着第一轴向朝向遮护板的侧面的第一位置移动，直至沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触环绕静电卡盘的沉积环，其中第一轴向通过遮护板的中央；将校准零件自遮护板的第一位置的一侧移至第二位置的一侧，其中第一位置与第二位置沿着第一轴向排列；以第一延伸部沿着第一轴向朝向第二位置移动，直至沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触沉积环；以及当第二延伸部接触沉积环且第一延伸部未抵靠到第二位置时，更换遮护板。
130.在一些实施方式中，在以第一延伸部沿着第一轴向朝向第一位置移动期间，第一延伸部是推动遮护板，并且在以第一延伸部沿着第一轴向朝向第二位置移动期间，第一延伸部未接触遮护板。在一些实施方式中，在以第一延伸部沿着第一轴向朝向第一位置移动期间以及在以第一延伸部沿着第一轴向朝向第二位置移动期间，第一延伸部未接触遮护板。在一些实施方式中，校准方法进一步包含当第二延伸部沿着第一轴向移动而接触沉积
环但第一延伸部未抵靠到第二位置时，更换遮护板。在一些实施方式中，设备维护方法进一步包含以第一延伸部沿着第二轴向朝向遮护板的侧面的第三位置移动，直至沿着第二轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触环绕静电卡盘的沉积环，第二轴向通过遮护板的中央，将校准零件自遮护板的第三位置的一侧移至第四位置的一侧，第三位置与第四位置沿着第二轴向排列，以第一延伸部沿着第二轴向朝向第四位置移动，直至沿着第二轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触沉积环，以及当第二延伸部接触沉积环且第一延伸部未抵靠到第四位置时，更换遮护板。
131.在一些实施方式中，一种半导体处理方法包含：校准遮护板相对于下方的静电卡盘的相对位置，包含：将校准零件的本体抵靠遮护板的顶面，其中校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部，且本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧；以第一延伸部沿着第一轴向朝向遮护板的侧面的第一位置推动遮护板，直到沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触环绕静电卡盘的沉积环，第一轴向通过遮护板的中央；将校准零件自遮护板的第一位置的一侧移至第二位置的一侧，其中第一位置与第二位置沿着第一轴向排列；以及以第一延伸部沿着第一轴向朝向第二位置推动遮护板，并在沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部接触沉积环前停止。半导体处理方法进一步包含：将包覆于靶材外的氧化材料沉积于遮护板上；将沉积有氧化材料的遮护板置换为半导体基板；以及将靶材沉积于半导体基板上。
132.在一些实施方式中，调整遮护板相对于静电卡盘的相对位置进一步致使第二延伸部在第一延伸部分别抵靠遮护板的侧面的第三位置与第四位置时不接触沉积环，其中第三位置与第四位置沿着通过遮护板的中央的第二轴向排列。在一些实施方式中，第二轴向与第一轴向相互垂直。
133.前述概述了几个实施方式或实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本揭露的各方面。本领域技术人员应当理解，他们可以容易地将本揭露内容用作设计或修改其他制程和结构的基础，以实现与本文介绍的实施方式或实施例相同的目的和/或实现相同的优点。本领域技术人员还应该认识到，这样的等效构造不脱离本揭露的精神和范围，并且在不脱离本揭露的精神和范围的情况下，它们可以进行各种改变、替换和变更。