显示装置及制造显示装置的方法与流程

1.本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及包括晶体管的显示装置。


背景技术：

2.显示装置可包括像素和用于驱动像素的驱动器。像素和驱动器中的每个可包括晶体管。
3.布置有晶体管的区域可因显示装置的分辨率的增加和显示装置的死区的减小而减小。因此，可降低布置在相对狭窄空间中的晶体管的电特性。


技术实现要素：

4.实施方式提供了包括具有改善的电特性的晶体管的显示装置。
5.实施方式提供了制造显示装置的方法以降低制造成本和制造时间。
6.根据实施方式的显示装置可包括第一栅电极、缓冲层、第一有源图案、源图案和漏图案、绝缘层、氧供给图案、第二有源图案、绝缘图案和第二栅电极，其中第一栅电极布置在衬底上，缓冲层布置在第一栅电极上，第一有源图案布置在缓冲层上，与第一栅电极重叠并且包括氧化物半导体，源图案和漏图案分别布置在第一有源图案的端部上，绝缘层与缓冲层上的源图案和漏图案重叠，氧供给图案布置在绝缘层上，与第一有源图案重叠并且将氧供给到第一有源图案，第二有源图案布置在绝缘层上并且与氧供给图案间隔开，并且第二有源图案包括沟道区以及分别布置在沟道区的端部上的源区和漏区，绝缘图案布置在第二有源图案的沟道区上，第二栅电极布置在绝缘图案上。
7.在实施方式中，氧供给图案和第二有源图案中的每个可包括氧化物半导体。
8.在实施方式中，氧供给图案、第二有源图案和第一有源图案可包括相同的材料。
9.在实施方式中，氧供给图案和第二有源图案中的每个可包括与第一有源图案的材料不同的材料。
10.在实施方式中，显示装置还可包括与绝缘层上的氧供给图案和第二栅电极重叠的层间绝缘层、布置在层间绝缘层上并且分别电连接到源图案和漏图案的第一源电极和第一漏电极，以及布置在层间绝缘层上并且分别电连接到源区和漏区的第二源电极和第二漏电极。
11.在实施方式中，显示装置还可包括布置在层间绝缘层上的平坦化层。第一源电极可包括布置在层间绝缘层上的第一下部源电极和布置在平坦化层上并且电连接到第一下部源电极的第一上部源电极。第一漏电极可包括布置在层间绝缘层上的第一下部漏电极和布置在平坦化层上并且电连接到第一下部漏电极的第一上部漏电极。第二源电极可包括布置在层间绝缘层上的第二下部源电极和布置在平坦化层上并且电连接到第二下部源电极的第二上部源电极。第二漏电极可包括布置在层间绝缘层上的第二下部漏电极和布置在平坦化层上并且电连接到第二下部漏电极的第二上部漏电极。
12.在实施方式中，显示装置还可包括保护层，该保护层布置在层间绝缘层与平坦化
层之间，并且与第一下部源电极、第一下部漏电极、第二下部源电极和第二下部漏电极重叠。
13.在实施方式中，显示装置还可包括布置在层间绝缘层上的平坦化层。第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极可布置在平坦化层上。
14.在实施方式中，显示装置还可包括布置在衬底与缓冲层之间并且与第二有源图案重叠的导电图案。
15.在实施方式中，导电图案可电连接至第二源电极或第二栅电极。
16.在实施方式中，显示装置还可包括布置在衬底与缓冲层之间并且电连接到第一漏电极的数据线。
17.在实施方式中，显示装置还可包括布置在衬底与缓冲层之间并且电连接到第二漏电极的驱动电压线。
18.根据实施方式的显示装置可包括第一晶体管、氧供给图案以及第二晶体管，其中第一晶体管布置在衬底上并且具有底栅结构，第一晶体管包括包含有氧化物半导体的第一有源图案，氧供给图案布置在第一有源图案上并且将氧供给到第一有源图案，第二晶体管布置在衬底上并且具有顶栅结构，第二晶体管包括第二有源图案。氧供给图案和第二有源图案可布置在相同的层上。
19.在实施方式中，显示装置还可包括像素和扫描驱动器，其中像素包括像素电路和电连接到像素电路的发光元件，扫描驱动器将扫描信号供给到像素电路。
20.在实施方式中，像素电路可包括第一晶体管和第二晶体管。
21.在实施方式中，第二晶体管可电连接到发光元件。
22.在实施方式中，扫描驱动器可包括第一晶体管和第二晶体管。
23.根据实施方式的制造显示装置的方法可包括在衬底上形成第一栅电极，在第一栅电极上形成缓冲层，在缓冲层上形成与第一栅电极重叠并且包括氧化物半导体的第一有源图案，在第一有源图案的端部上分别形成源图案和漏图案，在缓冲层上形成与源图案和漏图案重叠的绝缘层，在绝缘层上同时形成与第一有源图案重叠的氧供给图案以及与氧供给图案间隔开的第二有源图案，在第二有源图案上形成绝缘图案，以及在绝缘图案上形成第二栅电极。
24.在实施方式中，方法还可包括在形成氧供给图案之后和形成绝缘图案之前，对氧供给图案进行热处理以将氧从氧供给图案供给到第一有源图案。
25.在实施方式中，可通过使用半色调掩模的光刻工艺来形成第一有源图案、源图案和漏图案。
26.根据实施方式的显示装置可包括布置在具有底栅结构的第一晶体管的第一有源图案上的氧供给图案，氧供给图案和具有底栅结构的第二晶体管的第二有源图案布置在相同的层上，并且氧供给图案可将氧供给到第一有源图案。因此，可改善第一晶体管的电特性。
27.在根据实施方式的制造显示装置的方法中，可基本上同时形成氧供给图案和第二有源图案。因此，可不需要用于形成氧供给图案的附加过程，并且可降低显示装置的制造成本和制造时间。
附图说明
28.通过结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解说明性、非限制性的实施方式。
29.图1是示出根据实施方式的显示装置的示意性平面视图。
30.图2是示出根据实施方式的像素的示意性电路图。
31.图3是示出根据实施方式的像素的示意性剖面视图。
32.图4是示出根据实施方式的扫描驱动器的示意性剖面视图。
33.图5a、图5b、图5c、图5d、图5e、图5f、图5g、图5h、图5i和图5j是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性剖面视图。
34.图6是示出根据实施方式的像素的示意性剖面视图。
35.图7是示出根据实施方式的像素的示意性剖面视图。
36.图8是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性剖面视图。
37.图9是示出根据实施方式的像素的示意性剖面视图。
具体实施方式
38.在下文中，将参照附图详细解释根据实施方式的显示装置和制造显示装置的方法。
39.除非在本文中另有限定或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属技术领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在说明书中清楚限定，否则术语，诸如常用词典中限定的那些，应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的方式来解释。
40.图1是示出根据实施方式的显示装置的示意性平面视图。
41.参照图1，显示装置可包括布置在显示区域da中的像素px以及布置在外围区域pa中的扫描驱动器sd、驱动器芯片ic和柔性印刷电路fpc。
42.多个像素px可在显示区域da中排列在第一方向dr1和与第一方向dr1相交的第二方向dr2上。每个像素px可电连接到扫描线sl、数据线dl和驱动电压线pl。扫描线sl可在第一方向dr1上延伸并且可将扫描信号提供到像素px。数据线dl可在第二方向dr2上延伸并且可将数据信号提供到像素px。驱动电压线pl可平行于数据线dl延伸并且可将驱动电压提供到像素px。显示区域da可通过从多个像素px中的每个发射的光来显示图像。
43.外围区域pa可与显示区域da相邻。在实施方式中，外围区域pa可围绕显示区域da。
44.扫描驱动器sd可布置在显示区域da的第一侧上并且可电连接到扫描线sl。扫描驱动器sd可通过扫描线sl将扫描信号提供到像素px。扫描驱动器sd可包括晶体管。
45.驱动器芯片ic可布置在显示区域da的第二侧上并且可电连接到数据线dl。驱动器芯片ic可包括生成数据电压的数据驱动器。
46.柔性印刷电路fpc可布置在显示区域da的第二侧上，驱动器芯片ic布置在柔性印刷电路fpc与显示区域da之间，并且柔性印刷电路fpc可电连接到驱动电压线pl。柔性印刷电路fpc可包括生成驱动电压的电力供给件。电力供给件可通过驱动电压线pl将驱动电压提供到像素px。
47.图2是示出根据实施方式的像素px的示意性电路图。
48.参照图2，像素px可包括像素电路pc和电连接到像素电路pc的发光元件el。在实施方式中，像素电路pc可包括第一晶体管tr1、第二晶体管tr2和电容器cap。然而，本发明不限于此，并且在另一实施方式中，像素电路pc可包括三个或更多晶体管和/或两个或更多电容器。
49.第一晶体管tr1可电连接到数据线dl和节点nd。第一晶体管tr1可包括从数据线dl接收数据电压的第一漏电极、电连接到节点nd的第一源电极和从扫描线sl接收扫描信号的第一栅电极。第一晶体管tr1可基于扫描信号将数据电压传输到节点nd。
50.第二晶体管tr2可电连接到驱动电压线pl和发光元件el。第二晶体管tr2可包括从驱动电压线pl接收驱动电压的第二漏电极、电连接到发光元件el的第二源电极和电连接到节点nd的第二栅电极。第二晶体管tr2可基于第二漏电极与第二栅电极之间的电压将驱动电流dc提供到发光元件el。
51.电容器cap可电连接在驱动电压线pl与节点nd之间。电容器cap可包括从驱动电压线pl接收驱动电压的第一电极和电连接到节点nd的第二电极。在第一晶体管tr1关断的情况下，电容器cap可保持第二漏电极与第二栅电极之间的电压。
52.发光元件el可电连接在第二晶体管tr2与公共电源之间。发光元件el可包括电连接到第二晶体管tr2的第一电极和从公共电源接收公共电压的第二电极。发光元件el可基于从第二晶体管tr2提供的驱动电流dc发射光。
53.图3是示出根据实施方式的像素px的示意性剖面视图。
54.参照图3，像素px可包括布置在衬底100上的第一晶体管tr1、第二晶体管tr2和发光元件el。
55.衬底100可为透明绝缘衬底。例如，衬底100可由玻璃、石英、塑料等形成。
56.在衬底100上可布置有第一栅电极111和导电图案112。第一栅电极111可用作第一晶体管tr1的栅电极。导电图案112可与第一栅电极111间隔开。导电图案112可防止外部光、杂质等通过衬底100流入第二晶体管tr2中。第一栅电极111和导电图案112可由诸如钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)等的导电材料形成或包括诸如钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)等的导电材料。
57.在第一栅电极111和导电图案112上可布置有缓冲层120。缓冲层120可覆盖衬底100上的第一栅电极111和导电图案112或与衬底100上的第一栅电极111和导电图案112重叠。缓冲层120可阻止杂质通过衬底100流入。此外，缓冲层120可在衬底100上方提供平坦化表面。缓冲层120可由诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料形成或包括诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料。
58.在缓冲层120上可布置有第一有源图案131。第一有源图案131可与第一栅电极111重叠。第一有源图案131可由氧化物半导体形成。氧化物半导体可包括铟(in)、镓(ga)、锌(zn)、锡(sn)、钛(ti)、锆(zr)和铪(hf)中的至少一种氧化物。
59.在第一有源图案131的端部(或相对的端部)上可分别布置有源图案141和漏图案142。源图案141和漏图案142中的每个可由诸如钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)等的导电材料形成或包括诸如钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)等的导电材料。第一有源图案131可用作第一晶体管tr1的沟道区，并且源图案141和漏图案142可分别用作第一晶体管tr1的源区和漏区。
60.绝缘层150可覆盖缓冲层120上的第一有源图案131、源图案141和漏图案142或与缓冲层120上的第一有源图案131、源图案141和漏图案142重叠。绝缘层150可由诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料形成。
61.在绝缘层150上可布置有氧供给图案161和第二有源图案162。氧供给图案161可与第一有源图案131重叠。第二有源图案162可与氧供给图案161间隔开并且可与导电图案112重叠。氧供给图案161可将氧通过绝缘层150供给到第一有源图案131。例如，当氧供给图案161形成在绝缘层150上时，氧可从氧供给图案161供给到绝缘层150。然后，在氧供给图案161被热处理的情况下，氧可从绝缘层150供给到第一有源图案131。
62.在氧供给图案161没有布置在第一有源图案131上的情况下，第一有源图案131可具有氧空位。在这种情况下，第一有源图案131中的电荷载流子(例如，空穴)可增加，以使得第一晶体管tr1的初始阈值电压可偏移。
63.然而，在实施方式中，布置在第一有源图案131上的氧供给图案161可将氧供给到第一有源图案131，以使得第一有源图案131的氧空位可减少。因此，可减少或者可基本上防止第一晶体管tr1的初始阈值电压的偏移。因此，可改善第一晶体管tr1的电特性。
64.氧供给图案161和第二有源图案162中的每个可由氧化物半导体形成。氧化物半导体可包括铟(in)、镓(ga)、锌(zn)、锡(sn)、钛(ti)、锆(zr)和铪(hf)中的至少一种氧化物。在实施方式中，氧供给图案161和第二有源图案162中的每个可包括与第一有源图案131相同的材料。在另一实施方式中，氧供给图案161和第二有源图案162中的每个可包括与第一有源图案131不同的材料。
65.第二有源图案162可包括沟道区162c、分别布置在沟道区162c的端部(或相对的端部)上的源区162s和漏区162d。源区162s和漏区162d可掺杂有p型或n型杂质，并且沟道区162c可掺杂有与源区162s和漏区162d的杂质不同的类型的杂质。在实施方式中，源区162s和漏区162d可掺杂有n型杂质，并且沟道区162c可掺杂有p型杂质。
66.在第二有源图案162的沟道区162c上可布置有绝缘图案122。绝缘图案122可由诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料形成。
67.在绝缘图案122上可布置有第二栅电极172。第二栅电极172可与第二有源图案162的沟道区162c重叠。第二栅电极172可用作第二晶体管tr2的栅电极。第二栅电极172可由诸如钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)等的导电材料形成。
68.在实施方式中，第二栅电极172可电连接到导电图案112。在这种实施方式中，第二栅电极172可用作第二晶体管tr2的上部栅电极，并且导电图案112可用作第二晶体管tr2的下部栅电极。因此，第二晶体管tr2可具有双栅结构，并且第二晶体管tr2可具有相对高的电子迁移率。
69.第一栅电极111、第一有源图案131、源图案141和漏图案142可形成第一晶体管tr1。第一晶体管tr1可具有第一栅电极111布置在第一有源图案131下方的底栅结构。
70.包括沟道区162c、源区162s和漏区162d的第二有源图案162以及第二栅电极172可形成第二晶体管tr2。第二晶体管tr2可具有第二栅电极172布置在第二有源图案162上方或上的顶栅结构。
71.尽管在图3中未示出，但是图2的电容器cap的第一电极和第二电极中的每个以及第一栅电极111、第一有源图案131、源图案141、氧供给图案161和第二栅电极172中的一个
可布置在相同的层上。例如，电容器cap的第一电极可布置在与源图案141相同的层上，并且电容器cap的第二电极可布置在与第二栅电极172相同的层上。
72.在氧供给图案161和第二栅电极172上可布置有层间绝缘层180。层间绝缘层180可覆盖绝缘层150上的氧供给图案161、第二栅电极172和第二有源图案162或与绝缘层150上的氧供给图案161、第二栅电极172和第二有源图案162重叠。层间绝缘层180可由诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料形成或包括诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料。
73.在层间绝缘层180上可布置有第一源电极s1、第一漏电极d1、第二源电极s2和第二漏电极d2。第一源电极s1可电连接到源图案141，并且第一漏电极d1可电连接到漏图案142。第二源电极s2可电连接到源区162s，并且第二漏电极d2可电连接到漏区162d。
74.在实施方式中，第二源电极s2可电连接到导电图案112。在这种情况下，可改善第二晶体管tr2的输出饱和特性，并且可增加第二晶体管tr2的驱动范围。
75.在实施方式中，第一源电极s1可包括第一下部源电极191和第一上部源电极221，并且第一漏电极d1可包括第一下部漏电极192和第一上部漏电极222。第二源电极s2可包括第二下部源电极193和第二上部源电极223，并且第二漏电极d2可包括第二下部漏电极194和第二上部漏电极224。
76.第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194可布置在层间绝缘层180上。第一下部源电极191可通过形成在绝缘层150和层间绝缘层180中的接触孔或者在形成于绝缘层150和层间绝缘层180中的接触孔中电连接到源图案141，并且第一下部漏电极192可通过形成在绝缘层150和层间绝缘层180中的接触孔或者在形成于绝缘层150和层间绝缘层180中的接触孔中电连接到漏图案142。第二下部源电极193可通过形成在层间绝缘层180中的接触孔或者在形成于层间绝缘层180中的接触孔中电连接到源区162s，并且第二下部漏电极194可通过形成在层间绝缘层180中的接触孔或者在形成于层间绝缘层180中的接触孔中电连接到漏区162d。第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194可由诸如钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)等的导电材料形成。
77.在第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194上可形成有平坦化层210。平坦化层210可与层间绝缘层180上的第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194重叠。平坦化层210可由诸如聚酰亚胺(polyimide，pi)等的有机绝缘材料形成。
78.第一上部源电极221、第一上部漏电极222、第二上部源电极223和第二上部漏电极224可布置在平坦化层210上。第一上部源电极221可通过形成在平坦化层210中的接触孔或者在形成于平坦化层210中的接触孔中电连接到第一下部源电极191，并且第一上部漏电极222可通过形成在平坦化层210中的接触孔或者在形成于平坦化层210中的接触孔中电连接到第一下部漏电极192。第二上部源电极223可通过形成在平坦化层210中的接触孔或者在形成于平坦化层210中的接触孔中电连接到第二下部源电极193，并且第二上部漏电极224可通过形成在平坦化层210中的接触孔或者在形成于平坦化层210中的接触孔中电连接到第二下部漏电极194。第一上部源电极221、第一上部漏电极222、第二上部源电极223和第二上部漏电极224可由诸如金属、合金、透明导电氧化物等的导电材料形成或包括诸如金属、
合金、透明导电氧化物等的导电材料。例如，导电材料可包括银(ag)、氧化铟锡(indium tin oxide，ito)等。
79.在平坦化层210上可布置有第一电极230。第二上部源电极223可延伸以形成第一电极230。换言之，第一电极230和第二上部源电极223可彼此成一体。因此，第一电极230可电连接到第二晶体管tr2。
80.因为第二晶体管tr2持续将驱动电流dc供给到发光元件el，所以第二晶体管tr2抵抗正偏置力的可靠性可是重要。与具有底栅结构的第一晶体管tr1相比，具有顶栅结构的第二晶体管tr2可具有抵抗正偏置力的期望的可靠性。因此，可有利的是，第一电极230电连接到第二晶体管tr2而非第一晶体管tr1。
81.在第一上部源电极221、第一上部漏电极222、第二上部源电极223、第二上部漏电极224和第一电极230上可布置有像素限定层240。像素限定层240可与平坦化层210上的第一上部源电极221、第一上部漏电极222、第二上部源电极223、第二上部漏电极224和第一电极230重叠。像素限定层240可包括暴露第一电极230的至少一部分的像素开口。在实施方式中，像素开口可暴露第一电极230的中心部分，并且像素限定层240可与第一电极230的外围部分重叠。像素限定层240可由诸如聚酰亚胺(pi)等的有机绝缘材料形成。
82.在第一电极230上可布置有发射层250。发射层250可布置在由像素开口暴露的第一电极230上。发射层250可由有机发光材料和量子点中的至少一种形成。
83.在实施方式中，有机发光材料可包括低分子有机化合物或高分子有机化合物。例如，低分子有机化合物可包括酞菁铜、二苯联苯胺(n,n'
‑
二苯联苯胺)、三羟基喹啉铝(三
‑
(8
‑
羟基喹啉)铝)等。高分子有机化合物可包括聚乙烯二氧噻吩(聚(3,4
‑
乙烯二氧噻吩))、聚苯胺、聚对苯乙炔、聚芴等。
84.在实施方式中，量子点可包括包含有ii
‑
vi族化合物、iii
‑
v族化合物、iv
‑
vi族化合物、iv族元素、iv族化合物和它们的组合物的核。在一个实施方式中，量子点可具有包括核和围绕核的壳的核
‑
壳结构。壳可防止核的化学变性，从而用作用于保持半导体特性的保护层和用于将电泳特性赋予到量子点的充电层。
85.在发射层250上可布置有第二电极260。在实施方式中，第二电极260也可布置在像素限定层240上。第二电极260可由诸如金属、合金、透明导电氧化物等的导电材料形成。例如，导电材料可包括铝(al)、铂(pt)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、铬(cr)、钨(w)、钛(ti)等。第一电极230、发射层250和第二电极260可形成发光元件el。
86.图4是示出根据实施方式的扫描驱动器sd的示意性剖面视图。
87.参照图4，扫描驱动器sd可包括布置在衬底100上的第一晶体管tr1和第二晶体管tr2。除了像素限定层240不包括像素开口并且扫描驱动器sd不包括发光元件el之外，参照图4描述的扫描驱动器sd可基本上与参照图3描述的像素px相同或相似。因此，将省略重复的描述。
88.图5a、图5b、图5c、图5d、图5e、图5f、图5g、图5h、图5i和图5j是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性剖面视图。
89.参照图5a，第一栅电极111和导电图案112可形成在衬底100上，并且缓冲层120可形成在第一栅电极111和导电图案112上。
90.首先，可在衬底100上形成导电层，并且可蚀刻导电层以形成第一栅电极111和导
电图案112。然后，可在衬底100上形成与第一栅电极111和导电图案112重叠的缓冲层120。
91.参照图5b、图5c和图5d，可在缓冲层120上形成第一有源图案131、源图案141和漏图案142。
92.在实施方式中，可通过使用半色调掩模410的光刻工艺来形成第一有源图案131、源图案141和漏图案142。
93.首先，可在缓冲层120上顺序地形成有源层130和导电层140。然后，可在导电层140上形成光致抗蚀剂层，并且可使用半色调掩模410对光致抗蚀剂层进行图案化以形成光致抗蚀剂图案310。
94.半色调掩模410可包括阻光部分411、透光部分412和半透射部分413。阻光部分411可阻挡外部光的大部分，并且透光部分412可透射外部光的大部分。半透射部分413可具有大于阻光部分411的透射率并且小于透光部分412的透射率的透射率。阻光部分411可定位为对应于源图案141和漏图案142，并且半透射部分413可定位为对应于第一有源图案131的位于源图案141与漏图案142之间的一部分。
95.可使用半色调掩模410对光致抗蚀剂层进行曝光和显影，以便可形成光致抗蚀剂图案310。光致抗蚀剂图案310可包括第一部分311和分别从第一部分311的端部(或相对的端部)突出的第二部分312。
96.然后，可使用光致抗蚀剂图案310作为蚀刻掩模来蚀刻有源层130和导电层140，以形成第一有源图案131和导电图案140a。然后，可对光致抗蚀剂图案310进行灰化，以使得可保留光致抗蚀剂图案310的第二部分312。然后，可使用光致抗蚀剂图案310的第二部分312作为蚀刻掩模来蚀刻导电图案140a，以形成源图案141和漏图案142。因此，可通过光刻工艺来形成第一有源图案131、源图案141和漏图案142。
97.参照图5e，可在第一有源图案131、源图案141和漏图案142上形成绝缘层150；并且可在绝缘层150上形成氧化物半导体层160。在实施方式中，在形成氧化物半导体层160之后，可对氧化物半导体层160进行热处理。在绝缘层150上形成氧化物半导体层160或对氧化物半导体层160进行热处理的过程中，可将氧从氧化物半导体层160供给到绝缘层150。
98.参照图5f，可在绝缘层150上形成氧供给图案161和第二有源图案162。
99.首先，可蚀刻氧化物半导体层160以形成氧供给图案161和第二有源图案162。因此，可基本上同时形成氧供给图案161和第二有源图案162。
100.然后，在实施方式中，可对氧供给图案161进行热处理以将氧供给到第一有源图案131。第一有源图案131可包括氧空位。可通过对氧供给图案161进行热处理来将氧从绝缘层150供给到第一有源图案131，从而可减少第一有源图案131的氧空位。
101.参照图5g和图5h，可在第二有源图案162上形成绝缘图案122和第二栅电极172。
102.首先，可在绝缘层150上形成与氧供给图案161和第二有源图案162重叠的绝缘层121，并且可在绝缘层121上形成导电层。接着，可蚀刻导电层以形成第二栅电极172。然后，可使用第二栅电极172作为蚀刻掩模来蚀刻绝缘层121以形成绝缘图案122。
103.参照图5i，可在氧供给图案161和第二栅电极172上形成层间绝缘层180；并且可在层间绝缘层180上形成第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194。
104.首先，可在绝缘层150上形成与氧供给图案161、第二栅电极172和第二有源图案
162重叠的层间绝缘层180。层间绝缘层180可接触第二有源图案162，以使得杂质可注入到第二有源图案162的端部(或相对的端部)以形成源区162s和漏区162d。
105.接着，可在层间绝缘层180和绝缘层150中形成分别暴露源图案141和漏图案142的接触孔；并且可在层间绝缘层180中形成分别暴露源区162s和漏区162d的接触孔。然后，可在层间绝缘层180上形成填充接触孔的导电层；并且可蚀刻该导电层以形成第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194。
106.参照图5j，可在第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194上形成平坦化层210；并且可在平坦化层210上形成第一上部源电极221、第一上部漏电极222、第二上部源电极223和第二上部漏电极224。
107.首先，可在层间绝缘层180上形成与第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194重叠的平坦化层210。然后，可在平坦化层210中形成分别暴露第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194的接触孔。接着，可在平坦化层210上形成填充接触孔的导电层；并且可对该导电层进行蚀刻以形成第一上部源电极221、第一上部漏电极222、第二上部源电极223和第二上部漏电极224。
108.图6是示出根据实施方式的像素px的示意性剖面视图。
109.除了像素px还包括保护层200之外，参照图6描述的像素px可基本上与参照图3描述的像素px相同或相似。因此，将省略重复的描述。
110.参照图6，在实施方式中，保护层200可布置在层间绝缘层180与平坦化层210之间。保护层200可与层间绝缘层180上的第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194重叠。保护层200可由诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料形成。如果由有机绝缘材料形成的平坦化层210直接布置在第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194上(换言之，如果平坦化层210直接接触第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194)，那么由铜(cu)等形成的第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194可因与平坦化层210的化学反应而腐蚀。然而，在实施方式中，与第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194重叠的保护层200可布置在层间绝缘层180与平坦化层210之间，以使得第一下部源电极191、第一下部漏电极192、第二下部源电极193和第二下部漏电极194可不被腐蚀。
111.图7是示出根据实施方式的像素px的示意性剖面视图。
112.除了第一源电极s1、第一漏电极d1、第二源电极s2和第二漏电极d2的结构之外，参照图7描述的像素px可基本上与参照图3描述的像素px相同或相似。因此，将省略重复的描述。
113.参照图7，在实施方式中，第一源电极s1、第一漏电极d1、第二源电极s2和第二漏电极d2可布置在平坦化层210上。第一源电极s1可通过形成在绝缘层150、层间绝缘层180和平坦化层210中的接触孔或者在形成于绝缘层150、层间绝缘层180和平坦化层210中的接触孔中电连接到源图案141，并且第一漏电极d1可通过形成在绝缘层150、层间绝缘层180和平坦化层210中的接触孔或者在形成于绝缘层150、层间绝缘层180和平坦化层210中的接触孔中电连接到漏图案142。第二源电极s2可通过形成在层间绝缘层180和平坦化层210中的接触
孔或者在形成于层间绝缘层180和平坦化层210中的接触孔中电连接到源区162s，并且第二漏电极d2可通过形成在层间绝缘层180和平坦化层210中的接触孔或者在形成于层间绝缘层180和平坦化层210中的接触孔中电连接到漏区162d。第一源电极s1、第一漏电极d1、第二源电极s2和第二漏电极d2可由诸如金属、合金、透明导电氧化物等的导电材料形成(或包括诸如金属、合金、透明导电氧化物等的导电材料)。例如，导电材料可包括银(ag)、氧化铟锡(ito)等。
114.第一电极230可布置在平坦化层210上。第二源电极s2可延伸以形成第一电极230。换言之，第一电极230和第二源电极s2可彼此成一体。
115.图8是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性剖面视图。
116.除了第一源电极s1、第一漏电极d1、第二源电极s2和第二漏电极d2的形成之外，参照图5a至图5h和图8描述的制造显示装置的方法可与参照图5a至图5j描述的制造显示装置的方法基本上相同或相似。因此，将省略重复的描述。
117.参照图8，可在氧供给图案161和第二栅电极172上形成层间绝缘层180和平坦化层210，并且可在平坦化层210上形成第一源电极s1、第一漏电极d1、第二源电极s2和第二漏电极d2。
118.首先，可在绝缘层150上形成与氧供给图案161、第二栅电极172和第二有源图案162重叠的层间绝缘层180。接着，可在层间绝缘层180上形成平坦化层210。
119.然后，可在绝缘层150、层间绝缘层180和平坦化层210中形成分别暴露源图案141和漏图案142的接触孔；可在层间绝缘层180和平坦化层210中形成分别暴露源区162s和漏区162d的接触孔。然后，可在平坦化层210上形成填充接触孔的导电层；并且可蚀刻导电层以形成第一源电极s1、第一漏电极d1、第二源电极s2和第二漏电极d2。
120.图9是示出根据实施方式的像素px的示意性剖面视图。
121.除了像素px还包括数据线113和驱动电压线114之外，参照图9描述的像素px可基本上与参照图7描述的像素px相同或相似。因此，将省略重复的描述。
122.参照图9，在实施方式中，数据线113和驱动电压线114可布置在衬底100与缓冲层120之间。数据线113、驱动电压线114、第一栅电极111和导电图案112可形成在基本上相同的层上，可由基本上相同的材料形成，并且可彼此间隔开。数据线113和驱动电压线114可与第一栅电极111和导电图案112间隔开。
123.数据线113可电连接到第一漏电极d1。例如，第一漏电极d1可通过形成在缓冲层120、绝缘层150、层间绝缘层180和平坦化层210中的接触孔或者在形成于缓冲层120、绝缘层150、层间绝缘层180和平坦化层210中的接触孔中与数据线113电接触。驱动电压线114可电连接到第二漏电极d2。例如，第二漏电极d2可通过形成在缓冲层120、绝缘层150、层间绝缘层180和平坦化层210中的接触孔或者在形成于缓冲层120、绝缘层150、层间绝缘层180和平坦化层210中的接触孔中与驱动电压线114电接触。
124.根据实施方式的显示装置可应用于包括在计算机、膝上型计算机、移动电话、智能电话、智能平板、pmp、pda、mp3播放器等中的显示装置。
125.尽管已参照附图描述了根据实施方式的显示装置和制造显示装置的方法，但是所示出的实施方式是实例，并且可在不背离所附权利要求书中描述的技术精神的情况下由相关领域的普通技术人员进行修改和改变。