一种芯片的封装方法及装置与流程

本发明涉及芯片的封装领域，涉及一种芯片的封装方法及装置。

背景技术：

安装半导体集成电路芯片用的外壳，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对cpu和其他lsi集成电路都起着重要的作用。

在现有技术中，芯片上片通常用银胶将芯片与引线框架粘接，再通过烤箱进行烘烤固化。为了防止银胶沿芯片侧壁向上爬胶，在设计引线框架时，对装载芯片的引线框架增加凸台设计，从而使银胶向下流动。但是，现有技术仍存在以下缺点：凸台设计的引线框架加工成本增加，同时芯片与框架的结合力降低影响产品可靠性，并且放置时间久了银胶仍然会沿着芯片侧壁向上爬胶，爬至芯片表面，影响性能。

因此，当前市面上缺乏一种芯片的封装方法及装置，从而解决现有技术中存在的上述问题。

技术实现要素：

针对现存的上述技术问题，本发明的目的在于提供一种芯片的封装方法及装置，该方法及装置减缓了银胶爬升速度，有效控制了银胶的爬升高度。

本发明提供了一种芯片的封装方法，包括：喷射预设体量的银胶，将芯片在银胶上旋转上片并进行压合；在芯片侧面的预设的高度范围内涂覆不沾材料；以预设的烘烤温度和预设的烘烤时间对芯片进行烘烤以使银胶和不沾材料固化。

在一个实施例中，所述预设体量可根据芯片底面积进行设置。

在一个实施例中，预设的高度范围为芯片高度的70％-80％高度范围内。

在一个实施例中，所述不沾材料为碳氧化合物。

在一个实施例中，所述预设的烘烤温度为175℃。

在一个实施例中，所述预设的烘烤时间为2.5小时。

在一个实施例中，所述预设的烘烤时间包括预设的升温时间、预设的恒温时间以及预设的降温时间。

在一个实施例中，所述预设的升温时间为0.5小时，所述预设的恒温时间为1.5小时，所述预设的降温时间为0.5小时。

本发明还提供了一种芯片的封装装置，所述装置包括上片单元、涂覆单元以及烘烤单元，所述装置执行如前所述的芯片的封装方法，其中，所述上片单元用于喷射预设体量的银胶，将芯片在银胶上旋转上片并进行压合；所述涂覆单元用于在芯片侧面的预设的高度范围内涂覆不沾材料；所述烘烤单元用于以预设的烘烤温度和预设的烘烤时间对芯片进行烘烤以使银胶和不沾材料固化。

相比于现有技术，本发明实施例具有如下有益效果：

本发明提供了一种芯片的封装方法及装置，通过先在银胶上上片并在芯片侧面涂覆不沾材料，再烘烤固化，该方法及装置不仅减缓了银胶爬升速度，还有效控制了银胶的爬升高度。

附图说明

下文将结合说明书附图对本发明进行进一步的描述说明，其中：

图1示出了根据本发明的一种芯片的封装方法的一个实施例的流程图；

图2示出了根据本发明的一种芯片的封装装置的一个实施例的结构图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

具体实施例一

图1示出了根据本发明的一种芯片的封装方法的一个实施例的流程图，该方法包括如下步骤：

s1:喷射预设体量的银胶，将芯片在银胶上旋转上片并进行压合。

由于不同芯片的底面积大小不同，固定芯片所需要用的银胶也不同，如果统一银胶的喷出量，则可能造成部分芯片固定不牢而部分芯片溢胶的情况，因此，应根据芯片底面积设置喷出的银胶的预设体量，从而使得芯片的固定情况和溢胶情况得以控制。在一个实施例中，为了保证固定情况，可以通过施力以旋转压合芯片，以使芯片与银胶的结合更紧密。在一个实施例中，可通过真空吸嘴将芯片放置在银胶上。

s2:在芯片侧面的预设的高度范围内涂覆不沾材料。

无论是减缓银胶速度或是降低爬胶高度，都可通过在芯片侧面的预设的高度范围内涂覆不沾材料，以避免银胶的附着和上爬而实现。其中，不沾材料包括但不限于聚四氟乙烯、纳米材料以及碳氧化合物。在一个实施例中，不沾材料为碳氧化合物。不沾材料的涂覆可以通过人工进行，也可通过机械进行。在一个实施例中，通过人工或机械方式在芯片侧面的预设的高度范围内涂覆不沾材料。

在上述基础上，由于仅在当银胶爬升到芯片表面时会对芯片功能产生影响，因此，仅在侧面的预设的高度范围内涂覆不沾材料既可防止爬胶到芯片表面所带来的功能性影响，又降低了直接成本和工艺成本。因此，预设的高度范围的设置也十分重要。在一个实施例中，预设的高度范围为芯片高度的70％-80％高度范围内。

s3:以预设的烘烤温度和预设的烘烤时间对芯片进行烘烤以使银胶和不沾材料固化。

与现有技术不同，现有技术在封装流程上通常是先烘烤再上片，烘烤这一步骤的作用是为了使不沾材料固化，由于不沾材料裸露于芯片侧面且面积较小，烘干温度和时间都偏低，但这样的封装流程存在的缺陷在于：银胶是未经烘烤固化的，放置时间久了依然容易爬胶。因此，在本发明中，在最后一步以预设的烘烤温度和预设的烘烤时间进行烘烤使不沾材料和银胶固化，从而进一步减缓爬胶速度和爬胶高度。其中，预设的烘烤温度可以在150°-175°范围内，预设的烘烤时间可以在1-2.5小时范围内。

在一个实施例中，所述预设的烘烤温度为175℃。在一个实施例中，所述预设的烘烤时间为2.5小时。在一个实施例中，所述预设的烘烤时间包括预设的升温时间、预设的恒温时间以及预设的降温时间。在一个实施例中，所述预设的升温时间为0.5小时，所述预设的恒温时间为1.5小时，所述预设的降温时间为0.5小时。

本发明提供了一种芯片的封装方法，通过先在银胶上上片并在芯片侧面涂覆不沾材料，再烘烤固化，该方法及装置不仅减缓了银胶爬升速度，还有效控制了银胶的爬升高度。

具体实施例二

除上述方法外，本发明还提供了一种芯片的封装装置。图2示出了根据本发明的一种芯片的封装装置的一个实施例的结构图。

如图2所示，所述装置1包括上片单元11、涂覆单元12以及烘烤单元13。

上片单元11根据芯片底面积设置喷出的银胶的预设体量，从而使得芯片的固定情况和溢胶情况得以控制。在一个实施例中，为了保证固定情况，上片单元11可以通过施力以旋转压合芯片，以使芯片与银胶的结合更紧密。在一个实施例中，上片单元11可通过真空吸嘴将芯片放置在银胶上。

涂覆单元12通过在芯片侧面的预设的高度范围内涂覆不沾材料，以避免银胶的附着和上爬，从而减缓银胶速度并降低爬胶高度。其中，不沾材料包括但不限于聚四氟乙烯、纳米材料以及碳氧化合物。在一个实施例中，不沾材料为碳氧化合物。不沾材料的涂覆可以通过人工进行，也可通过机械进行。在一个实施例中，通过人工或机械方式在芯片侧面的预设的高度范围内涂覆不沾材料。在一个实施例中，预设的高度范围为芯片高度的70％-80％高度范围内。

烘烤单元13以预设的烘烤温度和预设的烘烤时间进行烘烤，以使不沾材料和银胶固化，从而进一步减缓爬胶速度和爬胶高度。其中，预设的烘烤温度可以在150°-175°范围内，预设的烘烤时间可以在1-2.5小时范围内。在一个实施例中，所述预设的烘烤温度为175℃。在一个实施例中，所述预设的烘烤时间为2.5小时。在一个实施例中，所述预设的烘烤时间包括预设的升温时间、预设的恒温时间以及预设的降温时间。在一个实施例中，所述预设的升温时间为0.5小时，所述预设的恒温时间为1.5小时，所述预设的降温时间为0.5小时。

具体地，当使用该封装装置1对芯片进行封装时，首先通过上片单元11喷射预设体量的银胶，将芯片在银胶上旋转上片并进行压合，再通过涂覆单元12在芯片侧面的预设的高度范围内涂覆不沾材料，最后通过烘烤单元13以预设的烘烤温度和预设的烘烤时间对芯片进行烘烤以使银胶固化。

本发明提供了一种芯片的封装方法及装置，通过先在银胶上上片并在芯片侧面涂覆不沾材料，再烘烤固化，该方法及装置不仅减缓了银胶爬升速度，还有效控制了银胶的爬升高度。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步的详细说明，应当理解，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限定本发明的保护范围。特别指出，对于本领域技术人员来说，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。