有机电致发光装置及用于有机电致发光装置的胺化合物的制作方法

有机电致发光装置及用于有机电致发光装置的胺化合物
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年5月27日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0063590号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
技术领域
3.本公开内容涉及有机电致发光装置及用于所述有机电致发光装置的胺化合物。


背景技术：

4.近来，对于作为图像显示装置的有机电致发光显示器正在进行积极的开发。与液晶显示装置等相比，有机电致发光显示器是所谓的自发光显示装置，其中从第一电极注入的空穴和从第二电极注入的电子在发射层中复合，并且因此发射层中的包括有机化合物的发光材料发射光以实现显示。
5.在有机电致发光装置至显示装置的应用中，对于具有低驱动电压、高光发射效率和长使用寿命的有机电致发光装置，以及对于用于能够稳定地获得此类特性的有机电致发光装置的材料的开发存在持续需求。


技术实现要素：

6.本公开内容提供了具有高效率的有机电致发光装置以及包含在所述有机电致发光装置的空穴传输区中的胺化合物。
7.本发明构思的实施方案提供了由式1表示的胺化合物。
8.[式1]
[0009][0010]
在式1中，l可以是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团，n可以是0至2的整数，ar1和ar2可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，并且a可以由式2
‑
1至式2
‑
5中的一个表示。
[0011]
[式2
‑
1]
[0012][0013]
[式2
‑
2]
[0014][0015]
[式2
‑
3]
[0016][0017]
[式2
‑
4]
[0018][0019]
[式2
‑
5]
[0020][0021]
在式2
‑
1至式2
‑
5中，r1可以是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代
的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，m可以是0至4的整数，ar3和ar4可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，并且*表示与相邻原子的结合位点，条件是当式1中的a由式2
‑
4或式2
‑
5表示时，式1中的n可以是1并且ar2可以是取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0022]
在实施方案中，式1可以由式3
‑
1至式3
‑
3中的一个表示。
[0023]
[式3
‑
1]
[0024][0025]
[式3
‑
2]
[0026][0027]
[式3
‑
3]
[0028][0029]
在式3
‑
1至式3
‑
3中，r1可以是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，m可以是0至4的整数，并且ar3和ar4可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，并且ar1、ar2、l和n可以与式1中定义的相同。
[0030]
在实施方案中，式1可以由式4
‑
1或式4
‑
2表示。
[0031]
[式4
‑
1]
[0032][0033]
[式4
‑
2]
[0034][0035]
在式4
‑
1和式4
‑
2中，ar2可以是取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，r1可以是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，m可以是0至4的整数，并且ar3和ar4可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，并且ar1和l可以与式1中定义的相同。
[0036]
在实施方案中，ar2可以由式5表示。
[0037]
[式5]
[0038][0039]
在式5中，x可以是o或s，r3可以是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，b可以是0至7的整数，并且*表示与相邻原子的结合位点。
[0040]
在实施方案中，式3
‑
1可以由式3
‑1‑
1至式3
‑1‑
3中的一个表示。
[0041]
[式3
‑1‑
1]
[0042][0043]
[式3
‑1‑
2]
[0044][0045]
[式3
‑1‑
3]
[0046][0047]
在式3
‑1‑
1至式3
‑1‑
3中，ar1至ar4、r1和m可以与式3
‑
1中定义的相同。
[0048]
在实施方案中，式3
‑
2可以由式3
‑2‑
1至式3
‑2‑
3中的一个表示。
[0049]
[式3
‑2‑
1]
[0050][0051]
[式3
‑2‑
2]
[0052][0053]
[式3
‑2‑
3]
[0054][0055]
在式3
‑2‑
1至式3
‑2‑
3中，ar1至ar4、r1和m可以与式3
‑
2中定义的相同。
[0056]
在实施方案中，式3
‑
3可以由式3
‑3‑
1至式3
‑3‑
3中的一个表示。
[0057]
[式3
‑3‑
1]
[0058][0059]
[式3
‑3‑
2]
[0060][0061]
[式3
‑3‑
3]
[0062][0063]
在式3
‑3‑
1至式3
‑3‑
3中，ar1至ar4、r1和m可以与式3
‑
3中定义的相同。
[0064]
在实施方案中，式4
‑
1可以由式4
‑1‑
1或式4
‑1‑
2表示。
[0065]
[式4
‑1‑
1]
[0066][0067]
[式4
‑1‑
2]
[0068][0069]
在式4
‑1‑
1和式4
‑1‑
2中，ar1至ar4、r1和m可以与式4
‑
1中定义的相同。
[0070]
在实施方案中，式4
‑
2可以由式4
‑2‑
1或式4
‑2‑
2表示。
[0071]
[式4
‑2‑
1]
[0072][0073]
[式4
‑2‑
2]
[0074][0075]
在式4
‑2‑
1和式4
‑2‑
2中，ar1至ar4、r1和m可以与式4
‑
2中定义的相同。
[0076]
在实施方案中，式1中的l可以是直连键、取代或未取代的亚苯基基团、或者取代或未取代的亚联苯基基团。
[0077]
在实施方案中，式1可以由式6
‑
1至式6
‑
4中的一个表示。
[0078]
[式6
‑
1]
[0079][0080]
[式6
‑
2]
[0081][0082]
[式6
‑
3]
[0083][0084]
[式6
‑
4]
[0085][0086]
在式6
‑
1至式6
‑
4中，r2可以是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，a可以是0至4的整数，并且a、ar1和ar2可以与式1中定义的相同。
[0087]
本发明构思的实施方案提供了有机电致发光装置，其包括第一电极、设置在所述第一电极上的空穴传输区、设置在所述空穴传输区上的发射层、设置在所述发射层上的电子传输区和设置在所述电子传输区上的第二电极。所述空穴传输区可以包含所述由式1表示的胺化合物。
[0088]
在实施方案中，所述空穴传输区可以包括设置在所述第一电极上的空穴注入层；以及设置在所述空穴注入层上的空穴传输层。所述空穴传输层可以包含所述由式1表示的胺化合物。
[0089]
在实施方案中，所述空穴传输层可以进一步包含p
‑
掺杂剂，并且所述p
‑
掺杂剂可以是选自醌衍生物、金属氧化物和含氰基基团的化合物中的至少一种。
[0090]
在实施方案中，所述有机电致发光装置可以进一步包括设置在所述第二电极上并且具有等于或大于约1.6的折射率的覆盖层。
[0091]
在实施方案中，所述覆盖层可以包括至少一个有机层或至少一个无机层。
附图说明
[0092]
包括附图以提供对本发明构思的进一步理解，以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图例示出本发明构思的实施方案，并且连同描述一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：
[0093]
图1是例示出根据本发明构思的实施方案的有机电致发光装置的示意性横截面视图；
[0094]
图2是例示出根据本发明构思的实施方案的有机电致发光装置的示意性横截面视图；
[0095]
图3是例示出根据本发明构思的实施方案的有机电致发光装置的示意性横截面视图；以及
[0096]
图4是例示出根据本发明构思的实施方案的有机电致发光装置的示意性横截面视图。
具体实施方式
[0097]
本发明构思可以具有各种修改并且可以以不同的形式实施，并且将参考附图详细地解释实施方案。然而，本发明构思可以以不同的形式实施并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。相反，包括在本发明构思的主旨和技术范围内的所有修改、等同和替代均应包括在本发明构思中。
[0098]
在描述中，应理解，当元件(区、层、部分等)被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件或“联接至”另一个元件时，它可以直接在另一个元件上、直接连接至另一个元件或直接联接至另一个元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以设置在其间。
[0099]
相同的参考数字在说明书中通篇是指相同的元件。在附图中，可以放大元件的厚度、比例和尺寸用于技术内容的有效描述。
[0100]
术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b、或者a和b”。术语“和”和“或”可以以连接词或反意连接词的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
[0101]
术语“......中的至少一个(种)”旨在包括“选自......中的至少一个(种)”的含义，用于其含义和解释的目的。当在一列要素之前时，术语“......中的至少一个(种)”修饰整列的要素而不修饰该列的单个要素。
[0102]
应理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不背离本发明构思的示例性实施方案的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。单数形式的术语可以包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
[0103]
术语“下方”、“下”、“上方”、“上”等用于描述附图中示出的配置的关系。这些术语被用作相对概念并且参考附图中指明的方向进行描述。
[0104]
如本文使用的术语“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)确定的所述值的可接
受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
[0105]
应理解，诸如“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”和/或“含有(containing)”的术语旨在指明本公开内容中的规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或增添。
[0106]
除非本文另外定义或暗示，使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在说明书中明确定义。
[0107]
在下文，将参考附图描述根据本发明构思的实施方案的有机电致发光装置和包含在所述有机电致发光装置中的实施方案的化合物。
[0108]
图1至图4是例示出根据本发明构思的实施方案的有机电致发光装置的示意性横截面视图。参考图1至图4，在根据实施方案的有机电致发光装置10中的每一个中，第一电极el1和第二电极el2设置成彼此面对，并且发射层eml可以设置在第一电极el1与第二电极el2之间。
[0109]
除了发射层eml之外，实施方案的有机电致发光装置10中的每一个可以进一步包括在第一电极el1与第二电极el2之间的功能层。功能层可以包括空穴传输区htr和电子传输区etr。例如，根据实施方案的有机电致发光装置10中的每一个可以包括可以依次堆叠的第一电极el1、空穴传输区htr、发射层eml、电子传输区etr和第二电极el2。实施方案的有机电致发光装置10可以包括设置在第二电极el2上的覆盖层cpl。
[0110]
实施方案的有机电致发光装置10可以在设置在第一电极el1与第二电极el2之间的空穴传输区htr中包含将在之后描述的实施方案的胺化合物。然而，本发明构思的实施方案不限于此，并且实施方案的有机电致发光装置10可以不仅在空穴传输区htr中，还在设置在第一电极el1与第二电极el2之间的发射层eml或电子传输区etr中，或者在设置在第二电极el2上的覆盖层cpl中包含将在之后描述的根据实施方案的胺化合物。
[0111]
与图1相比，图2例示出实施方案的有机电致发光装置10的示意性横截面视图，其中空穴传输区htr包括空穴注入层hil和空穴传输层htl，并且其中电子传输区etr包括电子注入层eil和电子传输层etl。与图1相比，图3例示出实施方案的有机电致发光装置10的示意性横截面视图，其中空穴传输区htr包括空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层ebl，并且其中电子传输区etr包括电子注入层eil、电子传输层etl和空穴阻挡层hbl。与图2相比，图4例示出包括设置在第二电极el2上的覆盖层cpl的实施方案的有机电致发光装置10的示意性横截面视图。
[0112]
第一电极el1具有导电性。第一电极el1可以由金属合金或导电化合物形成。第一电极el1可以是像素电极或正电极。第一电极el1可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。当第一电极el1是透射电极时，第一电极el1可以包含透明金属氧化物，例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)和氧化铟锡锌(itzo)。当第一电极el1是半透反射电极或反射电极时，第一电极el1可以包含ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/
ca、lif/al、mo、ti、其化合物或其混合物(例如，ag和mg的混合物)。例如，第一电极el1可以具有多层结构，所述多层结构包括由以上描述的材料形成的反射层或半透反射层，以及由ito、izo、zno、itzo等形成的透明导电层。例如，第一电极el1可以具有ito/ag/ito的三层结构，但本发明构思的实施方案不限于此。第一电极el1的厚度可以是约至约例如，第一电极el1的厚度可以是约至约
[0113]
空穴传输区htr可以设置在第一电极el1上。空穴传输区htr可以包括空穴注入层hil、空穴传输层htl、空穴缓冲层(未示出)和电子阻挡层ebl中的至少一种。
[0114]
空穴传输区htr可以具有由单一材料形成的单层、由不同材料形成的单层、或者包括由不同材料形成的层的多层结构。
[0115]
例如，空穴传输区htr可以具有空穴注入层hil或空穴传输层htl的单层结构，或者由空穴注入材料和空穴传输材料形成的单层结构。空穴传输区htr可以具有由不同材料形成的单层结构，或者它可以具有从第一电极el1依次层压的空穴注入层hil/空穴传输层htl、空穴注入层hil/空穴传输层htl/空穴缓冲层、空穴注入层hil/空穴缓冲层、空穴传输层htl/空穴缓冲层、或空穴注入层hil/空穴传输层htl/电子阻挡层的结构，但本发明构思的实施方案不限于此。
[0116]
有机电致发光装置10中的空穴传输区htr可以包含根据本发明构思的实施方案的胺化合物。
[0117]
在描述中，术语“取代或未取代的”可以表示其被选自由氘原子、卤素原子、氰基基团、硝基基团、氨基基团、甲硅烷基基团、氧基基团、硫基基团、亚磺酰基基团、磺酰基基团、羰基基团、硼基团、氧化膦基团、硫化膦基团、烷基基团、烯基基团、烷氧基基团、烃环基团、芳基基团和杂环基团组成的组中的至少一个取代基取代，或者是未取代的。以上列出的取代基中的每一个可以是取代或未取代的。例如，联苯基基团可以被解释为芳基基团或者被苯基基团取代的苯基基团。
[0118]
在描述中，卤素原子的实例可以包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。
[0119]
在描述中，烷基基团可以是直链、支链或环状类型。烷基基团中的碳的数量可以是1至50、1至30、1至20、1至10或1至6。烷基基团的实例可以包括但不限于甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、异丁基基团、2
‑
乙基丁基基团、3,3
‑
二甲基丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、新戊基基团、叔戊基基团、环戊基基团、1
‑
甲基戊基基团、3
‑
甲基戊基基团、2
‑
乙基戊基基团、4
‑
甲基
‑2‑
戊基基团、正己基基团、1
‑
甲基己基基团、2
‑
乙基己基基团、2
‑
丁基己基基团、环己基基团、4
‑
甲基环己基基团、4
‑
叔丁基环己基基团、正庚基基团、1
‑
甲基庚基基团、2,2
‑
二甲基庚基基团、2
‑
乙基庚基基团、2
‑
丁基庚基基团、正辛基基团、叔辛基基团、2
‑
乙基辛基基团、2
‑
丁基辛基基团、2
‑
己基辛基基团、3,7
‑
二甲基辛基基团、环辛基基团、正壬基基团、正癸基基团、金刚烷基基团、2
‑
乙基癸基基团、2
‑
丁基癸基基团、2
‑
己基癸基基团、2
‑
辛基癸基基团、正十一烷基基团、正十二烷基基团、2
‑
乙基十二烷基基团、2
‑
丁基十二烷基基团、2
‑
己基十二烷基基团、2
‑
辛基十二烷基基团、正十三烷基基团、正十四烷基基团、正十五烷基基团、正十六烷基基团、2
‑
乙基十六烷基基团、2
‑
丁基十六烷基基团、2
‑
己基十六烷基基团、2
‑
辛基十六烷基基团、正十七烷基基团、正十八烷基基团、正十九烷基基团、正二十烷基基团、2
‑
乙基二十烷基基团、2
‑
丁
基二十烷基基团、2
‑
己基二十烷基基团、2
‑
辛基二十烷基基团、正二十一烷基基团、正二十二烷基基团、正二十三烷基基团、正二十四烷基基团、正二十五烷基基团、正二十六烷基基团、正二十七烷基基团、正二十八烷基基团、正二十九烷基基团、正三十烷基基团等。
[0120]
在描述中，烯基基团意指在具有2个或多于2个的碳原子的烷基基团的中间或末端处包含至少一个碳双键的烃基团。烯基基团可以是直链或支链的。尽管未具体限制碳原子的数量，但它可以是2至30、2至20或2至10。烯基基团的实例包括乙烯基基团、1
‑
丁烯基基团、1
‑
戊烯基基团、1,3
‑
丁二烯基芳基基团、苯乙烯基基团、苯乙烯基乙烯基基团等，但不限于此。
[0121]
在描述中，炔基基团意指在具有2个或多于2个的碳原子的烷基基团的中间或末端处包含至少一个碳叁键的烃基团。炔基基团可以是直链或支链的。尽管未具体限制碳原子的数量，但它可以是2至30、2至20或2至10。炔基基团的实例可以包括乙炔基基团、丙炔基基团等，但不限于此。
[0122]
在描述中，烃环基团可以是衍生自脂肪族烃环的任何官能团或取代基，或者衍生自芳香族烃环的任何官能团或取代基。烃环基团中的成环碳原子的数量可以是5至60、5至30或5至20。
[0123]
在描述中，芳基基团意指衍生自芳香族烃环的任何官能团或取代基。芳基基团可以是单环芳基基团或多环芳基基团。芳基基团中的成环碳原子的数量可以是6至30、6至20或6至15。芳基基团的实例可以包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五苯基、六联苯基、苯并菲基、芘基、苯并荧蒽基、基等，但不限于此。
[0124]
在描述中，芴基基团可以是取代的，并且两个取代基可以彼此组合以形成螺结构。取代的芴基基团的实例如下。然而，本发明构思的实施方案不限于此。
[0125][0126]
在描述中，杂环基团意指衍生自含有b、o、n、p、si或s中的至少一种作为杂原子的环的任何官能团或取代基。杂环基团包括脂肪族杂环基团和芳香族杂环基团。芳香族杂环基团可以是杂芳基基团。脂肪族杂环和芳香族杂环可以是单环或多环的。
[0127]
在描述中，杂环基团可以包含b、o、n、p、si或s中的至少一种作为杂原子。当杂环基团含有两个或多于两个的杂原子时，所述两个或多于两个的杂原子可以彼此相同或不同。杂环基团可以是单环杂环基团或多环杂环基团，并且包括杂芳基基团。杂环基团中的成环碳原子的数量可以是2至30、2至20或2至10。
[0128]
在描述中，脂肪族杂环基团可以包含b、o、n、p、si或s中的至少一种作为杂原子。脂肪族杂环基团中的成环碳原子的数量可以是2至30、2至20或2至10。脂肪族杂环基团的实例包括氧杂环丙烷基团、硫杂环丙烷基团、吡咯烷基团、哌啶基团、四氢呋喃基团、四氢噻吩基团、硫杂环戊烷基团、四氢吡喃基团、1,4
‑
二噁烷基团等，但不限于此。
[0129]
在描述中，杂芳基基团可以包含b、o、n、p、si或s中的至少一种作为杂原子。当杂芳基基团含有两个或多于两个的杂原子时，所述两个或多于两个的杂原子可以彼此相同或不同。杂芳基基团可以是单环杂芳基基团或多环杂芳基基团。杂芳基基团中的成环碳原子的
数量可以是2至30、2至20或2至10。杂芳基基团的实例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噁唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、n
‑
芳基咔唑基、n
‑
杂芳基咔唑基、n
‑
烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，但不限于此。
[0130]
在描述中，胺基团中的碳原子的数量不特别受到限制，但可以是1至30。胺基团可以包括烷基胺基团、芳基胺基团或杂芳基胺基团。胺基团的实例包括甲基胺基团、二甲基胺基团、苯基胺基团、二苯基胺基团、萘基胺基团、9
‑
甲基
‑
蒽基胺基团等，但不限于此。
[0131]
在描述中，将关于芳基基团的以上描述应用于亚芳基基团，但亚芳基基团是二价基团。
[0132]
在描述中，将关于杂芳基基团的以上描述应用于亚杂芳基基团，但亚杂芳基基团是二价基团。
[0133]
在描述中，
“‑
*”表示与相邻原子的结合位点。
[0134]
根据本发明构思的实施方案的胺化合物由式1表示。
[0135]
[式1]
[0136][0137]
在式1中，l可以是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。
[0138]
在式1中，n可以是0至2的整数，并且当n是2时，由l表示的基团可以彼此相同或不同。
[0139]
在式1中，ar1和ar2可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0140]
在式1中，a可以由式2
‑
1至式2
‑
5中的一个表示。
[0141]
[式2
‑
1]
[0142][0143]
[式2
‑
2]
[0144][0145]
[式2
‑
3]
[0146][0147]
[式2
‑
4]
[0148][0149]
[式2
‑
5]
[0150][0151]
在式2
‑
1至式2
‑
5中，r1可以是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0152]
在式2
‑
1至式2
‑
5中，m可以是0至4的整数，并且当m是2或大于2时，由r1表示的基团可以彼此相同或不同。
[0153]
在式2
‑
1至式2
‑
5中，ar3和ar4可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0154]
在式2
‑
1至式2
‑
5中，*表示与相邻原子的结合位点。
[0155]
当式1中的a由式2
‑
4或式2
‑
5表示时，在式1中，n可以是1并且ar2可以是取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0156]
在实施方案中，胺化合物可以是单胺化合物。在实施方案中，胺化合物可以包含含有n的杂芳基基团。
[0157]
在实施方案中，由式1表示的单胺化合物可以不包含含有n的取代基。
[0158]
在实施方案中，式2
‑
1至式2
‑
5中的ar3和/或ar4可以是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团。
[0159]
在实施方案中，式2
‑
1至式2
‑
5中的ar3和/或ar4可以是取代或未取代的苯基基团。
[0160]
在实施方案中，当式1中的ar1和/或ar2是取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团时，ar1和/或ar2可以由式5表示。
[0161]
[式5]
[0162][0163]
在式5中，x可以是o或s。
[0164]
在式5中，r3可以是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0165]
在式5中，b可以是0至7的整数，并且当b是2或大于2时，由r3表示的基团可以彼此相同或不同。
[0166]
在式5中，*表示与相邻原子的结合位点。
[0167]
在实施方案中，式1中的n可以是0或1。
[0168]
在实施方案中，式1中的l可以是取代或未取代的具有6个至15个成环碳原子的亚芳基基团。式1中的l可以是未取代的具有6个至15个成环碳原子的亚芳基基团。
[0169]
在实施方案中，式1中的l可以是直连键、取代或未取代的亚苯基基团、或者取代或未取代的亚联苯基基团。
[0170]
在实施方案中，式1可以由式6
‑
1至式6
‑
4中的一个表示。
[0171]
[式6
‑
1]
[0172][0173]
[式6
‑
2]
[0174][0175]
[式6
‑
3]
[0176][0177]
[式6
‑
4]
[0178][0179]
在式6
‑
1至式6
‑
4中，r2可以是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0180]
在式6
‑
1至式6
‑
4中，a可以是0至4的整数，并且当a是2或大于2时，由r2表示的基团可以彼此相同或不同。
[0181]
在式6
‑
1至式6
‑
4中，a、ar1和ar2可以与式1中定义的相同。
[0182]
在实施方案中，式1中的r1可以是氢原子或氘原子。
[0183]
在实施方案中，式1可以由式3
‑
1至式3
‑
3中的一个表示。
[0184]
[式3
‑
1]
[0185][0186]
[式3
‑
2]
[0187][0188]
[式3
‑
3]
[0189][0190]
在式3
‑
1至式3
‑
3中，r1可以是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0191]
在式3
‑
1至式3
‑
3中，m可以是0至4的整数，并且当m是2或大于2时，由r1表示的基团可以彼此相同或不同。
[0192]
在式3
‑
1至式3
‑
3中，ar3和ar4可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0193]
在式3
‑
1至式3
‑
3中，ar1、ar2、l和n可以与式1中定义的相同。
[0194]
在实施方案中，式1可以由式4
‑
1或式4
‑
2表示。
[0195]
[式4
‑
1]
[0196][0197]
[式4
‑
2]
[0198][0199]
在式4
‑
2和式4
‑
2中，ar2可以是取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0200]
在式4
‑
1和式4
‑
2中，r1可以是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0201]
在式4
‑
1和式4
‑
2中，m可以是0至4的整数，并且当m是2或大于2时，由r1表示的基团可以彼此相同或不同。
[0202]
在式4
‑
1和式4
‑
2中，ar3和ar4可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0203]
在式4
‑
1和式4
‑
2中，ar1和l可以与式1中定义的相同。
[0204]
在实施方案中，式4
‑
1和式4
‑
2中的ar2可以是取代或未取代的具有2个至15个成环碳原子的杂芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至12个成环碳原子的杂芳基基团。
[0205]
在实施方案中，式4
‑
1和式4
‑
2中的ar2可以由式5表示。
[0206]
[式5]
[0207][0208]
在式5中，x可以是o或s。
[0209]
在式5中，r3可以是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0210]
在式5中，b可以是0至7的整数，并且当b是2或大于2时，由r3表示的基团可以彼此相同或不同。
[0211]
在式5中，*表示与相邻原子的结合位点。
[0212]
在实施方案中，式3
‑
1可以由式3
‑1‑
1至式3
‑1‑
3中的一个表示。
[0213]
[式3
‑1‑
1]
[0214][0215]
[式3
‑1‑
2]
[0216][0217]
[式3
‑1‑
3]
[0218][0219]
在式3
‑1‑
1至式3
‑1‑
3中，ar1至ar4、r1和m可以与式3
‑
1中定义的相同。
[0220]
在实施方案中，式3
‑
2可以由式3
‑2‑
1至式3
‑2‑
3中的一个表示。
[0221]
[式3
‑2‑
1]
[0222]
[0223]
[式3
‑2‑
2]
[0224][0225]
[式3
‑2‑
3]
[0226][0227]
在式3
‑2‑
1至式3
‑2‑
3中，ar1至ar4、r1和m可以与式3
‑
2中定义的相同。
[0228]
在实施方案中，式3
‑
3可以由式3
‑3‑
1至式3
‑3‑
3中的一个表示。
[0229]
[式3
‑3‑
1]
[0230][0231]
[式3
‑3‑
2]
[0232][0233]
[式3
‑3‑
3]
[0234][0235]
在式3
‑3‑
1至式3
‑3‑
3中，ar1至ar4、r1和m可以与式3
‑
3中定义的相同。
[0236]
在实施方案中，式4
‑
1可以由式4
‑1‑
1或式4
‑1‑
2表示。
[0237]
[式4
‑1‑
1]
[0238][0239]
[式4
‑1‑
2]
[0240][0241]
在式4
‑1‑
1和式4
‑1‑
2中，ar1至ar4、r1和m可以与式4
‑
1中定义的相同。
[0242]
在实施方案中，式4
‑
2可以由式4
‑2‑
1或式4
‑2‑
2表示。
[0243]
[式4
‑2‑
1]
[0244][0245]
[式4
‑2‑
2]
[0246][0247]
在式4
‑2‑
1和式4
‑2‑
2中，ar1至ar4、r1和m可以与式4
‑
2中定义的相同。
[0248]
根据本发明构思的实施方案的由式1表示的胺化合物可以是选自由化合物组1至化合物组4表示的化合物中的一个。然而，本发明构思的实施方案不限于此。
[0249]
[化合物组1]
[0250]
[0251]
[0252]
[0253]
[0254]
[0255]
[0256]
[0257]
[0258]
[0259]
[0260]
[0261]
[0262]
[0263]
[0264]
[0265]
[0266]
[0267]
[0268]
[0269]
[0270]
[0271]
[0272]
[0273]
[0274]
[0275]
[0276]
[0277]
[0278]
[0279]
[0280]
[0281]
[0282]
[0283]
[0284]
[0285]
[0286]
[0287]
[0288]
[0289]
[0290]
[0291]
[0292]
[0293]
[0294]
[0295]
[0296]
[0297]
[0298]
[0299]
[0300]
[0301]
[0302]
[0303]
[0304]
[0305]
[0306]
[0307]
[0308]
[0309]
[0310]
[0311]
[0312]
[0313]
[0314]
[0315]
[0316]
[0317]
[0318]
[0319]
[0320]
[0321]
[0322]
[0323]
[0324]
[0325]
[0326]
[0327]
[0328]
[0329]
[0330]
[0331]
[0332][0333]
[化合物组2]
[0334]
[0335]
[0336]
[0337]
[0338]
[0339]
[0340]
[0341]
[0342]
[0343]
[0344]
[0345]
[0346]
[0347]
[0348]
[0349]
[0350]
[0351]
[0352]
[0353]
[0354]
[0355]
[0356]
[0357]
[0358]
[0359]
[0360]
[0361]
[0362]
[0363]
[0364]
[0365]
[0366]
[0367]
[0368]
[0369]
[0370]
[0371]
[0372]
[0373]
[0374]
[0375]
[0376]
[0377]
[0378]
[0379]
[0380]
[0381]
[0382]
[0383]
[0384]
[0385]
[0386]
[0387]
[0388]
[0389]
[0390]
[0391]
[0392]
[0393]
[0394]
[0395]
[0396]
[0397]
[0398]
[0399]
[0400]
[0401]
[0402]
[0403]
[0404]
[0405]
[0406]
[0407]
[0408]
[0409]
[0410]
[0411]
[0412]
[0413][0414]
[化合物组3]
[0415]
[0416]
[0417]
[0418]
[0419]
[0420]
[0421]
[0422]
[0423]
[0424]
[0425]
[0426]
[0427]
[0428]
[0429]
[0430]
[0431]
[0432]
[0433]
[0434]
[0435]
[0436]
[0437]
[0438]
[0439]
[0440]
[0441]
[0442]
[0443]
[0444]
[0445]
[0446]
[0447]
[0448]
[0449]
[0450]
[0451]
[0452]
[0453]
[0454]
[0455]
[0456]
[0457]
[0458]
[0459]
[0460]
[0461]
[0462]
[0463]
[0464]
[0465]
[0466][0467]
[化合物组4]
[0468]
[0469]
[0470]
[0471]
[0472]
[0473]
[0474]
[0475]
[0476]
[0477]
[0478]
[0479]
[0480]
[0481]
[0482]
[0483]
[0484]
[0485]
[0486]
[0487]
[0488]
[0489]
[0490]
[0491]
[0492]
[0493]
[0494]
[0495]
[0496]
[0497]
[0498]
[0499]
[0500]
[0501]
[0502]
[0503]
[0504]
[0505]
[0506]
[0507]
[0508]
[0509]
[0510]
[0511]
[0512]
[0513]
[0514]
[0515]
[0516]
[0517]
[0518]
[0519]
[0520]
[0521]
[0522]
[0523]
[0524]
[0525]
[0526]
[0527]
[0528]
[0529]
[0530]
[0531]
[0532]
[0533]
[0534]
[0535]
[0536]
[0537]
[0538]
[0539]
[0540]
[0541]
[0542]
[0543][0544]
将参考图1至图3描述根据本发明构思的实施方案的有机电致发光装置。
[0545]
如以上描述，空穴传输区htr包含如以上描述的根据本发明构思的实施方案的胺化合物。例如，空穴传输区htr可以包含由式1表示的胺化合物。
[0546]
当空穴传输区htr是多层结构时，层中的任一个可以包含由式1表示的胺化合物。例如，空穴传输区htr可以包括设置在第一电极el1上的空穴注入层hil和设置在空穴注入层hil上的空穴传输层htl，其中空穴传输层htl可以包含由式1表示的胺化合物。然而，实施方案不限于此。例如，空穴注入层hil可以包含由式1表示的胺化合物。
[0547]
空穴传输区htr可以包含由式1表示的胺化合物中的一种或多于一种。例如，空穴传输区htr可以包含选自由如以上描述的化合物组1至化合物组4表示的化合物中的至少一种。
[0548]
空穴传输区htr可以使用各种方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔
‑
布洛杰特(langmuir
‑
blodgett，lb)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(liti)法)
形成。
[0549]
然而，空穴传输区htr可以在每一个层中进一步包含以下材料。
[0550]
空穴注入层hil可以包含，例如，酞菁化合物(例如铜酞菁)；n,n'
‑
二苯基
‑
n,n'
‑
双
‑
[4
‑
(苯基
‑
间甲苯基
‑
氨基)
‑
苯基]
‑
联苯基
‑
4,4'
‑
二胺(dntpd)、4,4',4
”‑
[三(3
‑
甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m
‑
mtdata)、4,4',4
”‑
三(n,n
‑
二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4',4
”‑
三{n,n
‑
(2
‑
萘基)
‑
n
‑
苯基氨基}
‑
三苯胺(2
‑
tnata)、聚(3,4
‑
亚乙基二氧基噻吩)/聚(4
‑
苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4
‑
苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)、n,n'
‑
二(萘
‑1‑
基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
联苯胺(npd)、含三苯胺的聚醚酮(tpapek)、4
‑
异丙基
‑
4'
‑
甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐、二吡嗪并[2,3
‑
f:2',3'
‑
h]喹喔啉
‑
2,3,6,7,10,11
‑
六甲腈(hat
‑
cn)等。
[0551]
空穴传输层htl可以包含本领域中已知的一般材料。空穴传输层htl可以进一步包含，例如，咔唑衍生物(例如n
‑
苯基咔唑和聚乙烯基咔唑)、芴衍生物、n,n'
‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
[1,1'
‑
联苯基]
‑
4,4'
‑
二胺(tpd)、三苯胺衍生物(例如4,4',4
”‑
三(n
‑
咔唑基)三苯胺(tcta))、n,n'
‑
二(萘
‑1‑
基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
联苯胺(npd)、4,4'
‑
亚环己基双[n,n
‑
双(4
‑
甲基苯基)苯胺](tapc)、4,4'
‑
双[n,n'
‑
(3
‑
甲苯基)氨基]
‑
3,3'
‑
二甲基联苯(hmtpd)、1,3
‑
双(n
‑
咔唑基)苯(mcp)等。
[0552]
电子阻挡层ebl可以包含，例如，咔唑衍生物(例如n
‑
苯基咔唑和聚乙烯基咔唑)、芴衍生物、n,n'
‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
[1,1'
‑
联苯基]
‑
4,4'
‑
二胺(tpd)、三苯胺衍生物(例如4,4',4
”‑
三(n
‑
咔唑基)三苯胺(tcta))、n,n'
‑
二(萘
‑1‑
基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
联苯胺(npd)、4,4'
‑
亚环己基双[n,n
‑
双(4
‑
甲基苯基)苯胺](tapc)、4,4'
‑
双[n,n'
‑
(3
‑
甲苯基)氨基]
‑
3,3'
‑
二甲基联苯(hmtpd)、9
‑
(4
‑
叔丁基苯基)
‑
3,6
‑
双(三苯基甲硅烷基)
‑
9h
‑
咔唑(czsi)、9
‑
苯基
‑
9h
‑
3,9'
‑
联咔唑(ccp)、1,3
‑
双(n
‑
咔唑基)苯(mcp)、1,3
‑
双(1,8
‑
二甲基
‑
9h
‑
咔唑
‑9‑
基)苯(mcdp)等。
[0553]
空穴传输区htr的厚度可以是约至约例如，空穴传输区htr的厚度可以是约至约空穴注入层hil的厚度可以是约至约并且空穴传输层htl的厚度可以是约至约例如，电子阻挡层ebl的厚度可以是约至约如果空穴传输区htr、空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层ebl的厚度满足以上描述的范围，可以实现令人满意的空穴传输性质，而没有驱动电压的显著增加。
[0554]
除了以上描述的材料之外，空穴传输区htr可以进一步包含电荷产生材料以增加导电性。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区htr中。电荷产生材料可以是，例如，p
‑
掺杂剂。p
‑
掺杂剂可以是选自醌衍生物、金属氧化物和含氰基基团的化合物中的至少一种，但本发明构思的实施方案不限于此。例如，p
‑
掺杂剂的非限制性实例可以包括但不限于，醌衍生物(例如四氰基醌二甲烷(tcnq)和2,3,5,6
‑
四氟
‑
7,7,8,8
‑
四氰基醌二甲烷(f4
‑
tcnq))、金属卤化物(例如mgf2、cui、rbi)和金属氧化物(例如氧化钨和氧化钼)。
[0555]
如以上描述，空穴传输区htr可以进一步包括选自空穴缓冲层和电子阻挡层ebl中的至少一种。空穴缓冲层可以根据从发射层eml发射的光的波长来补偿共振距离以增加光发射效率。可以包含在空穴传输区htr中的材料可以用作可以包含在空穴缓冲层中的材料。
电子阻挡层ebl是用于防止电子从电子传输区etr注入至空穴传输区htr的层。
[0556]
在空穴传输区htr上提供发射层eml。发射层eml的厚度可以是约至约例如，发射层eml的厚度可以是约至约发射层eml可以具有由单一材料形成的单层、由不同材料形成的单层、或者具有由不同材料形成的多个层的多层结构。
[0557]
作为发射层eml的材料，可以使用已知的材料，并且已知的材料可以是选自荧蒽衍生物、芘衍生物、芳基乙炔衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物、衍生物等中的一种，但不受限制。主体材料可以包括芘衍生物、苝衍生物和蒽衍生物。例如，作为发射层eml的主体材料，可以使用由式10表示的蒽衍生物。
[0558]
[式10]
[0559][0560]
在式10中，w1至w4可以各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者可以键合至相邻基团以形成环，m1和m2各自独立地是0至4的整数，并且m3和m4各自独立地是0至5的整数。
[0561]
如果m1是1，w1可以不是氢原子，如果m2是1，w2可以不是氢原子，如果m3是1，w3可以不是氢原子，并且如果m4是1，w4可以不是氢原子。
[0562]
如果m1是2或大于2，由w1表示的基团可以相同或不同。如果m2是2或大于2，由w2表示的基团可以相同或不同。如果m3是2或大于2，由w3表示的基团可以相同或不同。如果m4是2或大于2，由w4表示的基团可以相同或不同。
[0563]
由式10表示的化合物可以包括例如由以下结构表示的化合物。然而，由式10表示的化合物不限于此。
[0564][0565]
发射层eml可以包含掺杂剂，并且已知的材料可以用作掺杂剂。例如，苯乙烯基衍生物(例如，1,4
‑
双[2
‑
(3
‑
n
‑
乙基咔唑基)乙烯基]苯(bczvb)、4
‑
(二
‑
对甲苯基氨基)
‑
4'
‑
[(二
‑
对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(dpavb)和n
‑
(4
‑
((e)
‑2‑
(6
‑
((e)
‑4‑
(二苯基氨基)苯乙烯基)萘
‑2‑
基)乙烯基)苯基)
‑
n
‑
苯基苯胺(n
‑
bdavbi))、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11
‑
四叔丁基苝(tbpe))、芘及其衍生物(例如，1,1'
‑
二芘、1,4
‑
二芘基苯、1,4
‑
双(n,n
‑
二苯基氨基)芘和1,6
‑
双(n,n
‑
二苯基氨基)芘)、或1,3,5
‑
三(n
‑
苯基苯并咪唑
‑2‑
基)苯(tpbi)中的至少任一种可以用作掺杂剂，但不限于此。
[0566]
发射层eml可以包含主体材料。例如，发射层eml可以包含但不限于三(8
‑
羟基喹啉根合)铝(alq3)、双[2
‑
(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo)、4,4'
‑
双(咔唑
‑9‑
基)联苯(cbp)、1,3
‑
双(咔唑
‑9‑
基)苯(mcp)、2,8
‑
双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(ppf)、4,4',4
”‑
三(咔唑
‑9‑
基)
‑
三苯胺(tcta)、聚(n
‑
乙烯基咔唑)(pvk)、9,10
‑
二(萘
‑2‑
基)蒽(adn)、3
‑
叔丁基
‑
9,10
‑
二(萘
‑2‑
基)蒽(tbadn)、二苯乙烯基亚芳基化物(dsa)、4,4'
‑
双(9
‑
咔唑基)
‑
2,2'
‑
二甲基
‑
联苯(cdbp)、2
‑
甲基
‑
9,10
‑
双(萘
‑2‑
基)蒽(madn)、六苯基环三磷腈(cp1)、1,4
‑
双(三苯基甲硅烷基)苯(ugh
‑
2)、六苯基环三硅氧烷(dpsio3)、八苯基环四硅氧烷(dpsio4)、或1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1h
‑
苯并[d]咪唑
‑2‑
基)苯(tpbi)中的至少一种作为主体材料。
[0567]
当发射层eml发射红色光时，发射层eml可以进一步包含例如荧光材料，所述荧光材料包括三(二苯甲酰基甲烷根合)菲咯啉铕(pbd:eu(dbm)3(phen))或苝。当发射层eml发射红色光时，包含在发射层eml中的掺杂剂可以是，例如金属络合物或有机金属络合物(例如，双(1
‑
苯基异喹啉)乙酰丙酮酸铱(piqir(acac))、双(1
‑
苯基喹啉)乙酰丙酮酸铱(pqir(acac))、三(1
‑
苯基喹啉)铱(pqir)和八乙基卟啉铂(ptoep))、红荧烯及其衍生物和4
‑
二氰基亚甲基
‑2‑
(对二甲基氨基苯乙烯基)
‑6‑
甲基
‑
4h
‑
吡喃(dcm)及其衍生物。
[0568]
当发射层eml发射绿色光时，发射层eml可以进一步包含例如荧光材料，所述荧光材料包括三(8
‑
羟基喹啉根合)铝(alq3)。当发射层eml发射绿色光时，包含在发射层eml中
的掺杂剂可以例如选自金属络合物或有机金属络合物(例如，面式
‑
三(2
‑
苯基吡啶)铱(ir(ppy)3))和香豆素及其衍生物。
[0569]
当发射层eml发射蓝色光时，发射层eml可以进一步包含例如荧光材料，所述荧光材料包括选自由螺
‑
dpvbi、螺
‑
6p、二苯乙烯基
‑
苯(dsb)、二苯乙烯基
‑
亚芳基化物(dsa)、基于聚芴(pfo)的聚合物和基于聚(对亚苯基亚乙烯基)(ppv)的聚合物组成的组中的任一种。当发射层eml发射蓝色光时，包含在发射层eml中的掺杂剂可以例如选自金属络合物(例如，(4,6
‑
f2ppy)2irpic)或有机金属络合物、苝及其衍生物。
[0570]
电子传输区etr设置在发射层eml上。电子传输区etr可以包括但不限于空穴阻挡层hbl、电子传输层etl或电子注入层eil中的至少一种。
[0571]
电子传输区etr可以具有由单一材料形成的单层、由不同材料形成的单层、或者包括由不同材料形成的多个层的多层结构。
[0572]
例如，电子传输区etr可以具有电子注入层eil或电子传输层etl的单层结构，并且可以具有由电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。电子传输区etr可以具有由不同材料形成的单层结构，或者可以具有其中从发射层eml按顺序堆叠电子传输层etl/电子注入层eil或空穴阻挡层hbl/电子传输层etl/电子注入层eil的结构，但不限于此。电子传输区etr的厚度可以是约至约
[0573]
电子传输区etr可以使用各种方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔
‑
布洛杰特(lb)法、喷墨印刷法、激光印刷法、激光诱导热成像(liti)法等)形成。
[0574]
当电子传输区etr包括电子传输层etl时，电子传输层etl可以包含基于蒽的化合物。然而，本发明构思的实施方案不限于此，并且电子传输层etl可以包含，例如三(8
‑
羟基喹啉根合)铝(alq3)、1,3,5
‑
三[(3
‑
吡啶基)
‑
苯
‑3‑
基]苯、2,4,6
‑
三(3'
‑
(吡啶
‑3‑
基)联苯
‑3‑
基)
‑
1,3,5
‑
三嗪、双[2
‑
(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo)、2
‑
(4
‑
(n
‑
苯基苯并咪唑
‑1‑
基)苯基)
‑
9,10
‑
二萘基蒽、1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1h
‑
苯并[d]咪唑
‑2‑
基)苯(tpbi)、2,9
‑
二甲基
‑
4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bcp)、4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bphen)、3
‑
(4
‑
联苯基)
‑4‑
苯基
‑5‑
叔丁基苯基
‑
1,2,4
‑
三唑(taz)、4
‑
(萘
‑1‑
基)
‑
3,5
‑
二苯基
‑
4h
‑
1,2,4
‑
三唑(ntaz)、2
‑
(4
‑
联苯基)
‑5‑
(4
‑
叔丁基苯基)
‑
1,3,4
‑
噁二唑(tbu
‑
pbd)、双(2
‑
甲基
‑8‑
喹啉根合
‑
n1,o8)
‑
(1,1'
‑
联苯
‑4‑
根合)铝(balq)、双(苯并喹啉
‑
10
‑
根合)铍(bebq2)、9,10
‑
二(萘
‑2‑
基)蒽(adn)或其混合物。电子传输层etl的厚度可以是约至约例如，电子传输层etl的厚度可以是约至约如果电子传输层etl的厚度满足以上描述的范围，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0575]
如果电子传输区etr包括电子注入层eil，电子传输层eil可以使用金属卤化物(例如lif、nacl、csf、rbcl和rbi)、镧系金属(例如yb)、金属氧化物(例如li2o和bao)或8
‑
羟基
‑
喹啉根合锂(liq)等形成，但本发明构思的实施方案不限于此。电子注入层eil还可以由电子注入材料和绝缘有机金属盐的混合物材料形成。有机金属盐可以是具有约4ev或大于4ev的能带间隙的材料。有机金属盐可以包括，例如金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐或金属硬脂酸盐。电子注入层eil的厚度可以是约至约例如，电子注入层eil的厚度可以是约至约如果电子注入层eil的厚度满足以上
描述的范围，可以获得令人满意的电子注入性质，而没有驱动电压的显著增加。
[0576]
电子传输区etr可以如以上描述包括空穴阻挡层hbl。空穴阻挡层hbl可以包含但不限于，例如2,9
‑
二甲基
‑
4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bcp)、双[2
‑
(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo)或4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bphen)中的至少一种。
[0577]
在电子传输区etr上提供第二电极el2。第二电极el2可以是公共电极或负电极。第二电极el2可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。当第二电极el2是透射电极时，第二电极el2可以由透明金属氧化物(例如，ito、izo、zno、itzo等)形成。
[0578]
当第二电极el2是半透反射电极或反射电极时，第二电极el2可以包含ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti、其化合物或其混合物(例如，ag和mg的混合物)。例如，第一电极el1可以具有多层结构，所述多层结构包括由以上描述的材料形成的反射层或半透反射层，以及由ito、izo、zno、itzo等形成的透明导电层。
[0579]
尽管未示出，但第二电极el2可以与辅助电极连接。如果第二电极el2与辅助电极连接，可以减小第二电极el2的电阻。
[0580]
参考图4，根据实施方案的有机电致发光装置10可以进一步包括设置在第二电极el2上的覆盖层cpl。覆盖层cpl可以包括多层或单层。
[0581]
在实施方案中，覆盖层cpl可以包括至少一个有机层和/或至少一个无机层。例如，覆盖层cpl可以具有其中有机层/无机层交替地设置至少一次的结构，或者其中无机层/有机层交替地设置的结构。
[0582]
当覆盖层cpl包含无机材料时，无机材料可以包括碱金属化合物(例如lif)、碱土金属化合物(例如mgf2)、sion、sin
x
、sio
y
等。
[0583]
当覆盖层cpl包含有机材料时，可以包含α
‑
npd、npb、tpd、m
‑
mtdata、alq3、cupc、n4,n4,n4',n4'
‑
四(联苯
‑4‑
基)联苯基
‑
4,4'
‑
二胺(tpd15)、4,4',4
”‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺(tcta)等。例如，可以包含环氧树脂或丙烯酸酯(例如甲基丙烯酸酯)。然而，本发明构思的实施方案不限于此，并且有机材料还可以包括化合物p1至化合物p5。
[0584][0585]
在实施方案中，覆盖层cpl可以具有在约589nm处测量的等于或大于约1.6的折射率。覆盖层cpl可以具有在约589nm处测量的等于或小于约2.0的折射率。
[0586]
在有机电致发光装置10中，当分别向第一电极el1和第二电极el2施加电压时，从第一电极el1注入的空穴通过空穴传输区htr移动至发射层eml，并且从第二电极el2注入的电子通过电子传输区etr移动至发射层eml。电子和空穴在发射层eml中复合以产生激子，并且当激子从激发态返回至基态时发射光。
[0587]
当有机电致发光装置10是前发射型时，第一电极el1可以是反射电极，并且第二电极el2可以是透射电极或半透反射电极。当有机电致发光装置10是后发射型时，第一电极el1可以是透射电极或半透反射电极，并且第二电极el2可以是反射电极。
[0588]
根据本发明构思的实施方案的有机电致发光装置10包含由式1表示的胺化合物，从而实现高效率和长使用寿命。可以实现低驱动电压。
[0589]
在下文，将参考实施例和比较例更详细地描述本公开内容。实施方案仅是用于帮助理解本发明构思的示例，并且本发明构思的范围不限于此。
[0590]
[合成例]
[0591]
根据本发明构思的实施方案的胺化合物可以例如合成如下。然而，根据本发明构思的实施方案的合成胺化合物的方法不限于此。
[0592]
1.化合物3
‑
a1
‑
38的合成
[0593]
(化合物b的合成)
[0594][0595]
将dcm溶剂(100ml)添加至亚萘基化物a(12.2g,41.2mmol)，并且将吡啶(6.7ml)和tf2o(10ml)在0℃滴至反应溶液。将反应溶液在室温搅拌12小时并且用饱和nahco3水溶液中和。将反应溶液用ch2cl2萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用mg2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过硅胶柱色谱法纯化以获得化合物b(14g,35mmol,85％,m/z 428.1)。
[0596]
(化合物c1的合成)
[0597][0598]
将甲苯/etoh/h2o(v/v/v＝4/2/1,1000ml)添加至获得的化合物b(20.4g,48mmol)、硼酸b2(12g,72mmol)和k3po4(20g,95mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2
‑
二环己基膦基
‑
2',6'
‑
二甲氧基联苯(sphos)(2.0g,4.8mmol)和四(三苯基膦)钯(pd(pph3)4)(2.8g,2.4mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得化合物c1(11g,28mmol,59％,m/z 390.1)。
[0599]
(化合物3
‑
a1
‑
38的合成)
[0600][0601]
将甲苯(350ml)添加至化合物c1(7.8g,20mmol)、胺d(3.1g,20mmol)和nao
t
bu(4.2g,20mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2.0m的p(o
t
bu)3甲苯溶液(1.0ml)和pd2(dba)3(0.6g,1.0mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱
色谱法纯化以获得化合物3
‑
a1
‑
38(6.2g,9mmol,44％,m/z 699.3)。
[0602]
2.化合物3
‑
a1
‑
93的合成
[0603][0604]
将甲苯(350ml)添加至化合物c1(7.8g,20mmol)、胺e(8.4g,20mmol)和nao
t
bu(4.2g,20mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2.0m的p(o
t
bu)3甲苯溶液(1.0ml)和pd2(dba)3(0.6g,1.0mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得化合物3
‑
a1
‑
93(7.5g,9.0mmol,45％,m/z 831.3)。
[0605]
3.化合物1
‑
a1
‑
93的合成
[0606][0607]
将甲苯(350ml)添加至化合物c2(7.8g,20mmol,cas号1383673
‑
32
‑
2)、胺e(8.4g,20mmol)和nao
t
bu(4.2g,20mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2.0m的p(o
t
bu)3甲苯溶液(1.0ml)和pd2(dba)3(0.6g,1.0mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得化合物1
‑
a1
‑
93(6.0g,9.5mmol,48％,m/z 831.3)。
[0608]
4.化合物2
‑
a1
‑
93的合成
[0609]
(化合物a3的合成)
[0610][0611]
将甲苯/etoh/h2o(v/v/v＝4/2/1,250ml)添加至化合物a2(6.9g,20mmol)、硼酸b2(4.1g,20mmol)和k3po4(8.5g,40mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2
‑
二环己基膦基
‑
2',6'
‑
二甲氧基联苯(1.6g,4.0mmol)和四(三苯基膦)钯(1.6g,1.0mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得化合物a3(5.8g,
18mmol,90％,m/z 330.1)。
[0612]
(化合物b3的合成)
[0613][0614]
亚萘基化物a3(13.6g,41.2mmol)和吡啶(6.7ml)添加至dcm溶剂(100ml)，并且将tf2o(10ml)在0℃滴至反应溶液。将反应溶液在室温搅拌12小时并且用饱和nahco3水溶液中和。将反应溶液用ch2cl2萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用mg2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过硅胶柱色谱法纯化以获得化合物b3(15.6g,34mmol,82％,m/z 462.0)。
[0615]
(化合物c3的合成)
[0616][0617]
将甲苯/etoh/h2o(v/v/v＝4/2/1,250ml)添加至化合物b3(9.3g,20mmol)、苯基硼酸(2.4g,20mmol)和k3po4(8.5g,40mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2
‑
二环己基膦基
‑
2',6'
‑
二甲氧基联苯(1.6g,4.0mmol)和四(三苯基膦)钯(1.6g,1.0mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得化合物c3(5.6g,14mmol,72％,m/z 390.1)。
[0618]
(化合物2
‑
a1
‑
93的合成)
[0619][0620]
将甲苯(350ml)添加至芳基氯化物c3(7.8g,20mmol)、胺e(8.4g,20mmol)和nao
t
bu
(4.2g,20mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2.0m的p(o
t
bu)3甲苯溶液(1.0ml)和pd2(dba)3(0.6g,1.0mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得化合物2
‑
a1
‑
93(10g,12mmol,60％,m/z 831.3)。
[0621]
5.化合物4
‑
a1
‑
31的合成
[0622][0623]
将甲苯(350ml)添加至芳基氯化物c4(7.8g,20mmol)、胺e(8.4g,20mmol)和nao
t
bu(4.2g,20mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2.0m的p(o
t
bu)3甲苯溶液(1.0ml)和pd2(dba)3(0.6g,1.0mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得化合物4
‑
a1
‑
31(13g,16mmol,78％,m/z 831.3)。
[0624]
6.化合物5
‑
a1
‑
31的合成
[0625][0626]
将甲苯(350ml)添加至芳基氯化物c5(7.8g,20mmol)、胺e(8.4g,20mmol)和nao
t
bu(4.2g,20mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2.0m的p(o
t
bu)3甲苯溶液(1.0ml)和pd2(dba)3(0.6g,1.0mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得化合物5
‑
a1
‑
31(13g,15mmol,75％,m/z 831.3)。
[0627]
7.化合物3
‑
c1
‑
93的合成
[0628][0629]
将甲苯(350ml)添加至化合物b1(8.6g,20mmol)、胺e(8.4g,20mmol)和nao
t
bu(4.2g,20mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2.0m的p(o
t
bu)3甲苯溶液(1.0ml)和pd2(dba)3(0.6g,1.0mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却
至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得化合物3
‑
c1
‑
93(6.0g,8mmol,40％,m/z 755.3)。
[0630]
8.化合物3
‑
a1
‑
98的合成
[0631][0632]
将甲苯(350ml)添加至化合物c1(7.8g,20mmol)、胺f(7.6g,20mmol)和nao
t
bu(4.2g,20mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2.0m的p(o
t
bu)3甲苯溶液(1.0ml)和pd2(dba)3(0.6g,1.0mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得化合物3
‑
a1
‑
98(7.4g,9.0mmol,51％,m/z 735.2)。
[0633]
9.化合物5
‑
a1
‑
36的合成
[0634][0635]
甲苯(350ml)添加至化合物c5(7.8g,20mmol)、胺f(7.6g,20mmol)和nao
t
bu(4.2g,20mmol)，并且脱气。在氩气氛下，将2.0m的p(o
t
bu)3甲苯溶液(1.0ml)和pd2(dba)3(0.6g,1.0mmol)添加至其中，并且在85℃下将其加热和搅拌6小时。将反应溶液静置以冷却至室温，用甲苯萃取，用h2o和盐水洗涤，并且用na2so4干燥。将获得的溶液浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得化合物5
‑
a1
‑
36(8.5g,12mmol,58％,m/z 735.2)。
[0636]
(装置制造实施例)
[0637]
使用以下实施例化合物和比较例化合物作为空穴传输区材料制造有机电致发光装置。
[0638]
[实施例化合物]
[0639][0640]
[比较例化合物]
[0641][0642]
通过以下方法制造实施例和比较例的有机电致发光装置。将150m厚的ito图案化在玻璃衬底上，并且将玻璃衬底用超纯水洗涤并且用uv和臭氧处理约10分钟以形成第一电极。将2
‑
tnata沉积在其上至约60nm的厚度，并且使用实施例化合物或比较例化合物以形成约30nm的厚度的空穴传输层。将tbp按3％掺杂至adn以形成具有约25nm的厚度的发射层，用alq3在发射层上形成具有约25nm的厚度的层，并且用lif形成具有约1nm的厚度的层以形成电子传输区。用铝(al)形成具有约100nm的厚度的第二电极。将70nm厚的覆盖层形成在第二电极上。通过真空沉积法形成每一个层。
[0643]
测量根据实施例1至实施例9以及比较例1至比较例5的有机电致发光装置的光发射效率。结果显示于表1中。
[0644]
[表1]
[0645]
[0646][0647]
参考表1，可以确认，与比较例1至比较例5相比，实施例1至实施例9全部均具有实现了的高效率。
[0648]
发现实施例化合物在接近氮原子的亚萘基的一个苯环的特定位置处具有三个芳基基团，并且因此萘的一个苯环中的电子变得丰富，从而增加装置效率。
[0649]
当比较实施例1和比较例1的化合物时，在其中芳基胺基团在亚萘基的2位处取代的结构中，包含其中芳基基团在亚萘基的1位和3位处取代的实施例1的化合物的实施例1的装置的效率比包含其中芳基基团在亚萘基的1位和4位处取代的比较例1的化合物的装置的效率增加更多。这认为电子效应取决于芳基基团的取代位置而变化，并且发现当芳基基团在1位和3位处取代时，更有效地表现出电子效应。
[0650]
实施例2至实施例3以及实施例8的化合物是其中芳基胺基团在亚萘基的2位处取代的实施方案，其中芳基基团在1位和3位处取代，使得可以预期由取代基引起的电子效应(如实施例1)，并且可以证实，与比较例相比，装置的效率增加。
[0651]
实施例5的化合物是其中芳基胺基团在亚萘基的1位处取代的实施方案，其中芳基基团在2位和4位处取代，使得可以预期由取代基引起的电子效应(如实施例1)，并且可以证实，与比较例相比，装置的效率增加。
[0652]
当比较实施例6和比较例2的化合物时，当芳基胺基团在亚萘基的1位处取代时，在与芳基胺基团相邻的位置处不存在芳基基团，并且电子效应可能不太有效。因此，发现杂芳基基团在键合至氮原子的ar1或ar2处取代，并且芳基基团是亚萘基与氮原子之间的连接物，从而有效地表现出供电子效应。
[0653]
在比较实施例6和比较例3的化合物时，发现芳基基团被公开为亚萘基与氮原子之间的连接物，从而有效地表现出与亚萘基的供电子效应。
[0654]
当比较实施例8至实施例9和比较例3至比较例5的化合物时，这些是其中氮原子的取代基ar1和/或ar2是杂芳基基团的实施方案，并且发现亚萘基的电子通过杂芳基基团的供电子效应而变得丰富，从而增加了装置的效率。
[0655]
根据本发明构思的实施方案的有机电致发光装置使用根据实施方案的胺化合物，
从而实现低驱动电压、高效率和长使用寿命。
[0656]
由于通过立体因子改善取向特性和通过离域改善电子特性，根据本发明构思的实施方案的胺化合物可以具有改善的空穴注入和空穴传输的过程的特性。
[0657]
根据本发明构思的实施方案的有机电致发光装置可以具有优异的效率。
[0658]
根据本发明构思的实施方案的胺化合物可以用作有机电致发光装置的空穴传输区的材料，并且从而有机电致发光装置可以具有改善的效率。
[0659]
尽管描述了本发明构思的实施方案，但本发明构思所属的技术领域的普通技术人员将理解，本公开内容可以以其它形式实施，而不改变技术思想或本质特征。因此，公开的实施方案应视为是例示性的而非限制性的。