技术特征：
1.一种量子点发光二极管器件，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、阴极层、发光层和阳极层，其中所述发光层包括多层，各所述发光层层叠设置且相邻所述发光层之间形成有银纳米线薄膜。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述发光层包括量子点发光层。3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述发光层还包括电子传输层，形成在所述量子点发光层靠近所述阴极层的一侧。4.根据权利要求2所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述发光层还包括空穴传输层，形成在所述量子点发光层远离所述阴极层的一侧。5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述发光层还包括空穴注入层，形成在所述空穴传输层远离所述量子点发光层的一侧。6.一种量子点发光二极管器件制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积阴极层；采用旋涂工艺在所述阴极层上制备多层发光层，其中在当前所述发光层制备完成且在下一所述发光层制备开始前，在当前所述发光层上旋涂银纳米线薄膜，以使所述银纳米线薄膜形成在相邻所述发光层之间；采用蒸镀工艺在最后制备完成的所述发光层上沉积阳极层。7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管器件制备方法，其特征在于，所述在所述阴极层上制备多层发光层包括：在所述阴极层上制备多层量子点发光层。8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管器件制备方法，其特征在于，在沉积所述阴极层之后、制备各层所述量子点发光层之前，所述方法还包括：在各层所述量子点发光层靠近所述阴极层的一侧旋涂电子传输层。9.根据权利要求6所述的量子点发光二极管器件制备方法，其特征在于，在制备各层所述量子点发光层之后、在旋涂所述银纳米线薄膜之前，所述方法还包括：在各层所述量子点发光层远离所述阴极层的一侧旋涂空穴传输层；在所述空穴传输层远离所述量子点发光层的一侧旋涂空穴注入层。10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的量子点发光二极管器件。
技术总结
本申请涉及一种量子点发光二极管器件及其制备方法和显示面板，其中量子点发光二极管器件包括依次层叠设置的衬底、阴极层、发光层和阳极层，其中发光层为多层，各发光层层叠设置且相邻发光层之间形成有银纳米线薄膜，其中银纳米线薄膜作为相邻发光层的中间连接层，其具有优良的导电性和透光性，可以显著增强连接层的载流子生成能力，从而有效提高量子点发光二极管器件的工作性能。二极管器件的工作性能。二极管器件的工作性能。
技术研发人员：彭争春 王为高 徐秀茹
受保护的技术使用者：深圳大学
技术研发日：2021.06.01
技术公布日：2021/9/27