一种可独立像素偏转的显示器结构及其制备方法与流程

1.本发明属于oled显示器技术领域，尤其涉及一种可独立像素偏转的显示器结构及其制备方法。


背景技术：

2.随着科技的进步与科技的发展，人们在追求显示效果的体验上也有着更高的需求，加之穿戴配套显示设备使其物理意义上的方法路径可行，5g时代的到来会解决数据量传输的问题，因此近年来micro oled(organic light emitting display)被称为下一代显示技术的黑马，现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且随着ar/vr以及自动驾驶等新技术的应用，micro oled微显示器将迎来爆发式的增长。
3.在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：然而针对顶发射oled器件结构中，为了增强出光效率减小光谱半峰宽，会使用法布里
‑
珀罗谐振腔(fabry
‑
perot resonator，微腔效应)。在微腔效应的使用中，通常是固定某一角度获得最优值，而在其他角度往往不是。这也就是顶发射oled器件中视角较窄的问题的理论原因。


技术实现要素：

4.本发明所要解决的技术问题是提供一种在一定范围内，实现发光方向始终正对观察者，从而解决视角问题的可独立像素偏转的显示器结构及其制备方法。
5.为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种可独立像素偏转的显示器结构，具有：
6.驱动背板；所述驱动背板上设有可偏转显示区；
7.所述可偏转显示区具有：
8.第一缓冲层，设置在所述驱动背板上；
9.偏转结构，所述第一缓冲层内设有一系列的偏转结构；
10.发光材料层，设置在所述第一缓冲层和偏转结构的表面上；
11.像素定义层，设置在所述发光材料层内，所述像素定义层设置在偏转结构上表面；
12.可拉伸阴极，设置在所述发光材料层和像素定义层的表面上。
13.还具有偏转处理芯片，所述偏转处理芯片通过电路与驱动背板连接；所述偏转结构通过电路与偏转处理芯片连接。
14.还具红外感应器，所述红外感应器通过外围走线与所述偏转处理芯片连接。
15.还具有第二缓冲层，所述第二缓冲层设置在所述可拉伸阴极的表面上。
16.还具有薄膜封装层和玻璃盖板，所述薄膜封装层设置在所述第二缓冲层表面上，所述玻璃盖板设置在所述薄膜封装层的表面上。
17.所述发光材料层为oled发光材料层。
18.一种上述的可独立像素偏转的显示器结构的制备方法，包括如下步骤：
19.1)使用半导体流程制备驱动背板，制备外部连接走线，制备外围走线；制备偏转处
理芯片；制备红外感应器；
20.2)在驱动背板上制备偏转结构，并且偏转结构与驱动背板驱动电路连接；
21.3)在偏转结构的空隙中填充第一缓冲层，缓冲层性质限定：绝缘，10cps≤粘度≤25cps，化学及物理性质稳定，无挥发，材料包含但不限于硅脂凝胶，使用的工艺方法包含但不限于旋涂、刮涂、喷墨打印，厚度需要恰好填充偏转结构空隙，不接触偏转结构的上表面，1um≤厚度≤4um；
22.4)在偏转结构上制备像素定义层；
23.5)制备发光材料层，使用热蒸发的方式；
24.6)在发光材料层上，制备可拉伸阴极，其中使用喷墨打印的方式，打印银纳米线，厚度为30
‑
80nm；
25.7)在可拉伸阴极之上，制备第二缓冲层，缓冲层性质限定：绝缘，10cps≤粘度≤25cps，化学及物理性质稳定，无挥发，材料包括但不限于硅脂凝胶，使用的工艺方法包含但不限于旋涂、刮涂、喷墨打印，1um≤厚度≤4um；
26.8)在第二缓冲层之上制备薄膜封装层，薄膜封装层的具体结构为氧化铝/氮化硅/氧化铝；
27.9)在薄膜封装层之上，制备玻璃盖板。
28.上述第1)步中，驱动背板制备方式为通过多次黄光工艺；其中35次≥黄光循环次数≥25次，每个循环包含工艺及顺序为：清洗、烘烤、成膜
‑
物理气相沉积或化学气相沉积、涂布
‑
旋涂或刮涂、曝光、显影、刻蚀
‑
干法刻蚀或激光刻蚀、去胶
‑
湿法去胶或干法灰化、离子注入。
29.上述第4)步中，像素定义层有两种实施方案：a、像素定义层选取有机材料，包含但不限于聚酰亚胺，制备方法包含但不限于旋涂，0.1um≤厚度≤1um；b、像素定义层选取无机材料，包含但不限于氮化硅，制备方法为化学气相沉积，0.1um≤厚度≤1um。
30.上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果，通过设置可控偏转层，将micro oled显示层制备在偏转层之上，可实现
±
15
°
的角度偏转显示，在一定范围内，实现发光方向始终正对观察者，从而解决视角问题，使得显示效果在
±
15
°
内都是最优状态。
附图说明
31.图1为本发明实施例中提供的可独立像素偏转的显示器结构的结构示意图；
32.图2为图1的可独立像素偏转的显示器结构的显示区截面结构示意图；
33.上述图中的标记均为：01、驱动背板，02、第一缓冲层，03、偏转结构，04、发光材料层，05、像素定义层，06、可拉伸阴极，07、第二缓冲层，08、薄膜封装层，09、玻璃盖板，10、红外感应器，11、外围走线，13、可偏转显示区，14、偏转处理芯片，15、外部连接走线。
具体实施方式
34.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
35.参见图1
‑
2，一种可独立像素偏转的显示器结构，具有：
36.驱动背板；驱动背板上设有可偏转显示区；
37.可偏转显示区具有：
38.第一缓冲层，设置在驱动背板上；
39.偏转结构，第一缓冲层内设有一系列的偏转结构；该偏转层可通过电路控制偏转
±
15
°
，使得单个像素发光角度可变，实现宽视角范围的显示效果。
40.发光材料层，设置在第一缓冲层和偏转结构的表面上；
41.像素定义层，设置在发光材料层内，像素定义层设置在偏转结构上表面；
42.可拉伸阴极，设置在发光材料层和像素定义层的表面上。
43.还具有偏转处理芯片，偏转处理芯片通过电路与驱动背板连接；偏转结构通过电路与偏转处理芯片连接。
44.还具红外感应器，红外感应器通过外围走线与偏转处理芯片连接。
45.还具有第二缓冲层，第二缓冲层设置在可拉伸阴极的表面上。
46.还具有薄膜封装层和玻璃盖板，薄膜封装层设置在第二缓冲层表面上，玻璃盖板设置在薄膜封装层的表面上。
47.发光材料层为oled发光材料层。
48.红外传感器探测观察者眼镜位置，并将位置信息通过外围走线传递给偏转处理芯片，偏转处理芯片通过运算，下达偏转角度指令，偏转机构接受指令后进行偏转，使得每个像素都以正视角90
°
面向观察者，正向发光。
49.一种上述的可独立像素偏转的显示器结构的制备方法，包括如下步骤：
50.1)使用半导体流程制备驱动背板，制备外部连接走线，制备外围走线；制备偏转处理芯片；制备红外感应器；驱动背板制备方式为通过多次黄光工艺；其中35次≥黄光循环次数≥25次，每个循环包含工艺及顺序为：清洗、烘烤、成膜
‑
物理气相沉积或化学气相沉积、涂布
‑
旋涂或刮涂、曝光、显影、刻蚀
‑
干法刻蚀或激光刻蚀、去胶
‑
湿法去胶或干法灰化、离子注入。
51.2)在驱动背板上制备偏转结构，并且偏转结构与驱动背板驱动电路连接；
52.3)在偏转结构的空隙中填充第一缓冲层，缓冲层性质限定：绝缘，10cps≤粘度≤25cps，化学及物理性质稳定，无挥发，材料包含但不限于硅脂凝胶，使用的工艺方法包含但不限于旋涂、刮涂、喷墨打印，厚度需要恰好填充偏转结构空隙，不接触偏转结构的上表面，1um≤厚度≤4um，其中优选地为3.5um；
53.4)在偏转结构上制备像素定义层；像素定义层有两种实施方案：a、像素定义层选取有机材料，包含但不限于聚酰亚胺，制备方法包含但不限于旋涂，0.1um≤厚度≤1um，优选地为0.2um；b、像素定义层选取无机材料，包含但不限于氮化硅，制备方法为化学气相沉积，0.1um≤厚度≤1um，优选地为0.1um。
54.5)制备发光材料层，使用热蒸发的方式；
55.6)在发光材料层上，制备可拉伸阴极，其中使用喷墨打印的方式，打印银纳米线，厚度为30
‑
80nm，其中优选地为45nm；
56.7)在可拉伸阴极之上，制备第二缓冲层，缓冲层性质限定：绝缘，10cps≤粘度≤25cps，化学及物理性质稳定，无挥发，材料包括但不限于硅脂凝胶，使用的工艺方法包含但不限于旋涂、刮涂、喷墨打印，1um≤厚度≤4um，其中优选地为1.5um；
57.8)在第二缓冲层之上制备薄膜封装层，薄膜封装层的具体结构为氧化铝/氮化硅/氧化铝；
58.9)在薄膜封装层之上，制备玻璃盖板，使用自动贴合设备贴合。
59.采用上述的方案后，通过设置可控偏转层，将micro oled显示层制备在偏转层之上，可实现
±
15
°
的角度偏转显示，在一定范围内，实现发光方向始终正对观察者，从而解决视角问题，使得显示效果在
±
15
°
内都是最优状态。因为偏转角度较小，若是运用在手机或电视领域，是不满足需求的(手机或者电视，观测者的角度变化非常大)。然而在micro oled领域，终端产品都为近眼显示(ar/vr)，
±
15
°
的角度偏转完全可以满足使用需求。
60.上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。