硅基显示面板的制备方法、硅基显示面板及显示装置与流程

1.本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种硅基显示面板的制备方法、硅基显示面板及显示装置。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，有机发光显示技术应用也越来越广泛。硅基有机发光显示面板具有像素尺寸小，像素密度高的优势，在军用场所、vr/ar以及自动驾驶等领域应用广泛。
3.目前微显示技术一般采用白色发光层加彩色滤光层的oled器件结构，彩色滤光层包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元。在制备过程中，在先制备红色滤光单元或者绿色滤光单元，后制备蓝色滤光单元时，蓝色滤光单元厚度较大，且蓝色滤光单元透过率较差。为了发光器件能够达到较好的发光效果，需提高发光亮度，从而导致发光器件的寿命降低。


技术实现要素：

4.本发明提供一种硅基显示面板的制备方法、硅基显示面板及显示装置，以实现提高蓝色滤光层的透过率，降低器件的功耗。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种硅基显示面板的制备方法，所述硅基显示面板包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；所述制备方法包括：
6.在硅基驱动板的一侧依次形成发光器件层和封装层；
7.在所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的蓝色像素区形成光提取层；
8.在所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的所述蓝色像素区、所述红色像素区和所述绿色像素区分别形成第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；其中，所述第一滤光层覆盖所述光提取层。
9.可选的，所述光提取层的折射率为1.7
‑
2.0。
10.可选的，所述在所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的蓝色像素区形成光提取层包括：
11.在所述封装层上形成光提取材料层；
12.将所述光提取材料层进行光刻形成所述光提取层。
13.可选的，所述光提取材料层的材料为含有10
‑
20nm粒径的二氧化钛或二氧化锆的可固化树脂。
14.可选的，所述光提取层的厚度为0.5um
‑
1.5um。
15.可选的，所述光提取层和所述第一滤光层的厚度之和大于所述第二滤光层的厚度；
16.和/或所述光提取层和所述第一滤光层的厚度之和大于所述第三滤光层的厚度。
17.第二方面，本发明实施例还提供了硅基显示面板，其特征在于，所述硅基显示面板
具有红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区，所述硅基显示面板包括：
18.硅基驱动板；
19.发光器件层，位于所述硅基驱动板的一侧；
20.封装层，与所述发光器件层位于所述硅基驱动板的同一侧，所述封装层封装所述发光器件层；
21.光提取层，位于所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的蓝色像素区；
22.第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层，分别位于所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的所述蓝色像素区、所述红色像素区和所述绿色像素；其中，所述第一滤光层覆盖所述光提取层。
23.可选的，所述光提取层的折射率为1.7
‑
2.0。
24.可选的，所述光提取层和所述第一滤光层的厚度之和大于所述第二滤光层的厚度；
25.和/或所述光提取层和所述第一滤光层的厚度之和大于所述第三滤光层的厚度。
26.第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述第二方面中任一项所述的硅基显示面板。
27.本发明实施例提供了一种硅基显示面板的制备方法、硅基显示面板及显示装置，硅基显示面板包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；硅基显示面板的制备方法包括：在硅基驱动板的一侧依次形成发光器件层和封装层；在封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区形成光提取层；在封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区、红色像素区和绿色像素区分别形成第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；其中，第一滤光层覆盖光提取层。本发明实施例的蓝色像素区对应的第一滤光层覆盖光提取层，由于第一滤光层在光提取层上形成，使得第一滤光层的厚度可控，从而减小第一滤光层的厚度，提高第一滤光层的透过率，且光提取层具有较高的透光能力，进一步提升第一滤光层的透过率，从而提高蓝色像素区的透过率。
附图说明
28.图1是本发明实施例提供的一种硅基显示面板的制备方法的流程图。
29.图2是本发明实施例提供的一种形成封装层后的硅基显示面板的截面结构示意图。
30.图3是本发明实施例提供的一种形成光提取材料层后的硅基显示面板的截面结构示意图。
31.图4是本发明实施例提供的一种形成光提取层后的硅基显示面板的截面结构示意图。
32.图5是本发明实施例提供的一种硅基显示面板的截面结构示意图。
33.图6是本发明实施例提供的另一种硅基显示面板的制备方法的流程图。
34.图7是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
35.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描
述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
36.正如背景技术中所述，目前硅基显示面板存在蓝色像素区对应的彩色滤光层透过率低，导致器件功耗大的问题。经发明人研究发现，出现上述问题的原因在于，目前的硅基显示面板的彩色滤光层采用半导体厂的光刻设备来生产，在芯片上旋涂光刻胶，将光刻胶滴在芯片的中心区域，通过芯片旋转使得光刻胶覆盖芯片所有需要形成彩色滤光层的区域。在依次制备不同的彩色滤光层时，因上一个制备形成的彩色滤光层具有一定的高度，因此，在制备下一个彩色滤光层时，为使得芯片所有需要形成彩色滤光层的区域均能覆盖到光刻胶，光刻胶的用量变大，进而导致下一个彩色滤光层的厚度比上一个彩色滤光层的厚度变大。因此，当制备彩色滤光层时，先做红色像素区或绿色像素区对应的彩色滤光层，再做蓝色像素区对应的彩色滤光层时，会使蓝色像素区对应的彩色滤光层的厚度变大，降低蓝色像素区的透过率。
37.基于上述原因，本发明实施例提供了一种硅基显示面板的制备方法，图1为本发明实施例提供的一种硅基显示面板的制备方法的流程图，图2
‑
5为本发明实施例提供的制备方法中的步骤所对应的硅基显示面板的剖面示意图。图2为本发明实施例提供的一种形成封装层后的硅基显示面板的截面结构示意图，图3为本发明实施例提供的一种形成光提取材料层后的硅基显示面板的截面结构示意图，图4为本发明实施例提供的一种形成光提取层后的硅基显示面板的截面结构示意图，图5为本发明实施例提供的一种硅基显示面板的截面结构示意图，该显示面板可由本实施例的硅基显示面板的制备方法制备，参考图1
‑
图5，硅基显示面板包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；硅基显示面板的制备方法包括：
38.s10：在硅基驱动板的一侧依次形成发光器件层和封装层；
39.硅基驱动板100包括硅基底和设置在硅基底上的驱动电路，换句话说硅基驱动板100也称为驱动芯片。驱动芯片上形成有第一电极211，示例性的，第一电极211可以为发光器件层200形成的发光器件的阳极。发光器件层200在驱动芯片的驱动下发光。
40.可采用蒸镀工艺形成发光器件层200和封装层300。发光器件层200包括发光层220和第二电极层230。示例性的，第二电极层230可以为阴极，第二电极层230为透明电极层。发光层220可以只包括单层膜层，即只包括发光材料层，也可以包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层等形成的多层结构，本实施例中示例性的示出发光层220为单层膜层结构。发光层220整层铺设形成，发光层220可以是发白光的白发光层。
41.封装层300可以包括层叠设置的至少一层无机层和至少一层有机层。无机层的主要作用是隔绝水与氧气，防止水与氧气入侵发光器件层。相对于无机层，有机层的柔性性能更佳，有机层的主要作用是缓释应力。具体的，无机层的组成材料可以包括氮化硅(sinx)，有机层的材料可以包括丙烯酸酯、六甲基二甲硅醚中的至少一种。
42.s20：在封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区形成光提取层；
43.硅基显示面板包括多个像素，每一像素包括多个子像素，每一子像素对应一发光器件，发光器件包括层叠设置的第一电极211、发光层220和第二电极层230。每个子像素可发射特定颜色的光，发射红光的子像素、发射蓝光的子像素、发射绿光的子像素分别被称为
红色像素、绿色像素和蓝色像素。红色像素、绿色像素和蓝色像素分别设置在红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区。
44.蓝色像素区用于输出蓝光，光提取层410为具有较高折射率的膜层，通过光刻工艺形成，光提取层410可提高光的透过率。在制备光提取层410时，在封装层300远离硅基驱动板100的一侧形成光提取材料层400，如图3所示。将光提取材料层400进行光刻形成光提取层410，形成的光提取层410如图4所示。
45.s30：在封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区、红色像素区和绿色像素区分别形成第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；其中，第一滤光层覆盖光提取层。
46.第一滤光层510的材料为蓝胶、第二滤光层520的材料为红胶，第三滤光层530的材料为绿胶。采用光刻方式形成第一滤光层510、第二滤光层520和第三滤光层530。在形成第一滤光层510、第二滤光层520和第三滤光层530时，可先形成第一滤光层510，后形成第二滤光层520或第三滤光层530，也可以先形成第二滤光层520或第三滤光层530，后形成第一滤光层510。采用光刻方式制备每一彩色滤光层时，后制备的彩色滤光层的厚度比先制备的彩色滤光层的厚度大。当先形成第一滤光层510、后形成第二滤光层520或第三滤光层530时，第一滤光层510的厚度较小，使得第一滤光层510具有较高的透过率，且第一滤光层510覆盖光提取层410，光提取层410进一步提高了第一滤光层510所在区域的膜层的透过率，使得第一滤光层510所在区域的透过率明显提高。
47.当后形成第一滤光层510时，示例性的，本实施例中，在蓝色像素区01、红色像素区02和绿色像素区03分别形成第一滤光层510、第二滤光层520和第三滤光层530时，依次形成第三滤光层530、第二滤光层520和第一滤光层510，如图5所示。在第三道工艺制备膜层时，第三道工艺制备出的膜层厚度为c，本实施例在制备第一滤光层510时，因在光提取层410之上形成第一滤光层510，因此第一滤光层510的厚度b和光提取层410的厚度a之和为第三道工艺制备出的膜层厚度c。相较于现有技术中，在第三道直接制备第一滤光层510时，第一滤光层510的厚度为c，本实施例的第一滤光层510的厚度为b，明显第一滤光层510的厚度减小，提高了第一滤光层510的透过率，且光提取层410具有较高的折射率，进一步提高了第一滤光层510的透过率，降低功耗，且保证硅基显示面板具有较好的显示效果。
48.本实施例提供了一种硅基显示面板的制备方法，硅基显示面板包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；硅基显示面板的制备方法包括：在硅基驱动板的一侧依次形成发光器件层和封装层；在封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区形成光提取层；在封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区、红色像素区和绿色像素区分别形成第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；其中，第一滤光层覆盖光提取层。本实施例的蓝色像素区对应的第一滤光层覆盖光提取层，由于第一滤光层在光提取层上形成，使得第一滤光层的厚度可控，从而减小第一滤光层的厚度，提高第一滤光层的透过率，且光提取层具有较高的透光能力，进一步提升第一滤光层的透过率，从而提高蓝色像素区的透过率。
49.可选的，光提取层的折射率为1.7
‑
2.0。
50.光提取层折射率为1.7
‑
2.0时，使得光提取层折射率较高，提高覆盖光提取层的第一滤光层的透过率，且折射率为1.7
‑
2.0时，现有技术中的光提取层的材料能够达到此折射率范围，使得光提取层较易制备。
51.图6为本发明实施例提供的另一种硅基显示面板的制备方法的流程图，参考图6，
可选的，该硅基显示面板的制备方法包括：
52.s100：在硅基驱动板的一侧依次形成发光器件层和封装层；
53.具体的，步骤s100的实施方式可参照上述实施例的步骤s10。
54.s210：在封装层上形成光提取材料层；
55.在封装层上旋涂一层光提取材料层，光提取材料层为光刻胶。
56.s220：将光提取材料层进行光刻形成光提取层。
57.将形成光提取材料层的硅片传入光刻机进行曝光，其中，光刻机为步进光刻机，步进光刻机的曝光量控制在200
‑
800mj。将曝光完成的光提取材料层用显影液进行显影，其中，显影液可以为浓度为2.38％的四甲基氢氧化铵(tmah)。显影完成后，将硅片在200℃的温度下烘烤20分钟，得到光提取层。
58.s300：在封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区、红色像素区和绿色像素区分别形成第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；其中，第一滤光层覆盖光提取层。
59.具体的，步骤s300的实施方式可参照上述实施例的步骤s30。
60.可选的，光提取材料层的材料为含有10
‑
20nm粒径的二氧化钛或二氧化锆的可固化树脂。
61.光提取层需要具有较高的折射率，以进一步提高覆盖光提取层的第一滤光层的透过率，因此，光提取材料层的材料可以为含有10
‑
20nm粒径的具有较高折射率的二氧化钛或二氧化锆的可固化树脂。
62.可选的，光提取层的厚度为0.5um
‑
1.5um。
63.光提取层的厚度为0.5um，第一滤光层的厚度较大，可以具有较好的滤光效果。光提取层的厚度为1.5um，使得第一滤光层的厚度较小，提高第一滤光层的透过率。
64.可选的，光提取层的厚度为1um。光提取层的厚度为1um时，可以使得第一滤光层的滤光效果较好，同时第一滤光层厚度较小，提高透过率，保证显示面板具有较好的显示效果。
65.可选的，光提取层和第一滤光层的厚度之和大于第二滤光层的厚度；
66.和/或光提取层和第一滤光层的厚度之和大于第三滤光层的厚度。
67.当光提取层和第一滤光层的厚度之和大于第二滤光层的厚度时，可以先形成第二滤光层，再形成第一滤光层，最后形成第三滤光层。或者，先形成第三滤光层，再形成第二滤光层，最后形成第一滤光层。还可以先形成第二滤光层，再形成第三滤光层，最后形成第一滤光层。上述三种制备顺序下，光提取层和第一滤光层的厚度之和大于第二滤光层的厚度。
68.光提取层和第一滤光层的厚度之和大于第三滤光层的厚度时，可以先形成第三滤光层，再形成第一滤光层，最后形成第二滤光层。或者，可以先形成第二滤光层，再形成第三滤光层，最后形成第一滤光层。还可以先形成第三滤光层，再形成第二滤光层，最后形成第一滤光层。上述三种制备顺序下，光提取层和第一滤光层的厚度之和大于第三滤光层的厚度。
69.光提取层和第一滤光层的厚度之和大于第二滤光层的厚度且光提取层和第一滤光层的厚度之和大于第三滤光层的厚度时，可以先形成第三滤光层，再形成第二滤光层，最后形成第一滤光层。或者，先形成第二滤光层，再形成第三滤光层，最后形成第一滤光层。
70.上述几种制备滤光层的顺序，均是先制备第二滤光层或先制备第三滤光层，后制
备第一滤光层。相较于现有技术中，先制备第二滤光层或第三滤光层，后制备第一滤光层时，造成的第一滤光层厚度过厚，降低第一滤光层的透过率，本实施例中先在蓝色像素区形成光提取层，然后形成第二滤光层或第三滤光层，即使最后形成第一滤光层，因光提取层的存在，使得第一滤光层的厚度减小，提高第一滤光层的透过率，保证制备出的硅基显示面板具有较好的显示效果。
71.本发明实施例还提供了一种硅基显示面板的截面结构示意图，继续参考图5，硅基显示面板具有红色像素区02、绿色像素区03和蓝色像素区01，硅基显示面板包括：
72.硅基驱动板100；
73.发光器件层200，位于硅基驱动板100的一侧；
74.封装层300，与发光器件层200位于硅基驱动板100的同一侧，封装层300封装发光器件层200；
75.光提取层410，位于封装层300远离硅基驱动板100的一侧的蓝色像素区01；
76.第一滤光层510、第二滤光层520和第三滤光层530，分别位于封装层300远离硅基驱动板100的一侧的蓝色像素区01、红色像素区02和绿色像素03；其中，第一滤光层510覆盖光提取层410。
77.本实施例提供了一种硅基显示面板，硅基显示面板具有红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；硅基显示面板包括硅基驱动板、发光器件层、封装层、光提取层、第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层。发光器件层，位于硅基驱动板的一侧。封装层，与发光器件层位于硅基驱动板的同一侧，封装层封装发光器件层。光提取层，位于封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区。第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层，分别位于封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区、红色像素区和绿色像素，其中，第一滤光层覆盖光提取层。本实施例的蓝色像素区对应的第一滤光层覆盖光提取层，由于第一滤光层在光提取层上形成，使得第一滤光层的厚度可控，从而减小第一滤光层的厚度，提高第一滤光层的透过率，且光提取层具有较高的透光能力，进一步提升第一滤光层的透过率，从而提高蓝色像素区的透过率。
78.可选的，光提取层的折射率为1.7
‑
2.0。
79.可选的，光提取层和第一滤光层的厚度之和大于第二滤光层的厚度；
80.和/或光提取层和第一滤光层的厚度之和大于第三滤光层的厚度。
81.本发明实施例还提供一种显示装置，图7为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，参考图7，可选的，该显示装置11包括任一项的硅基显示面板12。
82.本实施例中，显示装置11可以为vr眼镜，vr眼镜的镜片包括上述实施例中的硅基显示面板12。在其他实施例中，显示装置11也可以为其他微显示装置，本实施例在此不做具体限定。
83.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。