显示面板以及包括其的显示装置的制作方法

显示面板以及包括其的显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.该专利申请要求于2020年6月24日提交的第10
‑
2020
‑
0077269号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开在本文中涉及一种显示面板和包括该显示面板的显示装置。更具体地，本公开在本文中涉及一种具有改善的透射率的显示装置。


背景技术：

4.显示装置是显示图像的装置，并且近来，有机发光显示装置受到关注。有机发光显示装置具有包括低功耗、高亮度、快速响应时间等的高质量性质。
5.有机发光显示装置采用透明有机发光显示面板并且可以具有透明性质。在透明有机发光显示面板中，可以在每个像素中限定用于透射光的透光区域。因此，用户可以识别通过显示面板的像素显示的图像，并且可以通过透光区域识别设置在显示面板的后侧处的对象或图像。


技术实现要素：

6.本公开提供了采用其表面能被控制以改善光透射率的层的显示面板以及包括该显示面板的显示装置。
7.本公开还提供了采用缓冲层以防止显示装置的寿命缩短的显示面板和包括该显示面板的显示装置。
8.本发明构思的实施方式提供了一种显示面板，其包括第一区域和第二区域，其中第二区域在平面图中设置成与第一区域相邻。显示面板包括：第一电极和第二电极，第一电极设置在第一区域中，第二电极设置在第二区域中；空穴传输区域，设置在第一电极和第二电极上，以在平面图中与第一电极和第二电极重叠；发射层，设置在空穴传输区域上，以在平面图中与第一电极重叠并且不与第二电极重叠；缓冲层，在第一区域和第二区域中设置在发射层上；表面能控制层，设置在缓冲层上，以在平面图中与第二电极重叠并且不与第一电极重叠；以及第三电极，设置在缓冲层上，以在平面图中与第一电极重叠并且不与表面能控制层重叠。
9.在实施方式中，第二区域可以具有比第一区域高的光透射率。
10.在实施方式中，表面能控制层可以具有比第三电极低的表面能。
11.在实施方式中，表面能控制层可以包括氟化有机化合物。
12.在实施方式中，氟化有机化合物可以在末端处包括三氟甲基基团。
13.在实施方式中，氟相对于表面能控制层的总元素的原子比可以是约10％至约70％。
14.在实施方式中，氟的浓度可以从表面能控制层的内部部分到表面能控制层的表面
增加。
15.在实施方式中，显示面板还可以包括：电子传输层，设置在发射层和缓冲层之间。
16.在实施方式中，显示面板还可以包括：电子注入层，直接设置在缓冲层上，以在平面图中与第一区域重叠并且不与第二区域重叠。
17.在实施方式中，显示面板还可以包括：电子注入层，直接设置在缓冲层下面，以在平面图中与第一区域和第二区域重叠。
18.在实施方式中，显示面板还可以包括：第四电极，设置在第三电极上。
19.在实施方式中，显示面板还可以包括设置在表面能控制层上的残余层，并且残余层可以包括与第三电极相同的材料。
20.在实施方式中，显示面板的第一区域和第二区域可以分别设置成多个。多个第一区域可以设置成彼此间隔开，并且多个第二区域可以设置成分别与多个第一区域相邻。
21.在实施方式中，显示面板的第一区域和第二区域可以分别设置成多个。多个第一区域中的一部分可以设置成分别与多个第二区域相邻。
22.在本发明构思的实施方式中，提供了一种显示装置，其包括第一区域和第二区域，第二区域在平面图中设置成与第一区域相邻。显示装置包括：像素，设置在第一区域中，像素包括具有第一电极、发射层、缓冲层和第二电极的有机发光二极管；以及缺陷像素，设置在第二区域中，缺陷像素包括第一电极、缓冲层和表面能控制层，并且不包括发射层和第二电极。
23.在实施方式中，缓冲层可以包括be、mg、ca、sr、ba、ra、la、ce、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu、li、al、其化合物、其混合物、cuo
x
、moo
x
、wo
x
、zno、tio2、sno2、v2o
x
和nio中的至少一种。
24.在实施方式中，显示装置还可以包括：封装层，对第二电极和表面能控制层进行封装。
25.在实施方式中，显示装置还可以包括：封盖层，设置在第二电极和表面能控制层上。
附图说明
26.包括附图以提供对本发明构思的进一步理解，并且将附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明构思的示例性实施方式，并且与说明书一起用于说明本发明构思的原理。在附图中：
27.图1是根据实施方式的电子装置的前视图；
28.图2是根据实施方式的电子装置的立体图；
29.图3是显示装置的示意性剖视图；
30.图4a和图4b是示出根据实施方式的显示装置的部分的平面图；
31.图5a、图5b、图5c和图5d是图4a的部分区域的放大平面图；
32.图6a是根据实施方式的显示装置的剖视图；
33.图6b是根据实施方式的显示装置的剖视图；
34.图7a、图7b和图7c是根据实施方式的显示装置的剖视图；
35.图8是示出根据本发明构思的示例和对比性示例的显示装置的光透射率的曲线
图；
36.图9是示出根据本发明构思的示例和对比性示例的显示装置的寿命的曲线图；以及
37.图10a和图10b是根据实施方式的显示装置的平面图。
具体实施方式
38.本发明构思可以具有多种修改并且可以以不同的形式实施，并且将参考附图详细说明示例性实施方式。然而，本发明构思可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，包括在本发明构思的精神和技术范围内的所有修改、等同和替代应被包括在本发明构思内。
39.将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”另一元件或“联接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上、直接连接到另一元件或直接联接到另一元件，或者可以存在介于中间的第三元件。
40.同时，本公开中的术语“直接设置”可以意为在一部分(诸如，层、膜、区域、板等)与另一部分之间不存在附加的层、膜、区域、板等。例如，当元件被称为“直接设置”时，两个层或两个单元在不使用诸如在其间的粘合剂单元的附加单元的情况下设置。
41.相同的附图标记始终表示相同的元件。此外，在附图中，为了有效地说明技术内容，夸大了构成元件的厚度、比例和尺寸。
42.术语“和/或”包括可以由相关元件限定的一个或多个组合。
43.将理解的是，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本发明的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件可以被称为第一元件。如本文中所使用的，单数形式旨在也包括复数形式，除非上下文另有清楚地指示。
44.此外，术语“下方”、“下面”、“上”和“上方”用于说明附图中所示的元件的关系。这些术语是相对概念，并且基于附图中所示的方向进行说明。
45.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，例如在常用词典中限定的那些，应被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过分正式的含义进行解释，除非在本文中明确地如此限定。
46.还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表示所陈述的特征、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或添加。
47.在下文中，将参考附图来说明根据本发明构思的实施方式的显示面板和包括该显示面板的显示装置。
48.图1是示出电子装置es的实施方式的前视图。图2是根据实施方式的电子装置es的分解立体图。图3是显示装置dd的示意性剖视图。图4a和图4b是示出根据实施方式的显示装置dd的部分的平面图。图4a和图4b是示出显示区域da1
‑
1和da1
‑
2的平面图。
49.在实施方式中，电子装置es可以是大型电子器件，诸如电视、监视器和外部广告板。此外，电子装置es可以是小型和中型电子器件，诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数
字终端、汽车导航单元、游戏机、智能电话、平板电脑和相机。此外，这些仅用于说明而提出，并且可以使用其它电子装置，只要它们不背离本发明构思。在该实施方式中，示出了智能电话作为电子装置es的实施方式。
50.在电子装置es中，用户可以识别显示在显示表面is上的图像im，并且还识别设置在电子装置es的后侧上的对象或图像。在图1中，作为本公开的实施方式，示出了设置在电子装置es的后侧上的用户的手uh。同时，电子装置es可以是透明显示器件，但不限于此。只有电子装置es的部分区域可以是透明的。
51.在电子装置es中，显示表面is可以对应于显示装置dd的前表面。图像im可以包括静止图像以及动态图像。在图1中，显示表面is是显示装置dd的、平行于由第一方向dr1和与第一方向dr1交叉的第二方向dr2限定的平面延伸的表面。然而，这是一个实施方式，并且在另一实施方式中，电子装置es的显示表面is可以具有弯曲的形状。
52.同时，尽管在附图中未示出，但是电子装置es可以包括具有折叠区域和非折叠区域的可折叠的显示装置、或者包括具有至少一个弯曲部分的弯曲显示装置。
53.电子装置es可以包括显示装置dd和壳体hau。显示装置dd可以通过显示表面is显示图像im。在显示表面is的法线方向(即，显示装置dd的厚度方向)中，显示图像im的方向由第三方向dr3指示。每个构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)可以沿着第三方向dr3限定。同时，由第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3指示的方向具有相对概念，并且可以改变为其它方向。
54.壳体hau可以接纳显示装置dd。壳体hau可以设置成覆盖显示装置dd的侧表面和底表面，使得显示装置dd的显示表面is暴露于外部。壳体hau覆盖显示装置dd的侧表面和底表面，并且可以暴露显示装置dd的整个顶表面。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且除了显示装置dd的侧表面和底表面之外，壳体hau可以覆盖显示装置dd的顶表面的一部分。
55.在根据实施方式的电子装置es中，窗wp可以包括光学透明绝缘材料。窗wp可以包括透射区域tr和边框区域bz。包括透射区域tr和边框区域bz的窗wp的前表面fs对应于电子装置es的前表面fs。用户可以看到通过电子装置es的前表面fs的透射区域tr提供的图像im。
56.在图1和图2中，透射区域tr示出为具有矩形形状，其拐角是圆形的。然而，这种形状仅是实施方式，并且透射区域tr可以具有不同形状，并且不限于该实施方式。
57.透射区域tr可以是光学透明区域。边框区域bz可以是与透射区域tr相比具有相对较低的透射比的区域。边框区域bz可以具有特定颜色。边框区域bz设置成与透射区域tr相邻，并且可以完全围绕透射区域tr。边框区域bz可以限定透射区域tr的形状。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且边框区域bz可以设置成仅与透射区域tr的一侧相邻，或者可以省略边框区域bz的一部分。
58.显示装置dd可以设置在窗wp下方。在本公开中，术语“下方”可以意为与由显示装置dd提供图像im的方向相反的方向。
59.在实施方式中，显示装置dd可以显示图像im。在显示装置dd中，图像im被显示在显示表面is上。显示装置dd包括显示区域da和非显示区域nda。显示装置dd的显示区域da可以是经由其显示图像im的区域。显示装置dd的显示区域da可以是透明的，因此可以从显示装置dd的前侧看到设置在显示装置dd的后侧上的对象或图像。非显示区域nda可以是由边框
区域bz覆盖的区域。非显示区域nda设置成与显示区域da相邻。非显示区域nda可以完全围绕显示区域da。在非显示区域nda中，设置在显示装置dd的后侧上的对象或图像可以从显示装置dd的前侧看不到。
60.参照图3，显示装置dd可以包括显示面板dp和封装层tfe。显示面板dp可以包括发射光的发射层。发射层设置成对应于发光区域ea。显示面板dp可以通过透光区域ta透射外部光。因此，显示面板dp可以允许在通过发光区域ea显示图像im的同时通过透光区域ta识别设置在显示装置dd的后侧上的对象或外部图像。然而，如果透光区域ta的透射率低，则可能降低显示面板dp的外部光透射率，并且可能无法清楚地识别外部图像。
61.在图3中，示出了透光区域ta设置成直接与发光区域ea相邻的结构，但在发光区域ea和透光区域ta之间可以进一步设置有非发光区域。
62.参照图4a，根据实施方式的显示区域da1
‑
1可以包括多个发光区域ea、非发光区域nea和透光区域ta。包括透光区域ta的显示区域da可以被限定为第一显示区域da1
‑
1。可以在发光区域ea中设置至少一个像素，并且可以在透光区域ta中设置缺陷像素。在本公开中，缺陷像素意为从一个像素省略发射层和第二电极的像素。因此，如果像素在发光区域ea中提供图像，则透光区域ta中的缺陷像素可以不提供图像。
63.发光区域ea和透光区域ta可以布置成具有特定配置。图4a和图4b示出了发光区域ea和透光区域ta在第一显示区域da1
‑
1和第二显示区域da1
‑
2中的布置结构作为实施方式。
64.参照图4a，发光区域ea和透光区域ta可以在第一方向dr1和第二方向dr2上交替地布置。例如，可以交替地布置一个发光区域ea和一个透光区域ta。
65.参照图4b，第一列和第二列可以沿着第一方向dr1交替布置。第一列可以是发光区域ea在其中沿着第二方向dr2布置的列。第二列可以是透光区域ta在其中沿着第二方向dr2布置的列。
66.然而，发光区域ea和透光区域ta的布置结构不限于此，并且可以不同地改变(仅在结构包括多个发光区域ea和多个透光区域ta的情况下)。在图4a和图4b中，发光区域ea和透光区域ta的数量是相同的，但是其可以彼此不同。此外，一个发光区域ea的面积和一个透光区域ta的面积示出为相同，但是其尺寸可以彼此不同。透光区域ta的数量和尺寸可以根据显示装置dd的期望透射率而改变。此外，显示装置dd的部分区域可以不包括透光区域ta。
67.图5a至图5d是图4a和图4b的发光区域的放大平面图。图5a至图5d是示出设置在发光区域ea中的像素区域的平面图。
68.可以在发光区域ea中设置至少一个像素。可以在像素中限定像素区域。像素区域是提供特定光的区域，并且可以是由像素限定层pdl(参见图6a)(其将稍后进行说明)限定的区域。
69.参照图5a，发光区域ea
‑
1可以包括第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3。第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3中的每个可以具有矩形形状。第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3中的每个可以具有沿着垂直方向的长边。
70.多个像素可以分别包括产生红光的红色像素、产生绿光的绿色像素和产生蓝光的蓝色像素。在该实施方式中，第一像素区域pxa1可以是红色像素区域，第二像素区域pxa2可以是绿色像素区域，并且第三像素区域pxa3可以是蓝色像素区域。
71.第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3可以沿着特定方向布置。第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3的面积可以彼此相同或不同。
72.参照图5b，第一像素区域pxa1和第二像素区域pxa2可以具有沿着水平方向的长边，并且第三像素区域pxa3可以具有沿着垂直方向的长边。
73.图5a和图5b中的每个示出了发光区域ea
‑
1和ea
‑
2中的一个包括三个像素区域的情况作为实施方式，但是本发明构思的实施方式不限于此。例如，发光区域ea
‑
1和ea
‑
2中的一个可以包括一个像素区域、两个像素区域、或四个或更多个像素区域。
74.参照图5c，发光区域ea
‑
3可以包括第一像素区域pxa1p、第二像素区域pxa2p和第三像素区域pxa3p。第一像素区域pxa1p、第二像素区域pxa2p和第三像素区域pxa3p中的每个可以具有菱形形状。第一像素区域pxa1p、第二像素区域pxa2p和第三像素区域pxa3p可以具有不同的面积。第一像素区域pxa1p可以具有第一面积，第二像素区域pxa2p可以具有第二面积，并且第三像素区域pxa3p可以具有第三面积。第一面积可以大于第二面积，并且第三面积可以大于第一面积。如图5c中的布置形状可以被称为pentile形状。
75.参照图5d，与图5c相比，发光区域ea
‑
4进一步可以包括再多一个第二像素区域pxa2p。
76.图6a和图6b是示出根据实施方式的显示装置dd的部分的剖视图。
77.显示装置dd可以包括显示面板dp和封装层tfe。显示面板dp可以包括基础衬底bs、设置在基础衬底bs上的电路层dp
‑
cl以及显示器件层dp
‑
el。
78.显示装置dd可以包括具有不同透射率的两个区域。第一区域是具有相对较低透射率的发光区域ea，并且可以是发射在包括发射层eml的有机发光二极管oled中产生的光的区域。发光区域ea中的每个可以包括像素区域，例如，第一像素区域pxa1或pxa1p、第二像素区域pxa2或pxa2p以及第三像素区域pxa3或pxa3p。每个像素可以包括像素区域。第二区域是具有相对较高的光透射率的透光区域ta，并且可以对应于其中不设置发射层eml但是设置表面能控制层scl的缺陷像素。在图6a中，示出了像素区域中的一个像素区域pxa1p(图5c)和一个透光区域ta。
79.在根据实施方式的显示装置dd中，显示面板dp可以是自发光型显示面板。例如，显示面板dp可以是包括有机发光二极管oled的有机电致发光显示面板。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且显示面板dp可以是包括量子点发光器件的量子点发光显示面板。发射层eml可以包括有机发光材料。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且量子点可以包括在发射层eml中。
80.发光区域ea和透光区域ta可以是由像素限定层pdl限定的区域。非发光区域nea可以是相邻的发光区域ea和透光区域ta之间的区域，或者尽管未示出，但是可以是相邻的发光区域之间的对应于像素限定层pdl的区域。有机发光二极管oled的发射层eml可以设置在由像素限定层pdl限定的开口oh中。
81.像素限定层pdl可以使用聚合物树脂形成。例如，像素限定层pdl可以包括基于聚丙烯酸酯的树脂或基于聚酰亚胺的树脂。此外，除了聚合物树脂之外，像素限定层pdl还可以包括无机材料。同时，像素限定层pdl可以包括光吸收材料，其包括黑色颜料或黑色染料。包括黑色颜料或黑色染料的像素限定层pdl可以是黑色像素限定层。在形成像素限定层pdl
期间，可以使用炭黑等作为黑色颜料或黑色染料，但是本发明构思的实施方式不限于此。
82.此外，可以使用无机材料形成像素限定层pdl。例如，像素限定层pdl可以由硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
n
y
)等形成。
83.基础衬底bs可以是其上设置有显示器件层dp
‑
el的基础表面。基础衬底bs可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且基础衬底bs可以是无机层、有机层或复合材料层。基础衬底bs可以是可易于弯曲或折叠的柔性衬底。
84.在实施方式中，电路层dp
‑
cl可以设置在基础衬底bs上，并且电路层dp
‑
cl可以包括多个晶体管(未示出)。晶体管(未示出)各自可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层dp
‑
cl可以包括用于驱动显示器件层dp
‑
el的有机发光二极管oled的开关晶体管和驱动晶体管。
85.根据实施方式的有机发光二极管oled可以包括第一电极el1、与第一电极el1相对的第二电极el2、设置在第一电极el1和第二电极el2之间的多个功能层、以及设置在第一电极el1和第二电极el2之间的发射层eml。
86.多个功能层可以包括设置在第一电极el1和发射层eml之间的空穴传输区域htr、以及设置在发射层eml和第二电极el2之间的缓冲层bfl。
87.第一电极el1具有导电性。第一电极el1可以使用金属合金或导电化合物形成。第一电极el1可以是阳极。第一电极el1可以是像素电极。
88.根据实施方式的第一电极el1可以是反射电极。然而，本发明构思的实施方式不限于此。例如，第一电极el1可以是透射电极或半透射半反射电极。如果第一电极el1是半透射半反射电极或反射电极，则第一电极el1可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti、其化合物、或其混合物(例如，ag和mg的混合物)。可选地，第一电极el1可以具有多层结构，其包括使用上述材料形成的反射层或半透射半反射层、以及使用氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等形成的透明导电层。例如，第一电极el1可以是多层金属层，并且可以具有ito/ag/ito的金属层的堆叠结构。
89.空穴传输区域htr设置在第一电极el1上。空穴传输区域htr可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)等。此外，除了空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)之外，空穴传输区域htr还可以包括空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。空穴缓冲层可以根据从发射层eml发射的光的波长来补偿光学谐振距离，并且可以提高光发射效率。可以使用可包括在空穴传输区域htr中的材料作为包括在空穴缓冲层(未示出)中的材料。电子阻挡层(未示出)是起到阻挡电子从电子传输区域注入到空穴传输区域htr的作用的层。
90.空穴传输区域htr可以具有使用单一材料形成的单层、使用多种不同材料形成的单层、或包括使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。例如，空穴传输区域htr可以具有使用多种不同材料形成的单层的结构，或者可以具有空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/空穴缓冲层、空穴注入层/空穴缓冲层、空穴传输层/空穴缓冲层、空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的从第一电极el1堆叠的结构等。然而，本发明构思的实施方式不限于此。
91.空穴传输区域htr可以使用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、langmuir
‑
blodgett(lb)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(liti)法的各种方法形成。
92.例如，空穴注入层可以包括：酞菁化合物(诸如，铜酞菁)、n,n'
‑
二苯基
‑
n,n'
‑
双
‑
[4
‑
(苯基
‑
间
‑
甲苯基
‑
氨基)
‑
苯基]
‑
联苯基
‑
4,4'
‑
二胺(dntpd)、4,4',4
”‑
三(3
‑
甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m
‑
mtdata)、4,4',4
”‑
三(n,n
‑
二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4',4
”‑
三{n,n
‑
(2
‑
萘基)
‑
n
‑
苯基氨基}
‑
三苯胺(2tnata)、聚(3,4
‑
乙撑二氧噻吩)/聚(4
‑
苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4
‑
苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)、n,n'
‑
二(萘
‑1‑
基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
联苯胺(npb)、含三苯胺的聚醚醚酮(tpapek)、4
‑
异丙基
‑
4'
‑
甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸酯、以及二吡嗪并[2,3
‑
f:2',3'
‑
h]喹喔啉
‑
2,3,6,7,10,11
‑
六碳腈(hat
‑
cn)。
[0093]
例如，空穴传输层可以包括：咔唑衍生物(诸如，n
‑
苯基咔唑和聚乙烯咔唑)、基于芴的衍生物、n,n'
‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
[1,1
‑
联苯基]
‑
4,4'
‑
二胺(tpd)、基于三苯胺的衍生物(诸如，4,4',4
”‑
三(n
‑
咔唑基)三苯胺(tcta)、n,n'
‑
二(萘
‑1‑
基)
‑
n，n'
‑
二苯基联苯胺(npb)、4,4'
‑
亚环己基双[n,n
‑
双(4
‑
甲基苯基)苯胺](tapc)、4,4'
‑
双[n,n'
‑
(3
‑
甲苯基)氨基]
‑
3,3'
‑
二甲基联苯基(hmtpd)、1,3
‑
双(n
‑
咔唑基)苯(mcp))等。
[0094]
发射层eml设置在空穴传输区域htr上，并且设置成与发光区域ea重叠。发射层eml可以包括如上所述的有机发光材料。例如，发射层eml可以由发射红光、绿光和蓝光的材料中的至少一种材料构成，并且可以包括荧光材料或磷光材料。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且可以包括量子点。
[0095]
发射层eml可以通过使用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、langmuir
‑
blodgett(lb)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(liti)法的各种方法形成。
[0096]
缓冲层bfl设置在发射层eml上并且可以保护发射层eml。此外，缓冲层bfl还可以包括传输电子的电子传输材料。缓冲层bfl的厚度可以处于约至约的范围、或处于约至约的范围。
[0097]
缓冲层bfl可以包括无机材料和/或有机材料。例如，无机材料可以是金属材料(诸如，be、mg、ca、sr、ba、ra、la、ce、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu、li和al、其化合物、其混合物(例如，ca和al的混合物))或者金属氧化物(诸如，cuo
x
、moo
x
、wo
x
、zno、tio2、sno2、v2o
x
和nio)。例如，有机材料可以是具有低分子量的空穴阻挡材料(诸如，balq、bcp、dtbt、tpbi、pbd、taz和c
60
f4)或空穴传输材料(诸如，bnd、t
‑
bu
‑
pbd、t
‑
bu
‑
pnd、oxd
‑
7、oxd
‑
star、alq3、bphen和ntaz)。
[0098]
有机发光二极管oled还可以包括设置在发射层eml上的电子传输区域。电子传输区域可以包括空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个，但是本发明构思的实施方式不限于此。电子传输区域可以具有由单一材料形成的单层、由多种不同材料形成的单层、或包括由多种不同材料构成的多层的多层结构。
[0099]
电子传输区域可以使用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、langmuir
‑
blodgett(lb)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(liti)法的各种方法形成。
[0100]
如果电子传输区域包括电子传输层etl(图7a)，则电子传输层etl(图7a)可以包括基于蒽的化合物。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且电子传输层etl(图7a)可以包括例如三(8
‑
羟基喹啉根合)铝(alq3)、1,3,5
‑
三[(3
‑
吡啶基)
‑
苯
‑3‑
基]苯、2,4,6
‑
三(3'
‑
(吡啶
‑3‑
基)联苯
‑3‑
基)
‑
1,3,5
‑
三嗪、2
‑
(4
‑
(n
‑
苯基苯并咪唑基
‑1‑
基苯基)
‑
9,10
‑
二萘并蒽、1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1h
‑
苯并[d]咪唑
‑2‑
基)苯(tpbi)、2,9
‑
二甲基
‑
4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bcp)、4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bphen)、3
‑
(4
‑
联苯基)
‑4‑
苯基
‑5‑
叔丁基苯
基
‑
1,2,4
‑
三唑(taz)、4
‑
(萘
‑1‑
基)
‑
3,5
‑
二苯基
‑
4h
‑
1,2,4
‑
三唑(ntaz)、2
‑
(4
‑
联苯基)
‑5‑
(4
‑
叔丁基苯基)1,3,4
‑
恶二唑(
t
bu
‑
pbd)、二(2
‑
甲基
‑8‑
羟基喹啉根合
‑
n1,o8)
‑
(1,1'
‑
联苯基
‑4‑
根合)铝(balq)、双(苯并喹啉
‑
10
‑
根合)铍(bebq2)、9,10
‑
二(萘
‑2‑
基)蒽(adn)或其混合物。另外，电子传输层etl(图7a)可以包括诸如zno的金属氧化物。电子传输层etl(图7a)的厚度可以处于约至约的范围，并且例如，可以处于约至约的范围。如果电子传输层etl(图7a)的厚度满足上述范围，可以在不显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的电子传输性质。
[0101]
如果电子传输区域包括电子注入层eil(图7a)，则电子注入层eil(图7a)可以包括金属卤化物、金属氧化物、镧系元素中的金属、或金属卤化物和镧系元素中的金属的共沉积材料。同时，金属卤化物可以是碱金属卤化物。例如，电子注入层eil(图7a)可以包括lif、喹啉锂(liq)、li2o、bao、nacl、csf、yb、rbcl、rbi、ki、cui或ki:yb。然而，本发明构思的实施方式不限于此。电子注入层eil(图7a)也可以使用电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合材料形成。例如，有机金属盐可以包括金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮盐或金属硬脂酸盐。电子注入层eil的厚度可以处于约至约的范围，并且例如，可以处于约至约的范围。如果电子注入层eil的厚度满足上述范围，则可以在不引起驱动电压的显著增加的情况下，获得令人满意的电子注入性质。
[0102]
电子传输区域可以包括空穴阻挡层。例如，空穴阻挡层可以包括2,9
‑
二甲基
‑
4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bcp)和4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bphen)中的至少一种。然而，本发明构思的实施方式不限于此。
[0103]
第二电极el2设置在缓冲层bfl上。第二电极el2可以是公共电极或阴极。第二电极el2可以是透射电极、半透射半反射电极或反射电极。如果第二电极el2是透射电极，则可以使用透明金属氧化物(例如，ito、izo、zno、itzo等)形成第二电极el2。
[0104]
如果第二电极el2是半透射半反射电极或反射电极，则第二电极el2可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti、其化合物、或其混合物(例如，ag和mg的混合物)。可选地，第二电极el2可以具有多层结构，其包括使用上述材料形成的反射层或半透射半反射层、以及使用ito、izo、zno、itzo等形成的透明导电层。
[0105]
第二电极el2的厚度可以处于约至约的范围，例如处于约至约的范围。在本公开中，第二电极el2意为形成为具有特定厚度的一个层的层，并且在根据本公开的显示装置dd中，第二电极el2可以排他地仅设置在发光区域ea中。如果包括在第二电极el2中的金属设置在透光区域ta中，则由于包括在第二电极el2中的金属，透光区域ta的透射率可能降低。因此，根据实施方式的显示装置dd在透光区域ta中在缓冲层bfl上包括表面能控制层scl，以防止在表面能控制层scl上形成第二电极el2，因此根据实施方式的显示装置dd可以防止或最小化透光区域ta中的透射率的降低。
[0106]
在第二电极el2上，设置有封装层tfe。封装层tfe可以直接覆盖第二电极el2。在本公开的另一实施方式中，可以在封装层tfe和第二电极el2之间进一步设置封盖层cpl。在这种情况下，封装层tfe可以直接覆盖封盖层cpl。封盖层cpl可以包括有机材料。例如，封盖层cpl可以包括α
‑
npd、npb、tpd、m
‑
mtdata、alq3、cupc、n4,n4,n4',n4'
‑
四(联苯
‑4‑
基)联苯
‑
4,4'
‑
二胺(tpd15)、4,4',4"
‑
三(n
‑
咔唑基)三苯胺(tcta)、n,n'
‑
双(萘
‑1‑
基)等。封盖层
cpl可以保护第二电极el2不受后续工艺(例如，溅射工艺)的影响，并改善有机发光二极管oled的发光效率。
[0107]
封装层tfe可以包括有机层和无机层。无机层可以保护有机发光二极管oled免受湿气和氧气的影响，并且有机层可以保护有机发光二极管oled免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且在实施方式中，封装层tfe可以包括玻璃衬底或塑料衬底。如果封装层tfe包括玻璃衬底或塑料衬底，则可以在显示面板dp和封装层tfe之间形成内部空间。内部空间可以是真空状态。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且内部空间可以填充有氮气(n2)或绝缘材料。
[0108]
在透光区域ta中，可以设置缺陷像素。缺陷像素可以意为省略发射层eml和第二电极el2并且包括表面能控制层scl的像素。
[0109]
表面能控制层scl排他地仅与透光区域ta重叠，并且设置在缓冲层bfl上。表面能控制层scl可以具有比第二电极el2低的表面能，并且可以防止或减少在形成第二电极el2期间在透光区域ta中在表面能控制层scl上沉积形成第二电极el2的金属。因此，即使在不执行单独的图案化处理的情况下，也可以防止第二电极el2形成在特定区域(例如，透光区域ta)中，并且可以确保透光区域ta的高透射率。
[0110]
表面能控制层scl可以包括氟化有机化合物。氟化有机化合物的种类不受限制，只要它是包括氟的有机化合物即可，例如，表面能控制层scl可以包括基于全氟的/基于高氟的单体或低聚物，诸如全氟辛基
‑
三氯硅烷(fto)。氟化有机化合物可以在其末端处包括例如三氟甲基基团。氟元素相对于表面能控制层scl的总元素的原子比可以是约等于10％或更大。如果所包括的氟元素的量处于该范围内，则可以实现比第二电极el2低得多的表面能。氟元素相对于表面能控制层scl的总元素的原子比可以是约70％或更小。
[0111]
表面能控制层scl中的氟的浓度可以从其内部部分到其表面增加。表面能控制层scl的内部部分意为设置成靠近空穴传输区域htr或缓冲层bfl的部分，而表面能控制层scl的表面意为设置成远离空穴传输区域htr或缓冲层bfl的部分。
[0112]
在透光区域ta中，可以像在发光区域ea中那样设置封盖层cpl和封装层tfe。封盖层cpl和封装层tfe可以覆盖表面能控制层scl。
[0113]
参照图6b，根据实施方式的显示面板dp还可以包括残余层rsf。残余层rsf在透光区域ta中设置在表面能控制层scl上，并且封盖层cpl可以覆盖残余层rsf。
[0114]
残余层rsf可以包括与第二电极el2相同的材料。然而，当与形成在发光区域ea中的第二电极el2相比时，残余层rsf可以形成在表面能控制层scl的部分上或具有相对极薄的厚度。例如，残余层rsf的厚度可以是约或更小。残余层rsf的形状没有特别限制，并且可以由例如在平面图中彼此分开的多个圆形成。因此，残余层rsf可以暴露表面能控制层scl的顶表面的至少一部分。构成残余层rsf的多个圆中的每个的半径可以处于约至约的范围。
[0115]
当第二电极el2的层形成速率快或层形成时间增加时，可能在表面能控制层scl的顶表面上形成残余层rsf。因此，残余层rsf可以形成为极薄的厚度，或者形成为形成在表面能控制层scl的顶表面上的岛状部分。残余层rsf的体积可以是第二电极el2的体积的约40％或更小。
[0116]
图7a至图7c是根据实施方式的显示装置的剖视图。在图7a至图7c中，简要示出了
形成发光区域ea和透光区域ta的层。在下文中，将参照图7a至图7c来说明本发明构思。同时，将针对与图1至图6b相同的配置给出相同的附图标记，并且将省略对重叠部分的说明。
[0117]
参照图7a，显示装置还可以包括电子传输层etl。电子传输层etl在发光区域ea中设置在发射层eml和缓冲层bfl之间，并且可以在透光区域ta中设置在空穴传输区域htr和缓冲层bfl之间。
[0118]
参照图7a和图7b，显示装置还可以包括电子注入层eil。电子注入层eil设置在缓冲层bfl上，并且可以设置在发光区域ea和透光区域ta中。在另一实施方式中，电子注入层eil设置在缓冲层bfl下面，并且可以排他地仅设置在发光区域ea中。
[0119]
参照图7c，显示装置还可以包括设置在第二电极el2上的第三电极el3。第三电极el3可以设置成与发光区域ea重叠。第三电极el3可以与第二电极el2电连接。由于第二电极el2的厚度和面积的减小，第三电极el3可以是用于补偿电压降(ir降)的补偿电极。在本公开的实施方式中，第三电极el3可以具有约至约的厚度。
[0120]
图8是示出根据对比性示例(对比性示例1)和本发明构思的示例(示例)的显示装置的光透射率的曲线图。根据示例的显示装置包括图6a的显示面板，并且除了在透光区域ta中不包括表面能控制层并且在透光区域ta中包括第二电极el2之外，根据对比性示例的显示装置具有与根据示例的显示装置相同的配置。根据图8的曲线图，示例的透射率在所有波长的光中都高于对比性示例1的透射率，并且因此，可以确认的是，包括本发明构思的表面能控制层的显示装置的透射率可以得到改善。
[0121]
图9是示出根据对比性示例(参考1、参考2和参考3)和本发明构思的示例(示例2和示例3)的显示装置的寿命的曲线图。示例2和示例3的配置与图8的示例的配置相同，并且除了在透光区域ta中不包括表面能控制层和缓冲层之外，参考1和参考2具有与图8的示例的配置相同的配置。除了在透光区域ta中不包括缓冲层之外，参考3的配置与图8的示例的配置相同。
[0122]
图9中的小曲线图是0至1小时的放大图。根据图9中的小曲线图，可以确认的是，当不包括缓冲层时，亮度随着时间的推移而迅速降低，因此显示装置的寿命随着时间的推移而迅速降低。相反，可以确认的是，即使在与不包括表面能控制层的常规显示装置的示例相比时，包括缓冲层的示例也保持类似的或更高的亮度。通过这种方式，可以确认的是，缓冲层可以有效地防止表面能控制层对器件性质的影响。
[0123]
如在图8和图9中确认的，本发明构思的显示装置包括表面能控制层以确保高透射率，并且包括缓冲层以防止显示装置的寿命的降低。
[0124]
图10a和图10b是根据实施方式的显示装置dd3和dd4的平面图。
[0125]
参照图10a和图10b，根据实施方式的显示装置dd3和dd4可以包括第一显示区域da1和第二显示区域da2。第一显示区域da1可以被限定为包括发光区域ea和透光区域ta的区域。第二显示区域da2可以被限定为不包括透光区域ta的区域。因此，第一显示区域da1可以具有比第二显示区域da2高的透射率。在图10a中，第一显示区域da1具有圆形形状，并且例如在分开的多个区域中形成。然而，本发明构思的实施方式不限于此。在图10b中，第一显示区域da1被限定在例如左拐角处，但不限于此。例如，在本发明构思的实施方式中，第一显示区域da1可以限定在显示装置dd4的右拐角处，或者限定在显示装置dd4的左拐角和右拐角二者处。
[0126]
根据实施方式的显示面板和包括该显示面板的显示装置包括其表面能被控制的层，并且可以改善透光区域的透射率。
[0127]
根据实施方式的显示面板和包括该显示面板的显示装置包括设置在表面能控制层下面的缓冲层，并且可以防止显示装置的寿命的降低。
[0128]
虽然已经描述了本发明构思的优选实施方式，但是应理解的是，本领域的普通技术人员可以在所附权利要求中描述的本发明构思的精神和技术范围内做出多种改变和修改。
[0129]
因此，本发明构思的技术范围将由所附权利要求书来确定，且不应由前述详细描述来约束或限制。