显示面板的制作方法

显示面板
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年7月6日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0083044号的优先权和权益，其全部公开通过引用并入本文。
技术领域
3.一个或多个示例实施例的各方面涉及显示面板和用于制造该显示面板的方法和掩模。


背景技术：

4.随着信息社会的发展，对用于显示图像的各种显示设备的需求不断增加。在显示设备的领域中，笨重的阴极射线管(crt)已经被相对薄、重量轻且尺寸大的平板显示装置(fpd)迅速取代。fpd的示例包括液晶显示器(lcd)、等离子体显示面板(pdp)、有机发光显示器(oled)和电泳显示器(epd)。
5.显示设备的显示面板可以包括显示图像的显示区域和不显示图像的外围区域(即非显示区域)。近年来，已经积极地进行了通过减少非显示区域(即死区)的面积来扩大显示区域的研究。
6.在本背景部分中公开的以上信息仅用于增强对背景的理解，并且因此，在本背景部分中讨论的信息不一定构成现有技术。


技术实现要素：

7.一个或多个示例实施例的各方面涉及显示面板以及用于制造该显示面板的方法和掩模，并且例如涉及相对地减少了死区的显示面板以及用于制造该显示面板的掩模。
8.显示面板可以通过包括有机材料层的薄膜封装层来密封，并且为了减少非显示区域的面积，可以做出努力来减少薄膜封装层的有机材料层在非显示区域中所占据的面积。一个或多个实施例包括用于减少死区的显示面板。然而，以上描述的特性仅是示例，并且不限制本公开的范围。
9.附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且将部分地根据描述更加显而易见，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例来获知。
10.根据一个或多个示例实施例，一种显示面板包括：显示区域和位于显示区域外部的外围区域；基板；多个像素电极，位于显示区域中、基板上以彼此间隔开；多个发射层，分别位于多个像素电极上；对电极，位于多个发射层上并且与显示区域重叠；以及薄膜封装层，位于对电极上并且包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，其中，在平面图中，对电极的边缘包括从外围区域朝向显示区域凹进的凹形边缘和从显示区域朝向外围区域突出的凸形边缘。
11.根据一些示例实施例，显示面板可以进一步包括位于外围区域中以彼此间隔开的多个阻挡件，其中，多个阻挡件当中的阻挡件的第一部分与对电极重叠，并且阻挡件的第二
部分不与对电极重叠。
12.根据一些示例实施例，至少一个无机封装层可以直接接触阻挡件的第二部分。
13.根据一些示例实施例，显示面板可以进一步包括位于外围区域中并且包括多个孔的导电层，其中多个阻挡件与多个孔重叠。
14.根据一些示例实施例，显示面板可以进一步包括位于外围区域中的公共电源线，其中，对电极和公共电源线通过导电层电连接。
15.根据一些示例实施例，导电层可以包括与多个像素电极的材料相同的材料。
16.根据一些示例实施例，至少一个有机封装层可以与对电极的凹形边缘重叠。
17.根据一些示例实施例，在平面图中，对电极的凹形边缘可以具有四边形形状、梯形形状、三角形形状或类似于圆形的一部分或椭圆的一部分的形状。
18.根据一些示例实施例，显示面板可以进一步包括位于多个像素电极与对电极之间的公共层，其中，在平面图中，公共层的边缘包括从外围区域朝向显示区域凹进的凹形边缘和从显示区域朝向外围区域突出的凸形边缘。
19.根据一些示例实施例，在平面图中，公共层的边缘可以具有与对电极的边缘的形状相同的形状。
20.根据一些示例实施例，分别由公共层的凹形边缘和对电极的凹形边缘形成的凹形区域可以彼此重叠。
21.根据一些示例实施例，显示面板可以进一步包括位于对电极与薄膜封装层之间的封盖层，其中，在平面图中，封盖层的边缘包括从外围区域朝向显示区域凹进的凹形边缘和从显示区域朝向外围区域突出的凸形边缘。
22.根据一些示例实施例，在平面图中，封盖层的边缘可以具有与对电极的边缘的形状相同的形状。
23.根据一些示例实施例，分别由封盖层的凹形边缘和对电极的凹形边缘形成的凹形区域可以彼此重叠。
24.根据一些示例实施例，显示面板可以进一步包括位于外围区域中在多个阻挡件外部的隔断墙。
25.根据一些示例实施例，在平面图中，对电极的边缘可以位于隔断墙与多个像素电极之间。
26.根据一些示例实施例，显示面板可以进一步包括：像素限定层，位于多个像素电极上并且包括分别与多个像素电极相对应的开口，其中，多个阻挡件包括与像素限定层的材料相同的材料。
27.根据一些示例实施例，至少一个有机封装层的边缘可以位于多个阻挡件当中的邻近的阻挡件之间。
28.根据一些示例实施例，对电极的凸形边缘可以比至少一个有机封装层的边缘更靠近基板的边缘。
29.根据一些示例实施例，对电极的凹形边缘可以比至少一个有机封装层的边缘更远离基板的边缘。
30.根据附图、权利要求书和详细描述，根据本公开的实施例的其他特征和特性将变得更加显而易见。
31.这些一般和示例实施例可以通过使用系统、方法、计算机程序或其组合来实现。
附图说明
32.通过结合附图的以下描述，本公开的特定实施例的以上和其他方面、特征和特性将变得更加明显，其中：
33.图1是根据一些示例实施例的显示面板的平面图；
34.图2是根据一些示例实施例的连接到被包括在显示设备中的发光元件的像素电路的等效电路图；
35.图3a是图示出根据一些示例实施例的显示面板的一些元件的平面图；
36.图3b是图示出根据一些示例实施例的显示面板的一些元件的平面图；
37.图3c是图示出根据一些示例实施例的显示面板的一些元件的平面图；
38.图4a是图示出根据一些示例实施例的用于制造显示面板的掩模和掩模的一部分的平面图；
39.图4b至图4f是图示出根据一些示例实施例的用于制造显示面板的掩模的一部分的平面图；
40.图5是图示出图3a的显示面板的部分v的平面图；
41.图6a和图6b分别是沿着图5的线a-a’和线b-b’截取的显示面板的截面图；
42.图7a是图示出根据一些示例实施例的显示面板的一部分的平面图；以及
43.图7b是图示出根据比较示例的显示面板的一部分的平面图。
具体实施方式
44.现在将详细地参照在附图中图示出的一些示例实施例的各方面，其中，相同的附图标记始终指代相同的元件。在这方面，根据本公开的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例以解释本说明书的各方面。如本文中所使用，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变体。
45.本公开可以包括各种实施例和变型，并且本公开的示例实施例将在附图中图示出并且将在本文中更详细地描述。根据结合附图对实施例的以下描述，根据本公开的实施例及其伴生方法的特性和特征将变得更加显而易见。然而，根据本公开的实施例不限于以下描述的实施例，并且可以以各种模式来实施。
46.现在将更详细地参照在附图中图示出的一些示例实施例的各方面。在附图中，相同的元件由相同的附图标记表示，并且将不给出其重复的说明。
47.将理解的是，术语“第一”、“第二”等在本文中可以用来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
48.如本文中所使用，单数形式“一”和“该(所述)”旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指示。
49.将进一步理解的是，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征或元件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或元件的存在或添加。
50.将理解的是，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时，它可以直接或间接地形成在另一层、区域或元件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区域或元件。
51.为了便于说明，附图中的元件的尺寸可能被夸大或缩小。换句话说，因为为了便于说明而任意地图示出附图中的部件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
52.当特定实施例可以不同地实现时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
53.本文中使用“a和/或b”以便仅选择a、仅选择b或者选择a和b两者。本文中使用“a和b中的至少一个”以便仅选择a、仅选择b或者选择a和b两者。
54.将理解的是，当层、区域或元件被称为“被连接”时，该层、区域或元件可以被直接连接，或在其间具有居间层、区域或元件的情况下被间接连接。例如，当层、区域或元件被电连接时，该层、区域或元件可以被直接电连接和/或可以在其间具有居间层、区域或元件的情况下被间接电连接。
55.在以下实施例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以更广泛意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
56.图1是根据一些示例实施例的显示面板的平面图。
57.参照图1，显示面板1可以包括基板100，并且被包括在显示面板1中的元件可以位于基板100上。显示面板1可以包括显示区域da和位于显示区域da的外部(例如，显示区域da的周边的外部或覆盖区(footprint)的外部)的外围区域pa。
58.多个像素px可以位于显示区域da中，并且显示区域da可以通过由多个像素px发射的光来提供或显示特定图像。多个像素px中的每一个可以发射红光、绿光或蓝光。根据一些示例实施例，多个像素px中的每一个可以发射红光、绿光、蓝光或白光。每个像素px可以包括诸如有机发光二极管(oled)的发光元件。
59.每个像素px可以连接到在第一方向(例如，x方向)上延伸的扫描线sl和在与第一方向交叉的第二方向(例如，y方向)上延伸的数据线dl。数据线dl可以与扫描线sl交叉。
60.外围区域pa可以全部或部分地围绕显示区域da。像素px不位于其中的外围区域pa可以对应于不显示图像的非显示区域。根据一些示例实施例，用于将扫描信号施加到扫描线sl的扫描驱动器和用于将数据信号施加到数据线dl的数据驱动器可以位于外围区域pa中。
61.驱动电源线10和公共电源线20可以位于外围区域pa中。驱动电源线10可以被定位成与显示区域da的第一侧e1相对应，并且公共电源线20可以被定位成与显示区域da的第二侧至第四侧e2、e3和e4相对应。驱动电源线10可以位于显示区域da的第一侧e1与焊盘单元30之间，并且公共电源线20可以以环形形状的形式部分地围绕显示区域da，在该环形形状中，与第一侧e1相对应的部分是敞开的。
62.驱动电源线10包括沿着显示区域da的第一侧e1延伸的第一主体部分10a。第一主体部分10a可以沿着显示区域da的第一侧e1在x方向上延伸，并且可以具有等于或大于第一侧e1的长度的长度。
63.第一主体部分10a可以与从第一主体部分10a在y方向上延伸的第一连接部分10b一体地形成。第一连接部分10b可以在拉出区域poa中在y方向上朝向焊盘单元30延伸。位于
基板100的与在外围区域pa中的焊盘单元30邻近的一侧和显示区域da的第一侧e1之间的拉出区域poa可以是从显示区域da的第一侧e1到焊盘单元30的区域。第一连接部分10b可以从第一主体部分10a朝向基板100的边缘100e延伸，并且可以连接到焊盘单元30的第一端子31。
64.公共电源线20可以包括沿着显示区域da的第二侧至第四侧e2、e3和e4延伸的第二主体部分20a。第二主体部分20a可以沿着显示区域da的除了第一侧e1之外的第二侧至第四侧e2、e3和e4部分地围绕显示区域da。第二侧e2被定位成与第一侧e1相对，并且第三侧e3和第四侧e4连接第一侧e1和第二侧e2并且被定位成彼此相对。第二主体部分20a可以围绕显示区域da，并且可以环绕第一主体部分10a的两端。
65.第二主体部分20a可以与从第二主体部分20a在y方向上延伸的第二连接部分20b一体地形成。第二连接部分20b可以在拉出区域poa中在y方向上朝向焊盘单元30延伸。第二连接部分20b可以在拉出区域poa中平行于第一连接部分10b延伸，并且可以连接到焊盘单元30的第二端子32。
66.焊盘单元30可以对应于基板100的端部，可以被暴露而不被绝缘层等覆盖，并且可以通过柔性印刷电路板等连接到控制器。控制器的信号或电源可以通过焊盘单元30被提供到像素px。
67.驱动电源线10可以将驱动电源电压elvdd(参见图2)施加到每个像素px，并且公共电源线20可以将公共电源电压elvss(参见图2)施加到每个像素px。驱动电源电压elvdd可以通过连接到驱动电源线10的驱动电压线pl被施加到每个像素px。公共电源电压elvss可以被施加到例如有机发光二极管的对电极。有机发光二极管的对电极和公共电源线20的第二主体部分20a可以在外围区域pa中连接以传输公共电源电压elvss。
68.图2是根据一些示例实施例的连接到被包括在显示设备中的发光元件的像素电路的等效电路图。
69.参照图2，发光元件可以连接到像素电路pc，并且像素电路pc可以包括连接到扫描线sl、数据线dl和/或驱动电压线pl的薄膜晶体管和存储电容器。发光元件可以包括发光二极管，例如有机发光二极管oled。
70.像素电路pc可以包括存储电容器和多个薄膜晶体管。根据一些示例实施例，像素电路pc可以包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和存储电容器cap。
71.作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管t2可以连接到扫描线sl和数据线dl，并且可以基于从扫描线sl输入的开关电压(或开关信号)将从数据线dl输入的数据电压(或数据信号)传输到第一薄膜晶体管t1。
72.存储电容器cap可以连接到第二薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且可以存储与从第二薄膜晶体管t2接收的电压和被供给到驱动电压线pl的驱动电源电压elvdd之间的差相对应的电压。存储电容器cap可以包括至少两个电极，例如，下电极ce1和上电极ce2。
73.作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管t1可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cap，并且可以响应于存储在存储电容器cap中的电压值来控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。由于驱动电流，有机发光二极管oled可以发射具有一定亮度的光。有机发光二极管oled的对电极(例如，阴极)可以接收公共电源电压elvss。
74.尽管在图2中像素电路pc被图示为包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是
根据本公开的实施例不限于此，并且像素电路pc可以包括附加的部件或更少的部件，而不脱离根据本公开的实施例的精神和范围。例如，像素电路pc可以包括三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个存储电容器。根据一些示例实施例，像素电路pc可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器的数量可以根据像素电路pc的设计以各种方式进行改变。然而，为了便于说明，将在假设像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况下进行以下的描述。
75.图3a是图示出根据一些示例实施例的显示面板中的一些元件(例如，对电极和围绕对电极的元件)的平面图。
76.参照图3a，显示面板1可以包括多个像素电极210、多个发射层222和对电极230。多个像素电极210可以位于显示区域da中以彼此间隔开，并且多个发射层222可以分别位于多个像素电极210上。对电极230可以位于多个像素电极210和多个发射层222上，并且可以与显示区域da重叠。对电极230可以从显示区域da延伸到外围区域pa，并且对电极230的边缘230e可以位于外围区域pa中。
77.阻挡件400和隔断墙500可以位于显示面板1的外围区域pa中。
78.阻挡件400和隔断墙500可以各自具有完全围绕显示区域da的环形形状。阻挡件400和/或隔断墙500可以与公共电源线20部分重叠，并且阻挡件400的一部分可以与对电极230重叠。
79.对电极230可以形成为单个主体以与显示区域da重叠。例如，对电极230的面积可以大于显示区域da的面积，并且对电极230的边缘230e可以与外围区域pa中的阻挡件400的一部分重叠。
80.例如，当在垂直于基板100的表面的方向上观看时，在平面图中对电极230的边缘230e可以具有不齐的图案。也就是说，在平面图中，对电极230的边缘230e可以包括从外围区域pa朝向显示区域da凹进的凹形边缘230e1和从显示区域da朝向外围区域pa突出的凸形边缘230e2。对电极230的边缘230e可以具有凹形边缘230e1和凸形边缘230e2被重复地设置的不齐的图案。
81.因为对电极230的边缘230e具有不齐的图案，所以阻挡件400的一部分可以与对电极230重叠，并且阻挡件400的另一部分可以不与对电极230重叠。详细地，阻挡件400的一部分可以与对电极230的凸形部分230p重叠。相反，阻挡件400的另一部分位于凹形区域ca中，凹形区域ca位于对电极230的凸形部分230p之间，并且因此阻挡件400的另一部分不与对电极230重叠。
82.为了减少显示面板1的外围区域pa(即死区)的面积，一些示例实施例可以准确地控制用于形成有机封装层320(参见图6a)的液体有机材料的流动。阻挡件400不仅可以用于防止或减少用于形成有机封装层320的液体有机材料流向基板100的边缘100e的情况，而且可以用于识别形成液体有机材料的区域。例如，用于形成有机封装层320的液体有机材料可以通过使用喷射法被施加到显示面板1，并且在这种情况下，液体有机材料的位置可以通过使用在显示面板1的光学图像中的阴影来识别。光学图像中的阴影可以由阻挡件400与阻挡件400下方的结构和/或层之间的高度差(例如，台阶)引起。
83.根据一些示例实施例，因为阻挡件400的一部分不与对电极230重叠，所以光学图像中的阴影差异可以更明显，并且因此，用于形成有机封装层320的液体有机材料所位于的
区域可以更容易地被识别。作为比较示例，当阻挡件400被对电极230完全覆盖时，光学图像中的阴影差异不明显，并且难以控制液体有机材料的位置。然而，根据一些示例实施例，因为对电极230的边缘230e具有不齐的结构，所以可以更精确地控制液体有机材料。
84.图3b是图示出根据一些示例实施例的显示面板中的一些元件(例如，位于像素电极与对电极之间的公共层以及围绕公共层的元件)的平面图。图3c是图示出根据一些示例实施例的显示面板中的一些元件(例如，位于对电极上的封盖层和围绕封盖层的元件)的平面图。
85.参照图3b和图3c，公共层221和223以及封盖层250可以各自具有与对电极230(参见图3a)的平面形状和设置基本相同或相似的平面形状和设置。也就是说，例如，当在垂直于基板100的表面的方向上观看时，公共层221和223的边缘221e、223e以及封盖层250的边缘250e可以各自具有不齐的图案。
86.图3a的对电极230、图3b的公共层221和223和/或图3c的封盖层250可以通过使用具有与显示区域da相对应的开口部分op(参见图4a)的掩模来形成，并且将参照图4a至图4f描述该掩模。
87.图4a是图示出根据一些示例实施例的用于制造显示面板的掩模和掩模的一部分的平面图。图4b至图4f是图示出根据其他实施例的用于制造显示面板的掩模的一部分的平面图。
88.参照图4a，根据一些示例实施例的用于制造显示面板1(参见图3a)的掩模50可以包括主体部分51和被主体部分51围绕的多个开口部分op。掩模50可以具有平坦的形状。掩模50可以具有形成在是金属板的掩模板中的多个开口部分op。一个开口部分op可以对应于一个显示面板1。
89.掩模50可以在用于在基板100(参见图3a)的大部分区域上沉积和图案化相同的材料的薄膜沉积工艺中使用。在薄膜沉积工艺中，沉积材料可以穿过掩模50的开口部分op，并且可以沉积在与掩模50邻近定位的基板上。相反，沉积材料可以被阻挡而不穿过主体部分51。因此，可以在基板上沉积包括具有与掩模50的开口部分op的边缘的形状基本相同的形状的边缘的特定层。
90.掩模50可以包括从主体部分51朝向开口部分op的中心突出的突出部分52。突出部分52可以沿着主体部分51的限定开口部分op的内表面定位，并且在平面图中，主体部分51的内表面的边缘51e和突出部分52的边缘52e最终限定开口部分op的边缘。
91.突出部分52的边缘52e可以对应于对电极230(参见图3a)的凹形边缘230e1(参见图3a)，并且主体部分51的内表面的边缘51e可以对应于对电极230的凸形边缘230e2(参见图3a)。因此，根据一些示例性实施例的显示面板1的对电极230可以通过使用掩模50来形成。
92.此外，突出部分52的边缘52e可以对应于公共层221和223(参见图3b)的凹形边缘221e1和223e1(参见图3b)以及封盖层250(参见图3c)的凹形边缘250e1(参见图3c)，并且主体部分51的内表面的边缘51e可以对应于公共层221和223的凸形边缘221e2和223e2(参见图3b)以及封盖层250的凸形边缘250e2(参见图3c)。因此，根据一些示例实施例的显示面板1的公共层221和223以及封盖层250可以通过使用掩模50来形成。
93.参照图4a至图4e，在平面图中，掩模50的突出部分52的边缘52e可以具有四边形形
状、梯形形状、三角形形状或类似于圆形的一部分或椭圆的一部分的形状。例如，如图4b中所示，突出部分52的边缘52e可以具有带圆角的四边形形状。
94.因此，可以制造包括对电极230、公共层221和223以及封盖层250的显示面板1，在平面图中对电极230、公共层221和223以及封盖层250各自包括具有四边形形状、梯形形状、三角形形状或类似于圆形的一部分或椭圆的一部分的形状的凹形边缘。
95.参照图4f，掩模50可以进一步包括单独的凹形部分53。凹形部分53可以限定开口部分op的一部分，并且可以是掩模50的内表面从开口部分op的中心朝向外部凹进的部分。
96.如参照图4a至图4f所描述，在平面图中，掩模50的开口部分op的边缘可以具有各种形状中的任何一种，并且因此，可以形成在平面图中具有任何形状的对电极230、公共层221和223以及封盖层250。
97.图5是图示出图3a的显示面板的部分v的平面图。
98.参照图5，多个像素电极210可以位于显示区域da中。多个像素电极210可以彼此间隔开。尽管在图5中多个像素电极210以蜂窝型(pentile type)设置，但是本公开不限于此。多个像素电极210可以以例如实条纹型、s条纹型或菱形型设置。根据一些示例实施例，多个发射层222(参见图6a和图6b)可以被定位成与多个像素电极210重叠。
99.对电极230可以位于多个像素电极210和多个发射层222上。对电极230可以与显示区域da重叠，并且可以从显示区域da延伸到外围区域pa。对电极230的边缘230e可以位于外围区域pa中。当在垂直于基板100的表面的方向上观看时，对电极230的边缘230e可以包括不齐的部分。也就是说，在平面图中，对电极230的边缘230e可以包括从外围区域pa朝向显示区域da凹进的凹形边缘230e1和从显示区域da朝向外围区域pa突出的凸形边缘230e2。
100.阻挡件400可以位于外围区域pa中，并且可以包括一个或多个阻挡件。例如，阻挡件400可以包括彼此间隔开并且在从显示区域da朝向外围区域pa的方向上设置的第一阻挡件410、第二阻挡件420和第三阻挡件430。
101.第一阻挡件至第三阻挡件410、420和430当中的阻挡件的一部分可以与对电极230重叠，并且阻挡件的另一部分可以不与对电极230重叠。例如，第一阻挡件410的一部分可以与对电极230的凸形部分230p重叠。第一阻挡件410的另一部分可以位于凹形区域ca中，并且因此第一阻挡件410的另一部分可以不与对电极230重叠。也就是说，对电极230的凹形边缘230e1可以被定位成比第一阻挡件410更远离基板100的边缘100e。
102.同样地，第二阻挡件420的一部分可以与对电极230的凸形部分230p重叠，并且第二阻挡件420的另一部分可以不与对电极230重叠。此外，第三阻挡件430的一部分可以与对电极230的凸形部分230p重叠，并且第三阻挡件430的另一部分可以不与对电极230重叠。也就是说，对电极230的凹形边缘230e1可以被定位成比第二阻挡件420和第三阻挡件430中的每一个更远离基板100的边缘100e。
103.公共电源线20、第一导电层21和第二导电层22可以位于外围区域pa中。对电极230和公共电源线20通过导电层电连接，并且例如导电层可以包括第一导电层21和第二导电层22。公共电源线20可以通过第一导电层21和第二导电层22电连接到对电极230。
104.对电极230可以电连接到第二导电层22，同时与第二导电层22的一部分重叠。第二导电层22的另一部分可以与第一导电层21重叠，并且可以电连接到第一导电层21。第一导电层21的一部分可以与公共电源线20电连接，同时与公共电源线20重叠。在该结构中，对电
极230可以通过第二导电层22和第一导电层21电连接到公共电源线20，并且可以接收从公共电源线20供给的公共电源电压elvss。第二导电层22的宽度可以大于第一导电层21的宽度，并且第一导电层21的宽度可以大于公共电源线20的宽度。
105.第一导电层21可以具有多个第一孔21h，并且第二导电层22可以具有多个第二孔22h。多个第一孔21h可以用作通过其可以排放包含在位于第一导电层21下方的有机绝缘层中的气体的路径。同样，多个第二孔22h可以用作通过其可以排放包含在位于第二导电层22下方的有机绝缘层中的气体的路径。尽管在图5中多个第一孔21h具有圆形形状并且多个第二孔22h具有四边形形状，但是本公开不限于此。多个第一孔21h和多个第二孔22h的尺寸和形状可以以各种方式进行修改。
106.第一阻挡件至第三阻挡件410、420和430中的每一个可以与多个第二孔22h重叠。例如，如图5中所示，多个第二孔22h可以被设置成在基板100的边缘100e的延伸方向上的三列，并且第二孔22h的每一列可以被一个阻挡件覆盖。
107.例如，多个第一孔21h可以位于多个第二孔22h之间。多个第一孔21h可以在第二孔22h的多个列之间被设置成列。在图5中，多个第一孔21h被设置成两列。
108.对电极230可以与多个第一孔21h的一部分和多个第二孔22h的一部分重叠，并且对电极230可以不与多个第一孔21h的其他部分和多个第二孔22h的其他部分重叠。详细地，对电极230的凸形部分230p可以与多个第一孔21h的一部分和多个第二孔22h的一部分重叠。对电极230可以不与多个第一孔21h的其他部分和多个第二孔22h的其他部分重叠，并且多个第一孔21h的其他部分和多个第二孔22h的其他部分可以位于凹形区域ca中。
109.隔断墙500可以比对电极230和多个像素电极210更靠近基板100的边缘100e。在平面图中隔断墙500可以围绕显示区域da。隔断墙500可以与公共电源线20、第一导电层21和第二导电层22中的每一个的一部分重叠。
110.图6a和图6b分别是沿着图5的线a-a’和线b-b’截取的显示面板的截面图。线a-a’穿过对电极230的凸形部分230p，并且线b-b’穿过凹形区域ca。
111.参照图6a的显示区域da，显示面板1可以包括基板100。基板100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。当基板100是柔性的或可弯曲的时，基板100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。例如，基板100可以具有多层结构，该多层结构包括各自包含聚合物树脂的两层和位于这两层之间的包含无机材料的阻挡层。例如，阻挡层可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的无机材料。
112.缓冲层101可以形成在基板100上。缓冲层101可以防止或减少杂质、湿气或其他污染物渗透穿过基板100的情况。例如，缓冲层101可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氧氮化硅(sion)的无机材料，并且可以具有单层或多层结构。
113.对应于显示区域da的薄膜晶体管tft和存储电容器cap以及电连接到薄膜晶体管tft和存储电容器cap的是发光元件200的有机发光二极管oled(在图2中示出)可以位于基板100上。
114.薄膜晶体管tft中的每一个可以包括半导体层act、与半导体层act的沟道区重叠的栅电极ge以及分别连接到半导体层act的源区和漏区的源电极se和漏电极de。
115.半导体层act可以包括多晶硅。根据一些示例实施例，半导体层act可以包括非晶
硅。根据一些示例实施例，半导体层act可以包括选自由铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。半导体层act可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
116.栅电极ge可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的低电阻导电材料，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。
117.源电极se或漏电极de可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。例如，源电极se或漏电极de可以具有包括钛层、铝层和钛层的三层结构。源电极se和漏电极de可以位于同一层上。
118.为了确保或改进半导体层act与栅电极ge之间的绝缘，栅绝缘层103可以位于半导体层act与栅电极ge之间。栅绝缘层103可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。栅绝缘层103可以具有包括以上材料的单层或多层结构。
119.存储电容器cap可以包括彼此重叠的下电极ce1和上电极ce2，并且第一层间绝缘层105介于下电极ce1与上电极ce2之间。根据一些示例实施例，存储电容器cap可以与薄膜晶体管tft重叠，并且薄膜晶体管tft的栅电极ge可以用作存储电容器cap的下电极ce1。根据一些示例实施例，存储电容器cap可以不与薄膜晶体管tft重叠。存储电容器cap可以被第二层间绝缘层107覆盖。存储电容器cap的上电极ce2可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的导电材料，并且可以具有包括以上材料的单层或多层结构。
120.第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107可以位于栅绝缘层103上，并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的无机绝缘材料。第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107可以具有包括以上材料的单层或多层结构。
121.第一有机绝缘层111可以位于第二层间绝缘层107上。第一有机绝缘层111可以包括有机绝缘材料，并且有机绝缘材料的示例可以包括酰亚胺类聚合物、通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。根据一些示例实施例，
122.第一有机绝缘层111可以包括聚酰亚胺。
123.第二有机绝缘层113可以位于第一有机绝缘层111上。第二有机绝缘层113可以包括酰亚胺类聚合物、通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物。根据一些示例实施例，第二有机绝缘层113可以包括聚酰亚胺。
124.像素电极210可以位于第二有机绝缘层113上。像素电极210可以包括由诸如铟锡氧化物(ito)、in2o3或铟锌氧化物(izo)的透明导电氧化物形成的透明导电层以及由诸如铝(al)或银(ag)的金属形成的反射层。例如，像素电极210可以具有包括ito/ag/ito的三层结构。像素电极210可以通过形成在第二有机绝缘层113中的接触孔接触接触金属cm，并且接触金属cm可以通过形成在第一有机绝缘层111中的接触孔接触源电极se和漏电极de中的一个，并且可以电连接到薄膜晶体管tft。也就是说，像素电极210可以通过接触金属cm电连接
到薄膜晶体管tft。
125.像素限定层120可以位于像素电极210上，并且像素限定层120可以具有与每个像素相对应的开口(即暴露像素电极210的至少中心部分的开口120op)，从而限定了像素的发光区域。此外，像素限定层120可以增加像素电极210的边缘与对电极230之间的距离，从而防止或减少在像素电极210的边缘与对电极230之间出现电弧等的情况。像素限定层120可以由诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(hmdso)的有机材料形成。
126.中间层220可以位于像素限定层120上。中间层220可以位于像素电极210与对电极230之间。
127.中间层220可以包括形成为与像素电极210对应的发射层222。发射层222可以包括诸如发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料的有机发光材料。可替代地，发射层222可以包括无机发光材料，或者可以包括量子点。
128.第一功能层221和第二功能层223可以分别位于发射层222下方和上方。第一功能层221可以具有单层或多层结构。例如，是具有单层结构的空穴传输层(htl)的第一功能层221可以包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(pedot)或聚苯胺(pani)。可替代地，第一功能层221可以包括空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)。第二功能层223可以具有单层或多层结构。第二功能层223可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。
129.中间层220的发射层222可以针对每个像素定位，而第一功能层221和第二功能层223可以一体地形成以覆盖多个像素。也就是说，第一功能层221和第二功能层223可以是公共层。第一功能层221和第二功能层223可以从显示区域da延伸到外围区域pa。
130.对电极230可以位于中间层220上，以覆盖显示区域da。也就是说，对电极230可以一体地形成以覆盖多个像素。对电极230可以从显示区域da延伸到外围区域pa。对电极230可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，对电极230可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或其合金的(半)透明层。可替代地，对电极230可以进一步包括在包括以上材料的(半)透明层上的由ito、izo、zno或in2o3形成的层。
131.像素电极210、中间层220和对电极230的堆叠结构可以构成有机发光二极管oled作为发光元件200。有机发光二极管oled可以发射红光、绿光或蓝光。像素限定层120的开口120op可以限定发光区域的尺寸和/或宽度。
132.封盖层250可以形成在对电极230上。封盖层250可以包括有机绝缘材料和/或诸如氮化硅的无机绝缘材料。根据一些示例实施例，可以省略封盖层250。封盖层250可以覆盖显示区域da，并且可以从显示区域da延伸到外围区域pa。
133.薄膜封装层300可以覆盖发光元件200，并且可以防止或减少由于外部湿气、氧气或其他污染物引起的损坏。薄膜封装层300可以覆盖显示区域da，并且可以从显示区域da延伸到外围区域pa。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在图6a中，薄膜封装层300包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
134.第一无机封装层310可以覆盖对电极230，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅。因为第一无机封装层310沿着下部结构形成，所以第一无机封装层310的顶表面是不平坦的。与第一无机封装层310不同，有机封装层320可以覆盖第一无机封装层310，并且有机封装层320的顶表面可以是基本平坦的。详细地，有机封装层320的与显示区域da相对应
的部分可以是基本平坦的。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。丙烯酸树脂的示例可以包括聚甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸。有机封装层320可以是透明的。第二无机封装层330可以覆盖有机封装层320，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅。
135.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过使用化学气相沉积(cvd)来形成，并且有机封装层320可以通过将液体有机材料施加到基板100并固化液体有机材料来形成。
136.参照图6a的外围区域pa，无机绝缘层110可以位于基板100上，并且无机绝缘层110可以包括缓冲层101、栅绝缘层103以及第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107。公共电源线20可以位于无机绝缘层110上。公共电源线20可以包括与源电极se和/或漏电极de的材料相同的材料。
137.公共电源线20的顶表面的一部分可以通过位于公共电源线20上的第一有机绝缘层111的第一开口111op暴露。公共电源线20的通过第一开口111op暴露的顶表面可以直接接触位于第一有机绝缘层111上的第一导电层21。第一导电层21可以通过第一有机绝缘层111的第一开口111op直接接触公共电源线20。
138.公共电源线20的边缘或侧面可以被保护层109覆盖。保护层109可以防止或减少公共电源线20暴露于蚀刻环境的情况，公共电源线20包括在显示面板1的制造工艺中可能被蚀刻剂损坏的诸如铝的金属。在除了图6a的区域之外的外围区域pa中，公共电源线20可以被暴露而不被第一有机绝缘层111覆盖，并且暴露的公共电源线20可以被在形成公共电源线20之后的工艺中使用的蚀刻剂从侧表面开始损坏。为了防止或减少该问题，保护层109可以覆盖并保护公共电源线20的侧表面。
139.保护层109可以覆盖显示区域da中的薄膜晶体管tft。保护层109可以包括例如氮化硅(sin
x
)。被包含在氮化硅中的氢可以与薄膜晶体管的半导体层的悬空键组合以去除半导体层中的缺位，从而改进薄膜晶体管的特性。
140.第一导电层21可以位于第一有机绝缘层111上，以通过第一开口111op直接接触公共电源线20的顶表面。例如，第一导电层21可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或其合金的导电材料。
141.第一导电层21可以具有多个第一孔21h。例如，第一导电层21的与第一有机绝缘层111重叠的部分可以具有多个第一孔21h，并且第一导电层21的与公共电源线20直接接触的部分可以不具有第一孔21h以增加接触面积。第一导电层21可以被第二有机绝缘层113覆盖，并且第一导电层21的顶表面的一部分可以通过第二有机绝缘层113的第二开口113op暴露。第一导电层21的暴露的顶表面可以接触第二导电层22，并且可以电连接到第二导电层22。
142.第二导电层22可以位于第二有机绝缘层113上，并且可以通过第二开口113op直接接触第一导电层21的顶表面。第二导电层22可以由与像素电极210的材料相同的材料形成。例如，第二导电层22可以具有包括ito/ag/ito的三层结构。
143.第二导电层22可以具有多个第二孔22h。例如，第二导电层22的与第二有机绝缘层113重叠的部分可以具有多个第二孔22h，并且第二导电层22的与第一导电层21直接接触的部分可以不具有第二孔22h以增加接触面积。
144.第一导电层21的多个第一孔21h和第二导电层22的多个第二孔22h可以用作通过其蒸发并排放分别在第一导电层21和第二导电层22下方的绝缘层(即第一有机绝缘层111和第二有机绝缘层113)中包含的材料的路径。在像素限定层120形成在像素电极210上之后，执行热工艺(例如，固化工艺)，并且由于在热工艺期间施加的热量，在第二导电层22下方的第二有机绝缘层113或第一有机绝缘层111中包含的材料的一部分可以被蒸发并且可以通过第一孔21h和/或第二孔22h被排放到外部。因此，可以防止或减少当不存在第一孔21h和第二孔22h时，从有机绝缘层生成的气体朝向发光元件200移动并影响位于显示区域da的边缘上的一些像素的发光元件200并且光不从发光元件200发射的问题。
145.第二导电层22的边缘可以被像素限定层120或包括与像素限定层120的材料相同的材料的绝缘层覆盖。此外，第二导电层22的多个第二孔22h和第二导电层22的分别围绕多个第二孔22h的边缘可以被第一阻挡件至第三阻挡件410、420和430覆盖。第一阻挡件至第三阻挡件410、420和430可以包括与像素限定层120的材料相同的材料，并且可以在同一掩模工艺中形成。像素限定层120以及第一阻挡件至第三阻挡件410、420和430可以各自包括绝缘材料。
146.因为第二导电层22的第二孔22h和围绕第二孔22h的边缘各自被绝缘材料覆盖，所以可以阻止或减少用于形成第二导电层22的材料(例如，银(ag))的一部分在显示面板1的制造工艺中接收电子并且作为银析出的情况。因此，可以防止或减少当第二导电层22的第二孔22h和围绕第二孔22h的边缘被暴露时，银(ag)在制造工艺中析出并且析出的银引起暗斑的问题。同时，在实施例中，公共电源线20可以与第一导电层21接触，并且第一导电层21可以与第二导电层22接触。第二导电层22可以电连接到对电极230。在一些实施例中，公共层221和223介于第二导电层22与对电极230之间，并且在这种情况下，第二导电层22和对电极230通过公共层221和223彼此电连接。
147.第一阻挡件至第三阻挡件410、420和430可以彼此间隔开。第一阻挡件至第三阻挡件410、420和430可以分别与多个第二孔22h重叠。例如，如图5和图6a中所示，第一阻挡件至第三阻挡件410、420和430可以在x方向上彼此间隔开，并且可以在y方向上延伸以与在y方向上设置的多个第二孔22h重叠。
148.阻挡件400可以控制薄膜封装层300的有机封装层320的流动。当形成有机封装层320时，用于形成有机封装层320的有机材料可以例如在-x方向上朝向基板100的边缘100e流动。在这种情况下，因为如图6a中所示彼此间隔开的多个阻挡件400干扰了有机材料的流动，所以可以控制有机材料的端部在显示面板1中的位置(即有机封装层320的边缘320e的位置)。
149.有机封装层320可以覆盖阻挡件400的至少一部分。例如，如图6a中所示，有机封装层320的边缘320e可以位于第三阻挡件430上。然而，这仅是示例，并且有机封装层320的边缘320e的位置可以根据有机材料的类型以及阻挡件400的数量、设置、间隔等而变化。
150.有机封装层320可以形成为使有机封装层320在显示区域da和与显示区域da邻近的外围区域pa中具有一定的厚度。包括触摸电极的输入感测层和在输入感测层上的光学功能层可以位于薄膜封装层300上。为了在薄膜封装层300上很好地形成输入感测层和光学功能层，薄膜封装层300的有机封装层320必须形成在预定位置，并且必须在特定区域内具有足够均匀的厚度。在形成有机封装层320的工艺中，有机封装层320的厚度可能受有机材料
的位置影响。当有机材料的位置(例如，有机封装层320的边缘320e的位置)大大偏离预定位置时，施加固定量的有机封装层320的有机材料可能无法在特定区域中具有足够的厚度或均匀的厚度。因此，需要准确地且精确地控制有机封装层320的边缘320e的位置。为此，第一阻挡件至第三阻挡件410、420和430可以用于识别有机封装层320的边缘320e的位置。
151.公共层221和223、对电极230和封盖层250中的每一个可以如上所描述的从显示区域da延伸到外围区域pa，并且可以覆盖阻挡件400的至少一部分。公共层221和223的边缘221e和223e、对电极230的边缘230e以及封盖层250的边缘250e可以各自位于外围区域pa中并且可以彼此重叠。
152.边缘221e、223e、230e和250e中的每一个的一部分(即凸形边缘)可以位于阻挡件400上，并且可以被定位成比有机封装层320的边缘320e更靠近基板100的边缘100e。尽管边缘221e、223e、230e和250e在图6a中位于第三阻挡件430上，但是本公开不限于此。边缘221e、223e、230e和250e中的每一个可以位于第一阻挡件410或第二阻挡件420上，可以位于阻挡件400之间或者根据显示面板1的制造工艺中的工艺误差被定位成比阻挡件400更靠近基板100的边缘100e。也就是说，公共层221和223、对电极230和封盖层250中的每一个可以与阻挡件400中的一个至少部分地重叠。
153.根据边缘221e、223e、230e和250e中的每一个的位置，通过使用阻挡件400可能难以识别有机封装层320的边缘320e的位置。可以提出本公开以解决该困难，这将参照图7a和图7b进行描述。
154.隔断墙500可以位于阻挡件400的外部、与基板100的边缘100e邻近的位置处。当形成有机封装层320时，隔断墙500可以防止或减少有机材料被引入到基板100的边缘100e中的情况，从而防止或减少有机封装层320的边缘尾巴的情况。例如，如图6a中所示，隔断墙500可以与公共电源线20部分重叠。
155.如图6a中所示，隔断墙500可包括第一层501、第二层502和第三层503。第一层501可以包括与第一有机绝缘层111的材料相同的材料，第二层502可以包括与第二有机绝缘层113的材料相同的材料，并且第三层503可以包括与像素限定层120的材料相同的材料。隔断墙500可以完全围绕显示区域da，以防止或减少有机封装层320的边缘尾巴的情况。因此，隔断墙500可以具有围绕显示区域da的连续的环形形状。
156.第二导电层22的一部分可以接触无机层。谷部分vp可以穿过位于第二导电层22下方的有机绝缘层(即第一有机绝缘层111和第二有机绝缘层113)，并且第二导电层22的一部分可以通过谷部分vp接触无机绝缘层(例如，保护层109)。
157.因为第一有机绝缘层111和第二有机绝缘层113中的每一个由于谷部分vp而具有断开的结构，所以杂质通过第一有机绝缘层111和第二有机绝缘层113的大部分行进的路径可以被断开。例如，在显示面板1的制造工艺期间生成的杂质或在制造工艺之后穿透的杂质可以通过第一有机绝缘层111和第二有机绝缘层113的大部分朝向显示区域da行进，并且可以使显示区域da的像素px劣化。然而，根据一些示例实施例，因为由于谷部分vp而使杂质行进的路径被断开，所以可以保护像素px的发光元件200不受杂质影响。
158.第一驱动电路dc1可以位于公共电源线20与谷部分vp之间，并且第二驱动电路dc2可以位于谷部分vp与像素电路pc之间。第一驱动电路dc1和第二驱动电路dc2中的每一个可以是用于生成和控制诸如发射控制信号或扫描信号的电信号的驱动器电路。第一驱动电路
dc1和第二驱动电路dc2可以在形成薄膜晶体管tft、存储电容器cap以及连接到薄膜晶体管tft和存储电容器cap的各种布线的工艺中一起形成。
159.因为无机绝缘层110、包括无机材料的保护层109以及薄膜封装层300的第一无机封装层310和第二无机封装层330被堆叠在基板100的端部上，所以可以防止或减少湿气或其他污染物从基板100的边缘100e渗透的情况。
160.参照图6b，公共层221和223的边缘221e和223e中的每一个的一部分(即凹形边缘)、对电极230的边缘230e和封盖层250的边缘250e可以位于谷部分vp上，并且可以被定位成比有机封装层320的边缘320e更远离基板100的边缘100e。因此，公共层221和223、对电极230和封盖层250可以不与阻挡件400的一部分重叠。薄膜封装层300的至少一个无机封装层(例如，第一无机封装层310)可以直接接触阻挡件400的一部分。因此，如下所描述，可以通过阻挡件400更容易地识别形成有机封装层320的有机材料的区域。
161.图7a是图示出根据一些示例实施例的显示面板的一部分的平面图。图7b是图示出根据比较示例的显示面板的一部分的平面图。图7a可以对应于图5的显示面板的部分vii。
162.参照图7a，因为对电极230的边缘230e包括凹形边缘230e1，所以阻挡件400的一部分可以与对电极230重叠，并且阻挡件400的另一部分可以不与对电极230重叠。对电极230和阻挡件400彼此不重叠的区域可以是用于识别有机封装层320的边缘320e的位置的检查区域ia。
163.如上所描述，为了控制有机封装层320的位置，可以在显示面板1的制造工艺中通过使用光学显微镜拍摄显示面板1。例如，可以在垂直于显示面板1的基板100的表面的方向上执行拍摄，并且因此可以获得显示面板1的平面图像。显示面板1的光学图像的与检查区域ia相对应的一部分可以具有相对不同的阴影。这是因为检查区域ia可以对应于凹形区域ca，并且检查区域ia是由于对电极230、公共层221和223和/或封盖层250的不齐的图案而导致阻挡件400不与对电极230、公共层221和223和/或封盖层250重叠的区域。
164.与形成有机封装层320之前的光学图像相比，在形成有机封装层320的工艺期间，当有机封装层320的有机材料位于检查区域ia中时，通过使用光学显微镜获得的光学图像可以具有减少的阴影差异。因此，可以识别有机封装层320的边缘320e的位置。
165.根据一些示例实施例，有机封装层320的边缘320e可以位于多个阻挡件400当中的两个邻近的阻挡件400之间。在这方面，在图7a中，有机封装层320的边缘320e位于第三阻挡件430与第二阻挡件420之间。
166.因为有机封装层320覆盖第一阻挡件410的边缘410e和第二阻挡件420的边缘420e，所以第一阻挡件410的边缘410e和第二阻挡件420的边缘420e的阴影在光学图像上可能看起来不清楚。相反，因为第三阻挡件430的边缘430e未被有机封装层320覆盖，所以第三阻挡件430的边缘430e的阴影在光学图像上可以看起来清楚。因此，可以发现有机封装层320的边缘320e位于第三阻挡件430与第二阻挡件420之间。
167.参照图7b，在比较示例中，当过量施加有机封装层320的有机材料或在施加有机材料的位置发生错误时，有机封装层320的有机材料可以流过第三阻挡件430。在这种情况下，有机封装层320的边缘320e可以被定位成比第三阻挡件430更靠近基板100的边缘100e。在这种情况下，因为有机封装层320覆盖了多个阻挡件400的所有边缘410e、420e和430e，所以多个阻挡件400的边缘410e、420e和430e的所有阴影在光学图像上可能看起来不清楚。因
此，可以确定在形成有机封装层320中是否存在缺陷。
168.当通过以上实施例形成薄膜封装层300时，可以更容易地识别有机封装层320的边缘320e的位置，并且可以准确地且精确地控制有机封装层320的位置。因此，可以使外围区域pa的面积最小化，并且可以减少显示面板1的死区。
169.尽管仅主要描述了显示面板，但是本公开不限于此。例如，制造显示面板的方法也可以落入本公开的范围内。
170.根据一些示例实施例，因为可以准确地控制用于形成有机封装层的液体有机材料，所以可以最小化或减少显示面板中的外围区域所占据的面积。然而，本公开的范围不受该效果的限制。
171.应当理解，本文描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在形式和细节上进行各种改变，而不脱离由所附权利要求限定的精神和范围。