1.本发明涉及稀土磁性材料的技术领域，尤其涉及一种铈铁硼磁体及其制备方法。
背景技术：
2.稀土磁性材料是指磁性材料中含有作为合金元素的稀土金属，随着计算机、通信等领域的快速发展，稀土磁性材料的应用越来越广泛。稀土金属中的铈在地壳元素丰度排名是第25位，制备铈铁硼磁体有利于平衡稀土金属的利用。
3.由于铈铁硼磁体中加入铈，铈的加入会导致磁体的矫顽力、剩磁等性能降低，目前铈铁硼磁体的性能最多可以做到n45，对于要求磁体性能达到n52或以上的使用场景来说，传统的铈铁硼磁体无法满足使用要求。目前高性能的n52磁体往往只能采用钕铁硼制备工艺制备出符合性能要求的n52磁体，但是稀土元素中钕的价格远高于铈的价格，制备钕铁硼磁体成本高，因此需要制备一种满足高性能要求的铈铁硼磁体。
技术实现要素：
4.本发明提供一种高性能铈铁硼磁体及其制备方法，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
5.本发明一方面提供一种高性能铈铁硼磁体，包括主相合金和辅相合金，所述主相合金的组分为(r, ce)
a
fe
b
m
c
b
d
，其中ce为稀土元素铈，r为除铈以外的其它稀土元素中的至少一种；m为al, si, mg,, ti, v, cr, mn, ni, co, cu, zn, ga, zr, nb, w元素中的至少一种；fe为铁元素，b为硼元素；所述辅相合金的组分及质量百分比为r'
x
fe
y
m'
z
b
m
，其中r'为除ce以外其它稀土元素中的至少两种且必须包括nd、dy；m'为al, si, mg, ti, v, cr, mn, ni, co, cu, zn, ga, zr, nb, w元素中的至少一种；fe为铁元素，b为硼元素。
6.在一可实施方式中，所述主相合金中各组分的质量百分比为：29wt%≤a≤32wt%，0.1wt%≤c≤2wt%, 0.9wt%≤d≤1wt%, 其余为b。
7.在一可实施方式中，所述ce在所述主相合金中占1~2wt%。
8.在一可实施方式中，所述辅相合金中各组分的质量百分比为：32wt%≤x≤80wt%，0.1wt%≤z≤2wt%，0.3wt%≤m≤1.0wt%，其余为y。
9.在一可实施方式中，所述辅相合金在高性能铈铁硼磁体中占1~10wt%。
10.本发明另一方面提供一种高性能铈铁硼磁体的制备方法，该方法包括：s1、按照所述主相合金和所述辅相合金的组分及质量百分比分别配料，得到主相合金粉与辅相合金粉；s2、将所述主相合金粉与所述辅相合金粉混合，得到混合合金粉；s3、将所述混合合金粉在惰性气体保护下取向成型，然后在真空状态下，以1000~1100℃进行烧结，制备出高性能铈铁硼磁体，得到毛坯磁体；s4、将经过烧结后得到的毛坯磁体在450~920℃进行时效处理，得到高性能铈铁硼
磁体。
11.在一可实施方式中，所述步骤s4包括一级时效处理和二级时效处理，所述一级时效处理的温度为850~920℃，处理时间为1~3h；所述二级时效处理的温度为450~520℃，处理时间为3~6h。
12.在一可实施方式中，所述步骤s1包括：按照所述主相合金和所述辅相合金的组分及质量百分比分别配料；将所述主相合金的原料与所述辅相合金的原料分别熔炼铸片，铸片再经过破碎、研磨，分别得到粒径为2.5~3.5μm的主相合金粉与辅相合金粉。
13.在一可实施方式中，所述步骤s3中真空度小于1pa。
14.本发明通过制备添加铈的低稀土高磁能积的主相合金，然后在主相合金中添加辅相合金，以改善晶界，促进矫顽力的提高，确保磁体的方形度，使得在加铈的条件下，获得高磁能积高矫顽力的n52产品。
具体实施方式
15.为使本发明的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明的具体实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
16.本发明提供一种高性能铈铁硼磁体，包括主相合金和辅相合金；主相合金的组分为(r, ce)
a
fe
b
m
c
b
d
，其中29wt%≤a≤31wt%，0.1wt%≤c≤2wt%, 0.9wt%≤d≤1wt%, 其余为b；r为除铈以外的其它稀土元素中的至少一种；m为al, si, mg,, ti, v, cr, mn, ni, co, cu, zn, ga, zr, nb, w元素中的至少一种；m元素的原料中不可避免的会出现c、n、o、si、p、s、h中的一种或多种杂质元素。
17.辅相合金的组分及质量百分比为r'
x
fe
y
m'
z
b
m
，其中32wt%≤x≤80wt%，0.1wt%≤z≤2wt%，0.3wt%≤m≤1.0wt%，其余为y；r'为除ce以外其它稀土元素中的至少两种且必须包括nd、dy；m'为al, si, mg, ti, v, cr, mn, ni, co, cu, zn, ga, zr, nb, w元素中的至少一种；m元素的原料中不可避免的会出现c、n、o、si、p、s、h中的一种或多种杂质元素。
18.结合具体实施例对本发明做详细描述。
19.实施例1一种高性能铈铁硼磁体，包括主相合金和辅相合金，其中主相合金占95wt%，辅相合金占5wt%；主相合金的组分及各组分的百分比为：(prnd)
29.0
ce
1.0
fe
68.15
co
0.5
al
0.1
cu
0.1
ga
0.1
zr
0.1
b
0.95
；辅相合金的组分及各组分的百分比为：(prnd)
31.0
dy
1.0
fe
65.28
co
1.0
al
0.4
cu
0.15
ga
0.1
zr
0.15
b
0.92
；该高性能铈铁硼的制备方法，包括：s1、按照所述主相合金和所述辅相合金的组分及质量百分比分别配料，得到主相合金粉与辅相合金粉；具体的，s1.1、按照主相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将主相合金
的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到主相合金液，将主相合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为3.0～3.5μm的主相合金粉；s1.2、按照辅相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将辅相合金的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到辅相合金液，将辅相合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为2.8～3.3μm的辅相合金粉；s2、将所述主相合金粉与所述辅相合金粉按照95:5的比例混合，得到混合合金粉；s3、将混合合金粉置于模具中，在氮气保护下，用垂直磁场方向的施加压力使细粉密实，得到磁体生坯，将生坯置于烧结炉内，在真空状态下（真空度小于1pa），将烧结炉升温至1070～1080℃，并保温5h，保温结束后，将温度降至低于100℃；s4、再继续升温至890℃进行一级时效处理，并在890℃保温2小时；降温至490℃进行二级时效处理，并在490℃保温4小时，冷却至室温后得到高性能铈铁硼磁体。
20.实施例2一种高性能铈铁硼磁体，包括主相合金和辅相合金，其中主相合金占90wt%，辅相合金占10wt%；主相合金的组分及各组分的百分比为：(prnd)
28.0
ce
2.0
fe
68.25
co
0.5
cu
0.1
ga
0.1
zr
0.1
b
0.95
；辅相合金的组分及各组分的百分比为：(prnd)
31.0
dy
1.0
fe
65.28
co
1.0
al
0.4
cu
0.15
ga
0.1
zr
0.15
b
0.92
；该高性能铈铁硼的制备方法，包括：s1、按照所述主相合金和所述辅相合金的组分及质量百分比分别配料，得到主相合金粉与辅相合金粉；具体的，s1.1、按照主相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将主相合金的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到主相合金液，将主相合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为2.5～3.0μm的主相合金粉；s1.2、按照辅相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将辅相合金的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到辅相合金液，将辅相合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为2.8～3.3μm的辅相合金粉；s2、将所述主相合金粉与所述辅相合金粉按照90:10的比例混合，得到混合合金粉；s3、将混合合金粉置于模具中，在氮气保护下，用垂直磁场方向的施加压力使细粉密实，得到磁体生坯，将生坯置于烧结炉内，在真空状态下（真空度小于1pa），将烧结炉升温至1050～1060℃，并保温4h，保温结束后，将温度降至低于100℃；s4、将温度升高至900℃进行一级时效处理，并在900℃保温2小时；再降温至450℃进行二级时效处理，并在450℃保温4小时，冷却至室温后得到高性能铈铁硼磁体。
21.实施例3
一种高性能铈铁硼磁体，包括主相合金和辅相合金，其中主相合金占92wt%，辅相合金占8wt%;主相合金的组分及各组分的质量比为：nd
28.0
gd
0.8
ce
1.2
fe
68.65
mn
0.1
cu
0.1
ga
0.1
ti
0.1
b
0.95
；辅相合金的组分及各组分的质量比为：(prnd)
30.0
dy
1.0
tb
0.5
fe
65.73
co
1.1
al
0.4
cu
0.15
ga
0.1
ni
0.1
b
0.92
；该高性能铈铁硼磁体的制备方法，包括：s1、按照所述主相合金和所述辅相合金的组分及质量百分比分别配料，得到主相合金粉与辅相合金粉；具体的，s1.1、按照主相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将主相合金的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到主相合金液，将主相合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为2.7～3.2μm的主相合金粉；s1.2、按照辅相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将辅相合金的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到辅相合金液，将辅相合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为3.0～3.3μm的辅相合金粉；s2、将所述主相合金粉与所述辅相合金粉按照92:8的比例混合，得到混合合金粉；s3、将混合合金粉置于模具中，在氮气保护下，用垂直磁场方向的施加压力使细粉密实，得到磁体生坯，将生坯置于烧结炉内，在真空状态下（真空度小于1pa），将烧结炉升温至1010～1020℃，并保温5h，保温结束后，将温度降至低于100℃；s4、将温度升高至920℃进行一级时效处理，并在920℃保温2小时；再降温至500℃进行二级时效处理，并在500℃保温4小时，冷却至室温后得到高性能铈铁硼磁体。
22.实施例4一种高性能铈铁硼磁体，包括主相合金和辅相合金，其中主相合金占95wt%，辅相合金占5wt%;主相合金的组分及各组分的质量比为：(prnd)
28.0
ho
0.5
ce
1.2
fe
68.4
co
0.6
cu
0.1
ga
0.1
ni
0.1
b
1.0
；辅相合金的组分及各组分的质量比为：nd
30.0
dy
1.0
tb
0.5
fe
65.7
co
1.1
al
0.4
cu
0.15
ga
0.1
ni
0.1
b
0.95
；该高性能铈铁硼磁体的制备方法，包括：s1、按照所述主相合金和所述辅相合金的组分及质量百分比分别配料，得到主相合金粉与辅相合金粉；具体的，s1.1、按照主相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将主相合金的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到主相合金液，将主相合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为2.8～3.3μm的主相合金粉；s1.2、按照辅相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将辅相合金的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到辅相合金液，将辅相合金液浇铸在通有冷却水的
铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为3.0～3.3μm的辅相合金粉；s2、将所述主相合金粉与所述辅相合金粉按照95:5的比例混合，得到混合合金粉；s3、将混合合金粉置于模具中，在氮气保护下，用垂直磁场方向的施加压力使细粉密实，得到磁体生坯，将生坯置于烧结炉内，在真空状态下（真空度小于1pa），将烧结炉升温至1040～1050℃，并保温5h，保温结束后，将温度降至低于100℃；s4、将温度升高至920℃进行一级时效处理，并在920℃保温2小时；再降温至500℃进行二级时效处理，并在500℃保温4小时，冷却至室温后得到高性能铈铁硼磁体。
23.实施例5一种高性能铈铁硼磁体，包括主相合金和辅相合金，其中主相合金占95wt%，辅相合金占5wt%；主相合金的组分及各组分的百分比为：(prnd)
29.0
ho
0.3
ce
1.0
fe
68.25
cr
0.1
al
0.15
cu
0.1
ga
0.1
w
0.1
b
0.9
；辅相合金的组分及各组分的百分比为：(prnd)
30
dy
1.0
tb
0.8
fe
65.68
co
1.0
mg
0.1
al
0.1
cu
0.15
ga
0.1
zr
0.15
b
0.92
；该高性能铈铁硼的制备方法，包括：s1、按照所述主相合金和所述辅相合金的组分及质量百分比分别配料，得到主相合金粉与辅相合金粉；具体的，s1.1、按照主相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将主相合金的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到主相合金液，将主相合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为2.5～3.0μm的主相合金粉；s1.2、按照辅相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将辅相合金的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到辅相合金液，将辅相合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为2.8～3.3μm的辅相合金粉；s2、将所述主相合金粉与所述辅相合金粉按照95:5的比例混合，得到混合合金粉；s3、将混合合金粉置于模具中，在氮气保护下，用垂直磁场方向的施加压力使细粉密实，得到磁体生坯，将生坯置于烧结炉内，在真空状态下（真空度小于1pa），将烧结炉升温至1070～1080℃，并保温5h，保温结束后，将温度降至低于100℃；s4、将温度升高至900℃进行一级时效处理，并在900℃保温2小时；再降温至500℃进行二级时效处理，并在500℃保温6小时，冷却至室温后得到高性能铈铁硼磁体。
24.实施例6一种高性能铈铁硼磁体，包括主相合金和辅相合金，其中主相合金占90wt%，辅相合金占10wt%；主相合金的组分及各组分的百分比为：(prnd)
29.0
dy
0.3
ce
1.0
fe
67.85
co
0.5
mg
0.1
cu
0.1
ga
0.1
zr
0.1
b
0.95
；辅相合金的组分及各组分的百分比为：(prnd)
30.0
ho
1.0
dy
1.0
fe
66.08
mn
0.2
al
0.4
cu
0.15
ga
0.1
ni
0.15
b
0.92
；
该高性能铈铁硼的制备方法，包括：s1、按照所述主相合金和所述辅相合金的组分及质量百分比分别配料，得到主相合金粉与辅相合金粉；具体的，s1.1、按照主相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将主相合金的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到主相合金液，将主相合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为3.0～3.5μm的主相合金粉；s1.2、按照辅相合金的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将辅相合金的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到辅相合金液，将辅相合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为2.8～3.3μm的辅相合金粉；s2、将所述主相合金粉与所述辅相合金粉按照90:10的比例混合，得到混合合金粉；s3、将混合合金粉置于模具中，在氮气保护下，用垂直磁场方向的施加压力使细粉密实，得到磁体生坯，将生坯置于烧结炉内，在真空状态下（真空度小于1pa），将烧结炉升温至1050～1060℃，并保温4h，保温结束后，将温度降至低于100℃；s4、将温度升高至890℃进行一级时效处理，并在890℃保温2小时；再降温至490℃进行二级时效处理，并在490℃保温4小时，冷却至室温后得到高性能铈铁硼磁体。
25.对比例对比例1一种铈铁硼磁体，磁体的组分及各组分的百分比为：(prnd)
29.0
ce
1.0
fe
68.15
co
0.5
al
0.1
cu
0.1
ga
0.1
zr
0.1
b
0.95
；该铈铁硼的制备方法，包括：s1、按照磁体的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将磁体的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到磁体合金液，将磁体合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为3.0～3.5μm的磁体合金粉；s2、将磁体合金粉置于模具中，在氮气保护下，用垂直磁场方向的施加压力使细粉密实，得到磁体生坯，将生坯置于烧结炉内，在真空状态下（真空度小于1pa），将烧结炉升温至1070～1080℃，并保温5h，保温结束后，将温度降至低于100℃；s3将温度升高至890℃进行一级时效处理，并在890℃保温2小时；再降温至490℃进行二级时效处理，并在490℃保温4小时，冷却至室温后得到铈铁硼磁体。
26.对比例2一种铈铁硼磁体，磁体的组分及各组分的百分比为：(prnd)
28.0
ce
2.0
fe
68.25
co
0.5
cu
0.1
ga
0.1
zr
0.1
b
0.95
；该铈铁硼的制备方法，包括：s1、按照磁体的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将磁体的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到磁体合金液，将磁体合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块
置于气流磨容器内研磨成平均粒度为3.0～3.5μm的磁体合金粉；s2、将磁体合金粉置于模具中，在氮气保护下，用垂直磁场方向的施加压力使细粉密实，得到磁体生坯，将生坯置于烧结炉内，在真空状态下（真空度小于1pa），将烧结炉升温至1070～1080℃，并保温5h，保温结束后，将温度降至低于100℃；s3、将温度升高至890℃进行一级时效处理，并在890℃保温2小时；再降温至490℃进行二级时效处理，并在490℃保温4小时，冷却至室温后得到铈铁硼磁体。
27.对比例3一种铈铁硼磁体，磁体的组分及各组分的百分比为：nd
28.0
gd
0.8
ce
1.2
fe
68.65
mn
0.1
cu
0.1
ga
0.1
ti
0.1
b
0.95
；该铈铁硼的制备方法，包括：s1、按照磁体的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将磁体的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到磁体合金液，将磁体合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为2.7～3.2μm的磁体合金粉；s2、将磁体合金粉置于模具中，在氮气保护下，用垂直磁场方向的施加压力使细粉密实，得到磁体生坯，将生坯置于烧结炉内，在真空状态下（真空度小于1pa），将烧结炉升温至1010～1020℃，并保温5h，保温结束后，将温度降至低于100℃；s3、将温度升高至920℃进行一级时效处理，并在920℃保温2小时；再降温至500℃进行二级时效处理，并在500℃保温4小时，冷却至室温后得到铈铁硼磁体。
28.对比例4一种铈铁硼磁体，磁体的组分及各组分的百分比为：(prnd)
28.0
ho
0.5
ce
1.2
fe
68.4
co
0.6
cu
0.1
ga
0.1
ni
0.1
b
1.0
；该铈铁硼的制备方法，包括：s1、按照磁体的组分以及各组分所占的质量百分比配料，然后将磁体的所有组分加入到真空感应炉内熔炼得到磁体合金液，将磁体合金液浇铸在通有冷却水的铜辊上，得到厚度为0.1～0.5mm的铸片；将铸片置于氢破容器中对铸片进行粗粉碎，粗粉碎后的碎块置于气流磨容器内研磨成平均粒度为2.8～3.3μm的磁体合金粉；s2、将磁体合金粉置于模具中，在氮气保护下，用垂直磁场方向的施加压力使细粉密实，得到磁体生坯，将生坯置于烧结炉内，在真空状态下（真空度小于1pa），将烧结炉升温至1040～1050℃，并保温5h，保温结束后，将温度降至低于100℃；s3、继续将温度升高至920℃进行一级时效处理，并在920℃保温2小时；再降温至500℃进行二级时效处理，并在500℃保温4小时，冷却至室温后得到铈铁硼磁体。
29.性能测试磁性能检测：参照gb/t3217
‑
2013《永磁（硬磁）材料磁性试验方法》进行检测；表1性能测试结果 剩 磁
ꢀꢀꢀꢀ
br（kgs）磁感矫顽力hcb(koe） 内禀矫顽力
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hcj（koe）最大磁能积(bh)m（mgoe）实施例114.2712.4812.7449.45实施例214.1312.3512.6948.47实施例314.0712.5212.8948.05实施例414.3012.5912.8649.63
实施例514.1013.0713.3748.25实施例614.1412.9513.2948.53对比例114.3111.0711.4349.70对比例214.3110.1910.5249.59对比例314.1311.0211.3548.46对比例414.3511.1911.5649.88
本技术实施例通过制备添加铈的低稀土高磁能积的主相合金，然后在主相合金中添加辅相合金，以改善晶界，促进矫顽力的提高，确保磁体的方形度，使得在加铈的条件下，获得高磁能积高矫顽力的铈铁硼磁体。对比例与实施例的区别在于对比例制备的铈铁硼磁体中未加入辅相合金。根据表1中实施例1与对比例1，实施例2与对比例2，实施例3与对比例3以及实施例4与对比例4的各项磁性能结果表明，实施例的磁性能均优于对比例，说明在含铈的主相合金中添加辅相合金，能够制备出高性能铈铁硼磁体。
30.以上结合具体实施例描述了本技术的基本原理，但是，需要指出的是，在本技术中提及的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本技术的各个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用，而非限制，上述细节并不限制本技术为必须采用上述具体的细节来实现。
31.本技术中涉及的诸如“包括”、“包含”、“具有”等等的词语是开放性词汇，指“包括但不限于”，且可与其互换使用。这里所使用的词汇“或”和“和”指词汇“和/或”，且可与其互换使用，除非上下文明确指示不是如此。这里所使用的词汇“诸如”指词组“如但不限于”，且可与其互换使用。
32.还需要指出的是，在本技术的方法中，各步骤是可以分解和/或重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本技术的等效方案。
33.提供所公开的方面的以上描述以使本领域的任何技术人员能够做出或者使用本技术。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员而言是非常显而易见的，并且在此定义的一般原理可以应用于其他方面而不脱离本技术的范围。因此，本技术不意图被限制到在此示出的方面，而是按照与在此公开的原理和新颖的特征一致的最宽范围。
34.为了例示和描述的目的已经给出了以上描述。此外，此描述不意图将本技术的实施例限制到在此公开的形式。尽管以上已经讨论了多个示例方面和实施例，但是本领域技术人员将认识到其某些变型、修改、改变、添加和子组合。