显示设备

显示设备
1.本技术是申请日为2016年3月4日、申请号为201610124291.4的发明专利申请“显示设备”的分案申请。
技术领域
2.一个或更多个示例实施例涉及一种设备和方法，更具体地说，涉及一种显示设备和制造该显示设备的设备和方法。


背景技术：

3.半导体装置、显示设备和其他电子装置包括多个薄膜。已经开发出形成薄膜的若干方法，在这方面的一个示例是气相沉积。
4.在气相沉积中，将一种或更多种气体用作用于形成薄膜的源材料。可以将气相沉积分类为化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)等。
5.在ald中，将源材料注入到ald设备中，然后吹扫或泵送。然后，使单分子层或多分子层附于基底，将另一种材料注入到ald设备中，并吹扫或泵送，从而按所期望地形成单原子层或多原子层。
6.在显示设备中，有机发光显示设备具有宽视角、良好的对比度和快速的响应速度，从而作为下一代显示设备引起关注。
7.有机发光显示设备包括第一电极、与第一电极相对的第二电极和位于第一电极与第二电极之间的中间层，有机发光显示设备还可以包括一个或更多个薄膜。在这种情况下，可以通过沉积来形成薄膜。
8.然而，由于有机发光显示设备的尺寸已经增大并且对高分辨率显示设备的需求已经增加，所以难以按所期望地沉积大的薄膜。另外，存在对于提高形成薄膜的工艺效率的限制。


技术实现要素：

9.一个或更多个示例实施例的一个或更多个方面包括显示设备以及制造该显示设备的方法和设备。
10.另外的方面将在随后的描述中部分地被阐述，并且部分地，将通过所述描述变得清楚，或者可通过所提出的实施例的实践而获知。
11.根据一个或更多个示例实施例，显示设备包括：基底；显示单元，形成在基底上；薄膜包封层，形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层，无机层包括第一子无机层，该第一子无机层包括包含铝(al)、锌(zn)、锆(zr)和铪(hf)中的至少两种(从铝(al)、锌(zn)、锆(zr)和铪(hf)中选择的至少两种)的复合氧化物。
12.无机层可以包括第二子无机层，第二子无机层包括与第一子无机层中的复合氧化物不同的复合氧化物。
13.第二子无机层可以堆叠在第一子无机层上。
14.薄膜包封层还可以包括堆叠在无机层上的有机层。
15.基底可以包括聚酰亚胺。
16.第一子无机层可以是非晶的。
17.第一子无机层的厚度可以小于或等于10nm。
18.无机层可以还可以包括第二子无机层，第二子无机层堆叠在第一子无机层上并且包括金属氧化物和金属氮化物中的一种(从金属氧化物和金属氮化物中选择的一种)。
19.根据一个或更多个示例实施例，显示设备包括：基底；显示单元，形成在基底上；薄膜包封层，形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层，无机层包括：第一子无机层，包括氧化铝(al2o3)、氧化锌(zno)、氧化锆(zro2)和氧化铪(hfo2)中的一种；第二子无机层，包括al2o3、zno、zro2和hfo2中的另一种。
20.根据一个或更多个示例实施例，用于制造显示设备的设备包括：室；喷头，安装在室中并被构造为喷射处理气体；气体供应器，被构造为向喷头供应处理气体；基底支撑体，安装在室中并被构造为支撑基底。喷头被构造为形成无机层，该无机层包括包含铝(al)、锌(zn)、锆(zr)和铪(hf)中的至少两种的复合氧化物。
21.喷头可以包括：第一喷射单元；邻近于第一喷射单元布置的第二喷射单元。由第一喷射单元和第二喷射单元喷射的处理气体可以彼此不同。
22.第一喷射单元和第二喷射单元可以同时地(例如，同步地)喷射处理气体。
23.第一喷射单元和第二喷射单元可以顺序地喷射处理气体。
24.气体供应器可以包括：第一气体供应器，被构造为向喷头供应处理气体中的一些处理气体；第二气体供应器，与第一气体供应器分开地形成并被构造成供应处理气体中的与由第一气体供应器所供应的处理气体不同的其他处理气体。
25.第二气体供应器可以连接到第一气体供应器，处理气体可以被混合，然后供应到喷头。
26.基底支撑体可以面向喷头并且相对于喷头移动。
27.根据一个或更多个实施例，制造显示设备的方法包括如下步骤：将其上形成有显示单元的基底装载到室中；通过从外部装置接收处理气体经过原子层沉积(ald)来在显示单元上形成无机层。无机层由包括铝(al)、锌(zn)、锆(zr)和铪(hf)中的至少两种的复合氧化物形成。
28.无机层的形成可以包括：形成包括复合氧化物的第一子无机层；形成包括与形成第一子无机层的复合氧化物不同的复合氧化物的第二子无机层。
29.无机层的形成可以包括：形成包括复合氧化物的第一子无机层；形成包括金属氮化物和金属氧化物中的一种的第二子无机层。
30.无机层可以是非晶的。
31.无机层的厚度可以小于或等于10nm。
32.基底可以由聚酰亚胺形成。
33.所述方法还可以包括在无机层上堆叠有机层。
34.无机层可以是包括不同材料的多层。
35.根据一个或更多个示例实施例，制造显示设备的方法包括如下步骤：将其上形成有显示单元的基底装载到室中；通过从外部装置接收处理气体经过原子层沉积(ald)来在
显示单元上形成无机层。所述形成方法包括如下步骤：在显示单元上形成第一子无机层，所述第一子无机层包括从由氧化铝(al2o3)、氧化锌(zno)、氧化锆(zro2)和氧化铪(hfo2)组成的组中选择的一种；在第一子无机层上堆叠第二子无机层，第二子无机层包括从由al2o3、zno、zro2和hfo2组成的组中选择的另一种。
36.可以通过使用系统、方法、计算机程序或其组合来实现这些普遍的和特定的实施例。
附图说明
37.通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他的方面将会变得清楚和更容易理解，在附图中：
38.图1是用于制造根据示例实施例的显示设备的设备的概念图；
39.图2是示出由图1的设备制造的显示装置的示例的一部分的剖视图；
40.图3是用于说明图2的显示设备的性能的曲线图；
41.图4是用于制造根据另一示例实施例的显示设备的设备的概念图；
42.图5是图4的设备的喷头的一部分的概念图；
43.图6是示出由图4的设备制造的显示设备的示例的一部分的剖视图；
44.图7是示出由图4的设备制造的显示设备的另一示例的一部分的剖视图；
45.图8是示出由图4的设备制造的显示设备的另一示例的一部分的剖视图；
46.图9是用于说明图8的显示设备的性能的曲线图。
具体实施方式
47.由于本发明构思允许各种改变和多种示例实施例，因此具体的示例实施例将在附图中示出并在书面描述中被更详细地描述。参照示出发明构思的示例实施例的附图，以便获得对发明构思、发明构思的优点以及通过发明构思的实施来实现的目标的充分理解。然而，发明构思可按照许多不同的形式来实施并且不应该被解释为限于在此阐述的示例实施例。
48.在下文中，将通过参照附图解释发明构思的示例实施例来更详细地描述发明构思。在附图中，同样的附图标记指示同样的元件。
49.将理解的是，虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区别一个组件与另一个组件。
50.如在这里使用的，除非上下文清楚地另有指示，否则单数形式的“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也意在包括复数形式。
51.还将理解的是，这里使用的术语“包括”和/或“包含”指存在所声明的特征或组件，但是并不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。
52.将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一个层、区域或组件“上”时，它可以直接或间接形成在该另一个层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。
53.为了便于说明，可夸大附图中的组件的尺寸。换句话说，由于为了便于说明而任意示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的示例实施例并不局限于此。
54.在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
55.当可以有区别地实现某个示例实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者按照与所描述的顺序相反的顺序执行连续地描述的两道工艺。
56.图1是用于制造根据示例实施例的显示设备的设备100的概念图，图2是示出由图1的设备制造的显示装置的示例的一部分的剖视图，图3是用于说明图2的显示设备的性能的曲线图。
57.参照图1到图3，设备100可以包括室110、气体供应器120、喷头130、基底支撑体140和排放单元150。
58.室110可以具有内部空间并且在某些部分处具有用于连接到外部装置的开口。在这种情况下，开口可以包括被构造为打开或关闭开口的例如闸阀的装置或结构。
59.气体供应器120被安装在室110的外部并且可以向室110内部供应处理气体。处理气体可包括各种类型(种类)的合适气体。例如，处理气体可包括第一处理气体、第二处理气体和吹扫气体。在这种情况下，第一处理气体可以是包含铝(al)原子的气体，诸如三甲基铝(tma)。另外，第一处理气体可以是包含锆(zr)原子的气体，诸如四(二甲基氨基)锆。第一处理气体可以是包含铪(hf)原子的气体，诸如四(二甲基氨基)铪(tdmah)。第一处理气体可以是包含锌(zn)原子的气体，诸如二乙基锌(mez)。
60.第二处理气体可以是包含氧的一氧化二氢(h2o)、二氧化物(o2)、一氧化二氮(n2o)等。另外，吹扫气体可以是诸如氩(ar)、氦(he)或氖(ne)的惰性气体。
61.气体供应器120可以包括：第一气体供应器121，用于供应第一处理气体；第二气体供应器122，用于供应第一处理气体；第三气体供应器123，用于供应第二处理气体；第四气体供应器124，用于供应吹扫气体。在这种情况下，由第一气体供应器121供应的第一处理气体可以与由第二气体供应器122供应的第一处理气体不同。
62.作为另一个示例，气体供应器120可包括：第一气体供应器121，用于供应第一处理气体；第二气体供应器122，用于供应第一处理气体；第三气体供应器123，用于供应第一处理气体；第四气体供应器124，供应第二处理气体；第五气体供应器(未示出)，用于供应吹扫气体。在这种情况下，由第一气体供应器121至第三气体供应器123供应的第一处理气体可以彼此不同。例如，由第一气体供应器121供应的第一处理气体可以包含tma。另外，由第二气体供应器122供应的第一处理气体可以包含四(二甲基氨基)锆。由第三气体供应器123供应的第一处理气体可以包含tdmah。在下文中，为了方便，将主要描述气体供应器120包括第一气体供应器121至第四气体供应器124的情况。
63.喷头130可以安装在室110中。在这种情况下，喷头130可以包括第一气体供应器121至第四气体供应器124。另外，喷头130可以通过向处理气体施加热能或者将处理气体的某些部分转换成等离子体来促进反应。
64.喷头130可分别连接到第一气体供应器121至第四气体供应器124。在这种情况下，第一气体供应器121和第二气体供应器122分别布置在室110外部并可向喷头130供应第一处理气体和第二处理气体的混合物。另外，第三气体供应器123单独布置在室110外部并且可以向喷头130供应第三处理气体。在这种情况下，第三处理气体可以在喷头130或室110内
与第一处理气体和第二处理气体混合。反之，第四气体供应器124单独布置在室110外部并且可以向喷头130供应吹扫气体。在这种情况下，可以经由喷头130向室110单独供应吹扫气体。另外，吹扫气体被供应到喷头130的内部，从而使内部气体可以排放到外部或者吹扫气体可以经由喷头130供应到室110的内部。作为另一示例，可以经由喷头130向室110的内部仅供应吹扫气体。
65.喷头130可以包括被构造为向室110中喷射处理气体的喷嘴。在这种情况下，喷嘴可以是穿透喷头130的孔型(例如，可以是通口或通孔)。
66.基底支撑体140可以支撑其上形成有显示单元d的基底210。在这种情况下，根据一个或更多个示例实施例，基底支撑体140可以包括能够加热基底210的加热器(未示出)。在下文中，为了方便，将主要描述基底支撑体140不包括加热器的情况。
67.基底支撑体140可以相对于喷头130移动。例如，喷头130可以被固定到室110，基底支撑体140可以线性地移动。作为另一个示例，喷头130和基底支撑体140可以线性地移动。作为另一个示例，基底支撑体140可以被固定到室110，喷头130可以线性地移动。在下文中，为了方便，将更详细地描述喷头130被固定到室110，基底支撑体140线性地移动的情况。
68.基底支撑体140可以线性地移动。例如，基底支撑体140可以在室110的第一方向上线性地移动。另外，基底支撑体140可以在室110的第二方向上线性地移动。在这种情况下，第一方向可以与第二方向不同。例如，第一方向可以垂直于第二方向。具体地，第一方向可以是室110的高度方向，第二方向可以是宽度(长度)方向。
69.排放单元150连接到室110并可以将气体从室110排放到外部。排放单元150连接到室110并可以包括用于引导气体的导向管151以及安装在导向管151中的泵152。
70.针对设备100的操作，可以从外部将其上形成有显示单元d的基底210装载到室110中。在这种情况下，基底210可以经由机器臂、梭子等传送到室110。
71.显示单元d可以形成在基底210上。在这种情况下，显示单元d包括薄膜晶体管(tft)、被形成为覆盖tft的钝化层270和形成在钝化层270上的有机发光二极管(oled)280。在下文中，将更详细地描述显示设备200。
72.基底210可以包括塑料或聚酰亚胺(pi)。在下文中，为了方便，将更详细地描述基底210包括pi的情况。
73.包括有机化合物和/或无机化合物的缓冲层220也形成在基底210上并可以包括氧化硅(sio
x
)(x≥1)和氮化硅(sin
x
)(x≥1)。
74.在缓冲层220上形成以一组或预定的图案布置的有源层230之后，有源层230被栅极绝缘层240覆盖或掩埋。有源层230包括源区231、漏区233以及位于源区231和漏区233之间的沟道区232。
75.有源层230可以包括各种合适的材料。例如，有源层230可包含诸如非晶硅或晶体硅的无机半导体材料。作为另一个示例，有源层230可包含氧化物半导体材料。作为另一个示例，有源层230可包含有机半导体材料。在下文中，为了便于解释，将更详细地描述有源层230包括非晶硅的情况。
76.在缓冲层220上形成非晶硅层之后，使非晶硅层结晶以形成晶体硅层并可以通过使晶体硅层图案化来形成有源层230。有源层230的源区231和漏区233掺杂有与将要形成的tft(诸如驱动tft、开关tft等)的类型(种类)对应的杂质。
77.与有源层230对应的栅电极250和覆盖或掩埋栅电极250的中间绝缘层260形成在栅极绝缘层240上。
78.接触孔h1形成在中间绝缘层260和栅极绝缘层240中，形成在中间绝缘层260上的源电极271和漏电极272分别与源区231和漏区233接触。
79.钝化层270形成在tft上，oled 280的像素电极281形成在钝化层270上。像素电极281经由形成在钝化层270中的通孔h2与tft的漏电极272接触。钝化层270可以由无机和/或有机材料形成并可以是单层或多层。钝化层270可以是平坦化层，其中，该平坦化层具有与其下表面是平坦的还是不平坦的无关的平坦的上表面，或者具有与其下表面的不平坦部分对应的不平坦部分的上表面。在一个实施例中，使用透明的绝缘材料形成钝化层270以实现共振效应。
80.在钝化层270上形成像素电极281之后，由有机和/或无机材料形成像素限定层290以覆盖像素电极281和钝化层270，并且形成开口以暴露像素电极281。
81.中间层282和对电极283至少形成在像素电极281上。
82.像素电极281用作阳极，对电极283用作阴极，或者反之亦然。
83.像素电极281借助中间层282与对电极283绝缘，通过向中间层282施加具有不同极性的电压，有机发射层可以发光。
84.中间层282可以包括有机发射层。作为选择性示例，中间层282包括有机发射层并且还可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)中的至少一个层(从这些层中选择的至少一个层)。
85.单位像素包括多个子像素，子像素可以发射各种颜色的光。例如，单位像素可以包括分别发射红光、绿光和蓝光的子像素和/或分别发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素。
86.薄膜包封层e可以包括多个无机层、无机层和/或有机层、和/或多个有机层。
87.薄膜包封层e的有机层包括聚合物并且可以是单层或堆叠层，该单层或堆叠层包括从聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯组成的组中选择的至少一种。可选地，有机层可以包括聚丙烯酸酯，更详细地讲，有机层可以包括包含二丙烯酸酯类单体和三丙烯酸酯类单体的聚合单体组分。单体组分还可包括单丙烯酸酯类单体。另外，单体组分还可包括诸如tpo的任何合适的光引发剂，但不限制于此。
88.薄膜包封层e的无机层可以是包括金属复合氧化物、金属氧化物和金属氮化物中的至少一种的单层或堆叠层。
89.薄膜包封层e的暴露于外部的最上层可以是无机层，以防止湿气渗入oled 280。
90.薄膜包封层e可以具有包括位于至少两个无机层之间的至少一个有机层的至少一个夹层结构。作为另一个示例，薄膜包封层e可以具有包括位于至少两个有机层之间的至少一个无机层的至少一个夹层结构。作为另一个示例，薄膜包封层e可以具有包括位于至少两个无机层之间的至少一个有机层的至少一个夹层结构以及至少一个无机层被设置在至少两个有机层之间的至少一个夹层结构。
91.薄膜包封层e可以自oled 280的上表面起顺序地包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。
92.作为另一个示例，薄膜包封层e可以自oled 280的上表面起顺序地包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
93.作为另一个示例，薄膜包封层e可以自oled 280的上表面起顺序地包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
94.在oled 280与第一无机层之间还可以包括包含氟化锂(lif)的卤化金属层。当通过溅射形成第一无机层时，该卤化金属层可以防止oled受到损坏。
95.第一有机层的面积可以小于第二无机层的面积，第二有机层的面积可以小于第三无机层的面积。
96.在下文中，为了方便起见，将更详细地描述薄膜包封层e包括第一无机层u1、第一有机层o1和第二无机层u2的情况。
97.第一无机层u1和第二无机层u2中的至少一个可以包括复合氧化物，该复合氧化物包括铝(al)、锌(zn)、锆(zr)和铪(hf)中的至少两种。例如，第一无机层u1和第二无机层u2中的一个由上述复合氧化物形成，第一无机层u1和第二无机层u2中的另一个包括金属氧化物或金属氮化物。作为另一个示例，第一无机层u1和第二无机层u2包括上述复合氧化物。在下文中，由于第一无机层u1和第二无机层u2包括复合氧化物并且相同或相似地形成，所以为了方便，将更详细地描述第一无机层u1。
98.第一无机层u1可以包括复合氧化物，该复合氧化物包括al、zn、zr和hf中的至少两种。
99.例如，第一无机层u1可以包括包含al、zn、zr和hf中的两种(从al、zn、zr和hf中选择的两种)的复合氧化物。具体地讲，在上述情况下，每个元素可以共享氧原子并且可以以(a,b)
x
o
y
形式存在。这里，a可以是al、zn、zr和hf中的一个；b可以是al、zn、zr和hf中的另一个。另外，x和y可以是自然数。
100.例如，第一无机层u1可以包括包含al和zn的复合氧化物。另外，第一无机层u1可以包括包含al和zr的复合氧化物。第一无机层u1可以包括包含al和hf的复合氧化物。在这种情况下，第一无机层u1不限于此并且可以包括包含al、zn、zr和hf中的两种的复合氧化物。
101.作为另一个示例，第一无机层u1可以包括包含al、zn、zr和hf中的三种的复合氧化物。具体地讲，在上述情况下，每个元素可以共享氧原子并且可以以(a,b,c)
x
o
y
形式存在。这里，a可以是al、zn、zr和hf中的一个；b可以是al、zn、zr和hf中的另一个；c可以是al、zn、zr和hf中的又一个。另外，x和y可以是自然数。
102.例如，第一无机层u1可以包括包含al、zn和zr的复合氧化物。另外，第一无机层u1可以包括包含al、zn和hf的复合氧化物。在这种情况下，第一无机层u1不限于此并且可以包括包含al、zn、zr和hf中的三种的复合氧化物。
103.如上所述，第一无机层u1可以是单层或多层。
104.更详细地讲，当第一无机层u1是单层时，第一无机层u1可以包括第一子无机层s1。在这种情况下，第一子无机层s1可以包括上述复合氧化物中的至少一种。例如，第一子无机层s1可以包括包含al和zr的复合氧化物。作为另一示例，第一子无机层s1可以是单层，该单层包括包含al和zr的复合氧化物以及包含zr和hf的复合氧化物。
105.当第一无机层u1是多层时，第一无机层u1可以包括第一子无机层和第二子无机层。在这种情况下，第一子无机层和第二子无机层中的至少一个可以包括上述复合氧化物。
106.例如，第一子无机层和第二子无机层可以包括复合氧化物。在这种情况下，第一子无机层和第二子无机层可以包括不同的复合氧化物。例如，第一子无机层可由包括al和zr
的复合氧化物形成，第二子无机层可包括包含al和hf的复合氧化物。在这种情况下，第一子无机层和第二子无机层不限于此并且可包括包含al、zn、zr和hf的各种适当组合的复合氧化物。
107.作为另一个示例，第一子无机层和第二子无机层中的一个包括上述复合氧化物，第一子无机层和第二子无机层中的另外一个包括金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。例如，第一子无机层可以包括包含al和zr的复合氧化物，第二子无机层可以包括氧化铝(al2o3)。在这种情况下，上述金属氧化物和金属氮化物可以包括用于形成用于显示设备的薄膜包封层的无机层的其他材料。
108.作为另一个示例，第一无机层u1可以包括包含复合氧化物的多个第一子无机层和包括单一金属氧化物或单一金属氮化物的多个第二子无机层。
109.在下文中，为了方便，将更详细地描述第一无机层u1包括包含单一复合氧化物的第一子无机层s1的情况。另外，为了方便，将更详细地描述第一子无机层s1包括包含al和zr的复合氧化物的情况。
110.第一有机层o1和第二无机层u2可以顺序地堆叠在第一子无机层s1上。在这种情况下，第一有机层o1和第二无机层u2与上述第一有机层o1和第一无机层u1相同或相似，因此，将省略其详细的描述。
111.根据制造显示设备200的方法，在基底210上形成显示单元d，然后可以将基底210装载到室110中。在这种情况下，可以通过使用机器臂、梭子等装载基底210。
112.可以将装载到室110中的基底210安装在基底支撑体140上。在这种情况下，基底支撑体140可以在室110的高度方向(或第二方向)上线性地移动。另外，第一气体供应器121和第二气体供应器122可以分别向喷头130供应第一处理气体和第二处理气体。在这种情况下，从第二气体供应器122供应到喷头130的第二处理气体可以在第二处理气体被供应到室110的内部之前与第一处理气体混合。例如，由于第二气体供应器122连接到第一气体供应器121，所以可以向喷头130供应第一处理气体和第二处理气体的混合物。在这种情况下，第一处理气体和第二处理气体可包括诸如氮气(n2)的不活泼载体实例。
113.可以经由喷头130将第一处理气体和第二处理气体的混合物喷射到基底210上，第四气体供应器124可以向喷头130喷射吹扫气体。
114.另外，第三气体供应器123经由喷头130喷射第三处理气体，从而在显示单元d和基底210上形成第一子无机层s1。因此，可以形成第一无机层u1。
115.在上述情况下，向第三处理气体施加能量，以促进第三处理气体与第一处理气体和第二处理气体的反应。例如，电源供应器162向电极161供应电力，因而可以将第三处理气体转化为等离子体。在这种情况下，作为另一个示例，可以通过基底支撑体140的加热器加热基底、直接向第三处理气体施加热能等来促进第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体的反应。另外，可以在不单独向第三处理气体施加能量的情况下促进反应。在下文中，将更详细地描述将第三处理气体转换成等离子体以促进反应的情况。
116.如上所述，在形成第一子无机层s1的同时，基底支撑体140和喷头130可以相对于彼此移动。例如，基底支撑体140可以在室110的宽度方向(长度方向或第一方向)上线性地移动。因此，由于基底支撑体140的线性的运动使得第一子无机层s1可以均匀地形成在显示单元d和基底210上。
117.第一子无机层s1的厚度可以小于或等于10nm。在这种情况下，第一子无机层s1可以是非晶的。更详细地讲，如果第一子无机层s1的厚度大于10nm，则第一子无机层s1中的金属材料结晶，因此，在第一子无机层s1中会产生裂纹或内部空间。具体地讲，如果第一子无机层s1的厚度大于10nm，当显示设备200被弯曲或折叠时，第一子无机层s1受损，因此，不能确保显示设备200的柔性。
118.在完成上述工艺之后，可以将基底210传送至外部或者至连接到室110的另一个室，然后可以在第一无机层u1上沉积第一有机层o1。另外，在形成第一有机层o1之后，在第一有机层o1上沉积与第一无机层u1具有相同材料的第二无机层u2，从而可以在显示单元d上形成薄膜包封层e。
119.在执行上述工艺的同时，排放单元150可以将气体从室110排放到外部。另外，当将基底210装载到室110中时，排放单元150可以将室110的内部压力调整为与大气压力相同。
120.与现有的显示设备相比，上述显示设备200可以具有更好的湿气屏障和透光性能。更详细地讲，图3示出钙测试的结果，钙测试用于确定直到实现因渗入湿气屏障薄膜的湿气导致的完全氧化的时间。在这种情况下，测量直到实现完全氧化的时间。认为，当导电的钙被湿气氧化后转变为氧化钙(cao)从而钙的导电性降低时，实现完全氧化。更详细地讲，测得时间越长，湿气屏障薄膜的湿气屏障性能越好。在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下执行上述测试。
121.参照图3的结果，包括纯al2o3并具有均匀厚度的薄膜经受湿气大约22小时，但复合氧化物薄膜经受湿气大约50小时或更多。具体地讲，不论形成复合氧化物薄膜的al和zr的质量比如何，复合氧化物薄膜都具有比包括al2o3的现有薄膜更好的湿气屏障性能。另外，复合氧化物薄膜的湿气屏障性能是由al2o3形成的薄膜的湿气屏障性能的至少两倍高。
122.因此，由设备100制造的显示设备200、设备100以及上述方法可以具有改善的湿气屏障性能。另外，由设备100制造的显示设备200、设备100以及上述方法可以具有提高的耐久性，并且薄膜包封层e的厚度可以减小或最小化。
123.图4是根据另一示例实施例的用于制造显示设备的设备100a的概念图，图5是图4的设备100a的喷头130的一部分的概念图，图6是示出由图4的设备100a制造的显示设备的示例的一部分的剖视图。
124.参照图4到图6，设备100a可以包括室110a、气体供应器120a、喷头130a、基底支撑体140a和排放单元150a。在这种情况下，室110a、基底支撑体140a和排放单元150a分别与参照图1到图3描述的室110、基底支撑体140和排放单元150相同或相似，因此，将省略其详细的描述。
125.气体供应器120a可以包括第一气体供应器121a、第二气体供应器122a、第三气体供应器123a、第四气体供应器124a和第五气体供应器125a。在这种情况下，第一气体供应器121a到第四气体供应器124a分别与上述的第一气体供应器121到第四气体供应器124相同或相似，因此，将省略其详细的描述。
126.第五气体供应器125a可以供应与第一处理气体到第三处理气体不同的第五处理气体。在这种情况下，第五处理气体可以分别与第一处理气体和第二处理气体相同或相似，因此，将省略其详细的描述。
127.喷头130a可以包括第一喷射单元131a、第二喷射单元131b和第三喷射单元131c。
在这种情况下，第一喷射单元131a连接到第一气体供应器121a并可以喷射第一处理气体。另外，第二喷射单元131b连接到第二气体供应器122a并可以喷射第二处理气体。第三喷射单元131c连接到第五气体供应器125a并可以喷射第五处理气体。
128.第一喷射单元131a至第三喷射单元131c可以彼此邻近地布置。在这种情况下，第一喷射单元131a至第三喷射单元131c中的每个喷射单元的数量可以变化。具体地讲，每第一至第三喷射单元131a至131c形成组，可以在喷头130a上重复地形成所述组。在这种情况下，第一喷射单元131a至第三喷射单元131c相同地形成在喷头130a的表面上，因而可以均匀地保持第一处理气体、第二处理气体和第五处理气体的稀释浓度。
129.根据制造显示设备200
‑
1的方法，将基底210
‑
1装载在室110a上并安装在基底支撑体140a上，然后可以在显示单元d
‑
1和基底210
‑
1上形成第一无机层u1
‑
1。更详细地讲，可以在显示单元d
‑
1和基底210
‑
1上形成第一子无机层s1
‑
1。
130.经由喷头130a供应第一处理气体和第二处理气体，并且可以经由第一喷射单元131a和第二喷射单元131b将第一处理气体和第二处理气体喷射到显示单元d
‑
1和基底210
‑
1上。在这种情况下，可以将第一处理气体和第二处理气体分别供应给第一喷射单元131a和第二喷射单元131b。另外，在第一喷射单元131a喷射第一处理气体的同时，第二喷射单元131b可以同时地(例如，同步地)在显示单元d
‑
1和基底210
‑
1上喷射第二处理气体。作为另一个示例，在第一喷射单元131a和第二喷射单元131b中的一个喷射处理气体之后，第一喷射单元131a和第二喷射单元131b中的另一个可以喷射另一种处理气体。在下文中，为了方便，将更详细地描述第一喷射单元131a和第二喷射单元131b同时地(例如，同步地)喷射第一处理气体和第二处理气体的情况。
131.如上所述，在第一处理气体和第二处理气体被供应到第一喷射单元131a和第二喷射单元131b之后，第三气体供应器123a经由喷头130a将吹扫气体喷射到显示单元d
‑
1和基底210
‑
1上，并且可以将从第四气体供应器124a供应的第三处理气体喷射到显示单元d
‑
1和基底210
‑
1上。然后，可以通过由第三气体供应器123a经由喷头130a喷射吹扫气体来完成第一子无机层s1
‑
1的形成。
132.第一子无机层s1
‑
1可以包括与第一处理气体和第二处理气体的类型(种类)一致的各种合适的复合氧化物。例如，第一子无机层s1
‑
1可以包括包含al、zn、zr和hf中的至少两种的复合氧化物。在下文中，为了方便，将更详细地描述第一子无机层s1
‑
1包括包含al和zr的复合氧化物的情况。
133.可以在第一子无机层s1
‑
1上堆叠第二子无机层s2
‑
1。在这种情况下，第二子无机层s2
‑
1可以包括与第一子无机层s1
‑
1的复合氧化物不同的复合氧化物。例如，第二子无机层s2
‑
1可以包括包含al、zn、zr和hf中的至少两种的复合氧化物。在下文中，为了方便，将更详细地描述第二子无机层s2
‑
1包括包含al和hf的复合氧化物的情况。
134.第二子无机层s2
‑
1可以与第一子无机层s1
‑
1相似。例如，第一气体供应器121a和第五气体供应器125a可以经由第一喷射单元131a和第三喷射单元131c将第一处理气体和第五处理气体喷射到显示单元d
‑
1和基底210
‑
1上。在这种情况下，可以经由第一喷射单元131a和第三喷射单元131c同时地(例如，同步地)或者顺序地喷射第一处理气体和第五处理气体。在下文中，为了方便，将更详细地描述经由第一喷射单元131a和第三喷射单元131c同时地(例如，同步地)喷射第一处理气体和第五处理气体的情况。
135.另外，可以将从第三气体供应器123a供应的吹扫气体经由喷头130a喷射到显示单元d
‑
1和基底210
‑
1上。第四气体供应器124a可以将第三处理气体经由喷头130a喷射到显示单元d
‑
1和基底210
‑
1上。
136.在完成上述工艺之后，第二子无机层s2
‑
1可以被堆叠在第一子无机层s1
‑
1上。在这种情况下，第一子无机层s1
‑
1和第二子无机层s2
‑
1可以形成第一无机层u1
‑
1。
137.可以在第一无机层u1
‑
1上形成第一有机层o1
‑
1和第二无机层u2
‑
1。在这种情况下，第二无机层u2
‑
1可以包括第一子无机层s1
‑
1。具体地讲，第二无机层u2
‑
1的第一子无机层s1
‑
1可以与第一无机层u1
‑
1的第一子无机层s1
‑
1相同，因此，将省略其详细的描述。
138.在完成第二无机层u2
‑
1的形成之后，可以通过在显示单元d
‑
1上放置薄膜包封层e
‑
1而使显示单元d
‑
1与外部完全阻断。
139.因此，显示设备200
‑
1可以具有改善的湿气屏障性能。具体地讲，由于第一子无机层s1
‑
1和第二子无机层s2
‑
1(均)以非晶形态(相)密集地形成，所以显示设备200
‑
1可以有效地保护显示单元d
‑
1免受从外部渗透的湿气和/或氧气的影响。即，在一个实施例中，第一子无机层s1
‑
1和第二子无机层s2
‑
1均是非晶的。
140.另外，根据制造显示设备200
‑
1的方法和设备100a，简单并快速地制造第一子无机层s1和第二子无机层s2，从而改善制造效率。另外，显示设备200
‑
1可以具有改善的湿气屏障性能并且可以大规模制造。
141.图7是示出由图4的设备制造的显示设备200
‑
2的另一示例的一部分的剖视图。
142.参照图7，显示设备200
‑
2可以包括基底210
‑
2、显示单元d
‑
2和薄膜包封层e
‑
2。在这种情况下，基底210
‑
2和显示单元d
‑
2分别与参照图1到图3描述的基底210和显示单元d相同或相似，因此，将省略其详细的描述。
143.薄膜包封层e
‑
2可以包括无机层和有机层。在下文中，为了方便，将更详细地描述薄膜包封层e
‑
2包括第一无机层u1
‑
2、第一有机层o1
‑
2和第二无机层u2
‑
2的情况。
144.第一无机层u1
‑
2可以包括第一子无机层s1
‑
2和第二子无机层s2
‑
2。在这种情况下，第一子无机层s1
‑
2和第二子无机层s2
‑
2中的一个可以由包括al、zn、zr和hf中的至少两种的复合氧化物形成。另外，第一子无机层s1
‑
2和第二子无机层s2
‑
2中的另一个可以包括金属氧化物和/或金属氮化物。在下文中，为了方便，将更详细地描述第一子无机层s1
‑
2包括复合氧化物并且第二子无机层s2
‑
2包括金属氧化物的情况。
145.在基底210
‑
2上形成显示单元d
‑
2之后，可以在显示单元d
‑
2和基底210
‑
2上形成第一无机层u1
‑
2。更详细地讲，可以通过在显示单元d
‑
2和基底210
‑
2上喷射第一处理气体和第二处理气体，然后在显示单元d
‑
2和基底210
‑
2上顺序地喷射吹扫气体、第三处理气体，然后再次喷射吹扫气体来形成第一子无机层s1
‑
2。
146.另外，可以通过在显示单元d
‑
2和基底210
‑
2上喷射第一处理气体，然后顺序地喷射吹扫气体、第三处理气体，然后再次喷射吹扫气体来形成第二子无机层s2
‑
2。在这种情况下，第三处理气体可以是氨气等，以通过使用金属氮化物来形成第二子无机层s2
‑
2。
147.当如上所述地形成第一子无机层s1
‑
2和第二子无机层s2
‑
2时，由于形成第一子无机层s1
‑
2和第二子无机层s2
‑
2的材料，使得第一子无机层s1
‑
2和第二子无机层s2
‑
2之间可以形成复合氧化物。
148.在形成第一无机层u1
‑
2之后，可以顺序地形成第一有机层o1
‑
2和第二无机层u2
‑
2。在这种情况下，第二无机层u2
‑
2可以包括第一子无机层s1
‑
2和第二子无机层s2
‑
2。
149.更详细地说，可以将第二无机层u2
‑
2形成为与第一无机层u1
‑
2相对。例如，可以通过在第一子无机层s1
‑
2上堆叠第二子无机层s2
‑
2来形成第一无机层u1
‑
2。相反，可以通过在第一有机层o1
‑
2上形成第二子无机层s2
‑
2，然后在第二子无机层s2
‑
2上形成第一子无机层s1
‑
2来形成第二无机层u2
‑
2。在这种情况下，形成第二无机层u2
‑
2的第一子无机层s1
‑
2和第二子无机层s2
‑
2的方法与形成第一无机层u1
‑
2的第一子无机层s1
‑
2和第二子无机层s2
‑
2的方法相同，因此，将省略其详细的描述。
150.在完成上述工艺之后，可以在显示单元d
‑
2和基底210
‑
2上形成薄膜包封层e
‑
2。
151.因此，显示设备200
‑
2可以具有改善的湿气屏障性能。具体地讲，由于第一子无机层s1
‑
2和第二子无机层s2
‑
2(均)以非晶形态(相)密集地形成，所以显示设备200
‑
2可以有效地保护显示单元d
‑
2免受从外部渗透的湿气和/或氧气的影响。
152.另外，根据上述显示设备和方法，可以通过简单并快速地形成第一子无机层s1
‑
2和第二子无机层s2
‑
2来提高制造效率。此外，根据上述显示设备和方法，设备200
‑
2可以具有改善的湿气屏障性能并且可以大规模制造。
153.图8是示出由图4的设备100a制造的显示设备200
‑
3的另一示例的一部分的剖视图，图9是用于解释图8的显示设备200
‑
3的性能的曲线图。
154.参照图8，显示设备200
‑
3可以包括基底210
‑
3、显示单元d
‑
3和薄膜包封层e
‑
3。在这种情况下，基底210
‑
3和显示单元d
‑
3的描述与上面的描述相同，因此将不再重复。
155.薄膜包封层e
‑
3可以包括第一无机层u1
‑
3、第一有机层o1
‑
3和第二无机层u2
‑
3。在这种情况下，第一有机层o1
‑
3的描述与上面的描述相同，因此将不再重复。
156.第一无机层u1
‑
3可以包括第一子无机层s1
‑
3和第二子无机层s2
‑
3。在这种情况下，第一子无机层s1
‑
3可以由氧化铝(al2o3)、氧化锌(zno)、氧化锆(zro2)和氧化铪(hfo2)中的一种形成。另外，第二子无机层s2
‑
3可以由al2o3、zno、zro2和hfo2中的另一种形成。即，第一子无机层s1
‑
3和第二子无机层s2
‑
3可以由不同的金属氧化物形成。
157.针对形成第一子无机层s1
‑
3的方法，可以通过向显示单元d
‑
3和基底210
‑
3上喷射第一处理气体，然后向显示单元d
‑
3和基底210
‑
3上顺序地喷射吹扫气体、第三处理气体和吹扫气体来形成第一子无机层s1
‑
3。
158.另外，可以通过向显示单元d
‑
3和基底210
‑
3上喷射第二处理气体，然后向显示单元d
‑
3和基底210
‑
3上顺序地喷射吹扫气体、第三处理气体和吹扫气体来形成第二子无机层s2
‑
3。
159.第一子无机层s1
‑
3和第二子无机层s2
‑
3可以由各种金属氧化物形成。在下文中，为了方便，将更详细地描述第一子无机层s1
‑
3由al2o3形成并且第二子无机层s2
‑
3由zro2形成的情况。
160.在如上所述形成第二子无机层s2
‑
3之后，可以形成第二无机层u2
‑
3。在这种情况下，第二无机层u2
‑
3可以由包括al、zn、zr和hf中的至少两种的复合氧化物形成。如上所述形成复合氧化物，因此，将省略其详细的描述。
161.在如上所述形成第一无机层u1
‑
3、第一有机层o1
‑
3和第二无机层u2
‑
3之后，可以在显示单元d
‑
3和基底210
‑
3上形成薄膜包封层e
‑
3。在这种情况下，薄膜包封层e
‑
3可以阻挡或保护显示单元d
‑
3免受外部的影响。
162.图9示出对第一无机层u1
‑
3执行的湿气屏障测试的结果。参照图9，与由仅al2o3、zro2或氧化钛(tio2)形成的(不具有复合氧化物的)现有层相比，第一无机层u1
‑
3的湿气屏障性能是现有层的湿气屏障性能的至少两倍高。在这种情况下，可以在与上述情况相同的条件下执行测试。
163.因此，显示设备200
‑
3可以具有改善的湿气屏障性能。具体地讲，由于第一子无机层s1
‑
3和第二子无机层s2
‑
3均以非晶形态(相)密集地形成，所以显示设备200
‑
3可以有效地保护显示单元d
‑
3免受从外部渗透的湿气和/或氧气的影响。
164.另外，可以通过制造显示设备的设备和方法简单并快速地形成第一子无机层s1
‑
3和第二子无机层s2
‑
3，来提高针对显示设备200
‑
3的制造效率。此外，显示设备200
‑
3可以具有改善的湿气屏障性能并且可以大规模制造。
165.如上所述，根据上述示例实施例的一个或更多个，通过使用上述设备和方法可以将显示设备制造成具有改善的湿气屏障性能。
166.当诸如
“……
中的一个”、
“……
中的两个”、
“……
中的至少一个”或
“……
中的至少两个”的表述在一列元件之后时，该表述修饰整列元件而不修饰该列中的单个元件。此外，当描述本发明的实施例时，“可以(可)”的使用是指“本发明的一个或更多个实施例”。
167.另外，这里引用的任何数值范围意图包括被纳入所引用范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括在所引用的最小值1.0和所引用的最大值10.0之间(包括边界值)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如，以2.4至7.6为例。这里引用的任何最大数值限制意图包括被纳入其中的所有较低的数值限制，在说明书中引用的任何最小数值限制意在包括被纳入其中的所有较高的数值限制。因此，申请人有权修改权利要求书及说明书，以明确地引用被纳入在此明确引用的范围内的任何子范围。
168.如这里使用的，可以认为术语“使用”及其变型分别与术语“利用”及其变型同义。
169.将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”时，该元件或层可直接在其他元件或层上，或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。与此相反，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”时，不存在中间元件或中间层。
170.可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件固件和硬件的组合来实现根据这里描述的本发明的实施例的显示设备、用于制造显示设备的设备和/或任何其他相关设备或组件。例如，设备的各种组件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或独立的ic芯片上。另外，[装置]的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现或者在一个基底上形成。另外，设备的各种组件可以是在执行计算机程序指令并且与用于执行在此描述的各种功能的其他系统组件交互的一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，该存储器可以通过使用标准存储装置(诸如，以随机存取存储器(ram)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令也可以被存储在其他非暂时性计算机可读介质(诸如，以cd
‑
rom、闪存盘等为例)中。另外，本领域技术人员应该认识到的是，在不脱离本发明的示例性实施例的范围的情况下，可以将各种计算装置的功能结合或集成到单个计算装置，或者可以将特定计算装置的功能分布至横跨一个或更多个其他计算装置。
[0171]
应该理解的是，应仅以描述性意义而非出于限制的目的来考虑在此描述的示例实
施例。每个示例实施例之内的特征和方面的描述通常应该被认为可用于其他示例实施例中的其他相似的特征或方面。
[0172]
虽然已经参照附图描述了一个或更多个示例实施例，但本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。