半导体封装装置及其制造方法与流程

1.本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。


背景技术：

2.随着智能移动终端的发展，其功能越来越多样，相应地ic(integrated circuit，集成电路)整合便更加重要。为了是产品尺寸更小，将主动元件(active components，或称有源元件)和被动元件(passive components，或称无源元件)埋入基板中是一种主要的做法，埋入基板可以有效减少电传输路径，进一步将功率损耗降低，以便于将各种功能的ic整合成一颗小型的产品封装(package)。
3.为了将元件内埋入基板，需要相应地在基板内设置腔体以容纳内埋元件，并且为了固定腔体内的各内埋元件，需要在容纳腔体内填充胶体。
4.由于各种内埋元件、基板本身以及填充胶体之间可能具有不同的cte(coefficient of thermal expansion，热膨胀系数)，这将导致产品出现翘曲(warpage)可能性，而翘曲可能带来气泡(bubble)、脱层(delamination)、断裂(crack)等产品问题。而随着基板内埋元件数量的增多，相应地需要基板内的容纳腔体体积也要相应增大。而容纳腔体体积增大后，需要的填胶量将更多，这将导致更多和更大程度的翘曲、气泡、脱层、断裂等问题，进而降低产品良率。


技术实现要素：

5.本公开提出了半导体封装装置及其制造方法。
6.第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：内埋线路基板，所述内埋线路基板具有第一区域，所述第一区域包括至少一个内埋元件区域和至少一个结构支撑区域，所述内埋元件区域内设置有至少一个内埋功能元件，所述结构支撑区域内设置有结构支撑件。
7.在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：第一基板上线路层，设置于所述内埋线路基板上，且电性连接各所述内埋功能元件。
8.在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：基板下线路层，设置于所述内埋线路基板下，所述基板下线路层通过各所述内埋功能元件电性连接所述第一基板上线路层。
9.在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：第二基板上线路层，设置于所述第一基板上线路层上，所述第二基板上线路层的线宽/线距小于所述第一基板上线路层的线宽/线距。
10.在一些可选的实施方式中，所述结构支撑件为设置于所述内埋元件区域内的内埋虚设元件，所述内埋虚设元件被所述内埋元件区域内的内埋功能元件包围。
11.在一些可选的实施方式中，所述内埋虚设元件与所述内埋线路基板的基板材料相同。
12.在一些可选的实施方式中，所述内埋虚设元件具有电性连接所述内埋虚设元件的上下表面的第一电镀通孔。
13.在一些可选的实施方式中，所述结构支撑件为所述内埋线路基板中接触所述内埋元件区域的基板。
14.在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：支撑件区域导电结构，设置于所述内埋线路基板对应所述结构支撑件的上表面和/或下表面，任一所述内埋功能元件与所述支撑件区域导电结构之间的最短距离小于各所述内埋功能元件中任两个内埋功能元件之间的最远距离。
15.在一些可选的实施方式中，各所述内埋元件区域内还设置有第一介电层。
16.在一些可选的实施方式中，所述第一介电层设置于所述内埋元件区域内的各内埋功能元件之间。
17.在一些可选的实施方式中，所述第一介电层还设置于所述内埋元件区域内的各内埋功能元件与各所述结构支撑区域之间。
18.在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：
19.阻焊层，设置于所述基板下线路层下表面。
20.第二方面，本公开提供了一种制造半导体封装装置的方法，包括：提供核心基板和至少一个内埋功能元件，所述核心基板上下表面分别设置有导电层；在所述核心基板上形成至少一个内埋元件区域和至少一个结构支撑区域；将各所述内埋功能元件分别设置在各所述内埋元件区域内，以及在各所述结构支撑区域内形成结构支撑件。
21.在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：在所述内埋线路基板上设置第一基板上线路层，以使所述第一基板上线路层电性连接各所述内埋功能元件。
22.在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：在所述第一基板上线路层上设置第二基板上线路层，以使所述第二基板上线路层电性连接所述第一基板上线路层。
23.在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：在所述内埋线路基板下设置基板下线路层，以使所述基板下线路层电性连接各所述内埋功能元件。
24.为了解决现有内埋线路基板中存在不同cte材料可能导致的翘曲等产品问题，本公开提供的半导体封装装置和方法，通过在内埋线路基板中设置内埋元件区域和结构支撑区域，在内埋元件区域内设置内埋功能元件，在结构支撑区域内设置有结构支撑件，相对于现有技术中只在内埋线路基板中设置一个腔体且在这个腔体内设置所有内埋功能元件而言，通过内埋元件区域和结构支撑区域的配合，可以减少内埋元件区域的体积，即用于容纳内埋功能元件的容纳腔体的体积，进而减少内埋元件区域内填充胶的数量，以减少填充胶与基板之间脱层的风险。另外，结构支撑区域设置的结构支撑件还可以提高内埋线路基板的刚性，进而降低产品翘曲、脱层、断裂等风险，提高产品良率。
附图说明
25.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
26.图1a是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例1a的纵向截面结构示意图；
27.图1b是现有技术内埋线路基板的一个实施例的水平截面的结构示意图；
28.图1c、1d、1e和1f分别是相对于图1b所示的现有技术中的内埋线路基板对应的、与图1a所示的半导体封装装置1a中内埋线路基板11中第一区域对应的水平截面的不同结构示意图；
29.图1g是图1f所示的内埋线路基板11中支撑件区域导电结构11122的一个实施例的纵向截面结构示意图；
30.图1h是现有技术内埋线路基板的又一个实施例的水平截面的结构示意图；
31.图1i和1j分别是相对于图1h所示的现有技术中的内埋线路基板对应的、与图1a所示的半导体封装装置1a中内埋线路基板中第一区域对应的水平截面的不同结构示意图；
32.图1k是图1j所示的内埋虚设元件11112的一个实施例的俯视放大示意图；
33.图1l是图1k所示的内埋虚设元件11112中虚设元件导电结构111121的一个实施例的纵向截面结构示意图；
34.图1m是图1k所示的内埋虚设元件11112中虚设元件导电结构111121的又一个实施例的纵向截面结构示意图；
35.图1n是相对于图1h所示的现有技术中的内埋线路基板对应的、与图1a所示的半导体封装装置1a中内埋线路基板11中第一区域对应的水平截面的又一个实施例的结构示意图；
36.图2a
‑
2l是根据本公开的一个实施例半导体封装装置1a在各个阶段制造的半导体封装装置2a
‑
2l的纵向截面结构示意图。
37.符号说明：
38.11
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内埋线路基板；111
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第一区域；1111
‑
内埋元件区域；11111
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内埋功能元件；11112
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内埋虚设元件；111121
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虚设元件导电结构；111122
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第一电镀通孔；11113
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第一介电层；1112
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结构支撑区域；11121
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结构支撑件；11122
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支撑件区域导电结构；111122
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第一电镀通孔；12
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第一基板上线路层；13
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基板下线路层；14
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第二基板上线路层；15
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阻焊层；16
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核心基板；17
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金属层；18
‑
开孔；19
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金属层；20
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塞孔油墨；21
‑
暂时性粘合层。
具体实施方式
39.下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
40.需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本公开可实施的范畴。
41.还需要说明的是，本公开的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，而水平截面可以为对应上视图方向截面。
42.另外，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
43.参考图1a，其中，图1a示出了根据本公开的半导体封装装置的一个实施例1a的纵向截面结构示意图。
44.如图1a所示，半导体封装装置1a包括：内埋线路基板11。其中，内埋线路基板11具有第一区域(图1a中未示出)，第一区域包括至少一个内埋元件区域1111和至少一个结构支撑区域(图1a中未示出)。内埋元件区域1111内设置有至少一个内埋功能元件11111，结构支撑区域(图1a中未示出)内设置有结构支撑件(图1a中未示出)。
45.这里，内埋线路基板11可以是各种类型的基板(substrate)，本公开对此不做具体限定。
46.内埋线路基板11可包括有机物和/或无机物，其中有机物例如可以是：聚酰胺纤维(polyamide，pa)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、环氧树脂(epoxy)、聚对苯撑苯并二噁唑(poly
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p
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phenylene benzobisoxazole，pbo)纤维、fr
‑
4环氧玻璃布层压板、pp(prepreg，预浸材料或称为半固化树脂、半固化片)、abf(ajinomoto build
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up film)等，而无机物例如可以是硅(si)，玻璃(glass)，陶瓷(ceramic)，氧化硅，氮化硅，氧化钽等。
47.内埋线路基板11还可以是例如印刷电路板，比如纸基铜箔层合物、复合铜箔层合物或聚合物浸渍的玻璃纤维基铜箔层合物等。
48.内埋线路基板11还可包括互连结构(interconnection)，比如导电迹线(conductive trace)、导电导孔(conductive via)等。这里，导电导孔可以是通孔、埋孔或盲孔，且通孔、埋孔或盲孔中可以填充例如金属或金属合金的导电材料，这里，金属例如可以是金(au)、银(ag)、铝(al)、镍(ni)、钯(pd)、铜(cu)或其合金。
49.内埋线路基板11中可以包括至少一个内埋元件区域1111。
50.内埋元件区域1111中设置的内埋功能元件11111可以是各种类型的元器件。例如，内埋功能元件11111可以是各种有源元件或者无源元件。其中，有源元件例如可以是各种芯片(例如，逻辑功能芯片、存储芯片、通信芯片、微处理器芯片、图形芯片、微机电系统(mems，micro
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electro
‑
mechanical system)芯片、射频芯片、裸片或芯片尺度封装、插入物或其组合等)。无源元件例如可以是电容、电阻、电感等。
51.内埋线路基板11中可以包括至少一个结构支撑区域(图1a中未示出)。
52.结构支撑区域(图1a中未示出)中设置的结构支撑件可以是各种具有结构支撑作用的元器件，其可以是单独的元器件，也可以是内埋线路基板11的基板的组成部分，用于在各个内埋元件区域1111以及不同内埋元件区域1111之间起到支撑作用。
53.半导体封装装置1a中，通过在内埋线路基板11中设置内埋元件区域1111和结构支撑区域，在内埋元件区域1111内设置内埋功能元件11111，在结构支撑区域内设置有结构支撑件，相对于现有技术中只在内埋线路基板中设置一个腔体且在这个腔体内设置所有内埋功能元件而言，通过内埋元件区域和结构支撑区域的配合，可以减少内埋元件区域的体积，即用于容纳内埋功能元件的容纳腔体的体积，进而减少内埋元件区域内填充胶的数量，以减少填充胶与基板之间脱层的风险。另外，结构支撑区域设置的结构支撑件还可以提高内埋线路基板的刚性，进而降低产品翘曲、脱层、断裂等风险，提高产品良率。
54.在一些可选的实施方式中，如图1a所示，半导体封装装置1a还可以包括：第一基板
上线路层12，其设置于内埋线路基板11上，且电性连接各内埋功能元件11111。如此，内埋功能元件11111可以通过第一基板上线路层12实现与内埋线路基板11上方外界其他元器件的电性连接。
55.在一些可选的实施方式中，如图1a所示，半导体封装装置1a还可以包括：基板下线路层13，其设置于内埋线路基板11下。基板下线路层13通过各内埋功能元件11111电性连接第一基板上线路层12。如此，内埋功能元件11111可以通过基板下线路层13实现与内埋线路基板11下方外界其他元器件的电性连接。另外，还可以实现将内埋线路基板11的上下之间实现电性连接。
56.在一些可选的实施方式中，如图1a所示，半导体封装装置1a还可以包括：第二基板上线路层14，其设置于第一基板上线路层12上。这里，第二基板上线路层14电性连接第一基板上线路层12，且第二基板上线路层14的线宽/线距(l/s，line/space)小于第一基板上线路层12的线宽/线距。这样，通过设计l/s更小的第二基板上线路层14，可以实现提高各内埋功能元件11111对外的i/o(input/output，输入/输出)数。
57.第一基板上线路层12、基板下线路层13和第二基板上线路层14可以是由导电材料和介电材料(dielectric)组成的线路层。需要说明的是，制程上可以采用当前已知或未来开发的线路图案形成技术形成第一基板上线路层12、基板下线路层13和第二基板上线路层14，本公开对此不做具体限定，例如可采用包括但不限于光刻、电镀(plating)、化学镀(electroless plating)等形成第一基板上线路层12、基板下线路层13和第二基板上线路层14。这里，介电材料可包括有机物和/或无机物，其中有机物例如可以是：聚酰胺纤维(polyamide，pa)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、环氧树脂(epoxy)、聚对苯撑苯并二噁唑(poly
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p
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phenylene benzobisoxazole，pbo)纤维、fr
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4环氧玻璃布层压板、pp(prepreg，预浸材料或称为半固化树脂、半固化片)、abf(ajinomoto build
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up film)等，而无机物例如可以是硅(si)，玻璃(glass)，陶瓷(ceramic)，氧化硅，氮化硅，氧化钽等。导电材料可包括种子层和金属层。这里，种子层例如可以是钛(ti)，钨(w)，镍(ni)等，而金属层例如可以是金(au)、银(ag)、铝(al)、镍(ni)、钯(pd)、铜(cu)或其合金。
58.在一些可选的实施方式中，如图1a所示，半导体封装装置1a还可以包括：阻焊层15，其可设置于基板下线路层13下表面。阻焊层15用于对基板下线路层13下表面不需对外暴露的部分提高保护。
59.在一些可选的实施方式中，各内埋元件区域1111内还可以设置有第一介电层11113。这里，第一介电层11113可以是各种介电材料，用于实现各内埋功能元件11111之间的电性隔离。例如，第一介电层11113可以是各种非导电胶(ncp，non
‑
conductive paste)。
60.在一些可选的实施方式中，第一介电层11113可设置于内埋元件区域1111内的各内埋功能元件11111之间。
61.在一些可选的实施方式中，第一介电层11113还可设置于内埋元件区域1111内的各内埋功能元件11111与各结构支撑区域1112之间。
62.下面参考图1b，图1b是现有技术内埋线路基板的一个实施例的水平截面的结构示意图。如图1b所示，内埋线路基板11中仅具有一个内埋元件区域1111，内埋元件区域1111内设置有至少一个内埋功能元件11111，不同内埋功能元件11111之间，以及内埋功能元件11111与内埋线路基板11之间均设置有第一介电层11113，其例如可以是非导电填充胶。
63.在一些可选的实施方式中，结构支撑件11121可以为内埋线路基板11中接触内埋元件区域1111的基板。请参考图1c、1d和1e，图1c、1d和1e分别是相对于图1b所示的现有技术中的内埋线路基板11对应的、与图1a所示的半导体封装装置1a中内埋线路基板11中第一区域111对应的水平截面的不同结构示意图。如图1c、1d和1e所示，图1c、1d和1e所示的内埋线路基板11中第一区域111分别设置了2个、3个和4个内埋元件区域1111，且相应的2个、3个和4个内埋元件区域1111中容纳了与现有技术中图1b所示的内埋线路基板11中相同的内埋功能元件11111。图1c、1d和1e所示的内埋线路基板11的第一区域111中相邻两内埋元件区域1111之间的内埋线路基板部分即可形成结构支撑区域1112，结构支撑区域1112内设置有结构支撑件11121，这里结构支撑件11121也是内埋线路基板11的基板的组成部分。图1c、1d和1e所示的内埋线路基板11相对于现有技术中图1b所示的线路基板，设置同样多的内埋功能元件11111，但每个内埋元件区域1111的面积和体积都相应减小，因而每个内埋元件区域1111内填充的非导电胶体积将有所减少，进而每个内埋元件区域1111内填充胶体和内埋功能元件1111之间的累积应力也将降低，进而可减少因每个内埋元件区域1111内不同材料之间的cte差异和应力累积可能导致的脱层、断裂等问题，提高产品良率。另外，设置大于等于两个内埋元件区域1111，相对于现有技术中图1b所示的内埋线路基板11，每个内埋元件区域1111内的内埋功能元件11111距离内埋元件区域1111的外边界距离更近，散热路径更短，更有利于散热。
64.下面参考图1f，图1f是相对于图1b所示的现有技术中的内埋线路基板对应的、与图1a所示的半导体封装装置1a中内埋线路基板11中第一区域对应的水平截面的又一个实施例的结构示意图。图1f所示的内埋线路基板11中第一区域111类似于图1e所示的内埋线路基板11中第一区域111，不同之处在于：图1f所示的内埋线路基板11中第一区域111还包括：支撑件区域导电结构11122，其设置于内埋线路基板11对应结构支撑件11121的上表面和/或下表面，任一内埋功能元件11111与支撑件区域导电结构11122之间的最短距离小于各内埋功能元件11111中任两个内埋功能元件11111之间的最远距离。
65.在一些可选的实施方式中，如图1g所示，图1g是图1f所示的内埋线路基板11中支撑件区域导电结构11122的一个实施例的纵向截面结构示意图。从图1g中可以看出，支撑件区域导电结构11122包括设置在内埋线路基板11对应结构支撑件11121的上表面、下表面以及贯穿内埋线路基板11的导电通孔，上述导电通孔中可以设置有塞孔油墨20，避免空气残留到上述导电通孔中。通过该支撑件区域导电结构11122，可以实现通过导电通孔将结构支撑区域1112上表面的信号传输到结构支撑区域1112的下表面，导电路径变短。另外该支撑件区域导电结构11122由于具有导电特性相应地散热效果也较好，因此还可以作为散热件，将结构支撑区域1112的热量传导到外部。
66.下面参考图1h，图1h是现有技术内埋线路基板的一个实施例的水平截面的结构示意图。如图1h所示，内埋线路基板11中仅具有一个内埋元件区域1111，内埋元件区域1111内设置有至少一个内埋功能元件11111，各内埋功能元件11111所组成的区域中存在空白区域，该空白区域设置有第一介电层11113且未设置内埋功能元件11111。
67.请参考图1i，图1i是相对于图1h所示的现有技术中的内埋线路基板对应的、与图1a所示的半导体封装装置1a中内埋线路基板11中第一区域111对应的一个实施例的水平截面的结构示意图。如图1i所示，图1i所示的内埋线路基板11中设置了4个内埋元件区域
1111，且相应的4个内埋元件区域1111中容纳了与现有技术中图1h所示的内埋线路基板11中相同的内埋功能元件11111。图1i所示的内埋线路基板11中相邻两内埋元件区域1111之间的内埋线路基板部分即可形成结构支撑区域1112，结构支撑区域1112内设置有结构支撑件11121，这里结构支撑件11121也是内埋线路基板11的基板的组成部分。
68.图1i所示的内埋线路基板11相对于现有技术中图1h所示的内埋线路基板11，设置同样多的内埋功能元件11111，但每个内埋元件区域1111的面积和体积都相应减小，因而每个内埋元件区域1111内填充的非导电胶体积将有所减少，进而每个内埋元件区域1111内填充胶体和内埋功能元件11111之间的累积应力也将降低，进而可减少因每个内埋元件区域1111内不同材料之间的cte差异和应力累积可能导致的脱层、断裂等问题，提高产品良率。另外，设置大于等于两个内埋元件区域1111，相对于现有技术中图1h所示的内埋线路基板11，每个内埋元件区域1111内的内埋功能元件11111距离内埋元件区域1111的外边界距离更近，散热路径更短，更有利于散热。
69.请参考图1j，图1j是相对于图1h所示的现有技术中的内埋线路基板对应的、与图1a所示的半导体封装装置1a中内埋线路基板11中第一区域对应的又一个实施例的水平截面的结构示意图。如图1j所示，图1j所示的内埋线路基板11中设置了3个内埋元件区域1111，且相应的3个内埋元件区域1111中容纳了与现有技术中图1h所示的内埋线路基板11中相同的内埋功能元件11111。图1j所示的内埋线路基板11中结构支撑区域1112位于内埋元件区域1111内部，相应地，结构支撑件11121为设置于结构支撑区域1112即也设置于内埋元件区域1111内的内埋虚设元件11112，内埋虚设元件11112被内埋元件区域1111内的内埋功能元件11111包围。内埋虚设元件11112可以是不具备具体功能的元件(例如，内埋虚设元件11112可以是内埋线路基板11的基板的一部分)，用于对内埋元件区域1111提供支撑，可以避免内埋元件区域1111内结构支撑区域1112所在位置填充胶体所带来的应力累积和cte差异问题。可选地，如图1j所示的内埋线路基板11中第一区域111还可以包括：支撑件区域导电结构11122，可以设置在任两个内埋区域1111之间。
70.图1j所示的内埋线路基板11相对于图1i所示的内埋线路基板11而言，通过将结构支撑区域1112设置在内埋元件区域1111内部，减少了内埋线路区域1111和结构支撑区域1112的总体占用面积，可以减小产品尺寸。
71.在一些可选的实施方式中，内埋虚设元件11112与内埋线路基板11的基板材料相同。这样，可以更大程度上提高内埋元件区域1111的刚性，减少产品脱层、断裂等风险，提高产品良率。在一些实施例中，内埋虚设元件11112也可以与内埋功能元件11111的材料相同或相近，但并不具备内埋功能元件11111的功能。
72.在一些可选的实施方式中，请参考图1k，图1k是图1j所示的内埋虚设元件11112的一个实施例的俯视放大示意图。如图1k所示，内埋虚设元件11112可以具有设置于内埋虚设元件11112的上表面和下表面的虚设元件导电结构111121。
73.下面参考图1l，图1l是图1k所示的内埋虚设元件11112中虚设元件导电结构111121的一个实施例的纵向截面结构示意图。如图1l所示，内埋虚设元件11112还可以包括电性连接内埋虚设元件11112的上下表面虚设元件导电结构111121的第一电镀通孔111122。如此，内埋虚设元件11112的上下表面之间可以实现电性连接，进而可以通过内埋虚设元件11112实现对内埋元件区域1111的上下表面之间实现电性连接，以缩短电连接路
径。或者，因为内埋虚设元件11112的上下表面之间电性连接对应的导电结构往往散热效果较好，也可以提高内埋虚设元件11112的散热效果。
74.下面参考图1m，图1m是图1k所示的内埋虚设元件11112中虚设元件导电结构111121的又一个实施例的纵向截面结构示意图。如图1m所示，内埋虚设元件11112也可以只包括上下表面设置的虚设元件导电结构111121，即内埋虚设元件11112也可以只包括上下表面设置的虚设元件导电结构111121之间不存在电性连接关系。
75.下面参考图1n，图1n是相对于图1h所示的现有技术中的内埋线路基板对应的、与图1a所示的半导体封装装置1a中内埋线路基板11中第一区域对应的一个实施例的水平截面的结构示意图。如图1n所示，相对于图1h所示的内埋线路基板11，在图1h所示的内埋线路基板11中内埋元件11111的外围原本设置第一介电层11113(例如，非导体填充胶)的四个角落位置，图1n所示的内埋线路基板11中内埋元件区域1111的外围四个角落位置设置了四个不同的结构支撑区域1112，且每个结构支撑区域1112内设置有结构支撑件11121。这里，结构支撑件11121可以是内埋线路基板11的基板部分，也可以是各种虚设元件(dummy component)，用于对内埋元件区域1111进行支撑，起到增强内埋线路基板11的结构刚性的作用。
76.下面参考图2a
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2l，图2a
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2l是根据本公开的一个实施例半导体封装装置1a在各个阶段制造的半导体封装装置2a
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2l的纵向截面结构示意图。为了更好地理解本公开的各方面，已简化各图。
77.参考图2a，提供核芯基板(core substrate)16，以及在核心基板16上形成开孔18。
78.这里，核心基板16上下表面均设置有金属层17。而核心基板16上形成开孔18例如可采用开孔器根据实际产品需要进行开孔。
79.参考图2b，在开孔18表面电镀形成金属层19。
80.参考图2c，在开孔18内填充塞孔油墨20。
81.这样，可以防止空气残留在开孔18内。
82.参考图2d，对金属层17进行蚀刻。
83.制程上例如可以采用干刻法或者湿刻法。
84.参考图2e，在核心基板16上形成内埋元件区域1111和结构支撑区域。
85.具体可以根据实际产品需要开出符合需求的数量和形状的内埋元件区域1111和结构支撑区域。例如，当需要开孔时，可以采用开孔器以形成内埋元件区域1111和结构支撑区域。
86.参考图2f，将核心基板16取放到暂时性粘合层21上。
87.参考图2g，将内埋功能元件11111取放到内埋元件区域1111对应的暂时性粘合层21上。
88.参考图2h，在内埋元件区域1111设置第一介电层11113。
89.这样，第一介电层11113可以对内埋功能元件11111之间提供电性隔离，并对内埋功能元件11111起到固定作用。
90.参考图2i，去除暂时性粘合层21。
91.参考图2j，在核心基板16的上表面形成第一基板上线路层12，以及在核心基板16的下表面形成基板下线路层13。
92.参考图2k，在第一基板上线路层12上形成第二基板上线路层14。
93.其中，形成第一基板上线路层12、基板下线路层13和第二基板上线路层14可以采用例如包括但不限于：层压设置介电层、蚀刻出盲孔、电镀线路图案等等，本公开对此不做具体限定。
94.参考图2l，在基板下线路层13下表面形成阻焊层15。
95.制程上例如可以采用印刷或者层压后蚀刻的方法来形成阻焊层15。
96.本实施例中提供的半导体封装装置的制造方法能够实现前文描述的半导体封装装置的相应技术效果，这里不再赘述。
97.尽管已参考本公开的特定实施例描述并说明本公开，但这些描述和说明并不限制本公开。所属领域的技术人员可清楚地理解，可进行各种改变，且可在实施例内替代等效元件而不脱离如由所附权利要求书限定的本公开的真实精神和范围。图示可能未必按比例绘制。归因于制造过程中的变量等等，本公开中的技术再现与实际实施之间可能存在区别。可存在未特定说明的本公开的其它实施例。应将说明书和图示视为说明性的，而非限制性的。可作出修改，以使特定情况、材料、物质组成、方法或过程适应于本公开的目标、精神以及范围。所有此些修改都落入在此所附权利要求书的范围内。虽然已参考按特定次序执行的特定操作描述本文中所公开的方法，但应理解，可在不脱离本公开的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并不限制本公开。