叠层电池及叠层电池制备方法与流程

1.本发明涉及叠层电池技术领域，具体地，涉及一种叠层电池及叠层电池制备方法。


背景技术：

2.钙钛矿电池在光伏行业具有巨大潜力，相关技术中，世界上单节钙钛矿叠层电池转换效率已达25.6％。单节钙钛矿电池无法实现对红外波段光的充分吸收，因此使用硅做底电池与钙钛矿制成叠层电池可有效拓展钙钛矿电池的吸收光谱，提高电池效率。但是，相关技术中的叠层电池的厚度通常在100μm以上，受其厚度限制，当其弯曲形变时易产生破损，导致叠层电池不适用于柔性制造，若通过减少电池厚度以实现柔性制造，则会面临底电池光吸收率大幅下降的问题。


技术实现要素：

3.本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
4.为此，本发明的实施例提出一种叠层电池,该叠层电池具有对光的吸收率高、适于柔性制造等优点。
5.本发明的实施例还提出一种叠层电池制备方法,该叠层电池制备方法制备的叠层电池具有对光的吸收率高、适于柔性制造等优点。
6.根据本发明实施例的叠层电池，其特征在于，包括：底电池，所述底电池包括底电极、衬底、绝缘体、复合结和多个硅纳米柱，所述底电极、所述衬底、所述绝缘体和所述复合结沿所述第一方向层叠设置，所述底电极包括沿第一方向相对设置的第一表面和第二表面，所述底电极的厚度方向平行于所述第一方向，所述衬底设在所述底电极的所述第一表面上，所述复合结位于所述衬底在所述第一方向上远离所述底电极的一侧，且所述复合结与所述衬底在所述第一方向上间隔开，所述硅纳米柱的部分在所述第一方向上位于所述衬底和所述复合结之间，所述硅纳米柱的所述部分位于所述绝缘体内，所述硅纳米柱包括沿其轴向相对设置的第一端和第二端，所述第一端设在所述衬底上，所述第二端与所述复合结接触，所述硅纳米柱包括pn结，所述pn结的方向平行于所述硅纳米柱的轴向和径向中的一者，所述硅纳米柱的轴向平行于所述第一方向，所述硅纳米柱的径向垂直于所述第一方向，多个所述硅纳米柱呈矩阵式布置；和顶电池，所述顶电池包括沿所述第一方向层叠设置的空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、透明导电层和金属栅线电极，所述空穴传输层设在所述复合结上。
7.根据本发明实施例的叠层电池，钙钛矿材料在可见光波段具有较高的光吸收系数，其顶电池能够在厚度小于1μm的情况下对可见光的充分吸收。硅纳米柱可作为谐振腔，将入射光束缚在纳米柱内部形成谐振，进而增强单根纳米柱内的光吸收，入射进纳米柱阵列的光可在硅纳米柱阵列中进行多次散射，增加了光在纳米柱阵列中的传播路径，因此促进纳米柱阵列中的光吸收。
8.此外，底电池可在厚度小于10μm的情况下实现对近红外波段光的充分吸收，有效
拓展顶电池的吸收光谱，且保证叠层电池具有较高的光吸收率。
9.由此，本发明实施例的叠层电池具有对光的吸收率高的优点。
10.在一些实施例中，本发明实施例的叠层电池还包括抗反射膜，所述抗反射膜设置在所述顶电池的顶部。
11.在一些实施例中，所述硅纳米柱还包括金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒分散在所述硅纳米柱的表面。
12.在一些实施例中，所述硅纳米柱还包括钝化层，所述钝化层设在所述硅纳米柱的表面。
13.在一些实施例中，在第二方向上相邻的两个硅纳米柱之间具有间隙，在第三方向上相邻的两个硅纳米柱之间具有间隙，所述第二方向平行于所述底电极的长度方向和宽度方向中的一者，所述第三方向平行于所述底电极的长度方向和宽度方向中的另一者。
14.在一些实施例中，所述衬底由柔性材料制成。
15.根据本发明实施例的叠层电池制备方法包括以下步骤：
16.在衬底上制备多个硅纳米柱，使多个所述硅纳米柱呈矩阵式布置，以形成硅纳米柱阵列；
17.在所述衬底上设置绝缘体，以填充相邻所述硅纳米柱的间隙，且使绝缘体的厚度小于或等于所述硅纳米柱的高度；
18.在所述硅纳米柱阵列顶部制备复合结；
19.在所述复合结顶部制备空穴传输层；
20.在所述空穴传输层顶部制备钙钛矿层；
21.在所述钙钛矿层顶部制备电子传输层；
22.在所述电子传输层顶部制备透明导电层；
23.在所述透明导电层顶部制备金属栅线电极。
24.在一些实施例中，所述在衬底上制备多个硅纳米柱包括：利用化学气相沉积生长的方法制备多个所述硅纳米柱，或者，利用刻蚀硅薄膜的方法制备多个所述硅纳米柱。
25.在一些实施例中，所述在所述衬底上设置绝缘体，以填充相邻所述硅纳米柱的间隙，且使所述纳米柱顶端不被绝缘体包裹，包括：
26.利用旋涂、溅射和原子层沉积中的至少一者在衬底上设置绝缘体，以使绝缘体填充相邻所述硅纳米柱的间隙；
27.利用干法刻蚀和湿法刻蚀中的至少一者调整绝缘体的厚度，以使所述纳米柱顶端不被绝缘体包裹。
28.在一些实施例中，在所述在衬底上制备多个硅纳米柱之后，在所述衬底上设置绝缘体之前，还包括：将所述硅纳米柱的表面进行钝化；在所述硅纳米柱的周面上设置金属纳米颗粒。
29.根据本发明实施例的叠层电池制备方法制备出的叠层电池具有适于柔性制造、对光的吸收率高的优点。
附图说明
30.图1是本发明实施例的底电池的结构示意图。
31.图2是本发明实施例的底电池的结构示意图。
32.图3是本发明实施例的叠层电池的结构示意图。
33.附图标记：
34.底电池1；底电极11；第一表面111；第二表面112；衬底12；硅纳米柱13；第一端131；第二端132；复合结14；第一凹槽141；第三表面142；第四表面143；绝缘体15；
35.顶电池2；空穴传输层21；钙钛矿层22；电子传输层23；透明导电层24；金属栅线电极25；
36.入射光3。
具体实施方式
37.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
38.下面参考附图描述本发明实施例的叠层电池。
39.如图1-图3所示，根据本发明实施例的叠层电池包括底电池1和顶电池2。
40.其中底电池1包括底电极11、衬底12、绝缘体、复合结14和多个硅纳米柱13。底电极、衬底、绝缘体和复合结沿第一方向层叠设置。
41.底电极11包括沿第一方向(如图1所示的上下方向)相对设置的第一表面111和第二表面112，底电极11的厚度方向平行于第一方向。
42.衬底12设在底电极11的第一表面111上，具体地，如图1所示，底电极11的第一表面111为上表面，衬底12设在底电极11的上表面，且衬底12的下表面与底电极11的上表面相接触。
43.复合结14位于衬底12在第一方向上远离底电极11的一侧，且复合结14与衬底12在第一方向上间隔开。具体地，如图1所示，复合结14位于衬底12的上方，并且复合结14与衬底12在上下方向上间隔设置。
44.进一步地，复合结14具有第三表面142和第四表面143，第三表面142和第四表面143在第一方向上间隔布置，其中第三表面142为复合结14的下表面，第四表面143为复合结14的上表面。可选地，复合结14的厚度小于500nm，其中复合结14的厚度方向平行于上下方向。
45.硅纳米柱13的部分在第一方向上位于衬底12和复合结14之间，硅纳米柱的部分位于绝缘体内，硅纳米柱13包括沿其轴向相对设置的第一端131和第二端132，第一端131设在衬底12上，第二端132与复合结14接触。硅纳米柱13的轴向平行于第一方向，硅纳米柱13的径向垂直于第一方向，多个硅纳米柱13呈矩阵式布置。
46.具体地，如图1和2所示，硅纳米柱13的轴向平行于上下方向，硅纳米柱13的第一端131为下端，其中硅纳米柱13的下端包括下端面，硅纳米柱13的第二端132为上端，其中硅纳米柱13的上端包括上端面。硅纳米柱13的第一端131设置在衬底12上，并且硅纳米柱13的下端面与衬底12的上表面相接触，硅纳米柱13的第二端132与复合结14接触。
47.优选地，复合结14的下表面设有多个与硅纳米柱13在上下方向上相对的第一凹槽141，多个第一凹槽141也呈矩阵式布置，多个第一凹槽141和多个硅纳米柱13一一对应，并且硅纳米柱13第二端132的外周面与第一凹槽141的内周面相接触，硅纳米柱13的第二端
132的外周面的径向尺寸与第一凹槽141的内周面的径向尺寸相等。
48.可选地，硅纳米柱13的轴向尺寸小于等于10μm。
49.进一步地，多个硅纳米柱13呈矩阵式布置是指，在第二方向上相邻的两个硅纳米柱13之间具有间隙，在第三方向上相邻的两个硅纳米柱13之间具有间隙，第二方向平行于底电极11的长度方向(如图1中的左右方向)和宽度方向(如图1中的前后方向)中的一者，第三方向平行于底电极11的长度方向和宽度方向中的另一者。也就是说，每两个相邻的硅纳米柱13之间间隔一定距离。
50.进一步地，如图1所示，绝缘体15填充在衬底12与复合结14之间的间隙内，进而形成绝缘体层，其中绝缘体层的厚度为上下方向，并且绝缘体15将硅纳米柱13的外周面包裹。可选地，绝缘体15的材质可以为pdms；或者，绝缘体15的材质可以为sio2；或者，绝缘体15的材质还可以为其他绝缘材料。
51.可以理解的是，硅纳米柱13的部分插入复合结14中，进而硅纳米柱13的轴向尺寸大于绝缘体层的厚度。可选地，硅纳米柱13的轴向尺寸等于10μm，而绝缘体层的厚度小于10μm。
52.可以理解的是，通过使用绝缘体层填充纳米柱阵列间隙，进而防止复合结14和衬底12发生短路。并且绝缘体层将纳米柱阵列间隙填充能够降低硅纳米柱阵列与复合结14的接触表面的起伏度，进而降低了复合结制备工艺难度。
53.此外，硅纳米柱13包括pn结，pn结的方向平行于硅纳米柱13的轴向和径向中的一者。
54.如图2和图3所示，根据本发明实施例的叠层电池包括底电池1和顶电池2。其中底电池1为上述任一实施例的底电池1。
55.顶电池2包括沿第一方向层叠设置的空穴传输层21、钙钛矿层22、电子传输层23、透明导电层24和金属栅线电极25，空穴传输层21设在复合结14上。具体地，空穴传输层21设置在复合结14的第四表面143上，空穴传输层21、钙钛矿层22、电子传输层23、透明导电层24和金属栅线电极25在上下方向上依次层设在复合结14上。
56.进一步地，底电池1的复合结14能够连通底电池1和顶电池2。
57.可以理解的是，如图2和图3所示，当入射光3入射到硅纳米柱13，会在硅纳米柱13表面发生散射，而散射到该硅纳米柱13相邻的硅纳米柱13的光将发生二次散射，经多次散射后，进而增加入射光3在纳米柱阵列中的传播路径。
58.进一步地，入射进纳米柱13的光会在纳米柱13中发生谐振，在纳米柱13的顶面与底面之间来回传播，从而增加纳米柱13中的光吸收率。
59.根据本发明实施例的叠层电池，由于钙钛矿材料在可见光波段具有较高的光吸收系数，顶电池2可在厚度小于1μm的情况下实现对可见光的充分吸收。且底电池1的硅纳米柱13可作为谐振腔，将入射光3束缚在硅纳米柱13内部形成谐振，进而增强硅纳米柱13对光的吸收。并且入射进硅纳米柱阵列的光可在硅纳米柱阵列中进行多次散射，增加了光在纳米柱阵列中的传播路径，因此促进纳米柱阵列中的光吸收。
60.此外，底电池可在厚度小于10μm的情况下实现对近红外波段光的充分吸收，有效拓展顶电池的吸收光谱，且保证叠层电池具有较高的光吸收率。
61.由此，本发明实施例的叠层电池具有适用于柔性制造、对光的吸收率高的优点。
62.在一些实施例中，衬底12衬底由柔性材料制成，例如，衬底12的材质可以为石墨烯。进一步地，硅纳米柱13的径向尺寸和轴向尺寸小，也就是说，硅纳米柱的横截面面积小，进而使硅纳米柱能够直接制备在柔性衬底上，因此本发明实施例的叠层电池适用于柔性制造。可以理解的是，衬底12采用柔性材料，进而增强叠层电池的底电池1的形变能力。
63.由此，本发明实施例的叠层电池具有适用于柔性制造的优点。
64.在一些实施例中，硅纳米柱13还包括金属纳米颗粒，金属纳米颗粒分散在硅纳米柱13的表面。具体地，金属纳米颗粒设置在硅纳米柱13上，进而在硅纳米柱13的外表面上形成金属纳米颗粒薄膜。
65.可以理解的是，入射光3照射在硅纳米柱13的金属纳米颗粒薄膜上，金属纳米颗粒表面的自由电子在入射光3的作用下发生集体振荡，并且入射光3与金属纳米颗粒表面的自由电子发生共振，进而增强硅纳米柱13对入射光3的吸收，因此提高了本发明实施例的叠层电池对光的吸收率。
66.由此，本发明实施例的叠层电池具有光吸收率高的优点。
67.在一些实施例中，硅纳米柱13还包括钝化层，钝化层设在硅纳米柱的表面。可以理解的是，钝化层可有效降低硅纳米柱13的表面态及缺陷密度，从而降低硅纳米柱的表面复合损耗，因此保证叠层电池具有较高的光电转换效率。
68.在一些实施例中，本发明实施例的叠层电池还包括抗反射膜，其中抗反射膜设置在叠层电池的顶部，进而增强叠层电池对入射光3的透射率。
69.进一步地，抗反射膜的材质可以为lif；或者，抗反射膜的材质可以为mgf2；或者，抗反射膜还可以为其他具有陷光的薄膜结构。
70.由此，本发明实施例的叠层电池具有对光的吸收率高的优点。
71.下面描述本发明实施例的叠层电池制备方法。
72.根据本发明实施例的叠层电池制备方法，包括以下步骤：
73.在衬底上制备多个硅纳米柱，使多个硅纳米柱呈矩阵式布置，以形成硅纳米柱阵列；
74.在衬底上设置绝缘体，以填充相邻硅纳米柱的间隙，且使纳米柱顶端不被绝缘体包裹；
75.在硅纳米柱阵列顶部制备复合结；
76.在复合结顶部制备空穴传输层；
77.在空穴传输层顶部制备钙钛矿层；
78.在钙钛矿层顶部制备电子传输层；
79.在电子传输层顶部制备透明导电层；
80.在透明导电层顶部制备金属栅线电极。
81.具体地，在制备本发明实施例的叠层电池时，首先在衬底的上表面制备硅纳米柱，并且硅纳米柱呈阵列式的布置在衬底的上表面，其中硅纳米柱的轴向与衬底的厚度方向平行，硅纳米柱的下端与衬底相接触。
82.可选地，在衬底上制备多个硅纳米柱包括利用化学气相沉积生长的方法制备多个所述硅纳米柱，或者，利用刻蚀硅薄膜的方法制备多个所述硅纳米柱。其中采用化学气相沉积生长的方法制备硅纳米柱可以在常温下进行，因此该方法的制备条件易于实现。或者，在
衬底上制备多个硅纳米柱可以采用刻蚀硅薄膜的方法，其中，对硅薄膜进行刻蚀处理的易于重复操作，即该工艺适于批量生产，因此利用刻蚀硅薄膜制备硅纳米柱的方法的生产效率高。
83.此外，硅纳米柱包括pn结，其中，pn结的方向平行于硅纳米柱的径向，或者，pn结的方向平行于硅纳米柱的轴向。
84.进一步地，将绝缘体填充在相邻的硅纳米柱之间的间隙中，进而在衬底上形成绝缘体层。其中，纳米柱顶端不被绝缘体包裹，进而硅纳米柱的大部分位于绝缘体内，并且硅纳米柱的下端与衬底相接触。
85.在一些实施例中，在衬底上设置绝缘体，以填充相邻硅纳米柱的间隙，且使所述纳米柱顶端不被绝缘体包裹，包括利用旋涂、溅射和原子层沉积中的至少一者在衬底上设置绝缘体，以使绝缘体填充相邻硅纳米柱的间隙。
86.具体地，在衬底上设置绝缘体时，可以采用旋涂的工艺将绝缘体填充在硅纳米柱间隙中；或者，可以采用溅射的工艺将绝缘体填充在硅纳米柱间隙中；或者，可以采用原子层沉积的工艺将绝缘体填充在硅纳米柱间隙中；或者，还可以采用其他工艺将绝缘体填充在硅纳米柱间隙中。
87.在一些实施例中，利用干法刻蚀和湿法刻蚀中的至少一者调整绝缘体的厚度，以保证所述纳米柱顶端不被绝缘体包裹。
88.具体地，调整绝缘体的厚度可以采用干法刻蚀的工艺，其中采用干法刻蚀调整绝缘体的厚度的处理过程不需要化学溶剂参与，进而该处理过程不会产生化学废液，因此干法刻蚀调整绝缘体的厚度的方法的清洁度高，具有环保的优点，并且干法刻蚀工艺易于实现自动化操作，适用于大批量的生产。
89.或者，还可以采用湿法刻蚀的工艺调整绝缘体的厚度，其中湿法刻蚀的工艺是通过溶液与绝缘体材料之间的化学反应来去除绝缘体层的上层材料，进而调整绝缘体的厚度。采用湿法刻蚀调整绝缘体的厚度的工艺的生产效率高，并且湿法刻蚀需要的设备简单、成本低。
90.进一步地，在硅纳米柱阵列顶部制备复合结。可以理解的是，复合结位于硅纳米柱的顶端，硅纳米柱顶端不被绝缘体包裹，进而硅纳米柱的上端与复合结接触，因此使硅纳米柱与复合结连通。
91.可选地，复合结可以采用原子层沉积工艺制备，其中采用原子层沉积的方法能够使制备的复合结单原子层逐层沉积，进而使沉积层的材质均匀。或者，复合结可以采用热生长工艺制备；或者，复合结可以采用溅射工艺制备；或者，复合结还可以采用其他工艺制备。
92.由此，在衬底上设置呈阵列式布置的硅纳米柱，复合结在上下方向上叠设在硅纳米柱上，绝缘体填充在多个硅纳米柱之间的间隙中，进而形成太阳能的底电池。
93.进一步地，在复合结顶部制备空穴传输层。具体地，空穴传输层叠设在复合结的上表面，并且与复合结相接触。
94.可选地，在制备空穴传输层时，可以采用旋涂的工艺制备；或者，空穴传输层可以采用溅射的工艺制备，其中溅射工艺所需的装置简单，易于布置并成本较低。或者，空穴传输层可以采用刮涂的工艺制备；或者，空穴传输层还可以采用其他工艺制备。在此需要说明的是，溅射工艺与旋涂工艺相比，工艺过程更为复杂，并且所需设备成本较高，进而在制备
空穴传输层时，优选旋涂工艺。
95.进一步地，在空穴传输层顶部制备钙钛矿层。具体地，钙钛矿层叠设在空穴传输层的上表面，并且钙钛矿层与空穴传输层相接触。
96.可选地，在制备钙钛矿层时，可以采用旋涂的工艺制备；或者，钙钛矿层可以采用溅射的工艺制备，其中溅射工艺所需的装置简单，易于布置并成本较低。或者，钙钛矿层可以采用刮涂的工艺制备；或者，钙钛矿层还可以采用其他工艺制备。在此需要说明的是，溅射工艺与旋涂工艺相比，工艺过程更为复杂，并且所需设备成本较高，进而在制备钙钛矿层时，优选旋涂工艺。
97.进一步地，在钙钛矿层顶部制备电子传输层，具体地，其中，电子传输层叠设在钙钛矿层的上表面，并且钙钛矿层与电子传输层相接触。
98.可选地，在制备电子传输层时，可以采用旋涂的工艺制备；或者，电子传输层可以采用溅射的工艺制备，其中溅射工艺所需的装置简单，易于布置并成本较低。或者，电子传输层可以采用刮涂的工艺制备；或者，电子传输层还可以采用其他工艺制备。在此需要说明的是，溅射工艺与旋涂工艺相比，工艺过程更为复杂，并且所需设备成本较高，进而在制备电子传输层时，优选旋涂工艺。
99.进一步地，在电子传输层顶部制备透明导电层，具体地，其中透明导电层叠设在透明导电层的上表面，并且透明导电层与透明导电层相接触。
100.可选地，在制备透明导电层时，可以采用旋涂的工艺制备；或者，透明导电层可以采用溅射的工艺制备，其中溅射工艺所需的装置简单，易于布置并成本较低。或者，透明导电层可以采用刮涂的工艺制备；或者，透明导电层还可以采用其他工艺制备。在此需要说明的是，溅射工艺与旋涂工艺相比，工艺过程更为复杂，并且所需设备成本较高，进而在制备透明导电层时，优选旋涂工艺。
101.进一步地，在透明导电层顶部制备金属栅线电极。具体地，金属栅线电极设置在透明导电层的上表面，并且与透明导电层相接触。
102.可选地，在制备金属栅线电极时，可以采用蒸镀的工艺制备，其中蒸镀工艺制备出的金属栅线电极纯度高，进而使金属栅线电极导电性能好，并且蒸镀工艺制备出的金属栅线电极与透明导电层结合能力强，不易脱落。或者，金属栅线电极可以采用溅射的工艺制备，其中溅射工艺所需的设备简单，易于布置并成本较低；或者，金属栅线电极可以采用其他工艺制备。
103.由此，空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、透明导电层和金属栅线电极在上下方向上依次叠设在复合结上，进而形成叠层电池的顶电池。可以理解的是，本发明实施例的叠层电池包括顶电池和底电池，顶电池叠设在底电池的复合结上，进而复合结能够连通底电池和顶电池。
104.根据本发明实施例的叠层电池制备方法制备出的叠层电池具有适用于柔性制造、对光的吸收率高的优点。
105.在一些实施例中，在衬底上制备多个硅纳米柱之后，在衬底上设置绝缘体之前，还包括将硅纳米柱的表面进行钝化。
106.具体地，在硅纳米柱制备完成，并且没有将绝缘体填充在硅纳米柱之间的间隙之前，还可以对硅纳米柱的外表面进行钝化处理。可以理解的是，对硅纳米柱的外表面进行钝
化处理，进而降低硅纳米柱的表面复合速率，提升底电池的光电转换效率。
107.可选地，硅纳米柱可以采用在硅纳米柱表面生长一层非晶硅对硅纳米柱的表面进行钝化；或者，硅纳米柱可以使用硫化铵溶液浸泡硅纳米柱阵列对硅纳米柱的表面进行钝化；或者，硅纳米柱可以使用氢等离子体处理硅纳米柱阵列表面对硅纳米柱的表面进行钝化。
108.此外，在硅纳米柱的周面上设置金属纳米颗粒，其中，金属颗粒粒径小于100nm。金属颗粒的材料可以是au；或者，金属颗粒的材料还可以是ag；或者，金属颗粒的材料还可以是可在近红外波段激发表面等离激元模式的材料。
109.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
110.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
111.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
112.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
113.在本发明中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
114.尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。