一种发光器件制作方法及发光器件与流程

1.本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种发光器件制作方法及发光器件。


背景技术：

2.现有的发光器件一般包括支架、led芯片、光转换层及导线。led芯片固定在支架上，通过导线与支架相连形成通路，光转换层填充于支架内并覆盖led芯片。这种制作方法存在着以下不足：
3.1、光转换层一般由荧光粉加上硅胶混合后覆盖在芯片表面，这种荧光粉与硅胶混合制成的发光器件的色点的一致性较差；
4.2、为了增加led的发光光强，往往需要将金属层表面镀银以增强光线反射，而银层易被空气氧化和硫化，因此使得发光器件存在导电性能差、发光效率低的问题；
5.3、发光器件的荧光层面积大，导致光强密度低。


技术实现要素：

6.为了克服上述技术缺陷，本发明提供了一种发光器件制作方法及发光器件，能够提高发光效率且避免金属件被氧化或者硫化。
7.为了解决上述问题，本发明按以下技术方案予以实现的：
8.一种发光器件制作方法，包括以下步骤：
9.s1、将led芯片固定在支架上表面；
10.s2、在所述led芯片上表面铺设一层第一硅胶层，在所述第一硅胶层上铺设一层光转换层；
11.s3、在所述光转换层四周填充一层光反射层；
12.s4、在所述光转换层上表面和所述光反射层上表面铺设一层第二硅胶层。
13.进一步的，在步骤s1中：
14.第一硅胶层通过非接触式点胶或者喷射方式涂覆在所述led芯片上表面。
15.进一步的，在步骤s2中：
16.所述第一硅胶层在所述光转换层的挤压下，形成粘附层和斜坡件，所述粘附层位于所述led芯片与所述光转换层之间，所述斜坡件围绕在所述光转换层的至少两个相对的侧面。
17.此外，本发明还公开了一种发光器件，采用上述制作方法制作而得，包括支架、led芯片、第一硅胶层、光转换层、光反射层与第二硅胶层；
18.所述led芯片固定在所述支架上；
19.所述第一硅胶层铺设在所述led芯片的上表面，所述光转换层铺设在所述第一硅胶层上；
20.所述光反射层铺设在所述光转换层四周；
21.所述第二硅胶层铺设于所述光转换层上表面与所述光反射层上表面。
22.进一步的，所述第一硅胶层包括：粘附层和斜坡件，所述粘附层填充于所述led芯片和所述光转换层之间，所述斜坡件设在所述光转换层的至少两个相对的侧面。
23.进一步的，所述斜坡件为类三角形，其最高点低于所述光转换层的上表面。
24.进一步的，所述led芯片上设有电极，所述光转换层覆盖除所述电极所在区域外的所述led芯片的部分上表面，或所述光转换层覆盖除所述电极所在区域外的所述led芯片的整个上表面。
25.进一步的，所述光转换层设有一对向内凹陷的内槽，所述内槽位于导线与所述led芯片连接处。
26.进一步的，所述光反射层铺设在所述光转换层四周，铺设于所述支架上、所述斜坡件及所述led芯片上未被所述光转换层覆盖的部分。
27.进一步的，所述光转换层为荧光膜或荧光片。
28.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
29.在led芯片上铺设第一硅胶层，在光转换层四周填充光反射层，能够提高出光效率和发光效率，且避免金属层表面被氧化或硫化，从而提高产品的良品率。
附图说明
30.下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，其中：
31.图1为实施例1所述的发光器件制作方法步骤s2的示意图；
32.图2为实施例2所述的发光器件的剖面结构图一；
33.图3为实施例2所述的发光器件的剖面结构图二；
34.图4为实施例2所述的发光器件的内槽与外部连通的示意图；
35.图5为实施例2所述的发光器件的内槽封闭的示意图。
36.标记说明：1、支架；2、led芯片；3、第一硅胶层；31、粘附层；32、斜坡件；4、光转换层；41、内槽；5、光反射层；6、第二硅胶层；7、导线。
具体实施方式
37.以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
38.实施例1
39.本实施例公开了一种发光器件制作方法，包括以下步骤：
40.s1、将led芯片2固定在支架1上表面，led芯片2通过导线7与支架2实现电连接；
41.s2、如图1，在led芯片2上表面铺设一层第一硅胶层3，在第一硅胶层3上铺设荧光膜或荧光片，形成一层光转换层4；
42.s3、在光转换层4四周填充一层光反射层5；
43.s4、在光转换层4上表面和光反射层5上表面铺设一层第二硅胶层6。
44.具体的，在步骤s1中：
45.第一硅胶层3通过非接触式点胶或者喷射方式涂覆在led芯片2上表面。
46.具体的，在步骤s2中：
47.第一硅胶层3在光转换层4的挤压下，形成粘附层31和斜坡件32，粘附层31位于led
芯片2与光转换层4之间，斜坡件32位于led芯片2的上表面和光转换层4的至少两个相对的侧面。
48.具体的，在步骤s3中：
49.光反射层5铺设在光转换层4的四周，覆盖支架1上表面和led芯片2未被光转换层4覆盖的上表面部分。
50.实施例2
51.如图2，本实施例公开了一种发光器件，采用实施例1所述的发光器件制作方法制作而得，包括支架1、led芯片2、第一硅胶层3、光转换层4、光反射层5与第二硅胶层6、导线7。
52.led芯片2固定在支架1上；第一硅胶层3铺设在led芯片2的上表面，光转换层4铺设在第一硅胶层3上；光反射层5铺设在光转换层4四周；第二硅胶层6铺设于光转换层4上表面与光反射层5上表面。
53.led芯片的个数根据需求可设置一个或以上，光转换层根据需要可铺设一层或以上。
54.如图3，具体的，第一硅胶层3包括粘附层31和斜坡件32，粘附层31填充于led芯片2和光转换层4之间，斜坡件32位于led芯片2的上表面和光转换层4的至少两个相对的侧面，斜坡件32可以使得led芯片2发出的光更多地进入光转换层4，使得led芯片出光更多，提高出光效率，提升发光器件亮度。
55.具体的，斜坡件32为类三角形，其最高点低于光转换层4的上表面。
56.具体的，光反射层5铺设在光转换层4四周，铺设于支架1上表面、斜坡件32及led芯片2上未被光转换层覆盖的部分，提高光发射率，提升器件发光效率，同时相当于形成保护层，保护支架被氧化或硫化。
57.在上述实施例中，led芯片2表面至少设有一个电极，电极通过导线7与支架1实现电连接，光转换层4覆盖除电极所在区域外的led芯片的部分上表面，或光转换层4覆盖除电极所在区域外的led芯片的整个上表面。
58.如图4、图5，在上述实施例中，光转换层4的长和宽大于led芯片2的长和宽，或者等于led芯片2的长和宽；光转换层4设有一对向内凹陷的内槽41，内槽可以是封闭的，也可以是与外部连通的，内槽41位于导线7与led芯片2连接处，用于空出导线7与led芯片2连接的位置；一对内槽41的大小大于将导线7与led芯片焊接时所用的瓷嘴的大小。
59.具体的，光转换层4为荧光膜或荧光片，其色点一致性好，封装后发光器件的色点一致性好，良品率高。
60.在上述实施例中，采用正装芯片封装，正装芯片生产工艺成熟，价格成本低，有效降低发光器件的制作成本。
61.以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，故凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。