一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法

一种量子点光转换模组、微led显示器及其制备方法
技术领域
1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种量子点光转换模组、微led显示器及其制备方法。


背景技术：

2.led显示器件实现彩色显示的一种常见且有效的方式，为采用单一蓝色光源作为一组像素单元中每个子像素的发光，其中，蓝色子像素由蓝色光源直接出射蓝光，绿色子像素和红色子像素通过蓝光激发发光转换材料进行光转换以分别实现绿光和红光的出射，由此形成像素单元中红绿蓝三子像素的彩色显示。
3.led发光过程及量子点在光转化过程中形成的热，会对量子点的稳定性造成影响。特别是量子点光转换层，其在较厚的膜层中，热传导差，会形成热堆积，从而降低量子点的稳定性。此外，光转换型量子点由于在胶体中的分散性较差，聚集导致光转换效率降低。在实际光转换过程中，为了提高光转换效率，又需要制备较厚的量子点膜厚，才能满足光转换的技术要求。两方面相互制衡，就导致量子点光转换层的光转换效率难以进一步提升。


技术实现要素：

4.本技术实施例的目的在于提供一种量子点光转换模组、微led显示器及其制备方法，能够提高量子点光转换效率，并且增强显示器件的隔热效果。
5.本技术实施例的一方面，提供了一种量子点光转换模组，包括单色led阵列芯片以及在单色led阵列芯片的出光侧依次设置的黑矩阵和层叠设置的多个光转换组，黑矩阵将单色led阵列芯片划分为多个像素单元，每个像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；每个光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层，量子点层包括与第一子像素单元对应的第一量子点材料以及与第二子像素单元对应的第二量子点材料，单色光与第一量子点材料经过光转换后以第一色光出射，单色光与第二量子点材料经过光转换后以第二色光出射。
6.可选的，单色led阵列芯片出射的单色光为蓝光，蓝光与第一量子点材料经过光转换后以红光出射，蓝光与第二量子点材料经过光转换后以绿光出射。
7.可选的，高透光层包括对应设置于第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元的出光侧的高透光材料。
8.可选的，量子点层还包括与第三子像素单元对应的补偿材料，补偿材料为高透光材料。
9.可选的，量子点层的厚度在10nm-200nm之间。
10.可选的，第一量子点材料和/或第二量子点材料为有机量子点或无机量子点。
11.可选的，高透光层的厚度小于等于1μm。
12.可选的，层叠设置的多个光转换组的总厚度在5-10μm之间。
13.本技术实施例的另一方面，提供了一种微led显示器，包括前述任意一项的量子点
光转换模组。
14.可选的，在远离单色led阵列芯片的光转换组的量子点层上设置有平坦层，平坦层为高透光材料。
15.本技术实施例的又一方面，提供了一种微led显示器的制备方法，包括：在单色led阵列芯片的出光侧设置黑矩阵，黑矩阵将单色led阵列芯片界定为多个像素单元，每个像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；在形成有黑矩阵的单色led阵列芯片的出光侧层叠设置多个光转换组，光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层，其中，量子点层至少包括对应于第一子像素单元的第一量子点材料和对应于第二子像素单元的第二量子点材料；在远离单色led阵列芯片的光转换组的量子点层上设置平坦层，平坦层为高透光材料。
16.本技术实施例的有益效果包括：
17.本技术提供了一种量子点光转换模组，包括单色led阵列芯片以及在单色led阵列芯片的出光侧依次设置的黑矩阵和层叠设置的多个光转换组，黑矩阵将单色led阵列芯片划分为多个像素单元，每个像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；每个光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层，量子点层包括与第一子像素单元对应的第一量子点材料以及与第二子像素单元对应的第二量子点材料，单色光与第一量子点材料经过光转换后以第一色光出射，单色光与第二量子点材料经过光转换后以第二色光出射。第一量子点材料和第二量子点材料分别与单色光进行光转化，相比于掺杂混合其他材质的量子点，能够具有较高的转换效率，单色光依次经过多个光转换组中的量子点层，相当于依次进行了多次的光转换，从而进一步提高了光转换效率，而且，同等光转换条件下，对于每一量子点层也能够尽可能减薄其厚度，以提高量子点光转换模组的结构紧凑性，每个光转换组中的高透光层在能够保证转换的光束的高透通过的同时，还能够作为保护层有效的阻隔发光led散发的热量向上传导，增强显示器件的稳定性及隔热效果。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
19.图1是本技术实施例提供的一种量子点光转换模组的结构示意图之一；
20.图2是本技术实施例提供的一种量子点光转换模组的结构示意图之二；
21.图3是本技术实施例提供的一种量子点光转换模组的结构示意图之三；
22.图4是本技术实施例提供的一种微led显示器的结构示意图；
23.图5是本技术实施例提供的一种微led显示器的制备方法的流程图。
24.图标：10-单色led阵列芯片；11-像素单元；111-第一子像素单元；112-第二子像素单元；113-第三子像素单元；20-黑矩阵；30-光转换组；31-高透光层；32-量子点层；321-第一量子点材料；322-第二量子点材料；40-平坦层；d-量子点层的厚度；t-高透光层的厚度；w-多个光转换组的总厚度。
具体实施方式
25.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
26.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
27.还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
28.量子点材料具有发光效率高、发射峰窄、高色域的优势，一般将量子点材料作为光转化层，附加于led器件之上，led器件等自发光器件出射的光束经量子点材料激发，形成显示器件的彩色出射。为了使得led器件发光能够充分的与量子点材料之间进行光转化，量子点材料需要保证一定的厚度，但是led器件在发光过程以及与量子点材料激发光转化的过程中会产生发热，从而导致热量容易在量子点材料的层级上聚集，局部热量过高会对量子点的稳定性造成比较严重的影响，现有技术中会在量子点中混合其他材料来进行相应的调节，但是混合有其他材料的量子点又会由于表面极性以及内部光转换不均匀等问题导致光转换效率降低，两方面相互制衡，就导致量子点光转换层的光转换效率难以有效的提升。
29.本技术实施例提供一种量子点光转换模组，如图1所示，包括单色led阵列芯片10以及在单色led阵列芯片10的出光侧依次设置的黑矩阵20和层叠设置的多个光转换组30，黑矩阵20将单色led阵列芯片10划分为多个像素单元11，每个像素单元11包括用于分别出射单色光的第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113；每个光转换组30包括依次形成的高透光层31和量子点层32，量子点层32包括与第一子像素单元111对应的第一量子点材料321以及与第二子像素单元112对应的第二量子点材料322，单色光与第一量子点材料321经过光转换后以第一色光出射，单色光与第二量子点材料322经过光转换后以第二色光出射。
30.如图1所示，单色led阵列芯片10上阵列排布有多个发光led，多个发光led均出射同一颜色的单色光，黑矩阵20将单色led阵列芯片10上多个发光led划分为多个像素单元11，其中，每一个像素单元11都包括有第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113，第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113中的任意一个中，都包括有至少一个发光led，从而使得第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113都可以单独实现出射单色光。
31.层叠设置的多个光转换组30中的每一个，都包括依次形成的高透光层31和量子点层32，也就是说，多个光转换组30中的高透光层31和量子点层32的形成顺序也是一致的，那么如图1所示，多个光转换组30层叠设置时，则呈现为高透光层31和量子点层32是交替层叠形成。对于每一个量子点层32，也同样划分有多个区域，其中，在与第一子像素单元111对应的区域为第一量子点材料321，在与第二子像素单元112对应的区域为第二量子点材料322，
如此一来，在第一子像素单元111中，单色led阵列芯片10中发光led出射的单色光，照射至量子点层32的第一量子点材料321上激发以进行光转换，从而转换为第一色光出射。在第二子像素单元112中，单色led阵列芯片10中发光led出射的单色光，照射至量子点层32的第二量子点材料322上激发以进行光转换，从而转换为第二色光出射。在第三子像素单元113中，单色led阵列芯片10中发光led出射的单色光直接透过光转换组30仍旧以单色光出射。
32.如此，对于一个像素单元11，就能够分别通过第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113出射第一色光、第二色光和单色光。第一色光、第二色光和单色光分别为不同颜色的可见光，例如红光、绿光和蓝光，每个像素单元11都能够实现彩色光出射，从而使得本技术实施例的整个量子点光转换模组最终呈现彩色显示。
33.当然，需要说明的是，本技术实施例中，对于每一个像素单元11划分为第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113是一种可行的划分方式，例如rgb彩色显示符合本方案的划分方式，但是，本技术实施例中不限于此，每一个像素单元11在划分为第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113的基础上，例如还可以进一步划分有第四子像素单元等，用于再出射第四种颜色的光束以对彩色显示进行补充，或补光等。但是，基于本技术实施例的基础方案，若还包括有第四子像素单元，那么，对应于第四子像素单元的量子点层还需配置相应的量子点材料以实现所需的彩色出光。
34.高透光层31对每一个子像素单元的作用均为高透光出射，并且阻隔来自其靠近于单色led阵列芯片10一侧的热量，以及对单色led阵列芯片10和在两层高透光层31之间的量子点层32进行保护。本技术实施例中对于高透光层31的具体材料不做限定，可以为各种能够实现高透光的材料，只要保证能够对于光束的高透光出射即可。
35.本技术提供了一种量子点光转换模组，包括单色led阵列芯片10以及在单色led阵列芯片10的出光侧依次设置的黑矩阵20和层叠设置的多个光转换组30，黑矩阵20将单色led阵列芯片10划分为多个像素单元11，每个像素单元11包括用于分别出射单色光的第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113；每个光转换组30包括依次形成的高透光层31和量子点层32，量子点层32包括与第一子像素单元111对应的第一量子点材料321以及与第二子像素单元112对应的第二量子点材料322，单色光与第一量子点材料321经过光转换后以第一色光出射，单色光与第二量子点材料322经过光转换后以第二色光出射。第一量子点材料321和第二量子点材料322分别与单色光进行光转化，相比于掺杂混合其他材质的量子点，能够具有较高的转换效率，单色光依次经过多个光转换组30中的量子点层32，相当于依次进行了多次的光转换，从而进一步提高了光转换效率，而且，同等光转换条件下，对于每一量子点层32也能够尽可能减薄其厚度，以提高量子点光转换模组的结构紧凑性，每个光转换组30中的高透光层31在能够保证转换的光束的高透通过的同时，还能够作为保护层有效的阻隔发光led散发的热量向上传导，增强显示器件的稳定性及隔热效果。
36.可选的，单色led阵列芯片10出射的单色光为蓝光，蓝光与第一量子点材料321经过光转换后以红光出射，蓝光与第二量子点材料322经过光转换后以绿光出射。
37.蓝光led为现有技术中功能较佳、出光效果较好的一种单色光发生器件，而且蓝光波长短，蓝光与量子点材料激发转换为长波长的其他颜色光(如红光和绿光)，短波长光激发转换为长波长光的技术较为成熟，光转换能力较强，效果较佳。
38.在本技术方案的一种可行的实施例中，本技术实施例的量子点光转换模组以rgb三原色实现彩色显示，基于此，单色led阵列芯片10为单一出射蓝光的led芯片，在第一子像素单元111中，单色led阵列芯片10出射的蓝光与量子点层32的第一量子点材料321激发以进行光转换，转换为红光出射。在第二子像素单元112中，单色led阵列芯片10中出射的蓝光与量子点层32的第二量子点材料322激发以进行光转换，转换为绿光出射。在第三子像素单元113中，单色led阵列芯片10中出射的蓝光直接透过光转换组30仍旧以蓝光出射。因此，在像素单元11中呈现红光、绿光和蓝光的彩色出光。
39.可选的，高透光层31包括对应设置于第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113的出光侧的高透光材料。
40.高透光层31穿插于多个量子点层32之间，间隔开每一个量子点层32，在对应于像素单元11的第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113中均设置为高透光材料，因此，第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113中分别出射激发和出射的红光、绿光和蓝光都能够具有高透过率，而且，在第一子像素单元111和第二子像素单元112中的每个量子点层32中激发光转换的过程中产生的热量，也能够由高透光材料阻隔，从而避免量子点层32上发生热量累积。
41.高透光材料即指的是具有高可见光透过功能的材料，示例的，高透光材料可以为光刻胶，光刻胶具有较好的热阻隔能力，为了保证光刻胶的高透光率，若采用光刻胶作为高透光层31的高透光材料，需要提供较薄的膜层厚度。又例如，高透光材料可以为聚合物，聚合物一般具有较佳的透光性，作为高透光材料能够保证高可见光透过能力。而且，高透光材料还可以选用氧化硅、氮化硅等无机物材料，以及其他能够实现高可见光透过功能的材料，上述材料通常都具有一定的热阻隔能力，从而在提供高可见光透过功能的同时，还能够起到热阻隔的效果。
42.可选的，如图2所示，量子点层32还包括与第三子像素单元113对应的补偿材料，补偿材料为高透光材料。
43.第三子像素单元113用于出射单色led阵列芯片10发出的蓝光，因此，对应于第三子像素单元113处的量子点层32无须进行激发光转换，但是，若量子点层32在对应于第三子像素单元113处不设置实体材料，即如图1所示，量子点层32在对应于第三子像素单元113处为挖空结构，那么层叠设置多层光转换组30后，第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113处的厚度不一致，对于各层级的制备和形成，例如物理气相沉积、化学气相沉积、等离子增长型化学气相沉积等，容易造成成膜效果不佳等问题，基于此，如图2所示，在量子点层32对应于第一子像素单元111处采用第一量子点材料321、第二子像素单元112采用第二量子点材料322的情况下，在量子点层32对应于第三子像素单元113处采用补偿材料，这样一来，量子点层32能够整层形成厚度一致的膜层结构，从而使得整个量子点光转换模组的表面较为平坦，有利于后续膜层的制备，以及器件封装等后续步骤的实施。
44.其中，补偿材料选用高透光材料，高透光材料具有高可见光透过功能，从而避免补偿材料的设置，对于第三子像素单元113的蓝光出射效率的不良影响。
45.可选的，如图2所示，量子点层32的厚度d在10nm-200nm之间。
46.如图2所示，量子点层32的厚度d设置在10nm-200nm之间，例如，量子点层32的厚度d设置为10nm、30nm、45nm、80nm、100nm、150nm、170nm、200nm。量子点层32的厚度d大于或等
于10nm，保证足够的厚度以使每一组光转换组30中的量子点层32都能够与光束激发进行光转换，而且，量子点层32的厚度d小于或等于200nm，也使得不至于因为量子点层32过厚，而导致在量子点激发光转换过程中产生和积存较多的热量，破坏量子点的工作能力。由于参与激发光转换的第一量子点材料321和第二量子点材料322均为单纯量子点材料，而未混合其他如胶体等的混合物，使得即使是厚度较小的量子点层32也能够具有较佳的激发能力。而且，层叠设置的多个光转换组30中均包括有量子点层32，因此，经过多个量子点层32的激发转换，能够有效的保证充分的光转换，从而使得红光和绿光的出光转换效率高，出光纯度较高。
47.需要说明的是，对于多组光转换组30来说，每一组光转换组30中的量子点层32的厚度d均满足在10nm-200nm之间。
48.可选的，第一量子点材料321和/或第二量子点材料322为有机量子点或无机量子点。
49.量子点是一种重要的低维半导体材料，其三个维度上的尺寸都不大于其对应的半导体材料的激子玻尔半径的两倍。量子点一般为球形或类球形，直径常在2-20nm之间。常见的量子点由iv、ii-vi，iv-vi或iii-v元素组成。本技术实施例中第一量子点材料321和/或第二量子点材料322采用有机量子点或无机量子点，例如：硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点等。
50.需要说明的是，对应第一子像素单元111和第二子像素单元112的不同量子点，用于分别实现将蓝光转化为红光和将蓝光转化为绿光，除了可以是上述的量子点材料不同，或者，还可以是同样的量子点材料但是量子点尺寸不同。
51.而且，多组光转换组30中的多层量子点层32，可以采用相同的量子点材料，也可以采用不同的量子点材料，本技术实施例中对此不做具体限定，本领域技术人员可以根据实际需求进行具体的设置和选择。
52.可选的，如图2所示，高透光层31的厚度t小于等于1μm。
53.高透光层31夹设于相邻两组光转换组30的量子点层32之间，用于保证较佳的光透过率，并且用于阻隔靠近单色led阵列芯片10一侧的量子点层32在激发光转换过程中的热量，而且，由于光转换组30包括依次设置的高透光层31和量子点层32，因此，在最靠近单色led阵列芯片10的第一组光转换组30中，由其中的高透光层31贴合单色led阵列芯片10的出光侧设置，从而有效的阻隔单色led阵列芯片10中发光led产生的热量向上传递。
54.高透光层31的厚度t小于等于1μm，从而在保证热量阻隔能力的情况下，避免对光通过率产生不良的影响，以及，避免因此造成本技术实施例的量子点光转换模组的较大厚度。
55.可选的，如图3所示，层叠设置的多个光转换组30的总厚度w在5-10μm之间。
56.考虑到对于光转换组30来说，其高透光层31的高可见光透过功能和热阻隔能力，以及其量子点层32的光转换能力，均与其自身的厚度有关，那么对于层叠设置的多组光转换组30来说，光转换组30层叠设置的数量，也与每一组光转换组30，以及每一组光转换组30中的高透光层31和量子点层32的厚度相关，因此，在不限定每一组光转换组30的高透光层31和量子点层32的厚度，以及光转换组30具体设置的组数的情况下，限定层叠设置的多个
光转换组30的总厚度w在5-10μm之间，当多个光转换组30的总厚度w在5-10μm之间，可以有效的保证多个光转换组30对于单色led阵列芯片10出光的光转换效率和可见光高透过能力，在此基础上，本领域技术人员可以根据需要进行设计和选择，例如设置每一组光转换组30的厚度较小，从而设置较多组的光转换组30层叠，以实现充分光转换，或者，还可以设置较少的光转换组30层叠，从而使得每一组光转换组30的厚度相应有所增大。
57.本技术实施例的另一方面，提供了一种微led显示器，包括前述任意一项的量子点光转换模组。
58.微led显示器用于实现主动发光的彩色显示，微led显示器包括前述任意一项的量子点光转换模组，根据前述的量子点光转换模组的说明，本技术实施例的量子点光转换模组能够通过层叠设置的多组光转换组30实现多次激发光转换，从而在较小的厚度范围下充分的提高光转换效率，每个光转换组30中的高透光层31在能够保证转换的光束的高透通过的同时，还能够作为保护层有效的阻隔发光led散发的热量向上传导，大大增强了微led显示器的隔热效果，使得本技术实施例的微led显示器显色效果好，工作稳定性较佳。
59.可选的，如图4所示，在远离单色led阵列芯片10的光转换组30的量子点层32上设置有平坦层40，平坦层40为高透光材料。
60.对于微led显示器，需要保证器件的封装，从而实现器件的长久、稳定的使用功能，在层叠设置多组的光转换组30后，在最后一组光转换组30的量子点层32之上设置平坦层40，一方面对最后一组光转换组30中的量子点层32进行隔绝保护，实现隔离封装的实际作用，另一方面，还通过平坦层40的设置，使得微led显示器的层级平坦，有利于后续其他封装结构的设置。其中，同样设置平坦层40采用高透光材料，从而避免对于转换后出射的红光、绿光和蓝光的出光效率造成影响。
61.其中还需要说明的是，在本技术实施例中，多组光转换组30中的高透光层31，以及平坦层40，或者还包括量子点层32中对应第三子像素单元113的采用高透光材料作为的补偿材料，在微led显示器中设置有多层，这些高透光材料可以均选用同一种，例如无机物材料氮化硅，也可以对多层的高透光材料穿插采用有机高透光材料和无机高透光材料进行复合设置，这种方式能够使得微led显示器的阻隔、封装效果较佳，从而对量子点层32以及单色led阵列芯片10起到较佳的保护作用。
62.本技术实施例的又一方面，提供了一种微led显示器的制备方法，图5为本技术实施例的微led显示器的制备方法的流程图，如图5所示，微led显示器的制备方法包括：
63.s101、在单色led阵列芯片10的出光侧设置黑矩阵20，黑矩阵20将单色led阵列芯片10界定为多个像素单元11，每个像素单元11包括用于分别出射单色光的第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113。
64.首先，在单色led阵列芯片10的出光侧设置黑矩阵20，通过黑矩阵20将单色led阵列芯片10界定为多个像素单元11，并且界定出每个像素单元11中用于分别出射单色光的第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三子像素单元113，当然，根据前述的举例说明可知，若本技术实施例中的像素单元11还包括有第四子像素单元等，也同样通过黑矩阵20界定划分，对于每一个由黑矩阵20划分出的子像素单元，其范围内应当包括至少一个单色led阵列芯片10上的发光led，或者，也可以包括多个发光led。黑矩阵20的设置，除了能够界定出像素单元11以及每个像素单元11中的第一子像素单元111、第二子像素单元112和第三
子像素单元113，还包括在实现彩色显示过程中，各个子像素单元之间的出光避免发生相互干扰，影响出光的纯度。
65.s102、在形成有黑矩阵20的单色led阵列芯片10的出光侧层叠设置多个光转换组30，光转换组30包括依次形成的高透光层31和量子点层32，其中，量子点层32至少包括对应于第一子像素单元111的第一量子点材料321和对应于第二子像素单元112的第二量子点材料322。
66.在形成有黑矩阵20的单色led阵列芯片10的出光侧层叠设置多个光转换组30，示例的，如图1所示，层叠设置有四组光转换组30，每一组光转换组30均包括依次形成的高透光层31和量子点层32，因此，也即为在单色led阵列芯片10的出光侧层叠交替设置多个高透光层31和量子点层32，其中，高透光层31直接贴合单色led阵列芯片10的出光侧设置，一方面保证单色led阵列芯片10中发光led发出的单色光能够具有高透过率，另一方面，由于单色led阵列芯片10的发光led在发光过程中会同时发热，散发的热量若是向上传导至量子点层32并在量子点层32出集聚导致温度持续升高，就会对量子点的稳定性造成影响，因此，直接贴合单色led阵列芯片10的出光侧设置，以及在相邻两层量子点层32之间设置的高透光层31，都能够对发光led的热量，以及单色光与量子点层32激发光转化过程中的发热进行阻隔，避免热量过高影响量子点层32的光转化能力。
67.其中，量子点层32至少包括对应于第一子像素单元111的第一量子点材料321和对应于第二子像素单元112的第二量子点材料322，此外，在对应于第三子像素单元113处，可以为不设置任何实体材质，也可以设置补偿材料，为了保证第三子像素单元113内单色光的较好的透过型，补偿材料可以选择为高透光材料。
68.s103、在远离单色led阵列芯片10的光转换组30的量子点层32上设置平坦层40，平坦层40为高透光材料。
69.在形成有多组光转换组30之后，至少在对应像素单元11的第一子像素单元111和第二子像素单元112中，发出的单色光经过多组光转换组30中的量子点层32的多次激发光转换，实现了较为完善且彻底的光转换，使得第一子像素单元111和第二子像素单元112中的光转换效率较佳。此时在最后一组光转换组30上的量子点层32之上形成一平坦层40，用于使整个像素单元11的各子像素单元的厚度尽量保持一致，并且起到隔绝空气和湿气、保护器件以及封装器件的作用。同样的，为了不影响各个子像素单元的高透光率，平坦层40也可以同样采用高透光材料。
70.其中，对于量子点层32中对应于第三子像素单元113内设置的补偿材料，每一个光转换组30中高透光层31采用的高透光材料，以及平坦层40采用的高透光材料，也具有多种选择，可以均采用同一种高透光材料，也可以对各层级之间采用不同种的高透光材料，例如有机高透光材料和无机高透光材料穿插选择，均可实现本技术实施例中对于高透光材料所限定的效果。本技术实施例中对此选择不做具体限定，在提高封装效果方面，较多的选择会采用有机高透光材料和无机高透光材料穿插使用的方式。
71.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。