一种S频段同轴八路大功率合成器的制作方法

一种s频段同轴八路大功率合成器
技术领域
1.本实用新型涉及微波通信技术领域，尤其涉及一种s频段同轴八路大功率合成器。


背景技术：

2.目前，航天靶场及卫星地面测控系统中s频段大功率发射机逐步要求实现全固态化，随着我国地面测控以及通信设备的发展，全固态大功率发射机以其独特优势越来越普及。输出功率是大功率发射机的首要指标。由于固态功放管和功放模块输出功率的限制，在大功率发射机中必须采用功率合成技术来实现其全固态高功率输出，功率合成器正是实现功率合成技术的关键核心微波部件。
3.用于实现功率合成的解决方案和电路器件多种多样，无论是一次合成、二进制合成、级联合成，也不管是径向线、威尔金森电路、分支带状线、混合电桥、定向耦合器、魔t或传输线变压器等，从理论上讲，所能得到的功率合成结果及特性都是一样的。但是，具体到工程实际当中，总是各有其技术难点和局限性，比如说结构实现、体积限制、频带要求、功率容量、加工精度、电气性能以及经济成本等。所以，在功率合成器的设计当中应根据应用环境和技术条件，权衡利弊，综合考量，创新实用。
4.现有的功率合成器电路主要由输入、输出同轴线、同轴带线变换节、带线阻抗变换节、径向同轴带线八路功率合成结以及同轴阻抗变换节等部分级联组合而成，其方案原理组成框图如图1所示；其中，输入、输出同轴线均采用连接器，同轴带线变换节、带线阻抗变换节则利用改变带状导体直径或者横截面积的实现，以使得端口阻抗和系统阻抗能够形成良好的匹配关系，径向同轴带线八路功率合成结则是八个带状导体的汇聚点，且能够通过改变合成结大小和形状的方式进一步适应阻抗匹配，同轴阻抗变换节则利用改变输出同轴线的直径或者横截面积的方式实现。
5.但是，现有的功率合成器为了满足大功率的要求，设计时加工精度要求高，结构复杂，成本高昂。


技术实现要素：

6.本实用新型的目的在于提供一种s频段同轴八路大功率合成器，以解决现有的功率合成器的结构复杂、经济成本高昂的问题。
7.为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
8.一种s频段同轴八路大功率合成器，包括圆盘状外壳，所述的圆盘状外壳内沿径向呈辐射状均匀设置有八个带状导体，八个带状导体的内端在圆盘中心汇聚为合成结，合成结竖直向上在外壳上壁处连接有同轴线，同轴线上端连接有输出同轴连接器，八个带状导体的外端在外壳侧壁处均连接有输入同轴连接器。
9.所述的输入同轴连接器采用n
‑
型同轴连接器，所述的输出同轴连接器采用l
‑
29型同轴连接器。
10.所述的带状导体设置在安装槽内，安装槽的形状与带状导体的形状匹配。
11.所述的外壳底部设置有散热孔。
12.所述的散热孔上设置有过滤网。
13.与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
14.本实用新型使用者可通过阻抗的要求，改变八个带状导体、合成结和同轴线的形状、直径和横截面积，适用性广；且外壳的加工对精度要求低，结构简单，成本低廉。
附图说明
15.为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1为功率合成器的原理示意图；
17.图2为本实用新型的结构示意图；
18.图3为图2的a
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a向剖视图。
具体实施方式
19.下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
20.如图2和图3所示：本实用新型所述的一种s频段同轴八路大功率合成器，包括圆盘状外壳1，所述的圆盘状外壳1内沿径向呈辐射状均匀设置有八个带状导体3，八个带状导体3的内端在圆盘中心汇聚为合成结6，合成结6竖直向上在外壳1上壁处连接有同轴线4，同轴线4上端连接有输出同轴连接器5，八个带状导体3的外端在外壳1侧壁处均连接有输入同轴连接器2。
21.本实用新型的工作原理为：使用时，八路同频率、等功率的微波信号在外部通过输入同轴连接器2进入外壳1，即分别进入八个带状导体3，并在合成结6处汇聚，然后通过特定横截面积的同轴线4，进一步通过输出同轴连接器5输出大功率；上述过程中，使用者可通过阻抗的要求，改变八个带状导体3、合成结6和同轴线4的形状、直径和横截面积，适用性广；且外壳1的加工对精度要求低，结构简单，成本低廉。
22.优选的：所述的输入同轴连接器2采用n
‑
型同轴连接器，所述的输出同轴连接器5采用l
‑
29型同轴连接器； n
‑
型同轴连接器和l
‑
29型同轴连接器为通用电气元件，价格便宜，适用范围广。
23.优选的：所述的带状导体3设置在安装槽（图中省略）内，安装槽的形状与带状导体3的形状匹配，便于带状导体3的安装和固定，还能在一定程度上实现不同带状导体3之间的电气隔离。
24.优选的：所述的外壳1底部设置有散热孔，所述的散热孔上设置有过滤网；散热孔的设置能够便于功率合成器的散热，加强功率合成器的性能，过滤网的设置能够防止外壳1外的灰尘等进入外壳1损坏功率合成器。
25.与现有技术相比：
26.本实用新型结构紧凑，形式对称，电路简单，特别适用于多路同等功率合成场合，且设计时考虑到结构实现、功率容量及阻抗匹配等问题，结构简单、成本低廉、便于推广。
27.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。


技术特征：
1.一种s频段同轴八路大功率合成器，其特征在于：包括圆盘状外壳，所述的圆盘状外壳内沿径向呈辐射状均匀设置有八个带状导体，八个带状导体的内端在圆盘中心汇聚为合成结，合成结竖直向上在外壳上壁处连接有同轴线，同轴线上端连接有输出同轴连接器，八个带状导体的外端在外壳侧壁处均连接有输入同轴连接器。2.根据权利要求1所述的一种s频段同轴八路大功率合成器，其特征在于：所述的输入同轴连接器采用n
‑
型同轴连接器，所述的输出同轴连接器采用l
‑
29型同轴连接器。3.根据权利要求1所述的一种s频段同轴八路大功率合成器，其特征在于：所述的带状导体设置在安装槽内，安装槽的形状与带状导体的形状匹配。4.根据权利要求1所述的一种s频段同轴八路大功率合成器，其特征在于：所述的外壳底部设置有散热孔。5.根据权利要求4所述的一种s频段同轴八路大功率合成器，其特征在于：所述的散热孔上设置有过滤网。

技术总结
本实用新型提供了一种S频段同轴八路大功率合成器，包括圆盘状外壳，所述的圆盘状外壳内沿径向呈辐射状均匀设置有八个带状导体，八个带状导体的内端在圆盘中心汇聚为合成结，合成结竖直向上在外壳上壁处连接有同轴线，同轴线上端连接有输出同轴连接器，八个带状导体的外端在外壳侧壁处均连接有输入同轴连接器；本实用新型使用者可通过阻抗的要求，改变八个带状导体、合成结和同轴线的形状、直径和横截面积，适用性广；且外壳的加工对精度要求低，结构简单，成本低廉。成本低廉。成本低廉。


技术研发人员：赵双领
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第二十七研究所
技术研发日：2021.01.27
技术公布日：2021/9/28