一种X射线源的制作方法

一种x射线源
技术领域
1.本实用新型属于x射线源领域，尤其是涉及一种x射线源。


背景技术：

2.目前最普遍使用的、最成熟的x射线源的电子发射源的方式包括热阴极方法、光电阴极方法和冷阴极的方法，热阴极方法，灯丝预热时间长，不能实现快速的电子发射；通过栅极控制可弥补预热时间与快速发射的矛盾，但栅控电压较高，机构尺寸较大，实现密级的多阴极多焦点x射线源比较困难，光电阴极方法和冷阴极的方法的共同问题是，电子发射能力较弱，导致此类x射线源的管电流较小。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本实用新型旨在提出一种x射线源，以解决上述问题中的不足之处。
4.为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
5.一种x射线源，包括真空壳体以及被封装在真空壳体内的电子发射源、电子倍增装置和阳极；
6.所述电子倍增装置设置在电子发射源后方，用于提高管电流；
7.电子发射源后方还设置有具有电子倍增能力的二维微通道板，用于解决x射线源静态空间紧密排布问题。
8.进一步的，所述电子发射源包括非热电子发射型的电子发射源。
9.进一步的，非热电子发射型的电子发射源包括冷阴极电子源、光电电子源，还包括冷阴极电子源和光电电子源经过任何空间组合形成的电子源。
10.进一步的，所述电子倍增装置包括光电倍增管型的电子倍增装置和微通道板型的电子倍增装置。
11.进一步的，所述电子倍增装置的出射窗为阴极。
12.进一步的，包括真空壳体以及依次设置在真空壳体内的冷阴极发射型的电子发射源、电子倍增管结构型的电子倍增装置以及阳极。
13.进一步的，包括真空壳体以及依次设置在真空壳体内的光阴极型的电子发射源、电子倍增管结构型的电子倍增装置以及阳极。
14.进一步的，包括真空壳体以及依次设置在真空壳体内的冷阴极发射型的电子发射源、微通道板型的电子倍增装置和阳极。
15.进一步的，所述电子倍增装置的出射窗为x射线源的真正阴极。
16.进一步的，所述真空壳体用于保证电子在轰击阳极前不会被散射或吸收。
17.相对于现有技术，本实用新型所述的一种x射线源具有以下有益效果：
18.(1)本实用新型所述的一种x射线源与现有的冷电子发射阴极和光电发射阴极x射线源相比，能够提供更多的电子，更大的管电流。
19.(2)本实用新型所述的一种x射线源与传统热电子x射线源相比，可以实现空间距
离较小的x射线源阵列。
附图说明
20.构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
21.图1为本实用新型实施例所述的一种x射线源结构示意图；
22.图2为本实用新型实施例所述的具有冷阴极发射型的电子发射源和光电倍增管型的电子倍增装置的结构示意图；
23.图3为本实用新型实施例所述的具有光阴极型的电子发射源和光电倍增管型的电子倍增装置的结构示意图；
24.图4为本实用新型实施例所述的具有冷阴极发射型的电子发射源和微通道板型的电子倍增装置的结构示意图；
25.图5为本实用新型实施例所述的具有光阴极型的电子发射源和微通道板型的电子倍增装置的结构示意图；
26.图6为本实用新型实施例所述的一种x射线源示意图。
27.附图标记说明：
[0028]1‑
电子发射源；100
‑
冷阴极发射型的电子发射源；101
‑
光阴极型的电子发射源；2
‑
电子倍增装置；200
‑
电子倍增管结构型的电子倍增装置；201
‑
微通道板型的电子倍增装置；3
‑
阳极；4
‑
真空壳体。
具体实施方式
[0029]
需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0030]
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
[0031]
如图1至图6所示，一种x射线源，包括真空壳体以及被封装在真空壳体内的电子发射源、电子倍增装置和阳极；
[0032]
所述电子倍增装置设置在电子发射源后方，用于提高管电流；
[0033]
电子发射源后方还设置有具有电子倍增能力的二维微通道板，用于解决x射线源静态空间紧密排布问题。
[0034]
所述电子发射源包括非热电子发射型的电子发射源。
[0035]
非热电子发射型的电子发射源包括冷阴极电子源、光电电子源，还包括冷阴极电子源和光电电子源经过任何空间组合形成的电子源。
[0036]
所述电子倍增装置包括光电倍增管型的电子倍增装置和微通道板型的电子倍增装置。
[0037]
所述电子倍增装置的出射窗为阴极。
[0038]
包括真空壳体以及依次设置在真空壳体内的冷阴极发射型的电子发射源、电子倍增管结构型的电子倍增装置以及阳极。
[0039]
包括真空壳体以及依次设置在真空壳体内的光阴极型的电子发射源、电子倍增管
结构型的电子倍增装置以及阳极。
[0040]
包括真空壳体以及依次设置在真空壳体内的冷阴极发射型的电子发射源、微通道板型的电子倍增装置和阳极。
[0041]
所述电子倍增装置的出射窗为x射线源的真正阴极。
[0042]
所述真空壳体用于保证电子在轰击阳极前不会被散射或吸收。
[0043]
在具体实施过程中，本技术要解决的第一个问题是，非热阴极方案存在的电子源电子发射能力较低的问题。解决此问题的技术方案就是，在非热阴极电子源的后面，增加电子倍增装置，使得管电流得到大幅提升。
[0044]
本技术要解决的第二个问题是，x射线源静态空间紧密排布问题。解决此问题的技术方案就是，紧密排布的光电电子源或冷阴极发射源，后面布置具有电子倍增能力二维微通道板。
[0045]
如图1所示，本技术提出的x射线源，由电子发射源1，电子倍增装置2，阳极3组成，上述部分被封装在真空壳体4中。
[0046]
电子发射源1一般为非热电子发射型的；因为热电子发射型的电子发射源，已经有足够的电子发射能力，保证对应的管电流；非热电子发射型电子发射源，可以是冷阴极电子源，或者是光电电子源，以及上述电子源的任何空间组合。
[0047]
相对于电子倍增装置2，电子发射源1出射的电子，靠其动能，或在辅助电场的帮助下，进入电子倍增装置2；电子倍增装置2，分为光电倍增管型和微通道板型，光电倍增管型的电子倍增装置200和微通道板型的电子倍增装置201：
[0048]
光电倍增管型的电子倍增装置200，如图2、图3所示；图2中的电子发射源2采用了冷阴极发射型的电子发射源100；图3中的电子发射源2采用了—光阴极型的电子发射源101；
[0049]
微通道板型的电子倍增装置201，如图4、图5所示；图4中的电子发射源2采用了冷阴极发射型的电子发射源100；图5中的电子发射源2采用了—光阴极型的电子发射源101；
[0050]
电子倍增装置2出射窗为x射线源的真正阴极；
[0051]
电子轰击阳极3后，产生x射线；
[0052]
真空壳体4用于保证电子在轰击阳极3前不会被散射或吸收。
[0053]
同时当电子倍增装置为微通道板时，x光源配合电子源等相关设计，可形成线阵x光源，形成面状光源；
[0054]
当形成螺旋形状光源时，配合对向配置的单排、多排探测器，可形成光源、探测器均静止的ct系统。
[0055]
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。
[0056]
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。